本發(fā)明涉及一種引線框架。

背景技術(shù)：

目前，現(xiàn)在常用集成電路封裝結(jié)構(gòu)如圖1所示，該引線框架包括引線框架基島1、基島銀鍍層21、絕緣裝片膠3和芯片4。芯片4通過絕緣裝片膠3與引線框架基島1粘連。

在引線框架基島1上設(shè)置絕緣裝片膠3，然后將芯片4放置在絕緣裝片膠3上，芯片4通過引線41與集成電路外引腳進(jìn)行連接。當(dāng)需要芯片4與引線框架基島1之間絕緣時(shí)，通常會(huì)使用絕緣裝片膠3來(lái)粘連芯片4與引線框架基島1。由于現(xiàn)有框架基島的鍍層多為鍍銀等導(dǎo)電金屬，框架基島鍍層表面不夠平整，當(dāng)絕緣裝片膠的厚度過薄時(shí)，引線框架基島上的鍍層顆粒可能與芯片發(fā)生短路，從而出現(xiàn)漏電流。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明目的是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷提供一種引線框架。

本發(fā)明為實(shí)現(xiàn)上述目的，采用如下技術(shù)方案：一種引線框架，包括引線框架基島，所述引線框架基島上涂覆有基島絕緣鍍層，所述基島絕緣鍍層設(shè)置有絕緣裝片膠，所述絕緣裝片膠上封裝有通過引線與所述引線框架基島連接的芯片。

進(jìn)一步的，所述基島絕緣鍍層的厚度在2-3mm之間。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明在引線框架基島上鍍一層絕緣層，可以保證芯片底部與引線框架的基島不會(huì)因?yàn)榻^緣裝片膠過薄導(dǎo)致芯片與框架基島發(fā)生短路，具有良好的絕緣性能，提高了產(chǎn)品的良率和可靠性。

附圖說(shuō)明

圖1傳統(tǒng)的引線框架結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

圖1所示，為本發(fā)明的一種引線框架，包括引線框架基島1，所述引線框架 基島1上涂覆有基島絕緣鍍層22，所述基島絕緣鍍層22設(shè)置有絕緣裝片膠3，所述絕緣裝片膠3上封裝有通過引線41與所述引線框架基島1連接的芯片4。這樣芯片4底部與引線框架基島1就不會(huì)因?yàn)榻^緣裝片膠3過薄導(dǎo)致芯片4與引線框架基島1之間發(fā)生短路了。其中，為了達(dá)到最好效果，可將所述基島絕緣鍍層22的厚度設(shè)置在2-3mm之間。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。