1.一種影像感測(cè)器，包括：
基底，包括一像素陣列區(qū)；
多個(gè)隔離結(jié)構(gòu)，位于該基底中，在該像素陣列區(qū)中區(qū)隔出多個(gè)像素區(qū)；
光感測(cè)區(qū)，位于各該像素區(qū)內(nèi)的該基底中；以及
反射凹穴結(jié)構(gòu)，位于各該像素區(qū)內(nèi)的該基底中，該反射凹穴結(jié)構(gòu)由各該隔離結(jié)構(gòu)的底部一較淺處，連續(xù)的延伸至各該像素區(qū)中間一較深處，使在各該像素區(qū)內(nèi)構(gòu)成一碟狀輪廓，其中該反射凹穴結(jié)構(gòu)的折射率小于該基底的折射率。
2.如權(quán)利要求1所述的影像感測(cè)器，其中該基底為硅基底，該反射凹穴結(jié)構(gòu)為一氧化硅層。
3.如權(quán)利要求2所述的影像感測(cè)器，其中該基底的折射率為4.5，該反射凹穴結(jié)構(gòu)的折射率為1.5。
4.如權(quán)利要求1所述的影像感測(cè)器，其中該反射凹穴結(jié)構(gòu)的厚度介于20～1000埃。
5.如權(quán)利要求1所述的影像感測(cè)器，其中該反射凹穴結(jié)構(gòu)直接接觸到各該隔離結(jié)構(gòu)的底部。
6.如權(quán)利要求1所述的影像感測(cè)器，其中該反射凹穴結(jié)構(gòu)不接觸到各該隔離結(jié)構(gòu)的底部。
7.如權(quán)利要求1所述的影像感測(cè)器，其中該光感測(cè)區(qū)包含光二極管。
8.如權(quán)利要求1所述的影像感測(cè)器，其中還包含內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，位于該基底上。
9.如權(quán)利要求8所述的影像感測(cè)器，其中該內(nèi)連線結(jié)構(gòu)包含至少一介電層與至少一導(dǎo)體層。
10.如權(quán)利要求8所述的影像感測(cè)器，其中還包含一彩色濾光層，位于該內(nèi)連線結(jié)構(gòu)上，以及一微透鏡，位于該彩色濾光層上。
11.一種影像感測(cè)器，包括：
基底，包括一像素陣列區(qū)；
反射層結(jié)構(gòu)，位于各該像素區(qū)內(nèi)的該基底中的一預(yù)定深度；
多個(gè)隔離結(jié)構(gòu)，位于該基底中，與該反射層結(jié)構(gòu)于該像素陣列區(qū)中隔離 出多個(gè)像素區(qū)，其中該反射層結(jié)構(gòu)的折射率小于該基底的折射率；以及
光感測(cè)區(qū)，位于各該像素區(qū)內(nèi)的該基底中。
12.如權(quán)利要求11所述的影像感測(cè)器，其中該基底為硅基底，該反射層結(jié)構(gòu)為一氧化硅層。
13.如權(quán)利要求12所述的影像感測(cè)器，其中該基底的折射率為4.5，該反射層結(jié)構(gòu)的折射率為1.5。
14.如權(quán)利要求11所述的影像感測(cè)器，其中該反射層結(jié)構(gòu)的厚度介于20～1000埃。
15.如權(quán)利要求11所述的影像感測(cè)器，其中該反射層結(jié)構(gòu)直接接觸到各該隔離結(jié)構(gòu)的底部。
16.如權(quán)利要求11所述的影像感測(cè)器，其中該預(yù)定深度大于或等于6000埃。
17.如權(quán)利要求11所述的影像感測(cè)器，其中該光感測(cè)區(qū)包含光二極管。
18.如權(quán)利要求11所述的影像感測(cè)器，其中還包含內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，位于該基底上。
19.如權(quán)利要求18所述的影像感測(cè)器，其中該內(nèi)連線結(jié)構(gòu)包含至少一介電層與至少一導(dǎo)體層。
20.如權(quán)利要求18所述的影像感測(cè)器，其中還包含彩色濾光層，位于該內(nèi)連線結(jié)構(gòu)上，以及微透鏡，位于該彩色濾光層上。