技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種GaN基激光器和超輻射發(fā)光二極管及其制備方法。所述激光器和超輻射發(fā)光二極管的脊型結(jié)構(gòu)通過外延生長(zhǎng)直接形成，其包括表面分布有條形臺(tái)階結(jié)構(gòu)的襯底，設(shè)置在所述襯底上并包覆所述條形臺(tái)階結(jié)構(gòu)的、具有脊型結(jié)構(gòu)的外延層，所述外延層包括依次于襯底上形成的下接觸層、下限制層、下波導(dǎo)層、有源層、上波導(dǎo)層、電子阻擋層、上限制層和上接觸層。本發(fā)明通過在襯底上形成窗口區(qū)或預(yù)先刻蝕形成臺(tái)階結(jié)構(gòu)的方法，直接在襯底上生長(zhǎng)激光器和超輻射發(fā)光二極管脊型，脊型結(jié)構(gòu)的兩側(cè)生長(zhǎng)有光學(xué)限制層，不僅可有效提升器件的橫向限制，降低器件的閾值電流，同時(shí)還可省去刻蝕操作，從而避免刻蝕損傷，進(jìn)一步降低器件閾值電流，提高器件可靠性。

技術(shù)研發(fā)人員：孫錢;馮美鑫;周宇;楊輝;池田昌夫;劉建平;張書明;李德堯;張立群
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
文檔號(hào)碼：201510783197
技術(shù)研發(fā)日：2015.11.16
技術(shù)公布日：2017.05.24