本發(fā)明涉及光伏領(lǐng)域，特別是涉及一種金屬誘導(dǎo)催化反應(yīng)液及其制備方法、以及應(yīng)用。

背景技術(shù)：

在光伏切片領(lǐng)域中，傳統(tǒng)的砂漿切片方法使用了切割液和碳化硅，切割完成后，大量廢砂漿需要在線或離線處理，這給環(huán)境帶來了很大壓力。而隨著光伏切片技術(shù)的發(fā)展，新型的金剛線切片方法不使用砂漿，只需要含水90％以上的冷卻液和固結(jié)金剛石線(樹脂金剛線)即可，不僅切割速度快，生產(chǎn)效率高，而且環(huán)保壓力小，已成為新型切片技術(shù)的主流方向，并被應(yīng)用于硅片切割的大規(guī)模生產(chǎn)中。

然而，新型金剛線切割與傳統(tǒng)砂漿切割所得到的硅片形貌不同，二者形貌分別如圖1(a)和圖1(b)所示，前者表面有多條切割線紋，表面損傷層較淺，這導(dǎo)致傳統(tǒng)的酸制絨方法不能在金剛線切割多晶硅片表面上形成有效絨面，給電池廠商的制絨工序帶來了很大困難。為此，研究者開發(fā)了各種針對金剛線切多晶硅片的制絨方法，包括反應(yīng)離子刻蝕法(Reactive Ion Etching)、飛秒激光法(Femtosecond Laser Method)等，它們均屬于干法刻蝕(Dry Etching)體系，對生產(chǎn)設(shè)備及方法條件要求非?？量?，制造成本昂貴，并且刻蝕面積有限，不利于大規(guī)模工業(yè)化應(yīng)用。而金屬誘導(dǎo)法，屬于濕法刻蝕(Wet Etching)體系，其絨面效果好，制造成本較低，反應(yīng)條件易實(shí)現(xiàn)，已成為實(shí)現(xiàn)工業(yè)化批量生產(chǎn)多晶硅片黑硅絨面的重要方法。該種方法得到的黑硅絨面，外觀較黑，孔徑合適，反射率低，適用于后道電池的制作，并能夠促進(jìn)電池效率的提高。

然而，在金屬誘導(dǎo)濕法刻蝕體系中，金屬誘導(dǎo)濕法刻蝕的一般步驟為先將線切割的硅片進(jìn)行預(yù)處理，隨后進(jìn)行金屬粒子的沉積和刻蝕。在上述過程中，金屬粒子的分散是一個(gè)非常關(guān)鍵的步驟。如果不能很好的控制金屬粒子的分散，則在刻蝕過程中金屬粒子會(huì)非常容易團(tuán)聚，如圖2中所示。而金屬粒子的團(tuán)聚 會(huì)加速金屬粒子的消耗，并且導(dǎo)致硅片刻蝕的均勻性下降，對絨面產(chǎn)生不利的影響。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

基于此，有必要針對傳統(tǒng)的金屬誘導(dǎo)濕法刻蝕體系中金屬粒子容易團(tuán)聚的問題，提供一種使金屬粒子不容易團(tuán)聚的金屬誘導(dǎo)催化反應(yīng)液。

一種金屬誘導(dǎo)催化反應(yīng)液，由按照體積份數(shù)的如下各組分組成：

所述酸性清洗劑選自氫氟酸和雙氧水的混合溶液。

上述金屬誘導(dǎo)催化反應(yīng)液中包括酸性清洗劑、非離子表面活性劑、金屬源以及去離子水。其中，酸性清洗劑選自氫氟酸和雙氧水的混合溶液。金屬源能夠提供金屬粒子。而非離子表面活性劑起到潤滑分散金屬粒子的作用。將預(yù)處理之后的硅片放入本發(fā)明提供的這種金屬誘導(dǎo)催化反應(yīng)液中進(jìn)行金屬粒子沉積，在金屬誘導(dǎo)催化反應(yīng)液的上述各組分的配合作用下，金屬粒子能夠均勻沉積在預(yù)處理之后的硅片上，不容易團(tuán)聚。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，由按照體積份數(shù)的如下各組分組成：

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述氫氟酸和所述雙氧水的體積比為3:1～1:10。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述非離子表面活性劑選自乙醇、乙二醇、聚乙二醇、吐溫-60、吐溫-80、辛基酚聚氧乙烯醚-10和壬基酚聚氧乙烯醚中的至少一種。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述金屬源選自氯金酸、氯鉑酸、硝酸銀和硝酸銅 中的一種。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述去離子水的電導(dǎo)率小于0.5μS/cm。

還提供一種金屬誘導(dǎo)催化反應(yīng)液的制備方法，包括如下步驟：

將金屬源加入去離子水中，混勻之后得到金屬源的水溶液；

將酸性清洗劑和非離子表面活性劑混勻，冷卻至5℃～15℃，之后逐滴加入所述金屬源的水溶液，混勻之后得到金屬誘導(dǎo)催化反應(yīng)液；

所述酸性清洗劑選自氫氟酸和雙氧水的混合溶液。

上述金屬誘導(dǎo)催化反應(yīng)液的制備方法制備得到金屬誘導(dǎo)催化反應(yīng)液，其中包括酸性清洗劑、非離子表面活性劑、金屬源以及去離子水。其中，酸性清洗劑選自氫氟酸和雙氧水的混合溶液。金屬源能夠提供金屬粒子。而非離子表面活性劑起到潤滑分散金屬粒子的作用。將預(yù)處理之后的硅片放入本發(fā)明提供的這種金屬誘導(dǎo)催化反應(yīng)液中進(jìn)行金屬粒子沉積，在金屬誘導(dǎo)催化反應(yīng)液的上述各組分的配合作用下，金屬粒子能夠均勻沉積在預(yù)處理之后的硅片上，不容易團(tuán)聚。

此外，還提供一種金剛線切割多晶硅片的黑硅刻蝕方法，包括如下步驟：

對金剛線切割后的多晶硅片進(jìn)行預(yù)處理以除去損傷層，得到預(yù)處理后的多晶硅片；

將所述預(yù)處理后的多晶硅片放入權(quán)利要求1所述的金屬誘導(dǎo)催化反應(yīng)液中，維持15s～90s之后取出，得到金屬粒子沉積后的多晶硅片；

將所述金屬粒子沉積后的多晶硅片放入刻蝕溶液中進(jìn)行刻蝕，得到刻蝕后的多晶硅片；

除去所述刻蝕后的多晶硅片表面殘留的金屬粒子，之后進(jìn)行清洗并烘干，得到黑硅刻蝕后的多晶硅片。

上述金剛線切割多晶硅片的黑硅刻蝕方法，首先將預(yù)處理后的多晶硅片放入金屬誘導(dǎo)催化反應(yīng)液中進(jìn)行金屬粒子沉積，由于采用了金屬誘導(dǎo)催化反應(yīng)液，金屬粒子能夠均勻地分散在硅片表面。沉積金屬粒子之后再進(jìn)行刻蝕反應(yīng)，能夠使金屬誘導(dǎo)催化反應(yīng)液與雙氧水、氫氟酸、硝酸等刻蝕溶液分開，避免了劇烈反應(yīng)帶來的金屬粒子團(tuán)聚現(xiàn)象，減少了貴金屬的浪費(fèi)，并避免了刻蝕不均勻 現(xiàn)象的發(fā)生。最終多晶硅片表面可得到理想的納米絨面，該種絨面可有效降低多晶硅片表面的反射率，促進(jìn)電池效率的提高。此外，該方法操作簡單，成本相對較低，并且金屬粒子分散均勻，適用于大面積多晶硅片的制絨。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，將所述預(yù)處理后的多晶硅片放入權(quán)利要求1所述的金屬誘導(dǎo)催化反應(yīng)液中，維持15s～90s之后取出，得到金屬粒子沉積后的多晶硅片的操作為：

提供支架，用于支撐所述預(yù)處理后的多晶硅片，所述支架的材質(zhì)為聚四氟乙烯；

將所述預(yù)處理后的多晶硅片放在所述支架上，將所述預(yù)處理后的多晶硅片與所述支架一起放入權(quán)利要求1所述的金屬誘導(dǎo)催化反應(yīng)液中，所述預(yù)處理后的多晶硅片的表面所在的平面垂直于所述金屬誘導(dǎo)催化反應(yīng)液所在的平面；

維持15s～90s之后取出，得到金屬粒子沉積后的多晶硅片。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，將所述金屬粒子沉積后的多晶硅片放入刻蝕溶液中進(jìn)行刻蝕的操作中，維持刻蝕溫度為5℃～15℃，維持刻蝕時(shí)間為2min～15min，所述刻蝕溶液包括按照體積份數(shù)的如下各組分：

所述非離子表面活性劑選自乙醇、乙二醇、聚乙二醇、吐溫-60、吐溫-80、辛基酚聚氧乙烯醚-10和壬基酚聚氧乙烯醚中的至少一種。

附圖說明

圖1(a)為金剛線切割得到的硅片形貌的SEM圖；

圖1(b)為傳統(tǒng)砂漿切割得到的硅片形貌的SEM圖；

圖2為金粒子在硅片表面團(tuán)聚的SEM圖；

圖3為一實(shí)施方式的金屬誘導(dǎo)催化反應(yīng)液的制備方法；

圖4為一實(shí)施方式的金剛線切割多晶硅片的黑硅刻蝕方法；

圖5為一實(shí)施方式的金屬粒子在多晶硅片表面的沉積方法；

圖6為一實(shí)施方式的金剛線切多晶硅片和砂漿切多晶硅片分別進(jìn)行預(yù)處理后測得的反射率圖；

圖7為一實(shí)施方式的金屬誘導(dǎo)催化反應(yīng)的裝置示意圖；

圖8為一實(shí)施方式的金顆粒在多晶硅片表面均勻分散的SEM形貌圖；

圖9為一實(shí)施方式的二級黑硅絨面的SEM形貌圖；

圖10為一實(shí)施方式的金剛線切多晶硅片和砂漿切多晶硅片分別進(jìn)行黑硅刻蝕方法處理后測得的反射率圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實(shí)施方式做詳細(xì)的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似改進(jìn)，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施例的限制。

除非另有定義，本文所使用的所有的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語與屬于本發(fā)明的技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文中在本發(fā)明的說明書中所使用的術(shù)語只是為了描述具體的實(shí)施例的目的，不是旨在于限制本發(fā)明。本文所使用的術(shù)語“及/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)的所列項(xiàng)目的任意的和所有的組合。

一實(shí)施方式的金屬誘導(dǎo)催化反應(yīng)液，由按照體積份數(shù)的如下各組分組成：

酸性清洗劑選自氫氟酸和雙氧水的混合溶液。

在一個(gè)較優(yōu)的實(shí)施方式中，金屬誘導(dǎo)催化反應(yīng)液由按照體積份數(shù)的如下各組分組成：

在一個(gè)較優(yōu)的實(shí)施方式中，氫氟酸和雙氧水的體積比為3:1～1:10。

非離子表面活性劑可以選自乙醇、乙二醇、聚乙二醇、吐溫-60、吐溫-80、辛基酚聚氧乙烯醚-10和壬基酚聚氧乙烯醚中的至少一種。非離子表面活性劑能夠使從金屬源中還原出來的金屬粒子不容易團(tuán)聚，并均勻分散在溶液中。

金屬源選自氯金酸、氯鉑酸、硝酸銀和硝酸銅中的一種。金屬源用于提供金屬粒子，一般為可溶性金屬鹽，不同金屬粒子對應(yīng)不同的金屬源。

去離子水的電導(dǎo)率小于0.5μS/cm。本實(shí)施方式的金屬誘導(dǎo)催化反應(yīng)液后續(xù)直接作用于太陽能硅片表面，由于上述去離子水中的雜質(zhì)離子較少，能夠避免過多的雜質(zhì)離子殘留在太陽能硅片的表面而降低硅片表面的潔凈度，從而影響其后續(xù)使用。

綜上所述，上述金屬誘導(dǎo)催化反應(yīng)液中包括酸性清洗劑、非離子表面活性劑、金屬源以及去離子水。其中，酸性清洗劑選自氫氟酸和雙氧水的混合溶液。金屬源能夠提供金屬粒子。而非離子表面活性劑起到潤滑分散金屬粒子的作用。將預(yù)處理之后的硅片放入本發(fā)明提供的這種金屬誘導(dǎo)催化反應(yīng)液中進(jìn)行金屬粒子沉積，在金屬誘導(dǎo)催化反應(yīng)液的上述各組分的配合作用下，金屬粒子能夠均勻沉積在預(yù)處理之后的硅片上，不容易團(tuán)聚。

一實(shí)施方式的金屬誘導(dǎo)催化反應(yīng)液的制備方法，如圖3所示，包括如下步驟：

S10、將金屬源加入去離子水中，混勻之后得到金屬源的水溶液。

金屬源選自氯金酸、氯鉑酸、硝酸銀和硝酸銅中的一種。

S20、將酸性清洗劑和非離子表面活性劑混勻，冷卻至5℃～15℃，之后逐滴加入步驟S10中的金屬源的水溶液，混勻之后得到金屬誘導(dǎo)催化反應(yīng)液；酸性清洗劑選自氫氟酸和雙氧水的混合溶液。

氫氟酸和雙氧水的體積比為3:1～1:10。

非離子表面活性劑選自乙醇、乙二醇、聚乙二醇、吐溫-60、吐溫-80、辛基 酚聚氧乙烯醚-10和壬基酚聚氧乙烯醚中的至少一種。

上述金屬誘導(dǎo)催化反應(yīng)液的制備方法制備得到金屬誘導(dǎo)催化反應(yīng)液，其中包括酸性清洗劑、非離子表面活性劑、金屬源以及去離子水。其中，酸性清洗劑選自氫氟酸和雙氧水的混合溶液。金屬源能夠提供金屬粒子。而非離子表面活性劑起到潤滑分散金屬粒子的作用。將預(yù)處理之后的硅片放入本發(fā)明提供的這種金屬誘導(dǎo)催化反應(yīng)液中進(jìn)行金屬粒子沉積，在金屬誘導(dǎo)催化反應(yīng)液的上述各組分的配合作用下，金屬粒子能夠均勻沉積在預(yù)處理之后的硅片上，不容易團(tuán)聚。

一實(shí)施方式的金剛線切割多晶硅片的黑硅刻蝕方法，如圖4所示，包括如下步驟：

S100、對金剛線切割后的多晶硅片進(jìn)行預(yù)處理以除去損傷層，得到預(yù)處理后的多晶硅片。

上述除去損傷層的步驟采用太陽能行業(yè)中的常規(guī)酸制絨方法即可實(shí)現(xiàn)，即將金剛線切割后的多晶硅放入HF(49％)與HNO₃(65％)按照體積比為1:3的混合溶液中，維持反應(yīng)溫度5℃～10℃，反應(yīng)時(shí)間1min～3min之后即可得到預(yù)處理后的多晶硅片。

S200、將步驟S100中預(yù)處理后的多晶硅片放入上述實(shí)施方式的金屬誘導(dǎo)催化反應(yīng)液中，維持15s～90s之后取出，得到金屬粒子沉積后的多晶硅片。

如圖5所示，將預(yù)處理后的多晶硅片放入上述實(shí)施方式的金屬誘導(dǎo)催化反應(yīng)液中，維持15s～90s之后取出，得到金屬粒子沉積后的多晶硅片的操作為：

S210、提供支架，用于支撐預(yù)處理后的多晶硅片，支架的材質(zhì)為聚四氟乙烯。

支架用于支撐預(yù)處理后的多晶硅片，其與預(yù)處理后的多晶硅片的接觸面積越少越好，避免影響金屬粒子的沉積。

S220、將預(yù)處理后的多晶硅片放在步驟S210的支架上，將預(yù)處理后的多晶硅片與支架一起放入上述實(shí)施方式的金屬誘導(dǎo)催化反應(yīng)液中，預(yù)處理后的多晶硅片的表面所在的平面垂直于金屬誘導(dǎo)催化反應(yīng)液所在的平面。

由于預(yù)處理后的多晶硅片的表面所在的平面垂直于金屬誘導(dǎo)催化反應(yīng)液所 在的平面，則預(yù)處理后的多晶硅片豎直放入金屬誘導(dǎo)催化反應(yīng)液中。此處需務(wù)必保持多晶硅片豎直，而防止其傾斜。這樣能夠避免金屬粒子因重力作用沉積到傾斜的多晶硅片上，而出現(xiàn)金屬粒子分散不均勻的現(xiàn)象。

S230、維持15s～90s之后取出，得到金屬粒子沉積后的多晶硅片。

此時(shí)，多晶硅片的表面均勻分散了金屬粒子。在一個(gè)較優(yōu)的實(shí)施例中，金屬粒子的尺寸為納米級，有利于后續(xù)進(jìn)行制絨。

而金屬粒子沉積后的多晶硅片無需進(jìn)行清洗與烘干，可直接進(jìn)行下一步驟。

S300、將步驟S200中金屬粒子沉積后的多晶硅片放入刻蝕溶液中進(jìn)行刻蝕，得到刻蝕后的多晶硅片。

將金屬粒子沉積后的多晶硅片放入刻蝕溶液中進(jìn)行刻蝕的操作中，維持刻蝕溫度為5℃～15℃，維持刻蝕時(shí)間為2min～15min?？涛g溶液包括如下體積份數(shù)的各組分：

非離子表面活性劑選自乙醇、乙二醇、聚乙二醇、吐溫-60、吐溫-80、辛基酚聚氧乙烯醚-10和壬基酚聚氧乙烯醚中的至少一種?？梢栽诖帕嚢杌蚬呐轄顟B(tài)下進(jìn)行上述刻蝕過程，以利于刻蝕的均勻性。

S400、除去步驟S300中刻蝕后的多晶硅片表面殘留的金屬粒子，之后進(jìn)行清洗并烘干，得到黑硅刻蝕后的多晶硅片。

在一個(gè)較優(yōu)的實(shí)施例中，除去刻蝕后的多晶硅片表面殘留的金屬粒子的操作中：金屬粒子為金粒子，采用碘化鉀與碘的混合溶液對刻蝕后的多晶硅片進(jìn)行清洗以除去刻蝕后的多晶硅片表面殘留的金粒子，維持反應(yīng)溫度為20℃～30℃，維持反應(yīng)時(shí)間為1min～3min；

碘化鉀與碘的混合溶液中，碘化鉀的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為19％，碘的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為4.76％。

當(dāng)然，若金屬粒子為其他粒子，則根據(jù)不同金屬粒子選擇對應(yīng)的清洗溶液 對刻蝕后的多晶硅片進(jìn)行清洗。

上述金剛線切割多晶硅片的黑硅刻蝕方法，首先將預(yù)處理后的多晶硅片放入金屬誘導(dǎo)催化反應(yīng)液中進(jìn)行金屬粒子沉積，由于采用了金屬誘導(dǎo)催化反應(yīng)液，金屬粒子能夠均勻地分散在硅片表面。沉積金屬粒子之后再進(jìn)行刻蝕反應(yīng)，能夠使金屬誘導(dǎo)催化反應(yīng)液與雙氧水、氫氟酸、硝酸等刻蝕溶液分開，避免了劇烈反應(yīng)帶來的金屬粒子團(tuán)聚現(xiàn)象，減少了貴金屬的浪費(fèi)，并避免了刻蝕不均勻現(xiàn)象的發(fā)生。最終多晶硅片表面可得到理想的納米絨面，該種絨面可有效降低多晶硅片表面的反射率，促進(jìn)電池效率的提高。此外，該方法操作簡單，成本相對較低，并且金屬粒子分散均勻，適用于大面積多晶硅片的制絨。

下面為具體實(shí)施例(以金納米粒子為例)：

將金剛線切割后的多晶硅放入HF(49％)與HNO₃(65％)按照體積比為1:3的混合溶液中，維持反應(yīng)溫度5℃～10℃，反應(yīng)時(shí)間2min之后得到預(yù)處理后的多晶硅片。

測試上述預(yù)處理后的多晶硅片與砂漿切多晶硅片的酸預(yù)處理后的多晶硅片的反射率，結(jié)果如圖6所示。將金剛線切割多晶硅片進(jìn)行預(yù)處理之后的多晶硅片簡稱為“金剛線片”，而將砂漿切多晶硅片的酸預(yù)處理后的多晶硅片簡稱為“砂漿片”。圖中A表示“金剛線片”的反射率，圖中B表示“砂漿片”的反射率。從圖6可以看出，“金剛線片”的反射率大于“砂漿片”的反射率，表明切割方法對多晶硅片的反射率產(chǎn)生了一定的影響，而對于金剛線切割多晶硅片進(jìn)行預(yù)處理之后的多晶硅片，通過傳統(tǒng)的酸制絨處理很難達(dá)到反射率低的效果。

將氯金酸加入去離子水中，混勻之后得到氯金酸的水溶液。將氫氟酸、雙氧水和乙醇混勻，冷卻至15℃，在磁力攪拌狀態(tài)下，逐滴加入一定量的氯金酸水溶液，繼續(xù)攪拌，混勻之后得到金屬誘導(dǎo)催化反應(yīng)液。金屬誘導(dǎo)催化反應(yīng)液中，氫氟酸、雙氧水和乙醇等活性劑的體積分?jǐn)?shù)分別為1％、0.5％和0.5％。

將“金剛線片”豎直放在PVDF材質(zhì)的反應(yīng)支架上，隨后將二者一起放入上述金屬誘導(dǎo)催化反應(yīng)液中。如圖7所示，反應(yīng)裝置100包括反應(yīng)器皿110和反應(yīng)支架120，“金剛線片”200豎直放置在反應(yīng)支架120上。反應(yīng)90s后，迅速將 “金剛線片”和反應(yīng)支架一起提出液面，得到金粒子沉積后的多晶硅片。對上述金粒子沉積后的多晶硅片進(jìn)行SEM測試，得到圖8。從圖8中可以看出，此時(shí)多晶硅片樣品表面已經(jīng)均勻分散了金納米小顆粒。

將上述已經(jīng)分散了均勻的金納米顆粒的硅片樣品放入到氫氟酸、雙氧水和乙醇等活性劑的刻蝕溶液中。刻蝕溶液中氫氟酸、雙氧水和乙醇等活性劑的體積分?jǐn)?shù)分別為25％、15％和15％。在磁力攪拌或鼓泡狀態(tài)下，控制反應(yīng)溫度為10℃～15℃，反應(yīng)時(shí)間為15min，得到刻蝕后的多晶硅片。

將上述刻蝕后的多晶硅片在KI和I₂的混合溶液中進(jìn)行清洗，目的是去除殘留在硅片表面的金顆粒。其中，I₂和KI的質(zhì)量分?jǐn)?shù)分別為4.76％和19％?？刂品磻?yīng)溫度為20℃～30℃，反應(yīng)時(shí)間為3min，此時(shí)得到一級黑硅樣品。

將上述清洗干凈的硅片樣品放入KOH溶液中進(jìn)行堿清洗處理，控制反應(yīng)溫度為50℃～70℃，反應(yīng)時(shí)間為25s。

最后，將得到的樣品用純水清洗干凈，得到適用于太陽能電池的二級黑硅絨面。對上述二級黑硅絨面進(jìn)行SEM測試，形貌如圖9所示。

測試此時(shí)“金剛線片”與適用于太陽能電池的“砂漿片”的反射率，結(jié)果如圖10所示。圖中C表示“金剛線片”的反射率，圖中D表示“砂漿片”的反射率。將圖10與之前的圖6進(jìn)行比較可以看出，首先，“金剛線片”和“砂漿片”二者的反射率均低于只進(jìn)行預(yù)處理后的樣品，其次，經(jīng)過上述一系列處理之后，“金剛線片”的反射率遠(yuǎn)低于“砂漿片”的反射率，因此，“金剛線片”更有利于工業(yè)應(yīng)用，有利于提高對應(yīng)太陽能電池的效率。

將二級黑硅絨面片進(jìn)行常規(guī)電池制作方法后，金剛線多晶片得到電池的效率比傳統(tǒng)酸制絨后所得的電池的效率明顯提高大約0.1％～0.5％。

以上所述實(shí)施例的各技術(shù)特征可以進(jìn)行任意的組合，為使描述簡潔，未對上述實(shí)施例中的各個(gè)技術(shù)特征所有可能的組合都進(jìn)行描述，然而，只要這些技術(shù)特征的組合不存在矛盾，都應(yīng)當(dāng)認(rèn)為是本說明書記載的范圍。

以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的 普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。