本發(fā)明涉及一種通信器件領(lǐng)域，尤其是一種集成耦合器與環(huán)行器的一體化通信器件。

背景技術(shù)：

目前，在通信領(lǐng)域，常用到耦合器與環(huán)行器的組合器件。環(huán)行器是一個(gè)多端口器件，其中電磁波的傳輸只能沿單方向環(huán)行，以只有三個(gè)端口(①端口、②端口和③端口)的環(huán)行器為例，信號(hào)只能沿①端口→②端口→③端口→①端口方向傳輸，反方向是隔離的。在近代雷達(dá)和微波多路通信系統(tǒng)中都要用單方向環(huán)行特性的器件。例如，在收發(fā)設(shè)備共享一副天線(xiàn)的雷達(dá)系統(tǒng)中常用環(huán)行器作雙工器。在微波多路通信系統(tǒng)中，用環(huán)行器可以把不同頻率的信號(hào)分隔開(kāi)。

環(huán)行器的原理依然是磁場(chǎng)偏置鐵氧體材料各向異性特性。微波結(jié)構(gòu)有微帶式、波導(dǎo)式、帶狀線(xiàn)和同軸式，其中以微帶三端環(huán)行器用的最多，用鐵氧體材料作介質(zhì)，上置導(dǎo)帶結(jié)構(gòu)，加恒定磁場(chǎng)，就具有環(huán)行特性。如果改變偏置磁場(chǎng)的方向，環(huán)行方向就會(huì)改變。

而目前在耦合器與環(huán)行器的組合器件上容易發(fā)生功率損失，并且因構(gòu)成用于連接(matching)耦合器與環(huán)行器的傳送線(xiàn)路而發(fā)生不必要的額外損失及費(fèi)用，例如：全反射損耗和插入損耗。因此，為了去除這種不必要的損失以及費(fèi)用，要求耦合器與環(huán)行器的統(tǒng)合以及集成化。

有鑒于此，發(fā)明人提供了一種集成耦合器與環(huán)行器的一體化通信器件。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種通信器件，其能夠在空間上將耦合器與環(huán)行器集成在一起，并且減少了連接狀態(tài)下的全反射損耗和插入損耗。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種通信器件，包括：

帶狀線(xiàn)環(huán)行器，包括：

磁性組件，包括第一磁性組件和第二磁性組件，所述第一磁性組件與所述第二磁性組件相對(duì)以產(chǎn)生磁場(chǎng)；

導(dǎo)電聯(lián)結(jié)件，位于所述第一磁性組件與所述第二磁性組件之間，所述導(dǎo)電聯(lián)結(jié)件包括位于磁性組件的外周緣內(nèi)且在所述磁場(chǎng)范圍內(nèi)的中心導(dǎo)體，和自所述中心導(dǎo)體向外延展的至少三個(gè)接線(xiàn)臂；以及

至少一耦合件，每個(gè)所述耦合件包括一位于磁性組件的外周緣內(nèi)且在所述磁場(chǎng)范圍內(nèi)的第一耦合部，所述第一耦合部位于所述第一磁性組件與所述第二磁性組件之間的空間內(nèi)，所述第一耦合部與一所述接線(xiàn)臂相對(duì)置，產(chǎn)生耦合作用。

優(yōu)選地，所述第一耦合部平行于相對(duì)置的所述接線(xiàn)臂。

優(yōu)選地，所述第一耦合部與所述導(dǎo)電聯(lián)結(jié)件均位于所述第一磁性組件和所述第二磁性組件之間的同一平面。

優(yōu)選地，所述耦合件還包括一在磁場(chǎng)范圍內(nèi)的增加所述耦合件阻抗的往復(fù)折線(xiàn)段，所述往復(fù)折線(xiàn)段位于所述第一磁性組件與所述第二磁性組件之間的空間內(nèi)。

優(yōu)選地，所述第一耦合部與相對(duì)置的所述接線(xiàn)臂的耦合度為10dB至30dB。

優(yōu)選地，所述帶狀線(xiàn)環(huán)行器還包括：

殼體，所述殼體具有側(cè)壁和底部，以在所述殼體中形成容納所述磁性組件、導(dǎo)電聯(lián)結(jié)件以及所述耦合件的第一耦合部的容納空間；以及

殼蓋，所述殼蓋與所述殼體連接，封閉所述容納空間。

優(yōu)選地，所述殼體的側(cè)壁具有若干開(kāi)口部，所述導(dǎo)電聯(lián)結(jié)件的接線(xiàn)臂各自從一所述開(kāi)口部中伸出所述側(cè)壁。

優(yōu)選地，所述耦合件具有第一端和第二端，所述耦合件的第一端和第二端以及相對(duì)置的所述接線(xiàn)臂共同從一所述開(kāi)口部中伸出所述側(cè)壁。

優(yōu)選地，所述接線(xiàn)臂包括：

電感線(xiàn)，所述電感線(xiàn)自所述中心導(dǎo)體向外延展，所述電感線(xiàn)與所述第一耦合部耦合；以及

接觸片，所述接觸片具有第一端和第二端，所述接觸片的第一端連接所 述電感線(xiàn)，第二端自所述開(kāi)口部中伸出所述側(cè)壁。

優(yōu)選地，所述接線(xiàn)臂還包括至少一電容部，所述電容部連接于所述接觸片的第一端。

優(yōu)選地，所述電容部分別卡合于所述開(kāi)口部的內(nèi)側(cè)。

優(yōu)選地，所述耦合件的第一端與相對(duì)置的所述接觸片垂直，所述耦合件的第二端與相對(duì)置的所述接觸片平行。

優(yōu)選地，所述耦合件還包括一第二耦合部，所述第二耦合部位于所述磁性組件的外周緣之外，所述第二耦合部與所述接觸片產(chǎn)生耦合作用。

優(yōu)選地，所述第一磁性組件包括在朝向?qū)щ娐?lián)結(jié)件103方向上依次堆疊的第一永磁鐵、第一耐熱隔層和第一鐵氧體介質(zhì)；以及

所述第二磁性組件包括在背向所述導(dǎo)電聯(lián)結(jié)件的方向上依次堆疊的第二鐵氧體介質(zhì)、第二耐熱隔層和第二永磁鐵；

其中，所述第一鐵氧體介質(zhì)與所述第二鐵氧體介質(zhì)共同夾持所述耦合件和所述導(dǎo)電聯(lián)結(jié)件。

優(yōu)選地，所述第一耐熱隔層和第二耐熱隔層均為鐵片。

優(yōu)選地，所述第一耐熱隔層和第二耐熱隔層均為軟鋼片。

優(yōu)選地，所述第一耐熱隔層和第二耐熱隔層均為軟磁盤(pán)。

優(yōu)選地，至少一所述開(kāi)口部設(shè)有至少一電阻器，所述電阻器連接自所述開(kāi)口部中伸出的所述耦合件或者接線(xiàn)臂。

優(yōu)選地，所述耦合件的第一端連接所述電阻器，所述耦合件與相對(duì)置的接線(xiàn)臂形成定向耦合器。

優(yōu)選地，所述帶狀線(xiàn)環(huán)行器是一隔離器，所述導(dǎo)電聯(lián)結(jié)件的一接線(xiàn)臂連接所述電阻器。

優(yōu)選地，所述帶狀線(xiàn)環(huán)行器還包括一防轉(zhuǎn)定位板，所述防轉(zhuǎn)定位板位于所述殼蓋與第二磁性組件之間，所述防轉(zhuǎn)定位板的外周具有若干不同方向的凸起，所述凸起定位卡合于所述側(cè)壁的不同開(kāi)口部中。

優(yōu)選地，所述帶狀線(xiàn)環(huán)行器還包括一第三耐熱隔層，所述第三耐熱隔層位于所述防轉(zhuǎn)定位板與所述磁性組件之間。

優(yōu)選地，所述導(dǎo)電聯(lián)結(jié)件和所述耦合件均為表面鍍銀的銅片。

優(yōu)選地，所述導(dǎo)電聯(lián)結(jié)件具有三個(gè)接線(xiàn)臂，任兩相鄰所述接線(xiàn)臂之間的 夾角均為120°。

由于使用了以上技術(shù)，本發(fā)明的通信器件能夠在空間上將耦合器與環(huán)行器集成在一起，并且減少了連接狀態(tài)下的全反射損耗和插入損耗。

附圖說(shuō)明

以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明，以使本發(fā)明的特性和優(yōu)點(diǎn)更為明顯。

圖1為本發(fā)明第一實(shí)施例的通信器件的立體組合圖；

圖2為本發(fā)明第一實(shí)施例的通信器件的立體分解圖；

圖3為本發(fā)明第一實(shí)施例的通信器件中耦合件與導(dǎo)電聯(lián)結(jié)件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為圖3中A區(qū)域的放大圖；

圖5為本發(fā)明第二實(shí)施例的通信器件的立體分解圖；

圖6為本發(fā)明第二實(shí)施例的通信器件中耦合件與導(dǎo)電聯(lián)結(jié)件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為圖6中B區(qū)域的放大圖；

圖8為本發(fā)明第三實(shí)施例的通信器件的立體組合圖；

圖9為本發(fā)明第三實(shí)施例的通信器件的立體分解圖；

圖10為本發(fā)明第三實(shí)施例的通信器件中耦合件與導(dǎo)電聯(lián)結(jié)件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖11為本發(fā)明第四實(shí)施例的通信器件的立體分解圖；以及

圖12為本發(fā)明第四實(shí)施例的通信器件中耦合件與導(dǎo)電聯(lián)結(jié)件的結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖標(biāo)記

1a；1b；1c；1d 通信器件

10 帶狀線(xiàn)環(huán)行器

101 第一磁性組件

1011 第一永磁鐵

1012 第一耐熱隔層

1013 第一鐵氧體介質(zhì)

102 第二磁性組件

1021 第二鐵氧體介質(zhì)

1022 第二耐熱隔層

1023 第二永磁鐵

103 導(dǎo)電聯(lián)結(jié)件

1031 中心導(dǎo)體

1032 接線(xiàn)臂

10321 電感線(xiàn)

10322 接觸片

10323 電容部

104 殼體

1041 側(cè)壁

1042 底部

1043 容納空間

1044 開(kāi)口部

1045；1046 電阻器

105 殼蓋

106 防轉(zhuǎn)定位板

1061 凸起

107 第三耐熱隔層

11；11’ 耦合件

110 空間

111 第一耦合部

112 第一端

113 第二端

114 往復(fù)折線(xiàn)段

115 第二耦合部

具體實(shí)施方式

以下將對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例給出詳細(xì)的說(shuō)明。盡管本發(fā)明將結(jié)合一些具體實(shí)施方式進(jìn)行闡述和說(shuō)明，但需要注意的是本發(fā)明并不僅僅只局限于這些實(shí)施方式。相反，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行的修改或者等同替換，均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍當(dāng)中。

另外，為了更好的說(shuō)明本發(fā)明，在下文的具體實(shí)施方式中給出了眾多的具體細(xì)節(jié)。本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，沒(méi)有這些具體細(xì)節(jié)，本發(fā)明同樣可以實(shí)施。在另外一些實(shí)例中，對(duì)于大家熟知的結(jié)構(gòu)和部件未作詳細(xì)描述，以便于凸顯本發(fā)明的主旨。

現(xiàn)在將參照附圖來(lái)詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例。本發(fā)明各示例性實(shí)施例也僅以具有三個(gè)端口的帶狀線(xiàn)環(huán)形器為例。然而，本發(fā)明可以以多種方式實(shí)施，且不應(yīng)解釋為限于在此闡明的實(shí)施例。更確切地，提供這些實(shí)施例來(lái)使得此公開(kāi)內(nèi)容完全且完整，并向本領(lǐng)域的技術(shù)人員充分傳達(dá)本發(fā)明的范圍。在附圖中，為清楚起見(jiàn)可以夸大形狀和尺寸，并且將自始至終使用相同的附圖標(biāo)記來(lái)指示相同或相似的部件。

圖1為本發(fā)明第一實(shí)施例的通信器件的立體組合圖。圖2為本發(fā)明第一實(shí)施例的通信器件的立體分解圖。如圖1和圖2所示，本發(fā)明第一實(shí)施例的通信器件1a包括：帶狀線(xiàn)環(huán)行器10和集成于帶狀線(xiàn)環(huán)行器10中的耦合件11。在本實(shí)施例中，一個(gè)環(huán)形器中僅集成一個(gè)耦合件，但本發(fā)明并不以此為限。

帶狀線(xiàn)環(huán)行器10包括殼體104和殼蓋105。殼體104具有圓環(huán)形的側(cè)壁1041和矩形的底部1042，以在殼體104中形成圓柱形的容納空間1043。殼蓋105通過(guò)螺紋與殼體104可拆卸地螺合在一起，罩蓋了容納空間1043。

殼體104的側(cè)壁1041具有三個(gè)開(kāi)口部1044，但不以此為限。一個(gè)開(kāi)口部1044設(shè)有一電阻器1045，電阻器1045的阻值可以是行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的50歐姆，但不以此為限。

帶狀線(xiàn)環(huán)行器10還包括容置于容納空間1043中的磁性組件和導(dǎo)電聯(lián)結(jié)件103。所述磁性組件包括第一磁性組件101和第二磁性組件102，第一磁性組件101與第二磁性組件102彼此相對(duì)設(shè)置以產(chǎn)生磁場(chǎng)。

在本實(shí)施例中，第一磁性組件101包括沿朝向?qū)щ娐?lián)結(jié)件103方向依次 堆疊的第一永磁鐵1011、第一耐熱隔層1012和第一鐵氧體介質(zhì)1013。避免上下的描述方式第二磁性組件102包括沿背向?qū)蚵?lián)結(jié)件103方向依次堆疊的第二鐵氧體介質(zhì)1021、第二耐熱隔層1022和第二永磁鐵1023。第一鐵氧體介質(zhì)1013與第二鐵氧體介質(zhì)1021共同夾持耦合件11和導(dǎo)電聯(lián)結(jié)件103。由于帶狀線(xiàn)環(huán)行器10工作時(shí)的溫度很高，其內(nèi)部的第一磁性組件101和第二磁性組件102都必須是耐高溫材料。其中，第一耐熱隔層1012和第二耐熱隔層1022可以為耐高溫的導(dǎo)電金屬材料，例如：鐵片、軟鋼片或者軟磁盤(pán)等等，但不以此為限。第一磁性組件101與第二磁性組件102共同在容納空間1043中形成磁場(chǎng)?？梢酝ㄟ^(guò)更換不同厚度的第一耐熱隔層1012和第二耐熱隔層1022，來(lái)具體改變磁場(chǎng)的強(qiáng)度。第一耐熱隔層1012和/或第二耐熱隔層1022的厚度越厚，則磁場(chǎng)的強(qiáng)度越弱；第一耐熱隔層1012和/或第二耐熱隔層1022的厚度越薄，則磁場(chǎng)的強(qiáng)度越強(qiáng)。

此外，作為可選實(shí)施方式之一，為了避免在殼體104上旋轉(zhuǎn)殼蓋105時(shí)候，轉(zhuǎn)動(dòng)的殼蓋105帶動(dòng)容納空間1043中的部件(第一磁性組件101、第二磁性組件102、導(dǎo)電聯(lián)結(jié)件103以及耦合件11)偏移，在殼蓋105與第二磁性組件102之間設(shè)置一防轉(zhuǎn)定位板106。防轉(zhuǎn)定位板106的外周具有三個(gè)不同方向的凸起1061，凸起1061的方向與側(cè)壁1041的三個(gè)開(kāi)口部1044的方向相匹配，使得凸起1061能夠定位卡合于側(cè)壁1041的三個(gè)開(kāi)口部1044中。在殼蓋105旋轉(zhuǎn)時(shí)，無(wú)法旋轉(zhuǎn)的防轉(zhuǎn)定位板106隔斷了殼蓋105的旋轉(zhuǎn)力向下傳遞。保證容納空間1043中的部件不會(huì)發(fā)生偏移。并且，還可以在防轉(zhuǎn)定位板106與磁性組件102之間設(shè)置第三耐熱隔層107，更進(jìn)一步地隔斷殼蓋105的旋轉(zhuǎn)力向下傳遞。

導(dǎo)電聯(lián)結(jié)件103位于第一磁性組件101和第二磁性組件102之間。圖3為本發(fā)明第一實(shí)施例的通信器件中耦合件與導(dǎo)電聯(lián)結(jié)件的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3所示，導(dǎo)電聯(lián)結(jié)件103包括位于磁性組件的外周緣內(nèi)且在磁場(chǎng)范圍內(nèi)的中心導(dǎo)體1031，和自中心導(dǎo)體1031向外延展的三個(gè)接線(xiàn)臂1032。

在本實(shí)施例中，三個(gè)接線(xiàn)臂1032在圓周方向上均勻分布，即：兩相鄰接線(xiàn)臂1032之間的夾角均為120°。導(dǎo)電聯(lián)結(jié)件103的三個(gè)接線(xiàn)臂1032各自從開(kāi)口部1044中伸出側(cè)壁1041。導(dǎo)電聯(lián)結(jié)件103的接線(xiàn)臂1032的數(shù)量與側(cè)壁1041上開(kāi)口部1044的數(shù)量與匹配。

每根接線(xiàn)臂1032包括：一電感線(xiàn)10321、一接觸片10322和至少一電容部10323。電感線(xiàn)10321自中心導(dǎo)體1031向外延展，電感線(xiàn)10321與第一耦合部111耦合。接觸片10322具有第一端和第二端，接觸片10322的第一端連接電感線(xiàn)10321，第二端自開(kāi)口部1044中伸出側(cè)壁1041。例如：每根接線(xiàn)臂1032可以有一個(gè)或者兩個(gè)電容部10323連接于接觸片10322的第一端。每根接線(xiàn)臂1032上的電容部10323與接觸片10322相配合，分別卡合于開(kāi)口部1044的內(nèi)側(cè)，以便更精確地定位導(dǎo)電聯(lián)結(jié)件103，防止導(dǎo)電聯(lián)結(jié)件103位移。導(dǎo)電聯(lián)結(jié)件103和耦合件11均為表面鍍銀的銅片，但不以此為限。

圖4為圖3中A區(qū)域的放大圖。與現(xiàn)有技術(shù)不同的是，如圖4所示，耦合件11包括在磁場(chǎng)范圍內(nèi)且位于磁性組件101、102的外周緣之內(nèi)的第一耦合部111。本發(fā)明中的第一耦合部111位于第一磁性組件101與第二磁性組件102之間的空間110內(nèi)，第一耦合部111與一接線(xiàn)臂1032的電感線(xiàn)10321相對(duì)置，在第一磁性組件101與第二磁性組件102之間的磁場(chǎng)作用下，第一耦合部111與電感線(xiàn)10321產(chǎn)生耦合作用。以此，通過(guò)在帶狀線(xiàn)環(huán)行器10中磁場(chǎng)范圍內(nèi)增設(shè)耦合件11，不僅能夠在帶狀線(xiàn)環(huán)行器10中形成一個(gè)耦合器，而且，得益于這種高度集成一體化的結(jié)構(gòu)，本發(fā)明的帶狀線(xiàn)環(huán)行器10與耦合器之間的線(xiàn)路大大簡(jiǎn)化、由線(xiàn)路連接引起的損耗大大降低，也減少了連接狀態(tài)下的全反射損耗和插入損耗。

第一耦合部111可以靠近并且平行于相對(duì)置的電感線(xiàn)10321，以便獲得最好的耦合效果，但不以此為限。第一耦合部111也可以以近似平行的方向設(shè)置于電感線(xiàn)10321的附近。

從空間角度來(lái)說(shuō)，第一耦合部111與導(dǎo)電聯(lián)結(jié)件103均位于第一磁性組件101與第二磁性組件102之間的同一平面(如圖3所示)。在本發(fā)明的基礎(chǔ)上，調(diào)整磁場(chǎng)中耦合件11的第一耦合部111與導(dǎo)電聯(lián)結(jié)件103的位置關(guān)系的技術(shù)方案，也落在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。

本發(fā)明中，第一耦合部111與相對(duì)置的接線(xiàn)臂1032的耦合度為10dB至30dB(分貝，decibel)，可以根據(jù)實(shí)際需要來(lái)改變兩者的耦合度，不以此為限。第一耦合部111與電感線(xiàn)10321的耦合效果會(huì)受到多方面因素的影響，例如：第一耦合部111與電感線(xiàn)10321之間的直線(xiàn)距離D的大小， 直線(xiàn)距離D越近，則耦合效果越大；直線(xiàn)距離D越遠(yuǎn)，則耦合效果越小?；蛘?，電感線(xiàn)10321的線(xiàn)體的寬度W，電感線(xiàn)10321的寬度W越大，則耦合效果越大；電感線(xiàn)10321的寬度W越小，則耦合效果越小。在本發(fā)明的基礎(chǔ)上通過(guò)改變上述參數(shù)來(lái)強(qiáng)化耦合效果的技術(shù)方案，也落在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。

繼續(xù)參考附圖2和圖4所示，耦合件11具有第一端112和第二端113，耦合件11的第一端112和第二端113以及相對(duì)置的接線(xiàn)臂1032共同從一開(kāi)口部1044中伸出側(cè)壁1041。并且，耦合件11的第一端112與相對(duì)置的接觸片10322垂直，耦合件11的第二端113與相對(duì)置的接觸片10322平行。自開(kāi)口部1044中伸出的耦合件11的第一端112連接電阻器1045，以便耦合件11與相對(duì)置的接線(xiàn)臂1032(見(jiàn)圖3)形成嵌入式的定向耦合器。并且，在安裝過(guò)程中，隨著殼蓋105與殼體104旋緊，耦合件11的第一端112會(huì)直接接觸電阻器1045，保證電連接。

耦合件11還可以具有主要位于磁場(chǎng)范圍外的第二耦合部115，第二耦合部115可以形成在耦合件11的第二端113與第一耦合部111之間。第二耦合部115位于磁性組件101、102的外周緣之外，第二耦合部115平行且靠近接觸片10322，在磁場(chǎng)外與接觸片10322產(chǎn)生耦合作用，以進(jìn)一步增強(qiáng)耦合件11的整體耦合效果。當(dāng)然，第一耦合部111在磁場(chǎng)內(nèi)形成的耦合作用要大大強(qiáng)于第二耦合部115所能形成的耦合作用。

圖5為本發(fā)明第二實(shí)施例的通信器件的立體分解圖。圖6為本發(fā)明第二實(shí)施例的通信器件中耦合件與導(dǎo)電聯(lián)結(jié)件的結(jié)構(gòu)示意圖。圖7為圖6中B區(qū)域的放大圖。如圖5至7所示，與第一實(shí)施例不同的是，本發(fā)明第二實(shí)施例的通信器件1b中，耦合件11’還可以包括一在磁場(chǎng)范圍內(nèi)的增加耦合件11’阻抗的往復(fù)折線(xiàn)段114，往復(fù)折線(xiàn)段114位于第一磁性組件101與第二磁性組件102之間的空間110內(nèi)。通過(guò)改變往復(fù)折線(xiàn)段114的長(zhǎng)度、往復(fù)間距等等可以進(jìn)一步改變耦合件11’的阻抗，以達(dá)到增強(qiáng)耦合件11’與電感線(xiàn)10321的耦合效果的目的。其他技術(shù)特征均與圖1至圖4中內(nèi)容相同，此處不再贅述。

圖8為本發(fā)明第三實(shí)施例的通信器件的立體組合圖。圖9為本發(fā)明第三實(shí)施例的通信器件的立體分解圖。圖10為本發(fā)明第三實(shí)施例的通信器件中耦合件與導(dǎo)電聯(lián)結(jié)件的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖8至圖10所示，與第一和第二實(shí)施例不同的是，本發(fā)明的第三實(shí)施例的通信器件1c中，帶狀線(xiàn)環(huán)行器10都是一個(gè)隔離器。第三實(shí)施例的通信器件1c中耦合件11與第一實(shí)施例的通信器件1a中的耦合件11相同。耦合件11與帶狀線(xiàn)環(huán)行器10形成定向耦合器，兩個(gè)開(kāi)口部1044分別設(shè)有電阻器，除了耦合件11的第一端112連接其中一個(gè)電阻器1045之外，導(dǎo)電聯(lián)結(jié)件103的一接線(xiàn)臂1032也可以連接另一個(gè)電阻器1046，使得帶狀線(xiàn)環(huán)行器10形成一隔離器。其他技術(shù)特征均與圖1至圖4中內(nèi)容相同，此處不再贅述。

圖11為本發(fā)明第四實(shí)施例的通信器件的立體分解圖。圖12為本發(fā)明第四實(shí)施例的通信器件中耦合件與導(dǎo)電聯(lián)結(jié)件的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖8至圖12所示，與第一和第二實(shí)施例不同的是，本發(fā)明的第四實(shí)施例的通信器件1d中，帶狀線(xiàn)環(huán)行器10都是一個(gè)隔離器。第四實(shí)施例的通信器件1d中耦合件11’與第二實(shí)施例的通信器件1b中的耦合件11’相同。耦合件11’與帶狀線(xiàn)環(huán)行器10形成定向耦合器，兩個(gè)開(kāi)口部1044分別設(shè)有電阻器，除了耦合件11’的第一端112連接其中一個(gè)電阻器1045之外，導(dǎo)電聯(lián)結(jié)件103的一接線(xiàn)臂1032也可以連接另一個(gè)電阻器1046，使得帶狀線(xiàn)環(huán)行器10形成一隔離器。其他技術(shù)特征均與圖5至圖7中內(nèi)容相同，此處不再贅述。

繼續(xù)參考圖10，為了表述本發(fā)明的通信器件的工作原理，設(shè)導(dǎo)電聯(lián)結(jié)件103中的三端分別為E端、F端和G端。耦合件11的第一端112為H端，第二端113為I端。以耦合件11與電聯(lián)結(jié)件103的耦合度為30dB為例，

當(dāng)帶有100瓦功率的電流正向流過(guò)隔離器時(shí)，即從導(dǎo)電聯(lián)結(jié)件103的E端流過(guò)F端時(shí)，耦合件11的第一耦合部111通過(guò)與導(dǎo)電聯(lián)結(jié)件103的電感線(xiàn)10321耦合，耦合件11的H端獲得大約0.1瓦功率，當(dāng)隔離度為30dB時(shí)，I端也獲得大約0.1瓦功率。電流通過(guò)E端到達(dá)F端時(shí)，被導(dǎo)電聯(lián)結(jié)件103的材料吸收一部分功率后，基本仍然能保持90多瓦功率。

當(dāng)電流反向流過(guò)隔離器時(shí)，即從導(dǎo)電聯(lián)結(jié)件103的F端流過(guò)E端時(shí)， 收到隔離器的偏轉(zhuǎn)作用，一部分的功率電流會(huì)流向?qū)щ娐?lián)結(jié)件103的G端，被G端的電阻1046吸收，其余小部分的功率電流會(huì)流向E端，并且又被耦合件11的第一耦合部111耦合，如果耦合件11的H端和I端分別得到耦合后的電流，I端的電阻1045進(jìn)一步繼續(xù)吸收反向電流的功率。

綜上可知，本發(fā)明的通信器件能夠在空間上將耦合器與環(huán)行器集成在一起，并且減少了連接狀態(tài)下的全反射損耗和插入損耗。

以上僅是本發(fā)明的具體應(yīng)用范例，對(duì)本發(fā)明的保護(hù)范圍不構(gòu)成任何限制。除上述實(shí)施例外，本發(fā)明還可以有其它實(shí)施方式。凡采用等同替換或等效變換形成的技術(shù)方案，均落在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍之內(nèi)。