技術(shù)總結(jié)
一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，其中半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法包括：在柵極結(jié)構(gòu)頂部表面和側(cè)壁表面、以及基底表面形成介質(zhì)層；刻蝕位于源漏互連區(qū)上方的介質(zhì)層，形成位于源漏互連區(qū)上方的第一凹槽，同時刻蝕位于橋連區(qū)上方的介質(zhì)層，形成位于橋連區(qū)上方的第二凹槽；形成填充滿第一凹槽的第零層導(dǎo)電層，同時形成填充滿第二凹槽的橋連導(dǎo)電層，第零層導(dǎo)電層與源漏互連區(qū)內(nèi)的源漏極電連接；刻蝕位于柵極互連區(qū)上方的介質(zhì)層，在介質(zhì)層內(nèi)形成位于柵極互連區(qū)上方的第三凹槽，第三凹槽暴露出柵極互連區(qū)的柵極結(jié)構(gòu)表面；形成填充滿所述第三凹槽的第零層?xùn)艑?dǎo)電層，且相鄰第零層?xùn)艑?dǎo)電層與所述橋連導(dǎo)電層側(cè)壁相接觸。本發(fā)明改善形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的電學(xué)性能。

技術(shù)研發(fā)人員：余云初;沈憶華;潘見;傅豐華
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
文檔號碼：201510706331
技術(shù)研發(fā)日：2015.10.27
技術(shù)公布日：2017.05.03