1.一種半導(dǎo)體器件，包括：
半導(dǎo)體鰭，具有頂面、鄰近所述頂面的第一側(cè)表面和設(shè)置在所述第一側(cè)表面下方并且鄰近所述第一側(cè)表面的第二側(cè)表面；
第一氮化硅基層，外圍包圍所述第二側(cè)表面；
襯墊氧化物層，設(shè)置為與所述第一氮化硅基層共形；
第二氮化硅基層，設(shè)置為與所述襯墊氧化物層共形；以及
柵極氧化物層，設(shè)置為與所述頂面和所述第一側(cè)表面共形。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括外圍包圍所述第二氮化硅基層的多個溝槽隔離結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一氮化硅基層包括氮化硅層或氮氧化硅層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一氮化硅基層的氮濃度在從1E19原子/cm3至5E21原子/cm3的范圍內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二氮化硅基層包括氮化硅層、氮氧化硅層或碳氮氧化硅層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二氮化硅基層的氮濃度在從1E19原子/cm3至5E21原子/cm3的范圍內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述柵極氧化物層包括氧化硅層。
8.一種用于形成半導(dǎo)體器件的方法，包括：
使半導(dǎo)體襯底凹進(jìn)以在所述半導(dǎo)體襯底中形成多個隔離區(qū)域，并且在所述隔離區(qū)域之間和所述隔離區(qū)域的頂面上方形成至少一個半導(dǎo)體鰭，其中，所述至少一個半導(dǎo)體鰭具有頂面、鄰近所述頂面的第一側(cè)表面和形成在所述第一側(cè)表面下方并且鄰近所述第一側(cè)表面的第二側(cè)表面；
形成與所述至少一個半導(dǎo)體鰭共形的第一氮化硅基層；
形成與所述第一氮化硅基層共形的襯墊氧化物層；
形成與所述襯墊氧化物層共形的第二氮化硅基層；
在所述隔離區(qū)域上形成多個溝槽隔離結(jié)構(gòu)以外圍包圍所述第二側(cè)表面上的所述第二氮化硅基層；以及
將所述頂面和所述第一側(cè)表面上的所述第一氮化硅基層和所述第二氮化硅基層轉(zhuǎn)化成柵極氧化物層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，使用快速熱氧化技術(shù)或原位蒸汽生成技術(shù)實施形成所述襯墊氧化物層的操作。
10.一種用于形成半導(dǎo)體器件的方法，包括：
使半導(dǎo)體襯底凹進(jìn)以在所述半導(dǎo)體襯底中形成多個隔離區(qū)域，并且在所述隔離區(qū)域之間和所述隔離區(qū)域的頂面上方形成至少一個半導(dǎo)體鰭；
形成與所述至少一個半導(dǎo)體鰭共形的襯墊氧化物層；
形成與所述至少一個半導(dǎo)體鰭共形并且位于所述至少一個半導(dǎo)體鰭和所述襯墊氧化物層之間的第一氮化硅基層；
形成與所述襯墊氧化物層共形的第二氮化硅基層；
形成隔離層以覆蓋所述第二氮化硅基層并且填充所述隔離區(qū)域；
在所述隔離層上實施退火操作；
平坦化所述隔離層以暴露所述至少一個半導(dǎo)體鰭的頂面上的所述第二氮化硅基層；
使所述隔離層凹進(jìn)以在所述隔離區(qū)域上形成多個溝槽隔離結(jié)構(gòu)，其中，使所述隔離層凹進(jìn)的操作包括暴露所述至少一個半導(dǎo)體鰭的第一側(cè)表面上的所述第二氮化硅基層以及形成所述溝槽隔離結(jié)構(gòu)以外圍包圍所述至少一個半導(dǎo)體鰭的第二側(cè)表面上的所述第二氮化硅基層，其中，所述第一側(cè)表面形成為鄰近所述至少一個半導(dǎo)體鰭的所述頂面，并且所述第二側(cè)表面形成在所述第一側(cè)表面下方并且鄰近所述第一側(cè)表面；
將所述頂面和所述第一側(cè)表面上的所述第一氮化硅基層和所述第二氮化硅基層轉(zhuǎn)化成柵極氧化物層。