技術(shù)總結(jié)
一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：提供基底；在所述基底表面形成高k柵介質(zhì)層；在所述高k柵介質(zhì)層表面形成犧牲層；對(duì)所述高k柵介質(zhì)層進(jìn)行缺陷鈍化退火處理，所述缺陷鈍化退火處理在含有缺陷鈍化離子的氛圍下進(jìn)行，且所述缺陷鈍化退火處理過程中，所述缺陷鈍化離子經(jīng)由犧牲層進(jìn)入高k柵介質(zhì)層內(nèi)；去除所述犧牲層；在所述高k柵介質(zhì)層表面形成柵電極層。本發(fā)明改善高k柵介質(zhì)層的介電弛豫問題，且提高高k柵介質(zhì)層和界面層的致密度，從而提高形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的電學(xué)性能。

技術(shù)研發(fā)人員：李勇
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司
文檔號(hào)碼：201510741813
技術(shù)研發(fā)日：2015.11.04
技術(shù)公布日：2017.05.10