本公開(kāi)涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及半導(dǎo)體裝置及其形成方法。

背景技術(shù)：

于半導(dǎo)體集成電路(integrated circuit，IC)產(chǎn)業(yè)中，集成電路材料及設(shè)計(jì)上的進(jìn)步已產(chǎn)生了數(shù)代的集成電路，每一代皆具有體積更小且更精密的電路。在集成電路發(fā)展的進(jìn)程上，功能密度(即，每一晶片區(qū)域之內(nèi)連線裝置的數(shù)量)逐漸增加的同時(shí)，幾何尺寸(即，利用工藝步驟可以產(chǎn)生的最小元件(或線))逐漸縮小。此微縮化(scaling down)工藝通?？商峁┰黾赢a(chǎn)率及降低相關(guān)成本的優(yōu)點(diǎn)。上述縮小工藝也增加了處理及制造集成電路的復(fù)雜度。

光微影工藝通常形成圖案化光阻層于各種圖案化工藝，例如：刻蝕或離子布植。光微影工藝中使用光罩(photomask)(或遮罩(mask))，遮罩包含基底以及圖案化層，其終圖案化層于光微影工藝中定義將被轉(zhuǎn)移至半導(dǎo)體基底的集成電路。在遮罩的形成或光微影工藝?yán)谜谡謺r(shí)，許多遮罩污染物，例如：化學(xué)污染物，被引入且難以移除。當(dāng)前的清理方法并未有效地移除遮罩污染物且可能進(jìn)而損害遮罩。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本公開(kāi)提供一種半導(dǎo)體裝置及其形成方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中遮罩的形成或光微影工藝?yán)谜谡謺r(shí)產(chǎn)生的污染物難以移除的技術(shù)問(wèn)題。

根據(jù)本公開(kāi)的一些實(shí)施例中，提供一種半導(dǎo)體裝置的形成方法，包括：提供一承載晶圓；形成一內(nèi)縮部分于承載晶圓上，內(nèi)縮部分具有一傾斜部分于內(nèi)縮部分的一邊緣；接合一表層晶圓于承載晶圓上，以形成一開(kāi)放區(qū)域于內(nèi)縮部分內(nèi)；圖案化表層晶圓，以形成一表層膜于內(nèi)縮部分之上以及一表層膜支持結(jié)構(gòu)于傾斜部分之上；以及施加一機(jī)械力，以使表層膜從表層晶圓分離。

根據(jù)本公開(kāi)的一些實(shí)施例中，也提供一種半導(dǎo)體裝置的形成方法，包 括：形成一內(nèi)縮部分于一承載晶圓上，內(nèi)縮部分的邊緣具有一傾斜部分，由內(nèi)縮部分的一下部部分向一間隔層的一頂表面傾斜；接合一表層晶圓于承載晶圓上；圖案化表層晶圓，以形成一表層膜于內(nèi)縮部分之上、一表層膜支持結(jié)構(gòu)于傾斜部分之上、以及一中斷部于傾斜部分之上；以及施加一機(jī)械力，以斷開(kāi)中斷部以及使表層膜及表層膜支持結(jié)構(gòu)從表層晶圓分離。

根據(jù)本公開(kāi)的一些實(shí)施例中，還提供一種半導(dǎo)體裝置，包括：一光罩，具有一圖案化部分；一表層支架，連接至光罩、表層支架實(shí)質(zhì)上圍繞(encompass)圖案化部分；以及一表層，包括：一表層膜支持結(jié)構(gòu)，根據(jù)表層支架成形，表層膜支持結(jié)構(gòu)的一第一末端被接合至表層支架；以及一表層膜，位于表層膜支持結(jié)構(gòu)的一第二末端，表層膜實(shí)質(zhì)上覆蓋圖案化部分。

基于上述技術(shù)方案可知，本公開(kāi)的技術(shù)效果在于：可保護(hù)光罩的圖案化部分遠(yuǎn)離顆粒及其它污染物，表層可形成于表層晶圓之中且接著被機(jī)械地分離，還可有效率地制造有效的表層以保護(hù)光罩。

附圖說(shuō)明

以下將配合附圖說(shuō)明書(shū)附圖詳述本發(fā)明的實(shí)施例，應(yīng)注意的是，依照工業(yè)上的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施，以下圖示并未按照比例繪制，事實(shí)上，可能任意的放大或縮小元件的尺寸以便清楚表現(xiàn)出本發(fā)明的特征。

圖1A至1K顯示根據(jù)所述原理的一例子中，形成表層于光罩上的步驟示意圖。

圖2顯示根據(jù)所述原理的一例子中，表層以及其它用以形成表層的元件的尺寸示意圖。

圖3顯示根據(jù)所述原理的一例子中，形成用于光罩的表層的形成方法的流程圖。

附圖標(biāo)記說(shuō)明：

102 承載晶圓；

103 承載晶圓的背側(cè)；

104 間隔層；

106 內(nèi)縮部分；

108 傾斜部分；

109 溝槽；

110 上視圖；

112 表層晶圓；

114 光阻層；

116 刻蝕工藝；

118 中斷部；

120 表層膜支持結(jié)構(gòu)；

122 表層膜；

124 光罩；

125 圖案化側(cè)；

126 表層支架；

127 保護(hù)區(qū)域；

129 表層；

130 機(jī)械力；

131 中斷部的剩余部分；

150 上視圖；

202 中斷部的寬度；

204 表層膜支持結(jié)構(gòu)的寬度；

206 傾斜部分的寬度；

300 方法；

302～312 方法的步驟。

具體實(shí)施方式

以下公開(kāi)許多不同的實(shí)施方法或是例子來(lái)實(shí)行本發(fā)明的不同特征，以下描述具體的元件及其排列的例子以闡述本發(fā)明。當(dāng)然這些僅是例子且不該以此限定本發(fā)明的范圍。例如，在描述中提及第一個(gè)元件形成于第二個(gè)元件上時(shí)，其可以包括第一個(gè)元件與第二個(gè)元件直接接觸的實(shí)施例，也可以包括有其它元件形成于第一個(gè)元件與第二個(gè)元件之間的實(shí)施例，其中第一個(gè)元件與第二個(gè)元件并未直接接觸。此外，本公開(kāi)在不同實(shí)施例中可能使用重復(fù)的標(biāo)號(hào)和/或標(biāo)示，這些重復(fù)僅為了簡(jiǎn)單清楚地?cái)⑹霰竟_(kāi)，不代 表所討論的不同實(shí)施例和/或結(jié)構(gòu)之間有特定的關(guān)系。

此外，其中可能用到與空間相關(guān)的用詞，像是“在…下方”、“下方”、“較低的”、“上方”、“較高的”及類(lèi)似的用詞，這些關(guān)系詞為了便于描述圖示中一個(gè)(些)元件或特征與另一個(gè)(些)元件或特征之間的關(guān)系，這些空間關(guān)系詞包括使用中或操作中的裝置的不同方位，以及圖示中所描述的方位。裝置可能被轉(zhuǎn)向不同方位(旋轉(zhuǎn)90度或其他方位)，則其中使用的空間相關(guān)形容詞也可相同地照著解釋。

如同前述，在遮罩的形成或光微影工藝?yán)谜谡謺r(shí)，許多遮罩污染物，例如：化學(xué)污染物，被引入且難以移除。當(dāng)前的清理方法并未有效地移除遮罩污染物且可能進(jìn)而損害遮罩。根據(jù)本公開(kāi)的一些例子，形成表層(pellicle)以保護(hù)遮罩。具體而言，表層形成于晶圓的中且接著接合至與遮罩連接的表層支架(pellicle frame)。接著，表層機(jī)械地與表層所在的晶圓分離。

圖1A至1K顯示形成表層于光罩上的步驟的示意圖。根據(jù)一些實(shí)施例，圖1A顯示間隔層104形成于承載晶圓102上。承載晶圓102為用以支持另一膜層的犧牲結(jié)構(gòu)，于此，用以支持間隔層104及接續(xù)形成的膜層，下文將詳細(xì)對(duì)其進(jìn)行說(shuō)明。承載晶圓102可為圓形。承載晶圓102可由半導(dǎo)體材料或其它合適的材料形成。

間隔層104可通過(guò)高密度等離子體化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposition,CVD)工藝沉積于承載晶圓102之上。在一例子中，間隔層104可具有大于500nm的厚度。在一例子中，間隔層104可具有約在500至600nm的范圍的厚度。間隔層104可由，例如：氮化硅或氮氧化硅的材料所形成。此種材料可被圖案化以產(chǎn)生想要的結(jié)構(gòu)，下文將詳細(xì)對(duì)其進(jìn)行說(shuō)明。

圖1B顯示實(shí)行圖案化工藝于間隔層104上。圖案化工藝可使用光微影工藝及刻蝕工藝加以實(shí)行。此種刻蝕工藝可能包含濕刻蝕及干刻蝕的結(jié)合以實(shí)現(xiàn)想要的外形(profile)。如圖所示，圖案化間隔層104以形成內(nèi)縮(indented)部分106。在一些實(shí)施例中，通過(guò)完全地移除間隔層104以暴露下方的承載晶圓102而形成內(nèi)縮部分106。內(nèi)縮部分106的邊緣被形成為具有傾斜部分108。

傾斜部分108的外形可使用濕刻蝕及干刻蝕的各種組合加以實(shí)現(xiàn)。濕 刻蝕為等向性(isotropic)，因此通常會(huì)于所有方向進(jìn)行刻蝕。干刻蝕，例如：等離子體刻蝕，包含離子的撞擊(bombardment)以移除材料。干刻蝕為非等向性(anisotropic)，因此主要于單一方向進(jìn)行刻蝕。在一些實(shí)施例中，傾斜部分108實(shí)質(zhì)上為線形。然而，在一些例子中，傾斜部分108可具有其它形狀。例如，傾斜部分可為微凸面或微凹面。在一些例子中，只有部分的傾斜部分108為凸面或凹面，而其它部分實(shí)質(zhì)上為線形。

在一些實(shí)施例中，形成內(nèi)縮部分106時(shí)，移除間隔層104以暴露下方的承載晶圓102。然而，在一些例子中，內(nèi)縮部分106可能并未延伸至承載晶圓102。例如，內(nèi)縮部分106可具有小于間隔層104的厚度的深度。在一些例子中，代替使用間隔層104，可形成內(nèi)縮部分106于承載晶圓102之中。

圖1C為間隔層104的上視圖110。根據(jù)一些實(shí)施例，內(nèi)縮部分106的形狀為長(zhǎng)方形。此外，傾斜部分108形成于環(huán)繞內(nèi)縮部分106的所有邊緣。長(zhǎng)方形的內(nèi)縮部分106的尺寸是以將被表層貼附的光罩的尺寸為基準(zhǔn)。在一些例子中，長(zhǎng)方形的內(nèi)縮部分106的尺寸稍大于光罩的圖案化部分的尺寸。雖然圖1C繪示一長(zhǎng)方形遮罩的例子，但也可為其它形狀。例如，特定的光罩可為橢圓形、圓形、正方形或具有其它形狀。內(nèi)縮部分106被設(shè)計(jì)以與此種形狀相配(match)。

上視圖110也顯示溝槽(groove)，其經(jīng)圖案化于間隔層104之中。溝槽109從內(nèi)縮部分106延伸至承載晶圓102的邊緣。溝槽109作為排氣口(exhaust port)使內(nèi)縮部分106內(nèi)的空氣得以排到承載晶圓102的側(cè)邊之外，下文將詳細(xì)對(duì)其進(jìn)行說(shuō)明。在內(nèi)縮部分106形成于承載晶圓102之中，而并未使用間隔層104的例子中，溝槽109也可形成于承載晶圓102之中。

圖1D顯示表層晶圓112被接合于承載晶圓102上。具體而言，表層晶圓112接合至間隔層104。在一例子中，表層晶圓112由半導(dǎo)體材料，例如：硅所形成。表層晶圓112的形狀實(shí)質(zhì)上與承載晶圓102的形狀相似。

在一例子中，表層晶圓112通過(guò)熔合接合工藝(fusion bonding process)接合至間隔層104。這種接合工藝可能包含放置表層晶圓112倚靠(against)間隔層104且施加高溫及高壓。例如，可使用在200至500℃范圍的溫度。高溫導(dǎo)致形成表層晶圓112的材料與形成間隔層104的材料接合。

接合表層晶圓112至間隔層104產(chǎn)生一開(kāi)放區(qū)域于內(nèi)縮部分106內(nèi)。 然而，由于溝槽109其形成于間隔層104內(nèi)，開(kāi)放區(qū)域并未被密封。換言之，開(kāi)放區(qū)域與所示的裝置的外部環(huán)境相通。在內(nèi)縮部分106形成于承載晶圓102之中，而并未使用間隔層104的例子中，表層晶圓112直接地接合至承載晶圓102。

圖1E顯示圖案化光阻層114的形成。在一例子中，光阻層114涂覆于表層晶圓112之上。接著通過(guò)包含曝光步驟及顯影步驟的微影工藝，圖案化光阻層114。例如，通過(guò)圖案化光罩的使用，光阻層114暴露于光源。在曝光后，光阻層的特定部分可溶于顯影溶液，顯影溶液因此移除可溶部分，而保留圖案化光阻層114，如圖1E所示。

在一些例子中，在實(shí)施光阻層之前，可薄化承載晶圓102的背側(cè)103。在一些例子中，承載晶圓102、間隔層104及表層晶圓112的結(jié)合可能過(guò)厚而不適用于一些光微影工具。因此，可薄化承載晶圓102使晶圓得以置于實(shí)行光微影工藝的機(jī)臺(tái)中。

圖1F顯示刻蝕工藝116。根據(jù)一些實(shí)施例，使用刻蝕工藝116以薄化表層晶圓112以形成多種特征?？涛g工藝116可為非等向性刻蝕工藝，例如：干刻蝕工藝。被刻蝕掉的表層晶圓112的部分是通過(guò)圖案化光阻層114被曝光的部分。

通過(guò)光阻層114的曝光部分刻蝕表層晶圓112，產(chǎn)生許多特征，包含中斷(break-off)部118、表層膜支持結(jié)構(gòu)120及表層膜122。表層膜122形成于內(nèi)縮部分106之上。表層膜122薄到足以讓與光罩一同使用的任何型式的光穿透，上述光罩被表層膜122保護(hù)，同時(shí)表層膜122也機(jī)械地(mechanically)堅(jiān)固到足以保持其本身結(jié)構(gòu)。在一例子中，表層膜122小于200nm。

表層膜支持結(jié)構(gòu)120連接表層膜122至光罩。更具體地，表層膜支持結(jié)構(gòu)120連接表層膜122至貼附于光罩的表層支架，下文將詳細(xì)對(duì)其進(jìn)行說(shuō)明。在上視圖中，表層膜支持結(jié)構(gòu)120為曲折的(circuitous)結(jié)構(gòu)，其跟隨內(nèi)縮部分106的長(zhǎng)方形形狀。

中斷部118位于表層膜支持結(jié)構(gòu)120及表層晶圓112剩余的部分之間。中斷部118通過(guò)形成環(huán)繞表層膜支持結(jié)構(gòu)120的連續(xù)的凹槽(trench)而形成。中斷部118的厚度可與表層膜122相似。為了將表層膜122及表層膜支持結(jié)構(gòu)120與表層晶圓112剩余的部分分離，中斷部118被設(shè)計(jì)為在施加機(jī) 械壓力的情況下，將會(huì)斷裂，下文將詳細(xì)對(duì)其進(jìn)行說(shuō)明。因?yàn)橹袛嗖?18、表層膜支持結(jié)構(gòu)120及表層膜122皆形成于相同的表層晶圓112內(nèi)，它們形成單一的單片(monolithic)結(jié)構(gòu)。在一些例子中，中斷部118垂直地與傾斜部分108的邊緣對(duì)齊。

圖1G顯示表層晶圓112經(jīng)圖案化之后的上視圖150。上視圖150顯示表層膜支持結(jié)構(gòu)120圍繞表層膜122。連續(xù)的凹槽將表層膜支持結(jié)構(gòu)120與表層晶圓112剩余的部分分開(kāi)。凹槽形成中斷部118。

圖1H顯示移除圖案化光阻層114的示意圖。在一例子中，使用濕刻蝕工藝移除圖案化光阻層。此種濕刻蝕工藝為選擇性的，用以?xún)H移除光阻層114，而保持下方的表層晶圓112實(shí)質(zhì)上為完整的。

再者，圖1H顯示在光罩連接至表層之前的光罩124。光罩124包含圖案化側(cè)125及表層支架126。圖案化側(cè)125也可稱(chēng)為圖案化部分。圖案化側(cè)125包含準(zhǔn)備被轉(zhuǎn)移至基底(未繪示)的光阻層上以制造集成電路的實(shí)際圖案。光罩124為反射遮罩，因此，光源的光線導(dǎo)向圖案化側(cè)的表面。圖案化側(cè)125的部分將反射上述光線且其它部分將吸收上述光線。因此，當(dāng)反射的光線在光微影曝光步驟中到達(dá)涂覆于半導(dǎo)體晶圓上的光阻層時(shí)，由圖案化側(cè)125所定義的圖案將轉(zhuǎn)移至光阻層。

光罩124的制造相對(duì)地昂貴。此外，小顆粒及污染物可能損壞光罩124，其將導(dǎo)致通過(guò)光罩124的使用而形成的圖案中的缺陷。這種缺陷是難處理的，因?yàn)樵诮?jīng)檢測(cè)之前，缺陷可能轉(zhuǎn)移至數(shù)千個(gè)晶圓。雖然可使用多種清理工藝以移除此種顆粒及污染物，但清理工藝本身可能對(duì)光罩124造成損害，尤其是在重復(fù)的清理循環(huán)之后。因此，最好可防止此種污染物到達(dá)光罩124的圖案化側(cè)125。

表層支架126可通過(guò)多種方式固定于光罩124。例如，表層支架126可接合至光罩124。表層支架126可由金屬材料，例如：鋁或鋼所形成。在上視圖中，表層支架126可形成曲折的結(jié)構(gòu)，其圍繞(encompass)光罩124的圖案化側(cè)125。此外，表層支架126可與表層膜支持結(jié)構(gòu)120的尺寸及形狀匹配。

圖1I顯示表層膜支持結(jié)構(gòu)120接合至表層支架126。在一例子中，可通過(guò)使用硅膠實(shí)現(xiàn)接合。承前述，表層膜支持結(jié)構(gòu)120及表層支架126皆 可具有匹配的曲折結(jié)構(gòu)。因此，通過(guò)接合表層膜支持結(jié)構(gòu)120至表層支架126，保護(hù)區(qū)域127被形成于光罩124的圖案化側(cè)125周邊。

圖1J顯示為了斷裂中斷部118以及將表層膜122及表層膜支持結(jié)構(gòu)120從表層晶圓112剩余的部分分離，施加機(jī)械力(mechanical force)130于光罩124?？梢远喾N方式施加機(jī)械壓力，例如，可利用工具抵壓光罩124并將其往下壓。機(jī)械力130大到足以斷裂中斷部118，但不足以破壞表層膜122或表層膜支持結(jié)構(gòu)120。

間隔層104的傾斜部分108被用于幫助中斷步驟。具體而言，機(jī)械力130對(duì)著傾斜部分108加壓于斷裂部118。可調(diào)整中斷部118的寬度及傾斜部分108的斜度以有效斷裂中斷部118。此外，如下所述，因?yàn)殚g隔層104包含溝槽(109，圖1C)，內(nèi)縮部分106內(nèi)的空間的空氣可通過(guò)溝槽產(chǎn)生的排氣口排出。這可預(yù)防壓力施加于膜122，這種壓力可造成膜122的損壞。因此，溝槽109可最優(yōu)化(optimize)分離步驟。

圖1K顯示和表層129一起的光罩124從表層晶圓112的剩余部分及其它結(jié)構(gòu)分開(kāi)。表層129為單片結(jié)構(gòu)，其包含表層膜122及表層膜支持結(jié)構(gòu)120。利用上述步驟，表層129也包含中斷部118的剩余部分131。中斷部118的剩余部分131與表層膜122共平面且從相對(duì)于表層膜122的一側(cè)上的表層膜支持結(jié)構(gòu)120延伸。剩余部分131可具有由機(jī)械地?cái)嗔阎袛嗖?18所產(chǎn)生的鋸齒狀或粗糙的邊緣。

表層129可保護(hù)光罩124的圖案化側(cè)125遠(yuǎn)離可能造成損害的污染物。此外，表層支架126可包含能夠使表層更有效地作用的特征，例如，表層支架126可允許空氣在保護(hù)區(qū)域127及表層129外的環(huán)境之間流通。這是因?yàn)樵谝恍┕馕⒂肮に囍?，光?24被置于真空中，若保護(hù)區(qū)域127被緊密地密封，則保護(hù)區(qū)域127及外在環(huán)境之間的壓力差可能產(chǎn)生有害的壓力于表層膜122上，且甚至可能使其破裂。此外，允許空氣在保護(hù)區(qū)域127及表層129外的環(huán)境之間流通的通道可包含濾器，以防止污染物及其它物質(zhì)到達(dá)保護(hù)區(qū)域127而造成光罩124的圖案化側(cè)125的損害。

在表層129的貼附下，光罩124可用于集成電路制造工藝的光阻層圖案化。在一例子中，極紫外線(Extreme UltraViolet,EUV)光線可被引導(dǎo)于光罩124的圖案化側(cè)125。此種光線將穿透表層膜122，接著，在反射出圖案 化側(cè)125的一部分之后，光線將再次穿透表層膜122且最終將到達(dá)被曝光的光阻圖案。

上述例子說(shuō)明從表層晶圓移除表層膜之前，光罩的表層支架接合于表層膜支持結(jié)構(gòu)。然而，在一些例子中，在表層貼附于光罩之前，可使用機(jī)械力將表層膜及表層膜支持結(jié)構(gòu)從表層晶圓分離。

圖2顯示表層129及其它用以形成表層129的元件的尺寸示意圖。根據(jù)一些實(shí)施例，中斷部118的寬度202可約在1至10mm的范圍。表層膜支持結(jié)構(gòu)120的寬度204可約在1至10mm的范圍。傾斜部分108的斜度是根據(jù)傾斜部分108的寬度206及間隔層104的厚度?；蛘?，在內(nèi)縮部分106并未向下延伸至承載晶圓102的例子中，傾斜部分108的斜度是根據(jù)寬度206及內(nèi)縮部分106的深度。承前述，傾斜部分108可能不完全地為線形。這些尺寸提供表層129足夠的強(qiáng)度，在允許中斷部118有效斷裂的同時(shí)，不損害到表層膜122或表層膜支持結(jié)構(gòu)120。

圖3顯示用于光罩的表層的形成方法的流程圖。根據(jù)一些實(shí)施例，方法300包含用以提供承載晶圓(例如，102，圖1A)的步驟302。承前述，承載晶圓為用于支持接續(xù)形成的膜層的暫時(shí)性結(jié)構(gòu)。

根據(jù)一些實(shí)施例，方法300還包含用以形成間隔層(例如，104，圖1A)于承載晶圓上的步驟304，間隔層包括內(nèi)縮部分(例如，106，圖1B)，內(nèi)縮部分具有傾斜部分(例如，108，圖1B)于內(nèi)縮部分的邊緣?？墒褂酶呙芏鹊入x子體化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposition,CVD)工藝沉積間隔層。間隔層可由材料，例如，氮化硅或氮氧化硅所形成。接著可圖案化間隔層以形成內(nèi)縮部分?？墒褂每涛g工藝以移除部分的間隔層以產(chǎn)生內(nèi)縮部分。也可調(diào)整刻蝕工藝以產(chǎn)生想要的傾斜部分。承前述，傾斜部分實(shí)質(zhì)上可為線形、凸面或凹面。當(dāng)圖案化間隔層時(shí)，溝槽可能形成于間隔層之中，其由內(nèi)縮部分延伸至承載晶圓的邊緣。溝槽作為排氣口(exhaust port)使內(nèi)縮部分中的空氣得以排到承載晶圓的側(cè)邊之外。

根據(jù)一些實(shí)施例，方法300還包含用以接合表層晶圓(例如，112，圖1D)至間隔層以形成開(kāi)放區(qū)域于內(nèi)縮部分內(nèi)的步驟306。表層晶圓可由半導(dǎo)體材料，例如，硅所形成。表層晶圓為用以形成表層的材料物件。

在一些例子中，可薄化承載晶圓的背側(cè)。在一些例子中，承載晶圓、 間隔層及表層晶圓的結(jié)合可能過(guò)厚而不適用于一些光微影工具。因此，可薄化承載晶圓使晶圓得以置于實(shí)行接續(xù)的光微影工藝的機(jī)臺(tái)中。

根據(jù)一些實(shí)施例，方法300還包含用以圖案化表層晶圓以形成表層膜(例如，122，圖1F)于內(nèi)縮部分的上以及形成表層膜支持結(jié)構(gòu)(例如，120，圖1F)于傾斜部分之上的步驟308。此可通過(guò)各種光微影技術(shù)加以完成。通過(guò)刻蝕掉位于內(nèi)縮部分上的一部分表層晶圓使得薄膜存留，以形成表層膜。通過(guò)刻蝕掉位于將形成表層膜支持結(jié)構(gòu)的表層晶圓區(qū)域的兩側(cè)的表層晶圓部分，以形成表層膜支持結(jié)構(gòu)。表層膜支持結(jié)構(gòu)形成于傾斜部分之上。

上述方法也可包含形成中斷部。中斷部位于表層膜支持結(jié)構(gòu)及表層晶圓剩余的部分之間。中斷部的厚度可與表層膜相似。為了將表層膜及表層膜支持結(jié)構(gòu)從表層晶圓剩余的部分分離，中斷部被設(shè)計(jì)為在施加機(jī)械壓力的情況下，將會(huì)斷裂，下文將更詳細(xì)對(duì)其進(jìn)行說(shuō)明。因?yàn)橹袛嗖俊⒈韺幽ぶС纸Y(jié)構(gòu)及表層膜皆形成于相同的表層晶圓內(nèi)，它們形成單一的單片(monolithic)結(jié)構(gòu)，其可稱(chēng)作表層。

根據(jù)一些實(shí)施例，方法300還包含用以接合光罩(例如，124，圖1H)至表層膜支持結(jié)構(gòu)的步驟310。具體而言，表層膜支持結(jié)構(gòu)接合至將貼附于光罩的表層支架上。可通過(guò)使用硅膠實(shí)現(xiàn)此種接合。在上視圖中，表層支架可具有長(zhǎng)方形的形狀。表層支架被設(shè)置以圍繞(encompass)光罩的圖案化部分。表層膜支持結(jié)構(gòu)可與表層支架的形狀相配。具體而言，表層膜支持結(jié)構(gòu)可為與表層支架的尺寸及形狀相符的長(zhǎng)方形、曲折特征。因此，當(dāng)接合至表層支架時(shí)，表層膜支持結(jié)構(gòu)、表層膜以及表層支架提供了位于光罩的圖案化部分之上的保護(hù)區(qū)域。

根據(jù)一些實(shí)施例，方法300還包含用以施加機(jī)械力以從表層晶圓分離表層膜的步驟310。具體而言，機(jī)械力可對(duì)著傾斜部分加壓于中斷部使它們斷裂。接著，可移除包含表層膜及表層膜支持結(jié)構(gòu)的表層。因此，表層產(chǎn)生位于光罩的圖案化部分之上的保護(hù)區(qū)域。

利用前述的步驟，表層也可包含中斷部的剩余部分。中斷部的剩余部分與表層膜共平面且從相對(duì)于(opposite to)表層膜的一側(cè)上的表層膜支持結(jié)構(gòu)延伸。剩余部分可具有由機(jī)械地?cái)嗔阎袛嗖克a(chǎn)生的鋸齒狀(jagged)或粗糙的邊緣。

雖然于此已敘述方法的使用，但可有效地形成表層以保護(hù)光罩的圖案化部分。因此，可保護(hù)光罩的圖案化部分遠(yuǎn)離顆粒及其它污染物。表層可形成于表層晶圓之中且接著被機(jī)械地分離。這種技術(shù)可有效率地制造有效的表層以保護(hù)光罩。

根據(jù)一例子，方法包含：提供承載晶圓；形成內(nèi)縮部分于承載晶圓上，內(nèi)縮部分具有傾斜部分于內(nèi)縮部分的邊緣；接合一表層晶圓于承載晶圓上，以形成開(kāi)放區(qū)域于內(nèi)縮部分之內(nèi)；圖案化表層晶圓，以形成表層膜于內(nèi)縮部分之上以及表層膜支持結(jié)構(gòu)于傾斜部分之上；以及施加機(jī)械力，以使表層膜從該表層晶圓分離。

根據(jù)一例子，方法包含：形成內(nèi)縮部分于承載晶圓上，內(nèi)縮部分的邊緣具有傾斜部分，由內(nèi)縮部分的下部部分(lower portion)向間隔層的頂表面傾斜；接合表層晶圓于承載晶圓上；圖案化表層晶圓，以形成表層膜于內(nèi)縮部分之上、表層膜支持結(jié)構(gòu)于傾斜部分之上、以及中斷部于傾斜部分之上；以及施加機(jī)械力，以斷開(kāi)中斷部以及使表層膜及表層膜支持結(jié)構(gòu)從表層晶圓分離。

根據(jù)一例子，裝置包含：光罩，具有圖案化部分；表層支架，連接至光罩，表層支架實(shí)質(zhì)上圍繞圖案化部分；以及表層，其包含：表層膜支持結(jié)構(gòu)，是根據(jù)表層支架成形(shaped)，表層膜支持結(jié)構(gòu)的第一末端被接合至表層支架；以及表層膜，位于表層膜支持結(jié)構(gòu)的第二末端，表層膜實(shí)質(zhì)上覆蓋圖案化部分。

前述內(nèi)文概述了許多實(shí)施例的特征，使本技術(shù)領(lǐng)域中技術(shù)人員可以更佳的了解本發(fā)明的各個(gè)方面。本技術(shù)領(lǐng)域中技術(shù)人員應(yīng)該可理解，他們可以很容易的以本發(fā)明為基礎(chǔ)來(lái)設(shè)計(jì)或修飾其它工藝及結(jié)構(gòu)，并以此達(dá)到相同的目的及/或達(dá)到與本發(fā)明介紹的實(shí)施例相同的優(yōu)點(diǎn)。本技術(shù)領(lǐng)域中技術(shù)人員也應(yīng)該了解這些相等的結(jié)構(gòu)并不會(huì)背離本發(fā)明的發(fā)明精神與范圍。本發(fā)明可以作各種改變、置換、修改而不會(huì)背離本發(fā)明的發(fā)明精神與范圍。

雖然本發(fā)明已以數(shù)個(gè)較佳實(shí)施例公開(kāi)如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作任意的變動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附的權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。