本發(fā)明涉及一種電子元件模塊、集成電路封裝元件及其導線架,尤其與導線架的技術領域相關。
背景技術:
請參閱圖10及圖11所示,現(xiàn)有技術的集成電路封裝元件40具有設于封裝體41底面的芯片承座42及接腳接墊43,接腳接墊43設于芯片承座42的四周,接腳接墊43與芯片承座42的底面位于同一平面上。
請參閱圖12及圖13所示,現(xiàn)有技術的集成電路封裝元件40通過焊錫50與電路板60相固定且形成電連接,然而,就現(xiàn)有技術的結構而言,焊錫過程中將容易產生以下問題:
1.如圖12所示,焊錫工藝中若錫膏分布不均勻,則容易導致兩邊高度不一致,形成所謂「翹翹板效應」,而使得兩側接腳接墊43與焊錫50接觸的面積不均勻,故使得集成電路封裝元件40與電路板60之間的連接效果不佳。
2.如圖13所示,由于錫膏中的助焊劑容易揮發(fā)而產生氣泡51,因氣泡51具有一定體積,故會占據(jù)固定空間,而使得集成電路封裝元件40產生氣泡51的一側相對于電路板60的高度會墊高,進而產生前述「翹翹板效應」。
技術實現(xiàn)要素:
有鑒于此,本發(fā)明針對集成電路封裝元件于結合電路板時,所產生的氣泡及焊錫分布不均的問題加以改進。
為達到上述的發(fā)明目的,本發(fā)明提供一種集成電路封裝元件的導線架,其具有一芯片承座及多個接腳接墊,所述接腳接墊呈間隔設置并排列于該芯片承座的至少兩相對周緣,該芯片承座的底面設有一凹槽。
進一步而言,本發(fā)明提供一種集成電路封裝元件,包括:
一封裝體;
一芯片承座,設于該封裝體的底面中,該芯片承座的底面設有至少一凹槽;
多個接腳接墊,設于該封裝體的底面的至少二相對周緣,且呈間隔設置,各接腳接墊的底面露出于該封裝體外。
再進一步而言,本發(fā)明創(chuàng)作一種電子元件模塊,包括:
一電路板,其一表面上具有至少一焊墊組,各焊墊組包含有一中心焊墊及多個接腳焊墊,所述接腳焊墊呈間隔設置并排列于該中心焊墊的至少兩相對周緣;
至少一前述的集成電路封裝單元,其設于該電路板上,且各集成電路封裝元件對應于其中一焊墊組,該芯片承座對應于該焊墊組的中心焊墊,各接腳接墊對應于該焊墊組的其中一接腳焊墊,該芯片承座設于該封裝體的底面中,相對應的接腳接墊與接腳焊墊之間涂布有第一焊錫,相對應的芯片承座與中心焊墊之間涂布有第二焊錫,所述第二焊錫容置于該芯片承座的凹槽中。
本發(fā)明的優(yōu)點在于,藉由芯片承座底面的凹槽的設置,則在焊錫工藝中,凹槽提供了額外的空間來容納錫膏,故集成電路封裝單元與電路板的結合面之間,以均為平面的接腳焊墊與接腳接墊之間來構成焊錫時的承力點,則可有效平均芯片承座周圍的承力以維持兩側高度相同,而能維持接腳接墊與焊錫間的接觸面積,以避免連接效果不佳。再者,芯片承座底面的凹槽提供了氣泡容納的空間,故焊錫工藝中所產生的氣泡將不影響整體焊錫的高度,進而使得整體焊錫高度均勻。
以下結合附圖和具體實施例對本發(fā)明進行詳細描述,但不作為對本發(fā)明的限定。
附圖說明
圖1為本發(fā)明的集成電路封裝元件的第一實施例的底視圖;
圖2為本發(fā)明的集成電路封裝元件的第一實施例的側視剖視圖;
圖3為本發(fā)明的集成電路封裝元件的第二實施例的底視圖;
圖4為本發(fā)明的集成電路封裝元件的第三實施例的底視圖;
圖5為本發(fā)明的集成電路封裝元件的第四實施例的底視圖;
圖6為本發(fā)明的集成電路封裝元件的第五實施例的底視圖;
圖7為本發(fā)明的電子元件模塊的元件分解的側視剖視圖;
圖8為本發(fā)明的電子元件模塊的側視剖視圖;
圖9為本發(fā)明的電子元件模塊的另一實施狀態(tài)的側視剖視圖;
圖10為現(xiàn)有技術的集成電路封裝元件的底視圖;
圖11為現(xiàn)有技術的集成電路封裝元件的側視剖視圖;
圖12為現(xiàn)有技術的電子元件模塊的一實施狀態(tài)的側視剖視圖;
圖13為現(xiàn)有技術的電子元件模塊的另一實施狀態(tài)的側視剖視圖。
其中,附圖標記
10集成電路封裝元件 11封裝體
12芯片承座 121凹槽
13接腳接墊 20電路板
21中心焊墊 22接腳焊墊
30焊錫 31氣泡
40集成電路封裝元件 41封裝體
42芯片承座 43接腳接墊
50焊錫 51氣泡
60電路板
具體實施方式
以下配合附圖及本發(fā)明的實施例,進一步闡述本發(fā)明為達成預定發(fā)明目的所采取的技術手段。
請參閱圖1及圖2所示,本發(fā)明的集成電路封裝元件10由導線架上設置芯片并封裝后所構成,集成電路封裝元件10包含有一封裝體11、一芯片承座12及多個接腳接墊13。
前述的芯片承座12設于該封裝體11的底面,該芯片承座12的底面露出于該封裝體11外,且該芯片承座12的底面設有至少一凹槽121。在所屬技術領域中,常見的導線架的厚度為150μm至250μm,凹槽121的深度不大于導線架的厚度,意即凹槽121的深度小于150μm,凹槽121的深度將與錫膏量有關,在一實施例中,凹槽121的深度為20μm至150μm,在另一實施例中,凹槽121的深度為20μm至50μm。
該芯片承座12可具有單一凹槽121(如圖1所示),或如圖3至5所示 具有多個凹槽121,所述多個凹槽121可呈對稱排列或矩陣排列。于圖3所示的實施例中,凹槽121呈2*2矩陣排列;于圖4所示的實施例中,凹槽121呈3*3矩陣排列;于圖5所示的實施例中,凹槽121呈3*2矩陣排列。前述的凹槽121排列方式僅為例示,并非用以限制本發(fā)明的保護范圍。
前述的接腳接墊13設于該封裝體11的底面的周緣處,所述接腳接墊13呈間隔設置并排列于該芯片承座12的周緣,在一實施例中(如圖1所示),接腳接墊13設于該封裝體11的四邊周緣;在另一實施例中(如圖6所示),接腳接墊13設于該封裝體11的二相對側周緣。
請參閱圖7所示,本發(fā)明的電子元件模塊包含有至少一前述的集成電路封裝元件10及一電路板20,該集成電路封裝元件10設于該電路板20的頂面上。
前述的電路板20的頂面上具有至少一焊墊組,一焊墊組對應一集成電路封裝元件10,各焊墊組包含有一中心焊墊21及多個接腳焊墊22,該中心焊墊21對應于該芯片承座12,各接腳焊墊22對應于前述集成電路封裝元件10的其中一接腳接墊13。
請參閱圖8所示,該集成電路封裝元件10與該電路板20通過焊錫工藝加以結合,其中相對應的接腳接墊13與接腳焊墊22之間、以及相對應的芯片承座12以及中心焊墊21之間,均涂布有焊錫30,且芯片承座12與中心焊墊21之間的焊錫30容置于芯片承座12的凹槽121中。
基于前述的結構,本發(fā)明的優(yōu)點在于:
在焊錫工藝中,即便位于芯片承座12以及中心焊墊21之間的焊錫30產生分布不均的問題,由于凹槽121提供填充焊錫30額外的空間,故能讓接腳接墊13與接腳焊墊22之間的焊錫30作為支承點,使得芯片承座12的周圍相對于電路板20的高度維持一致,進而避免一側高于其余側的現(xiàn)象,故使得各側的焊錫30與接腳接墊13、接腳焊墊22的接觸面積均達到足夠維持穩(wěn)定結合的面積大小,以提高工藝良率。
請參閱圖9所示,縱然于焊錫工藝中產生氣泡31,由于凹槽121的設置,而使得氣泡31可躲入凹槽121所形成的額外空間之中,故不對整體焊錫30厚度造成影響,因此同樣達到維持芯片承座12的周圍高度一致的功效,進而使得各側的焊錫30與接腳接墊13、接腳焊墊22的接觸面積均達到足夠維持穩(wěn)定結合的面積大小,同時使得整體焊錫30的表面更為平整,以提高工藝良 率。
凹槽121的內壁面提供了額外的接觸表面,故焊錫30與芯片承座12之間的接觸面積增加,進而提升集成電路封裝元件10與電路板20之間的結合強度。
當然,本發(fā)明還可有其它多種實施例,在不背離本發(fā)明精神及其實質的情況下,熟悉本領域的技術人員當可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應的改變和變形,但這些相應的改變和變形都應屬于本發(fā)明所附的權利要求的保護范圍。