本發(fā)明是有關(guān)于一種封裝基板及半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，且特別是有關(guān)于具有較佳的焊球接附性的一種封裝基板及半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

芯片封裝的目的在于保護(hù)裸露的芯片、降低芯片接點(diǎn)的密度及提供芯片良好的散熱。常見(jiàn)的封裝方法是芯片通過(guò)導(dǎo)線接合(wire bonding)或覆晶接合(flip chip bonding)等方式而安裝至封裝基板，以使芯片上的接點(diǎn)可電性連接至封裝基板。因此，芯片的接點(diǎn)分布可通過(guò)封裝基板重新配置，以符合下一層級(jí)的外部元件的接點(diǎn)分布。

以其中一種單層的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制作流程為例，一般而言，封裝基板具有一置晶面以及一植球面，置晶面與植球面上分別有芯片接墊及金屬層，芯片接墊與金屬層之間以貫穿的導(dǎo)通孔連接。封裝基板會(huì)配置在一載板上，將芯片放置于置晶面并通過(guò)導(dǎo)線或是覆晶的方式連接于置芯片上的芯片接墊之后，會(huì)以包封體覆蓋在芯片與封裝基板上。其后，將載板分離于封裝基板，再通過(guò)蝕刻的方式蝕刻掉部分的金屬層而露出植球面以及凹陷于植球面的開(kāi)口處的焊球接墊。然而，在蝕刻的過(guò)程中，控制蝕刻的深度是相當(dāng)困難的，若蝕刻的深度太深，焊球接墊的厚度就會(huì)太小，而影響其后與焊球之間的接附強(qiáng)度，焊球會(huì)容易脫離于封裝基板的焊球接墊，或者，焊球接墊也可能會(huì)與焊球一起脫離于封裝基板。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種封裝基板，具有較佳的焊球接附性。

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其具有上述的封裝基板。

本發(fā)明的一種封裝基板，包括本體、多個(gè)導(dǎo)通孔、多個(gè)芯片接墊、多個(gè)焊球接墊及金屬抗蝕層。本體具有相對(duì)的置晶面以及植球面且包括凹陷于植 球面的多個(gè)開(kāi)口。這些導(dǎo)通孔貫穿本體且連接這些開(kāi)口。這些芯片接墊配置于置晶面且分別電性連接于這些導(dǎo)通孔。這些焊球接墊分別位在本體中靠近植球面的這些開(kāi)口處且電性連接于這些導(dǎo)通孔。金屬抗蝕層覆蓋各焊球接墊上的局部位置且外露于植球面的這些開(kāi)口，各焊球接墊的直徑大于對(duì)應(yīng)的開(kāi)口的直徑，且本體包覆各焊球接墊上未被金屬抗蝕層覆蓋的部位。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的金屬抗蝕層包括金層，且金屬抗蝕層的厚度約在0.2微米至0.4微米之間。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的金屬抗蝕層還包括鎳層，位在金層與這些焊球接墊之間。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的這些焊球接墊與金屬抗蝕層凹陷于植球面。

本發(fā)明的一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括封裝基板、芯片、包封體及多個(gè)焊球。封裝基板包括本體、多個(gè)導(dǎo)通孔、多個(gè)芯片接墊、多個(gè)焊球接墊及金屬抗蝕層。本體具有相對(duì)的置晶面以及植球面且包括凹陷于植球面的多個(gè)開(kāi)口。這些導(dǎo)通孔貫穿本體且連接這些開(kāi)口。這些芯片接墊配置于置晶面且分別電性連接于這些導(dǎo)通孔。這些焊球接墊分別位在本體中靠近植球面的這些開(kāi)口處且電性連接于這些導(dǎo)通孔。金屬抗蝕層覆蓋各焊球接墊上的局部位置且外露于植球面的這些開(kāi)口，各焊球接墊的直徑大于對(duì)應(yīng)的開(kāi)口的直徑，且本體包覆各焊球接墊上未被金屬抗蝕層覆蓋的部位。芯片配置于本體的置晶面上且電性連接于這些芯片接墊。包封體覆蓋于封裝基板的置晶面與芯片。這些焊球配置于植球面的這些開(kāi)口且連接于金屬抗蝕層。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的金屬抗蝕層包括金層，且金屬抗蝕層的厚度約在0.2微米至0.4微米之間。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的金屬抗蝕層還包括鎳層，位在金層與這些焊球接墊之間。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的這些焊球接墊與金屬抗蝕層凹陷于植球面，各焊球的部分伸入對(duì)應(yīng)的開(kāi)口。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的芯片以導(dǎo)線或是凸塊連接于這些芯片接墊。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)還包括絕緣層，配置在 本體的置晶面上這些芯片接墊以外的區(qū)域。

基于上述，本發(fā)明的封裝基板與半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)通過(guò)將金屬抗蝕層覆蓋各焊球接墊上的局部位置(焊球接墊上對(duì)應(yīng)于開(kāi)口的位置，也就是焊球接墊的中央?yún)^(qū)域)，金屬抗蝕層可保護(hù)焊球接墊，以避免發(fā)生焊球接墊被過(guò)度蝕刻而厚度不夠的狀況。此外，本發(fā)明的封裝基板與半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的各焊球接墊的直徑大于對(duì)應(yīng)的開(kāi)口的直徑，且本體包覆各焊球接墊上未被金屬抗蝕層覆蓋的部位(也就是焊球接墊的周圍區(qū)域)。因此，本體會(huì)卡住焊球接墊上未被金屬抗蝕層覆蓋的部位，焊球接墊便不會(huì)輕易地脫離于本體。

為了使本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖作詳細(xì)說(shuō)明如下。

附圖說(shuō)明

圖1是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的局部示意圖；

圖2是圖1的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的封裝基板的局部示意圖；

圖3是圖2的局部放大示意圖。

附圖標(biāo)記說(shuō)明：

10：半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)；

20：芯片；

30：包封體；

40：焊球；

50：絕緣層；

60：導(dǎo)線；

100：封裝基板；

110：本體；

112：置晶面；

114：植球面；

116：開(kāi)口；

120：導(dǎo)通孔；

130：芯片接墊；

140：焊球接墊；

150：金屬抗蝕層；

152：金層；

154：鎳層。

具體實(shí)施方式

圖1是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的局部示意圖。圖2是圖1的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的封裝基板的局部示意圖。圖3是圖2的局部放大示意圖。需說(shuō)明的是，圖2僅繪示出局部的封裝基板100，實(shí)際上封裝基板100的導(dǎo)通孔120、芯片接墊130、焊球接墊140的數(shù)量并不以此為限制。

請(qǐng)參閱圖1至圖3，本實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)10包括封裝基板100、芯片20、包封體30、多個(gè)焊球40及絕緣層50。更詳細(xì)地說(shuō)，封裝基板100包括本體110、多個(gè)導(dǎo)通孔120、多個(gè)芯片接墊130、多個(gè)焊球接墊140及金屬抗蝕層150。本體110具有相對(duì)的置晶面112以及植球面114且包括凹陷于植球面114的多個(gè)開(kāi)口116。這些芯片接墊130配置于置晶面112，這些焊球接墊140分別位在本體110中靠近植球面114的這些開(kāi)口116處。這些導(dǎo)通孔120貫穿本體110且連接這些開(kāi)口116。這些芯片接墊130與這些焊球接墊140分別電性連接于這些導(dǎo)通孔120。在本實(shí)施例中，導(dǎo)通孔120是實(shí)心的導(dǎo)柱，但在其他實(shí)施例中，導(dǎo)通孔120也可以是空心的，只要可以電性連接于置晶面112上的芯片接墊130以及位在開(kāi)口116中的焊球接墊140即可。

為了避免封裝基板100在制作的過(guò)程之中對(duì)焊球接墊140過(guò)度蝕刻而導(dǎo)致焊球接墊140的厚度太薄，進(jìn)而影響到焊球接墊140與焊球40之間的接附性。在本實(shí)施例中，金屬抗蝕層150覆蓋各焊球接墊140上的局部位置且外露于植球面114的這些開(kāi)口116，由于金屬抗蝕層150不會(huì)受到蝕刻程序影響，可有效地保護(hù)焊球接墊140，以避免焊球接墊140受到過(guò)度蝕刻而發(fā)生厚度不夠的狀況。

更詳細(xì)地說(shuō)，制造者可先視封裝基板100需要多少厚度的焊球接墊140，在此厚度的焊球接墊140上覆蓋金屬抗蝕層150，金屬抗蝕層150覆蓋各焊球接墊140上對(duì)應(yīng)于開(kāi)口116的位置，也就是焊球接墊140的中央?yún)^(qū)域。如此一來(lái)，在蝕刻植球面114上的金屬層(未繪示)時(shí)，當(dāng)金屬層被蝕刻完而 露出植球面116以及金屬抗蝕層150時(shí)，由于金屬抗蝕層150不會(huì)受到蝕刻藥液的影響，可有效地保護(hù)焊球接墊140。因此，焊球接墊140能夠具有所需的厚度。

在本實(shí)施例中，金屬抗蝕層150包括金層152及鎳層154，鎳層154位在金層152與這些焊球接墊140之間。在其他實(shí)施例中，金屬抗蝕層150也可以僅有金層152。此外，金屬抗蝕層150的厚度約在0.2微米至0.5微米之間。當(dāng)然，金屬抗蝕層150的種類以及厚度并不以此為限制，只要在蝕刻過(guò)程中可以保護(hù)焊球接墊140不被蝕刻，且能夠?qū)ㄓ诤盖蚪訅|140即可。

另外，由于導(dǎo)通孔120的寬度較窄，焊球接墊140與導(dǎo)通孔120之間存在頸縮的輪廓，而使得焊球接墊140與導(dǎo)通孔120之間的連接強(qiáng)度較弱。為了避免發(fā)生焊球接墊140與焊球40一起脫離于本體110的狀況，在本實(shí)施例中，各焊球接墊140的直徑大于對(duì)應(yīng)的開(kāi)口116的直徑，且本體110包覆各焊球接墊140上未被金屬抗蝕層150覆蓋的部位(也就是焊球接墊140的周圍區(qū)域)。由圖3可清楚地看到，本體110會(huì)卡住焊球接墊140上未被金屬抗蝕層150覆蓋的部位(也就是焊球接墊140下方的周圍區(qū)域)，焊球接墊140便不會(huì)輕易地脫離于本體110。

請(qǐng)回到圖1，芯片20配置于本體110的置晶面112上且電性連接于這些芯片接墊130。在本實(shí)施例中，芯片20是以打線的形式，通過(guò)導(dǎo)線60連接于這些芯片接墊130。當(dāng)然，在其他實(shí)施例中，芯片20也可以是覆晶的形式，以凸塊連接于這些芯片接墊130。包封體30覆蓋于封裝基板100的置晶面112與芯片20，以保護(hù)芯片20以及導(dǎo)線60。這些焊球接墊140與金屬抗蝕層150凹陷于植球面114，這些焊球40配置于植球面114的這些開(kāi)口116，各焊球40的部分伸入對(duì)應(yīng)的開(kāi)口116以連接于金屬抗蝕層150。絕緣層50配置在本體110的置晶面112上這些芯片接墊130以外的區(qū)域，以保護(hù)置晶面112上的其他線路。

綜上所述，本發(fā)明的封裝基板與半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)通過(guò)將金屬抗蝕層覆蓋各焊球接墊上的局部位置(焊球接墊上對(duì)應(yīng)于開(kāi)口的位置，也就是焊球接墊的中央?yún)^(qū)域)，金屬抗蝕層可保護(hù)焊球接墊，以避免發(fā)生焊球接墊被過(guò)度蝕刻而厚度不夠的狀況。此外，本發(fā)明的封裝基板與半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的各焊球接墊的直徑大于對(duì)應(yīng)的開(kāi)口的直徑，且本體包覆各焊球接墊上未被金屬抗蝕 層覆蓋的部位(也就是焊球接墊的周圍區(qū)域)。因此，本體會(huì)卡住焊球接墊上未被金屬抗蝕層覆蓋的部位，焊球接墊便不會(huì)輕易地脫離于本體。

最后應(yīng)說(shuō)明的是：以上各實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡管參照前述各實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分或者全部技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的范圍。