1.一種用于制造浮柵存儲(chǔ)器件的方法，包括：
提供襯底；
將硅顆粒與包括乙醇和過(guò)氧化氫H2O2的溶液混合以形成硅/二氧化硅Si/SiO2核/殼納米結(jié)構(gòu)溶液，其中硅顆粒包括10nm至50nm的尺寸，硅顆粒包括Si/SiO2核/殼納米結(jié)構(gòu)溶液的1％至10％的重量比，且乙醇與過(guò)氧化氫的體積比在5％至20％的范圍內(nèi)；
在襯底上涂布Si/SiO2核/殼納米結(jié)構(gòu)溶液；
以60℃至80℃范圍內(nèi)的干燥溫度干燥Si/SiO2核/殼納米結(jié)構(gòu)溶液，以形成電荷俘獲層；
混合3-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷MEMO、丙醇鋯ZrPO、甲基丙烯酸MAA和光引發(fā)劑，以形成有機(jī)/無(wú)機(jī)雜化電介質(zhì)溶液，其中MEMO與ZrPO的體積比在7:3至5:5范圍內(nèi)；
在電荷俘獲層上涂布有機(jī)/無(wú)機(jī)雜化電介質(zhì)溶液；
以60℃至150℃范圍內(nèi)的預(yù)干燥溫度預(yù)干燥有機(jī)/無(wú)機(jī)雜化電介質(zhì)溶液；
用UV光固化電荷俘獲層上的有機(jī)/無(wú)機(jī)雜化電介質(zhì)溶液；
以130℃至180℃范圍內(nèi)的固化溫度熱固化有機(jī)/無(wú)機(jī)雜化電介質(zhì)溶液，以形成有機(jī)/無(wú)機(jī)雜化層；和
在有機(jī)/無(wú)機(jī)雜化層上形成柵電極。
2.一種制備浮柵存儲(chǔ)器件的方法，包括：
提供襯底；
將硅顆粒與包括有機(jī)溶劑和過(guò)氧化氫的溶液混合以形成硅/二氧化硅Si/SiO2核/殼納米結(jié)構(gòu)溶液，其中硅顆粒包括10nm至50nm的尺寸；
在襯底上涂布Si/SiO2核/殼納米結(jié)構(gòu)溶液；
以60℃至150℃范圍內(nèi)的干燥溫度干燥Si/SiO2核/殼納米結(jié)構(gòu)溶液，以形成電荷俘獲層；
混合3-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷MEMO、丙醇鋯ZrPO、甲基丙烯酸MAA和光引發(fā)劑，以形成有機(jī)/無(wú)機(jī)雜化電介質(zhì)溶液；
在電荷俘獲層上涂布有機(jī)/無(wú)機(jī)雜化電介質(zhì)溶液；
用UV光固化電荷俘獲層上的有機(jī)-無(wú)機(jī)雜化電介質(zhì)溶液；
以130℃至180℃范圍內(nèi)的固化溫度，熱固化有機(jī)/無(wú)機(jī)雜化電介質(zhì)溶液，以形成有機(jī)/無(wú)機(jī)雜化層；和
在有機(jī)/無(wú)機(jī)雜化層上形成柵電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中硅顆粒包括30nm的尺寸。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中硅顆粒包括Si/SiO2核/殼納米結(jié)構(gòu)溶液的1％至10％的重量比。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中有機(jī)溶劑是異丙醇、正丙醇、乙醇、甲醇或丙酮。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中有機(jī)溶劑與H2O2的體積比在5％至20％的范圍內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中MEMO與ZrPO的體積比在7:3至5:5的范圍內(nèi)。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中干燥溫度在60℃至80℃的范圍內(nèi)。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中混合MEMO、ZrPO、MAA和光引發(fā)劑以形成有機(jī)/無(wú)機(jī)雜化電介質(zhì)溶液的步驟進(jìn)一步包括：
用鹽酸HCL水解MEMO以形成第一溶液；
混合ZrPO、MAA和丙醇以形成第二溶液；
混合第一溶液、第二溶液和水以形成第三溶液；
將1-羥基環(huán)己基苯基甲酮HCHPK作為光引發(fā)劑添加到第三溶液中；和
用1-丙醇稀釋具有HCHPK的第三溶液。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中第三溶液包括MEMO：ZrPO：MAA：水為6.5：3.5：3.5：18的摩爾比。
11.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中用浸漬法將Si/SiO2核/殼納米結(jié)構(gòu)溶液涂布在襯底上，并用浸漬法將有機(jī)/無(wú)機(jī)雜化電介質(zhì)溶液涂布在電荷俘獲層上。
12.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，進(jìn)一步包括在用UV光固化的步驟 之前，以60℃到150℃范圍內(nèi)的預(yù)干燥溫度，預(yù)干燥有機(jī)-無(wú)機(jī)雜化電介質(zhì)溶液。
13.一種浮柵存儲(chǔ)器件，包括：
襯底；
形成在所述襯底上的電荷俘獲層，其中所述電荷俘獲層包括有機(jī)/無(wú)機(jī)雜化電介質(zhì)材料和硅/二氧化硅Si/SiO2核/殼納米結(jié)構(gòu)，并且Si/SiO2核/殼納米結(jié)構(gòu)嵌入在有機(jī)/無(wú)機(jī)雜化電介質(zhì)材料內(nèi)；
形成在電荷俘獲層上的有機(jī)/無(wú)機(jī)雜化電介質(zhì)層；和
形成在有機(jī)/無(wú)機(jī)雜化層上的柵電極；和
其中每個(gè)Si/SiO2核/殼納米結(jié)構(gòu)包括被SiO2殼包圍的Si核，該SiO2殼充當(dāng)浮柵存儲(chǔ)器件的隧道層。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的器件，其中Si/SiO2核/殼納米結(jié)構(gòu)包括10nm至50nm的大小尺寸，其中SiO2殼包括3nm至5nm的厚度。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的器件，其中Si/SiO2核/殼納米結(jié)構(gòu)包括30nm的尺寸。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的器件，其中電荷俘獲層包括顆粒密度在1x1010cm-2至1x1012cm-2范圍內(nèi)的Si/SiO2核/殼納米結(jié)構(gòu)。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的器件，其中電荷俘獲層包括在10nm至50nm范圍內(nèi)的厚度。
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的器件，其中電荷俘獲層包括單層的Si/SiO2核/殼納米結(jié)構(gòu)。
19.根據(jù)權(quán)利要求13所述的器件，其中有機(jī)/無(wú)機(jī)雜化層由(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷、鋯和甲基丙烯酸形成。
20.根據(jù)權(quán)利要求13所述的器件，其中有機(jī)/無(wú)機(jī)雜化層包括在300nm至800nm范圍內(nèi)的厚度。