技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底表面具有鰭部；

在所述襯底表面、以及鰭部的側(cè)壁和頂部表面形成摻雜層，所述摻雜層內(nèi)具有摻雜離子；

在所述摻雜層的部分表面形成前驅(qū)介質(zhì)膜，所述前驅(qū)介質(zhì)膜覆蓋位于襯底表面的摻雜層表面、以及位于鰭部側(cè)壁的摻雜層表面；

在所述前驅(qū)介質(zhì)膜表面和鰭部的頂部形成覆蓋介質(zhì)層，所述覆蓋介質(zhì)層的密度大于所述前驅(qū)介質(zhì)膜；

去除所述覆蓋介質(zhì)層和部分前驅(qū)介質(zhì)膜，形成前驅(qū)介質(zhì)層，所述前驅(qū)介質(zhì)層的表面低于所述鰭部的頂部表面，且所述前驅(qū)介質(zhì)層暴露出部分摻雜層；

去除高于前驅(qū)介質(zhì)層表面的摻雜層；

進(jìn)行退火工藝，使前驅(qū)介質(zhì)層固化形成介質(zhì)層，并使摻雜層內(nèi)的摻雜離子擴(kuò)散入所述鰭部?jī)?nèi)。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述摻雜層內(nèi)的摻雜離子為N型離子或P型離子。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述摻雜層內(nèi)的摻雜離子為P型離子；所述P型離子為硼離子。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述摻雜層的材料為硼硅玻璃；所述摻雜層的厚度為所述摻雜層內(nèi)的硼離子濃度為3E20atoms/cm³～5E21atoms/cm³；所述摻雜層的形成工藝為原子層沉積工藝。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述襯底包括第一區(qū)域和第二區(qū)域；所述摻雜層覆蓋第一區(qū)域的襯底表面和鰭部的側(cè)壁和頂部表面。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述前驅(qū)介質(zhì)膜位于第一區(qū)域的摻雜層部分表面、以及第二區(qū)域的襯底表面和鰭部的側(cè)壁表面。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在形成所述前驅(qū)介質(zhì)膜之前，在所述摻雜層表面、襯底表面和鰭部的側(cè)壁和頂部表面形成阻擋層；在所述阻擋層表面形成所前驅(qū)介質(zhì)膜；在去除高于前驅(qū)介質(zhì)層表面的摻雜層之前，去除高于前驅(qū)介質(zhì)層的阻擋層。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述阻擋層的材料為氮化硅。

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，還包括：位于所述鰭部的頂部表面的掩膜層；所述摻雜層位于所述掩膜層的側(cè)壁和頂部表面；所述前驅(qū)介質(zhì)膜的表面低于或齊平于所述掩膜層的頂部表面。

10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述鰭部的形成步驟包括：提供半導(dǎo)體基底；在所述半導(dǎo)體基底的部分表面形成掩膜層；以所述掩膜層為掩膜，刻蝕所述半導(dǎo)體基底，形成所述襯底以及位于襯底表面的鰭部。

11.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在形成所述介質(zhì)層之后，去除所述掩膜層。

12.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在形成所述摻雜層之前，在所述襯底和鰭部表面形成界面層；所述摻雜層形成于所述界面層表面。

13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述界面層的材料為氧化硅；所述界面層的形成工藝為氧化工藝。

14.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述覆蓋介質(zhì)層的材料為氧化硅；所述覆蓋介質(zhì)層的形成工藝為高密度等離子沉積工藝。

15.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述前驅(qū)介質(zhì)膜的材料為可流動(dòng)材料；所述前驅(qū)介質(zhì)膜的形成工藝溫度為60℃～70℃。

16.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述介質(zhì)層的材料為氧化硅。

17.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在所述退火工 藝之后，所述摻雜層擴(kuò)散入所述鰭部?jī)?nèi)的摻雜離子濃度為5E16atoms/cm³～1E19atoms/cm³。

18.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述退火工藝為快速熱退火；所述退火工藝的參數(shù)包括：溫度為950℃～1100℃，退火時(shí)間為5秒～20秒。

19.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，去除所述覆蓋介質(zhì)層和部分前驅(qū)介質(zhì)膜的步驟包括：對(duì)所述覆蓋介質(zhì)層進(jìn)行平坦化，直至暴露出位于鰭部頂部的摻雜層表面為止；在所述平坦化工藝之后，刻蝕剩余的覆蓋介質(zhì)層和部分前驅(qū)介質(zhì)膜，形成所述前驅(qū)介質(zhì)層。

20.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在所述退火工藝之后，形成橫跨所述鰭部的柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)覆蓋所述鰭部的部分側(cè)壁和頂部表面；在所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的鰭部?jī)?nèi)形成源區(qū)和漏區(qū)。