技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種碳化硅半導(dǎo)體器件的摻雜制造工藝，其特征在于，包括以下步驟：對碳化硅晶圓工件需摻雜的位置進(jìn)行注入離子，把SiC晶格內(nèi)的原子打走，制造晶格空缺。注入劑量需少于非晶化閾值，＜2x1015/cm2。在晶格沒有形成非晶化結(jié)構(gòu)層前，停止離子注入。然后，對襯底加溫，注入摻雜離子，讓注入摻雜的離子可馬上填入晶格空缺，并把注入所引起的晶格損傷復(fù)原。采用本方法令SiC晶格內(nèi)的空缺增加，當(dāng)注入摻雜離子時，摻雜離子會跑到晶格空缺，得到激活。這樣可以使現(xiàn)有退火激活熱處理工序所需的溫度大大降低，甚至取消這項工序。因此，令表面粗化問題得到解決，無需要在晶圓最頂層的表面制作保護(hù)層，把制造成本降低。

技術(shù)研發(fā)人員：黃升暉;蘇冠創(chuàng)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：南京勵盛半導(dǎo)體科技有限公司
文檔號碼：201510518123
技術(shù)研發(fā)日：2015.08.21
技術(shù)公布日：2017.03.01