本發(fā)明涉及半導(dǎo)體清洗領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體晶片的清洗方法。

背景技術(shù)：

對(duì)半導(dǎo)體進(jìn)行清洗是半導(dǎo)體產(chǎn)品生產(chǎn)過程中的必須工序，其顯得繁瑣而重要。特別是在集成電路中，晶片表面往往附著有機(jī)物、金屬氧化物、微粒等污染物，為保證集成電路的性能，對(duì)晶片的清洗工藝不容忽視。目前業(yè)界普遍采用的RCA標(biāo)準(zhǔn)清洗工藝，其采用SPM、APM、DHF、HPM等溶劑進(jìn)行清洗，然而其存在清洗液容易殘留在晶體表面的缺點(diǎn)，清洗液在空氣中反應(yīng)容易結(jié)晶，因此還要進(jìn)行二次清洗，從而造成的清洗成本增加。

故此，亟需一種改進(jìn)的半導(dǎo)體晶片的清洗方法以達(dá)到更好的清洗效果并降低清洗成本。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種半導(dǎo)體晶片的清洗方法，其清洗效果好、清洗效率高、降低清洗成本，適于工業(yè)上廣泛應(yīng)用。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片的清洗方法，包括以下步驟：

脫膠步驟：加入異丙醇清洗；

第一酸洗步驟：加入質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.1％～0.2％的氨基硫酸溶液，循環(huán)清洗第一預(yù)定時(shí)長(zhǎng)；加入質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.1％～0.3％的檸檬酸溶液，清洗第二預(yù)定時(shí)長(zhǎng)；

第二酸洗步驟：采用氫氟酸與水的比例為1：99的稀氫氟酸清洗。

本發(fā)明通過采用異丙醇對(duì)晶片進(jìn)行脫膠處理，采用氨基硫酸溶液，檸檬酸溶液進(jìn)行清洗，并采用DHF進(jìn)行清洗，從而有效清洗晶片表面的有機(jī)物、金屬 氧化物、微粒等，適于工業(yè)上的廣泛應(yīng)用。

較佳地，在所述脫膠步驟之前還包括用去離子水清洗晶片。

較佳地，在所述脫膠步驟之后、所述第一酸洗步驟之前還包括用去離子水清洗晶片。

較佳地，在所述第一酸洗步驟之后、所述第二酸洗步驟之前還包括用去離子水清洗晶片。

較佳地，在所述第二酸洗步驟之后還包括用去離子水清洗晶片。

較佳地，用去離子水清洗晶片之后還包括干燥所述晶片。

較佳地，所述第一酸洗步驟中，所述第一預(yù)定時(shí)長(zhǎng)為1～3小時(shí)，所述氨基硫酸溶液的溫度控制在40～50度。

較佳地，所述第二預(yù)定時(shí)長(zhǎng)為0.5～1小時(shí)，并加入堿液調(diào)整所述檸檬酸溶液的pH控制在3.5～4.0。

較佳地，所述堿液為氨水。在第一次酸洗過程中加入氨水進(jìn)行pH值調(diào)節(jié)，從而有利于第二次酸洗步驟的進(jìn)行。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的半導(dǎo)體晶體的清洗方法作進(jìn)一步說明，但不因此限制本發(fā)明。

本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例包括以下步驟：

脫膠步驟：加入異丙醇清洗。

第一酸洗步驟：加入質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.1％～0.2％的氨基硫酸溶液，循環(huán)清洗第一預(yù)定時(shí)長(zhǎng)；加入質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.1％～0.3％的檸檬酸溶液，清洗第二預(yù)定時(shí)長(zhǎng)；

第二酸洗步驟：采用氫氟酸與水的比例為1：99的稀氫氟酸清洗。

具體地，在脫膠步驟中異丙醇溶劑的濃度及比例可依照實(shí)際情況進(jìn)行添加，在此不詳細(xì)描述。由于晶片的加工過程需要粘接在夾具的表面進(jìn)行，故此異丙醇可很好地清洗并去除晶體表面的膠水。

較佳地，在脫膠處理之后，用去離子水清洗該晶片，溫度為60度，時(shí)長(zhǎng)約2分鐘，目的是去除殘留的異丙醇溶液。

更佳地，在脫膠處理之前，先用去離子水清洗該晶片，目的是去除晶片表面的灰塵等物理雜質(zhì)。

在第一酸洗步驟中，可加入質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.1％～0.2％的氨基硫酸溶液或以氨基硫酸為主的復(fù)合酸溶液進(jìn)行循環(huán)清洗，時(shí)長(zhǎng)為1～3小時(shí)，溫度控制在40～50度為佳。接著，排掉氨基硫酸溶液后，采用質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.1％～0.3％的檸檬酸溶液清洗，溫度控制在40度，清洗時(shí)長(zhǎng)為0.5～1小時(shí)。檸檬酸作為緩蝕劑，可保護(hù)經(jīng)過氨基硫酸溶液清洗后的晶片表面，防止其被二次氧化。作為一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，在該第一酸洗步驟中，加入堿液如氨水調(diào)整洗劑的pH在3.5～4.0之間。

作為一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，在第一酸洗步驟之后用去離子水清洗該晶片，溫度約為60度，時(shí)長(zhǎng)為2分鐘，以去除晶片表面殘留的洗劑。

具體地，在第二酸洗步驟中，晶片置于氫氟酸與水的比例為1：99的稀氫氟酸(DHF)中清洗，以去除晶片表面的原生氧化層。同時(shí)DHF抑制了氧化膜的形成，因此可以很容易地去除晶片表面的Al，F(xiàn)e，Zn，Ni等金屬，DHF也可以去除附著在原生氧化層上的金屬氫氧化物。用DHF清洗時(shí)，在原生氧化層被腐蝕掉時(shí)，晶片表面的不會(huì)被腐蝕。為保證清洗效果，在稀氫氟酸清洗后采用去離子水清洗。DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜，因此，附著在原生氧化層上的金屬將被溶解到清洗液中。

最后，將晶片進(jìn)行干燥處理，例如可采用干燥的氮?dú)鈱⒕乃謳ё摺?/p>

綜上所述，本發(fā)明通過采用異丙醇對(duì)晶片進(jìn)行脫膠處理，采用氨基硫酸溶液，檸檬酸溶液進(jìn)行清洗，并采用DHF進(jìn)行清洗，從而有效清洗晶片表面的有機(jī)物、金屬氧化物、微粒等，適于工業(yè)上的廣泛應(yīng)用。而且，在第一次酸洗過程中加入氨水進(jìn)行pH值調(diào)節(jié)，從而有利于第二次酸洗步驟的進(jìn)行。

以上所揭露的僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，當(dāng)然不能以此來限定本發(fā)明之權(quán)利范圍，因此依本發(fā)明申請(qǐng)專利范圍所作的等同變化，仍屬本發(fā)明所涵蓋的范圍。