本發(fā)明涉及一種半導體元件的制造方法，且特別是涉及一種具有金屬柵極結(jié)構(gòu)的半導體元件的功函數(shù)調(diào)整方法。

背景技術(shù)：

隨著半導體元件的尺寸的日益縮小，柵極結(jié)構(gòu)的尺寸與柵介電層的厚度也隨之縮小。然而，以氧化硅為材料的柵介電層在厚度減小時會有漏電流(Leakage Current)的現(xiàn)象。為了減少漏電流的發(fā)生，現(xiàn)有的作法是以高介電常數(shù)(High Dielectric Constant；high-k)材料取代氧化硅來作為柵介電層。在使用高介電常數(shù)材料作為柵介電層的情況下，以多晶硅為材料的柵極會與高介電常數(shù)材料反應(yīng)產(chǎn)生費米能階釘扎(Fermi-level Pinning)，因而造成臨界電壓(Threshold Voltage)增大而影響元件效能。因此，目前大多使用金屬柵極來取代多晶硅柵極。

目前調(diào)整半導體元件的臨界電壓的方法常見的是通過調(diào)整功函數(shù)金屬層的厚度或通過離子注入調(diào)整法(Ion Implant Tuning)來進行調(diào)整。由于離子注入調(diào)整法的成本較高，因此目前較常采用的方法是通過調(diào)整功函數(shù)金屬層的厚度來調(diào)整半導體元件的臨界電壓。

然而，在通過調(diào)整功函數(shù)金屬層的厚度來調(diào)整半導體元件的功函數(shù)時，當功函數(shù)金屬層的厚度較薄時，不易管控制作工藝穩(wěn)定度且也不易形成連續(xù)膜。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種具有金屬柵極結(jié)構(gòu)的半導體元件的功函數(shù)調(diào)整方法，其可通過簡易的制作工藝來調(diào)整半導體元件的功函數(shù)。

本發(fā)明提供一種具有金屬柵極結(jié)構(gòu)的半導體元件的功函數(shù)調(diào)整方法，包括下列步驟。在基底上提供具有相同結(jié)構(gòu)的第一堆疊柵極結(jié)構(gòu)與第二堆疊柵 極結(jié)構(gòu)。第一堆疊柵極結(jié)構(gòu)與第二堆疊柵極結(jié)構(gòu)分別包括第一型的第一功函數(shù)金屬層。形成圖案化硬掩模層。圖案化硬掩模層暴露出第一堆疊柵極結(jié)構(gòu)的第一功函數(shù)金屬層且覆蓋第二堆疊柵極結(jié)構(gòu)的第一功函數(shù)金屬層。對圖案化硬掩模層所暴露出的第一堆疊柵極結(jié)構(gòu)的第一功函數(shù)金屬層進行第一氣體處理。第一氣體處理所使用的氣體包括含氮氣體或含氧氣體。

依照本發(fā)明的一實施例所述，在上述具有金屬柵極結(jié)構(gòu)的半導體元件的功函數(shù)調(diào)整方法中，第一功函數(shù)金屬層的形成方法例如是原子層沉積法(ALD)。

依照本發(fā)明的一實施例所述，在上述具有金屬柵極結(jié)構(gòu)的半導體元件的功函數(shù)調(diào)整方法中，第一堆疊柵極結(jié)構(gòu)與第二堆疊柵極結(jié)構(gòu)分別還包括柵介電層。柵介電層分別設(shè)置于第一功函數(shù)金屬層與基底之間。

依照本發(fā)明的一實施例所述，在上述具有金屬柵極結(jié)構(gòu)的半導體元件的功函數(shù)調(diào)整方法中，柵介電層的形成方法例如是原子層沉積法。

依照本發(fā)明的一實施例所述，在上述具有金屬柵極結(jié)構(gòu)的半導體元件的功函數(shù)調(diào)整方法中，第一堆疊柵極結(jié)構(gòu)與第二堆疊柵極結(jié)構(gòu)分別還包括介面層(interfacial layer)。介面層分別設(shè)置于柵介電層與基底之間。

依照本發(fā)明的一實施例所述，在上述具有金屬柵極結(jié)構(gòu)的半導體元件的功函數(shù)調(diào)整方法中，介面層的形成方法例如是熱氧化法或化學氣相沉積法(CVD)。

依照本發(fā)明的一實施例所述，在上述具有金屬柵極結(jié)構(gòu)的半導體元件的功函數(shù)調(diào)整方法中，第一堆疊柵極結(jié)構(gòu)與第二堆疊柵極結(jié)構(gòu)分別還包括阻障層。阻障層分別設(shè)置于第一功函數(shù)金屬層與柵介電層之間。

依照本發(fā)明的一實施例所述，在上述具有金屬柵極結(jié)構(gòu)的半導體元件的功函數(shù)調(diào)整方法中，阻障層可為單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。

依照本發(fā)明的一實施例所述，在上述具有金屬柵極結(jié)構(gòu)的半導體元件的功函數(shù)調(diào)整方法中，阻障層的形成方法例如是原子層沉積法。

依照本發(fā)明的一實施例所述，在上述具有金屬柵極結(jié)構(gòu)的半導體元件的功函數(shù)調(diào)整方法中，還可在基底上提供第三堆疊柵極結(jié)構(gòu)。第三堆疊柵極結(jié)構(gòu)具有第一型的第二功函數(shù)金屬層，且第二功函數(shù)金屬層與第一功函數(shù)金屬層可具有不同厚度。

依照本發(fā)明的一實施例所述，在上述具有金屬柵極結(jié)構(gòu)的半導體元件的 功函數(shù)調(diào)整方法中，還可在基底上提供第四堆疊柵極結(jié)構(gòu)。第四堆疊柵極結(jié)構(gòu)與第三堆疊柵極結(jié)構(gòu)具有相同結(jié)構(gòu)，且圖案化硬掩模層暴露出第三堆疊柵極結(jié)構(gòu)的第二功函數(shù)金屬層且覆蓋第四堆疊柵極結(jié)構(gòu)的第二功函數(shù)金屬層。

依照本發(fā)明的一實施例所述，在上述具有金屬柵極結(jié)構(gòu)的半導體元件的功函數(shù)調(diào)整方法中，還可對圖案化硬掩模層所暴露出的第三堆疊柵極結(jié)構(gòu)的第二功函數(shù)金屬層進行第一氣體處理。

依照本發(fā)明的一實施例所述，在上述具有金屬柵極結(jié)構(gòu)的半導體元件的功函數(shù)調(diào)整方法中，還可在基底上第五堆疊柵極結(jié)構(gòu)。第五堆疊柵極結(jié)構(gòu)與第一堆疊柵極結(jié)構(gòu)的差異在于第五堆疊柵極結(jié)構(gòu)不具有第一功函數(shù)金屬層。

依照本發(fā)明的一實施例所述，在上述具有金屬柵極結(jié)構(gòu)的半導體元件的功函數(shù)調(diào)整方法中，在移除圖案化硬掩模層之后，還可形成第五堆疊柵極結(jié)構(gòu)的第二型的第三功函數(shù)金屬層。

依照本發(fā)明的一實施例所述，在上述具有金屬柵極結(jié)構(gòu)的半導體元件的功函數(shù)調(diào)整方法中，含氮氣體例如是N₂或NH₃。

依照本發(fā)明的一實施例所述，在上述具有金屬柵極結(jié)構(gòu)的半導體元件的功函數(shù)調(diào)整方法中，含氧氣體例如是O₂或O₃。

依照本發(fā)明的一實施例所述，在上述具有金屬柵極結(jié)構(gòu)的半導體元件的功函數(shù)調(diào)整方法中，還可在進行第一氣體處理之后，移除圖案化硬掩模層。

依照本發(fā)明的一實施例所述，在上述具有金屬柵極結(jié)構(gòu)的半導體元件的功函數(shù)調(diào)整方法中，還包括下列步驟。在第一堆疊柵極結(jié)構(gòu)的第一功函數(shù)金屬層上形成第二型的第四功函數(shù)金屬層。在第二堆疊柵極結(jié)構(gòu)的第一功函數(shù)金屬層上形成第二型的第五功函數(shù)金屬層。

依照本發(fā)明的一實施例所述，在上述具有金屬柵極結(jié)構(gòu)的半導體元件的功函數(shù)調(diào)整方法中，還可對第四功函數(shù)金屬層與第五功函數(shù)金屬層中的一者進行第二氣體處理。第二氣體處理使用的氣體包括含氮氣體或含氧氣體。

依照本發(fā)明的一實施例所述，在上述具有金屬柵極結(jié)構(gòu)的半導體元件的功函數(shù)調(diào)整方法中，第四功函數(shù)金屬層與第五功函數(shù)金屬層可具有相同或不同的厚度。

基于上述，在本發(fā)明所提出的具有金屬柵極結(jié)構(gòu)的半導體元件的功函數(shù)調(diào)整方法中，由于圖案化硬掩模層所暴露出的第一堆疊柵極結(jié)構(gòu)的第一功函數(shù)金屬層在進行第一氣體處理時會暴露于氣體環(huán)境中，因此可改變具有第一 堆疊柵極結(jié)構(gòu)的半導體元件的功函數(shù)，而可通過簡易的制作工藝使得具有第一堆疊柵極結(jié)構(gòu)的半導體元件與具有第二堆疊柵極結(jié)構(gòu)的半導體元件具有不同的臨界電壓。

此外，相較于通過離子注入調(diào)整法來調(diào)整半導體元件的功函數(shù)的方法，上述半導體元件的功函數(shù)調(diào)整方法可減少離子注入步驟，因此可降低制造成本。另外，相較于僅通過調(diào)整功函數(shù)金屬層的厚度來調(diào)整半導體元件的功函數(shù)的方法，上述半導體元件的功函數(shù)調(diào)整方法，容易管控制作工藝穩(wěn)定度，且可形成具有較高可靠度的第一功函數(shù)金屬層。

為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附的附圖作詳細說明如下。

附圖說明

圖1A至圖1B為本發(fā)明一實施例所繪示的具有金屬柵極結(jié)構(gòu)的半導體元件的功函數(shù)調(diào)整流程剖面示意圖；

圖2為本發(fā)明另一實施例所繪示的金屬柵極結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。

符號說明

100：基底

102、112、202、202a、202b、202c、302、302a、302b：功函數(shù)金屬層

104：柵介電層

106：介面層

108、108a、108b

110：圖案化硬掩模層

400：氣體處理

GS1～GS6：堆疊柵極結(jié)構(gòu)

具體實施方式

下文中參照隨附附圖來更充分地描述本發(fā)明實施例。然而，本發(fā)明可以多種不同的形式來實踐，并不限于文中所述的實施例。以下實施例中所提到的方向用語，例如“上”、“下”、“前”、“后”、“內(nèi)”、“外”等，僅是參考附加附圖的方向，因此使用的方向用語是用來詳細說明，而非用來限制本發(fā)明。此外，在附圖中為明確起見可能將各層的尺寸以及相對尺寸作 夸張的描繪。

圖1A至圖1B為依照本發(fā)明一實施例所繪示的具有金屬柵極結(jié)構(gòu)的半導體元件的功函數(shù)調(diào)整流程剖面示意圖。圖2為依照本發(fā)明另一實施例所繪示的金屬柵極結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。

在圖1A至圖1B與圖2中，為了簡化附圖，而將堆疊柵極結(jié)構(gòu)GS1～GS6并列繪示，所屬技術(shù)領(lǐng)域具有通常知識者當可理解堆疊柵極結(jié)構(gòu)GS1～GS6是彼此分離設(shè)置在相同基底100上，且不同堆疊柵極結(jié)構(gòu)GS1～GS6中的功函數(shù)金屬層彼此互不相連。

請參照圖1A，在基底100上提供具有相同結(jié)構(gòu)的堆疊柵極結(jié)構(gòu)GS1與堆疊柵極結(jié)構(gòu)GS2。此外，還可選擇性地在基底100上提供堆疊柵極結(jié)構(gòu)GS3～GS6中的至少一者。堆疊柵極結(jié)構(gòu)GS1～GS6可用以作為半導體元件的金屬柵極結(jié)構(gòu)。所述半導體元件例如是鰭式場效晶體管(Fin-FET)等的晶體管元件。在此實施例中，堆疊柵極結(jié)構(gòu)GS1、GS2、GS6是以作為N型金屬氧化物半導體(NMOS)晶體管的金屬柵極結(jié)構(gòu)為例來進行說明，且堆疊柵極結(jié)構(gòu)GS3、GS4、GS5是以作為P型金屬氧化物半導體(PMOS)晶體管的金屬柵極結(jié)構(gòu)為例來進行說明。

堆疊柵極結(jié)構(gòu)GS1與堆疊柵極結(jié)構(gòu)GS2分別包括第一型的功函數(shù)金屬層102。堆疊柵極結(jié)構(gòu)GS3與堆疊柵極結(jié)構(gòu)GS4可具有相同結(jié)構(gòu)，且分別具有第一型的功函數(shù)金屬層202。堆疊柵極結(jié)構(gòu)GS5具有第一型的功函數(shù)金屬層302。堆疊柵極結(jié)構(gòu)GS6與堆疊柵極結(jié)構(gòu)GS1的差異在于堆疊柵極結(jié)構(gòu)GS6不具有功函數(shù)金屬層102。

第一型的功函數(shù)金屬層102、202、302可為P型功函數(shù)金屬層或N型功函數(shù)金屬層。P型功函數(shù)金屬層的材料例如是TiN、TiSiN或TaN。N型功函數(shù)金屬層的材料例如是TiAl、TiAlN、TaC、TaAlN或TiC。在此實施例中，第一型的功函數(shù)金屬層102、202、302是以材料為TiN的P型功函數(shù)金屬層為例來進行說明。功函數(shù)金屬層102、202、302的形成方法例如是原子層沉積法。

另外，功函數(shù)金屬層102、202、302可具有不同厚度，而使得具有功函數(shù)金屬層102、202、302的半導體元件具有不同的功函數(shù)。舉例來說，功函數(shù)金屬層202的厚度可大于功函數(shù)金屬層302的厚度，且功函數(shù)金屬層302的厚度可大于功函數(shù)金屬層102的厚度，但本發(fā)明并不以此為限。對于PMOS 晶體管而言，P型功函數(shù)金屬層的厚度越厚則臨界電壓越小，N型功函數(shù)金屬層的厚度越厚則臨界電壓越大。對于NMOS晶體管而言，N型功函數(shù)金屬層的厚度越厚則臨界電壓越小，P型功函數(shù)金屬層的厚度越厚則臨界電壓越大。

此外，功函數(shù)金屬層102、202、302的厚度可通過功函數(shù)金屬層的層數(shù)(如圖1A所示)或單一層功函數(shù)金屬層的厚度(如圖2所示)來進行調(diào)整。請參照圖1A，功函數(shù)金屬層102為單層結(jié)構(gòu)，功函數(shù)金屬層202為包括功函數(shù)金屬層202a、202b、202c的三層結(jié)構(gòu)，且功函數(shù)金屬層302為包括功函數(shù)金屬層302a、302b的兩層結(jié)構(gòu)，而使得功函數(shù)金屬層202的厚度大于功函數(shù)金屬層302的厚度，且功函數(shù)金屬層302的厚度大于功函數(shù)金屬層102的厚度。請參照圖2，可通過制作工藝設(shè)計，將單一層功函數(shù)金屬層202的厚度調(diào)整為大于單一層功函數(shù)金屬層302的厚度，且將單一層功函數(shù)金屬層302的厚度調(diào)整為大于功函數(shù)金屬層102的厚度。此外，圖2與圖1A中的相同構(gòu)件以相同的符號表示，可參照圖1A的說明。

請繼續(xù)參照圖1A，堆疊柵極結(jié)構(gòu)GS1～GS6分別還包括柵介電層104、介面層106與阻障層108中的至少一者。在堆疊柵極結(jié)構(gòu)GS1～GS5中，柵介電層104分別設(shè)置于功函數(shù)金屬層102、202、302與基底100之間。在堆疊柵極結(jié)構(gòu)GS6中，柵介電層104設(shè)置于基底100上。柵介電層104的材料例如是高介電常數(shù)材料，如HfO₂、ZrO₂、Al₂O₃、AlN、TiO₂、La₂O₃、Y₂O₃、Gd₂O₃、Ta₂O₅或其組合。柵介電層104的形成方法例如是原子層沉積法。

介面層106分別設(shè)置于柵介電層104與基底100之間。介面層106可增加柵介電層104與基底100之間的粘著度，且具有防止漏電的功能。介面層106的材料例如是氧化硅。介面層106的形成方法例如是熱氧化法或化學氣相沉積法。

在堆疊柵極結(jié)構(gòu)GS1～GS5中，阻障層108分別設(shè)置于功函數(shù)金屬層102、202、302與柵介電層104之間。阻障層108可用以作為蝕刻阻擋層。在堆疊柵極結(jié)構(gòu)GS6中，阻障層108設(shè)置于柵介電層104上。阻障層108可為單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。在此實施例中，阻障層108是以包括組障層108a與阻障層108b的雙層結(jié)構(gòu)為例來進行說明，但本發(fā)明并不以此為限。阻障層108a的材料例如是TiN。阻障層108b的材料例如是TaN。組障層108a與阻障層108b的形成方法例如是原子層沉積法。

形成圖案化硬掩模層110。圖案化硬掩模層110暴露出堆疊柵極結(jié)構(gòu)GS1的功函數(shù)金屬層102且覆蓋堆疊柵極結(jié)構(gòu)GS2的功函數(shù)金屬層102。圖案化硬掩模層110還可暴露出堆疊柵極結(jié)構(gòu)GS3的功函數(shù)金屬層202且覆蓋堆疊柵極結(jié)構(gòu)GS4的功函數(shù)金屬層202。此外，圖案化硬掩模層110還可選擇性地覆蓋堆疊柵極結(jié)構(gòu)GS5的功函數(shù)金屬層302與堆疊柵極結(jié)構(gòu)GS6的阻障層108。圖案化硬掩模層110的材料例如是氮化硅。圖案化硬掩模層110的形成方法例如是先通過化學氣相沉積法形成硬掩模層(未繪示)，再對硬掩模層進行圖案化制作工藝而形成。

對圖案化硬掩模層110所暴露出的堆疊柵極結(jié)構(gòu)GS1的功函數(shù)金屬層102進行氣體處理400。氣體處理400所使用的氣體包括含氮氣體或含氧氣體。含氮氣體例如是N₂或NH₃。含氧氣體例如是O₂或O₃。氣體處理400的溫度例如是約300℃至1000℃。氣體處理400的時間例如是約5秒至2分鐘。

在氣體處理400時，由于圖案化硬掩模層110所暴露出的堆疊柵極結(jié)構(gòu)GS1的功函數(shù)金屬層102會暴露于氣體環(huán)境中，因此可改變具有堆疊柵極結(jié)構(gòu)GS1的半導體元件的功函數(shù)。亦即，即使堆疊柵極結(jié)構(gòu)GS1與堆疊柵極結(jié)構(gòu)GS2具有相同結(jié)構(gòu)，經(jīng)由上述簡易的制作工藝氣體處理400仍可使得具有堆疊柵極結(jié)構(gòu)GS1的半導體元件與具有堆疊柵極結(jié)構(gòu)GS2的半導體元件具有不同的臨界電壓。

此外，在進行氣體處理400時，還可對圖案化硬掩模層110所暴露出的堆疊柵極結(jié)構(gòu)GS3的功函數(shù)金屬層202進行氣體處理400，而可通過簡易的制作工藝使得具有堆疊柵極結(jié)構(gòu)GS3的半導體元件與具有堆疊柵極結(jié)構(gòu)GS4的半導體元件具有不同的臨界電壓。

在此實施例中，堆疊柵極結(jié)構(gòu)GS1是以應(yīng)用于NMOS晶體管為例來進行說明，且堆疊柵極結(jié)構(gòu)GS3是以應(yīng)用于PMOS晶體管為例來進行說明。在經(jīng)過相同的氣體處理400之后，NMOS晶體管的臨界電壓與PMOS晶體管的臨界電壓會往同方向變化，例如一起變大或一起變小。

請參照圖1B，在進行氣體處理400之后，移除圖案化硬掩模層110。圖案化硬掩模層110的移除方法例如是干式蝕刻法或濕式蝕刻法。

在移除圖案化硬掩模層110之后，可在堆疊柵極結(jié)構(gòu)GS6的阻障層108上形成第二型的功函數(shù)金屬層112。同時，也可分別在堆疊柵極結(jié)構(gòu) GS1～GS5的功函數(shù)金屬層102、202、302上形成第二型的功函數(shù)金屬層112。第二型的功函數(shù)金屬層112可為N型功函數(shù)金屬層或P型功函數(shù)金屬層。N型功函數(shù)金屬層的材料例如是TiAl、TiAlN、TaC、TaAlN或TiC。P型功函數(shù)金屬層的材料例如是TiN、TiSiN或TaN。在此實施例中，第二型的功函數(shù)金屬層112是以材料為TiAl的N型功函數(shù)金屬層為例來進行說明。功函數(shù)金屬層112的形成方法例如是原子層沉積法。

堆疊柵極結(jié)構(gòu)GS1～GS6中的功函數(shù)金屬層112分別可具有相同或不同的厚度。此外，可通過調(diào)整功函數(shù)金屬層112的厚度分別進一步調(diào)整具有堆疊柵極結(jié)構(gòu)GS1～GS6的半導體元件的臨界電壓。

除此之外，還可選擇性地對堆疊柵極結(jié)構(gòu)GS1～GS6中的功函數(shù)金屬層112中的一個以上進行氣體處理，而進一步調(diào)整所選定的半導體元件的臨界電壓。亦即，可使用圖案化硬掩模層(未繪示)作為掩模，而對圖案化硬掩模層所暴露出的堆疊柵極結(jié)構(gòu)GS1～GS6中的一個以上的功函數(shù)金屬層112進行氣體處理。對功函數(shù)金屬層112所進行的氣體處理可參考圖1A中的氣體處理400的方法，然而所屬技術(shù)領(lǐng)域具有通常知識者可依照制作工藝設(shè)計對氣體處理的參數(shù)進行調(diào)整或?qū)λM行氣體處理的堆疊柵極結(jié)構(gòu)進行選擇。

舉例來說，就具有相同結(jié)構(gòu)的堆疊柵極結(jié)構(gòu)GS1與堆疊柵極結(jié)構(gòu)GS2而言，可通過圖案化硬掩模層暴露出堆疊柵極結(jié)構(gòu)GS1與堆疊柵極結(jié)構(gòu)GS2的其中一者的功函數(shù)金屬層112，而對所暴露出的功函數(shù)金屬層112進行氣體處理，以進一步調(diào)整具有堆疊柵極結(jié)構(gòu)GS1的半導體元件與具有堆疊柵極結(jié)構(gòu)GS2的半導體元件之間的臨界電壓差異。對功函數(shù)金屬層112所進行的氣體處理所使用的氣體包括含氮氣體或含氧氣體。含氮氣體例如是N₂或NH₃。含氧氣體例如是O₂或O₃。

此外，還可繼續(xù)進行完成金屬柵極結(jié)構(gòu)的其他制作工藝。由于后續(xù)完成金屬柵極結(jié)構(gòu)制作的其他制作工藝為所屬技術(shù)領(lǐng)域具有通常知識者所周知，故于此不再贅述。

基于上述實施例可知，上述半導體元件的功函數(shù)調(diào)整方法可通過四種不同堆疊柵極結(jié)構(gòu)制作出六種具有不同臨界電壓的半導體元件，但本發(fā)明并不以此為限。只要是在具有相同結(jié)構(gòu)的多個堆疊柵極結(jié)構(gòu)中，以圖案化硬掩模層作為掩模，對由圖案化硬掩模層所暴露出的功函數(shù)金屬層進行氣體處理，即屬于本發(fā)明所保護的范圍。

綜上所述，上述實施例所提出的具有金屬柵極結(jié)構(gòu)的半導體元件的功函數(shù)調(diào)整方法可通過簡易的制作工藝使得具有相同堆疊柵極結(jié)構(gòu)的半導體元件具有不同的臨界電壓。此外，相較于通過離子注入調(diào)整法來調(diào)整半導體元件的功函數(shù)的方法，上述實施例的半導體元件的功函數(shù)調(diào)整方法可降低制造成本。另外，相較于僅通過調(diào)整功函數(shù)金屬層的厚度來調(diào)整半導體元件的功函數(shù)的方法，上述實施例的半導體元件的功函數(shù)調(diào)整方法容易管控制作工藝穩(wěn)定度，且可形成具有較高可靠度的功函數(shù)金屬層。

雖然結(jié)合以上實施例公開了本發(fā)明，然而其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作些許的更動與潤飾，故本發(fā)明的保護范圍應(yīng)當以附上的權(quán)利要求所界定的為準。