本發(fā)明涉及發(fā)光二極管技術(shù)領(lǐng)域，更為具體的說，涉及一種白光LED成品及其制作方法。

背景技術(shù)：

LED（Light Emitting Diode，發(fā)光二極管）是一種利用載流子復(fù)合時釋放能量形成發(fā)光的半導(dǎo)體器件，白光LED成品具有耗電低、色度純、壽命長、體積小、響應(yīng)時間快、節(jié)能環(huán)保等諸多優(yōu)勢。近年來，隨著對白光LED成品研究的不斷深入，白光LED成品的發(fā)光效率得到的極大的提高，目前已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于顯示等各個領(lǐng)域。

現(xiàn)有在制作白光LED成品過程中，一般由芯片廠生產(chǎn)LED芯片，然后再由封裝廠對每顆芯片進行封裝，這樣工序繁復(fù)，需要大量的人力物力，降低產(chǎn)品良率。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明提供了一種白光LED成品及其制作方法，使芯片和封裝一體化，簡化白光LED成品的制作步驟。

本發(fā)明提供的技術(shù)方案如下：

一種白光LED成品的制作方法，包括：

提供一襯底；

在所述襯底任意一表面形成多個發(fā)光微結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光微結(jié)構(gòu)包括位于所述襯底表面的第一半導(dǎo)體層，位于所述第一半導(dǎo)體層背離所述襯底一側(cè)的有源層和第一電極，位于所述有源層背離所述襯底一側(cè)的第二半導(dǎo)體層，位于所述第二半導(dǎo)體層背離所述襯底一側(cè)的導(dǎo)電反射膜層，位于所述導(dǎo)電反射膜層背離所述襯底一側(cè)的第二電極，所述第一電極與所述第二電極之間相互絕緣；

采用焊接的方式將所述發(fā)光微結(jié)構(gòu)焊接到一基板上，在所述基板對應(yīng)所述第一電極的區(qū)域、且背離所述襯底一側(cè)形成第一連接電極，且在所述基板對應(yīng)所述第二電極的區(qū)域、且背離所述襯底一側(cè)形成第二連接電極；

在所述多個發(fā)光微結(jié)構(gòu)背離基板一側(cè)表面涂覆熒光粉并進行封裝形成多個白光LED半成品；

沿所述白光LED半成品的邊緣進行切割，以得到多個白光LED成品。

優(yōu)選的，在將所述發(fā)光微結(jié)構(gòu)焊接到所述基板上之后，制備連接電極之前，所述制作方法還包括：

填充所述發(fā)光微結(jié)構(gòu)和所述基板之間的空隙，使所述發(fā)光微結(jié)構(gòu)充分固定在所述基板上。

優(yōu)選的，填充所述發(fā)光微結(jié)構(gòu)和所述基板之間的空隙的方式包括：

采用鋼網(wǎng)印刷的方式將膠水填充在所述發(fā)光微結(jié)構(gòu)和所述基板之間的空隙。

優(yōu)選的，在制備連接電極后，進行封裝之前，所述制作方法還包括：

減薄所述襯底至預(yù)設(shè)厚度范圍或激光剝離所述襯底。

優(yōu)選的，所述預(yù)設(shè)厚度范圍為100μm~500μm，包括端點值。

優(yōu)選的，所述焊接方式為回流焊或者共晶焊。

優(yōu)選的，所述發(fā)光微結(jié)構(gòu)的形成過程為：

在所述襯底任意一表面形成所述第一半導(dǎo)體層；

在所述第一半導(dǎo)體層背離所述襯底一側(cè)形成所述有源層；

在所述有源層背離所述襯底一側(cè)形成所述第二半導(dǎo)體層；

采用刻蝕工藝將所述第一半導(dǎo)體層背離所述襯底一側(cè)的預(yù)設(shè)區(qū)域裸露；

在所述第二半導(dǎo)體層背離所述襯底一側(cè)形成所述導(dǎo)電反射膜層；

在所述第一半導(dǎo)體層的預(yù)設(shè)區(qū)域、且背離所述襯底一側(cè)形成所述第一電極，且在所述導(dǎo)電反射膜層背離所述襯底一側(cè)形成所述第二電極，所述第一電極與所述第二電極之間相互絕緣。

優(yōu)選的，在形成所述第二半導(dǎo)體層后，且刻蝕裸露所述第一半導(dǎo)體層的預(yù)設(shè)區(qū)域前，所述制作方法還包括：

在所述第二半導(dǎo)體層背離所述襯底一側(cè)形成歐姆接觸層，其中，所述導(dǎo)電反射膜層位于所述歐姆接觸層背離所述襯底一側(cè)。

優(yōu)選的，所述導(dǎo)電反射膜層為金屬反射膜層；其中，在形成所述導(dǎo)電反射膜層后，且形成所述第一電極和第二電極前，所述制作方法還包括：

在所述導(dǎo)電反射膜層背離所述襯底一側(cè)形成金屬擴散阻擋層，其中，所述第二電極形成于所述金屬擴散阻擋層背離所述襯底一側(cè)。

優(yōu)選的，在形成所述導(dǎo)電反射膜層后，且形成所述第一電極和第二電極前，所述制作方法還包括：

形成覆蓋所述導(dǎo)電反射膜層、且延伸覆蓋至所述第一半導(dǎo)體層的預(yù)設(shè)區(qū)域的鈍化層；

其中，所述鈍化層對應(yīng)所述預(yù)設(shè)區(qū)域的區(qū)域設(shè)置有第一開口，以用于形成所述第一電極，以及，所述鈍化層對應(yīng)所述導(dǎo)電反射膜層的區(qū)域設(shè)置有第二開口，以用于形成所述第二電極。

優(yōu)選的，所述襯底為藍寶石襯底、碳化硅襯底或氮化鎵襯底。

優(yōu)選的，所述第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層均為氮化鎵基半導(dǎo)體層，所述有源層為氮化鎵基有源層；

或者，所述第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層均為砷化鎵基半導(dǎo)體層，所述有源層為砷化鎵基有源層。

優(yōu)選的，所述基板為陶瓷基板或硅基板。

相應(yīng)的，本發(fā)明還提供了一種白光LED成品，其特征在于，所述白光LED成品采用上述制作方法制作而成。

相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明提供的技術(shù)方案至少具有以下優(yōu)點：

本發(fā)明提供的一種白光LED成品及其制作方法，包括：提供一襯底；在所述襯底任意一表面形成多個發(fā)光微結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光微結(jié)構(gòu)包括位于所述襯底表面的第一半導(dǎo)體層，位于所述第一半導(dǎo)體層背離所述襯底一側(cè)的有源層和第一電極，位于所述有源層背離所述襯底一側(cè)的第二半導(dǎo)體層，位于所述第二半導(dǎo)體層背離所述襯底一側(cè)的導(dǎo)電反射膜層，位于所述導(dǎo)電反射膜層背離所述襯底一側(cè)的第二電極，所述第一電極與所述第二電極之間相互絕緣；采用焊接的方式將所述發(fā)光微結(jié)構(gòu)焊接到一基板上，在所述基板對應(yīng)所述第一電極的區(qū)域、且背離所述襯底一側(cè)形成第一連接電極，且在所述基板對應(yīng)所述第二電極的區(qū)域、且背離所述襯底一側(cè)形成第二連接電極；在所述多個發(fā)光微結(jié)構(gòu)背離基板一側(cè)表面涂覆熒光粉并進行封裝形成多個白光LED半成品；沿所述白光LED半成品的邊緣進行切割，以得到多個白光LED成品。

由上述內(nèi)容可知，本發(fā)明提供的技術(shù)方案，把多個發(fā)光微結(jié)構(gòu)直接進入封裝工序，封裝測試一次完成，生產(chǎn)周期和成本大幅下降；另外白光LED成品電極上下?lián)Q位，不僅不會擋住芯片原本的出光，還大大提高芯片的發(fā)光效率，并且可以起到降低熱阻的作用。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。

圖1為本申請實施例提供的一種白光LED成品的制作方法流程圖；

圖2a至圖2e為圖1制作方法流程圖對應(yīng)的結(jié)構(gòu)流程圖；

圖3為本申請實施例提供的一種發(fā)光微結(jié)構(gòu)的制作方法的流程圖。

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

結(jié)合圖1至圖2e所示，圖1為本申請實施例提供的一種白光LED成品的制作方法的流程圖，圖2a至圖2e為圖1制作方法流程圖對應(yīng)的結(jié)構(gòu)流程圖；其中，制作方法包括：

S1、提供一襯底。

參考圖2a所示，本申請實施例提供的襯底為藍寶石襯底、碳化硅襯底或氮化鎵襯底；除上述材質(zhì)襯底外，在本申請其他實施例中襯底還可以為其他材質(zhì)，對此本申請不做具體限制。

S2、在襯底任意一表面制作發(fā)光微結(jié)構(gòu)。

參考圖2b所示，在襯底100任意一表面形成多個發(fā)光微結(jié)構(gòu)200，發(fā)光微結(jié)構(gòu)200包括位于襯底100表面的第一半導(dǎo)體層201，位于第一半導(dǎo)體層201背離襯底100一側(cè)的有源層202和第一電極205，位于有源層202背離襯底100一側(cè)的第二半導(dǎo)體層203，位于第二半導(dǎo)體層203背離襯底100一側(cè)的導(dǎo)電反射膜層204，位于導(dǎo)電反射膜層204背離襯底100一側(cè)的第二電極206，第一電極205與第二電極206之間相互絕緣。

具體的，參考圖3所示，為本申請實施例提供的一種發(fā)光微結(jié)構(gòu)的制作方法的流程圖，其中，發(fā)光微結(jié)構(gòu)的形成過程為：

S21、在襯底任意一表面形成第一半導(dǎo)體層。

S22、在第一半導(dǎo)體層背離襯底一側(cè)形成有源層。

S23、在有源層背離襯底一側(cè)形成第二半導(dǎo)體層。

具體的，本申請實施例提供的第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層均為氮化鎵基半導(dǎo)體層，有源層為氮化鎵基有源層；或者，第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層均為砷化鎵基半導(dǎo)體層，有源層為砷化鎵基有源層；此外，本申請實施例提供的第一半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層和有源層的材質(zhì)還可以為其他材質(zhì)，對此本申請不做具體限制。

其中，第一半導(dǎo)體層可以為N型半導(dǎo)體層，則第二半導(dǎo)體層為P型半導(dǎo)體層；或者，第一半導(dǎo)體層為P型半導(dǎo)體層，而第二半導(dǎo)體層為N型半導(dǎo)體層，對于第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層的導(dǎo)電類型，需要根據(jù)實際應(yīng)用進行設(shè)計，對此本申請不做具體限制。

此外，在形成第二半導(dǎo)體層后，且刻蝕裸露第一半導(dǎo)體層的預(yù)設(shè)區(qū)域前，即在步驟S23后，且在步驟S24前，制作方法還包括：

在第二半導(dǎo)體層背離襯底一側(cè)形成歐姆接觸層，其中，導(dǎo)電反射膜層位于歐姆接觸層背離襯底一側(cè)。

S24、采用刻蝕工藝將第一半導(dǎo)體層背離襯底一側(cè)的預(yù)設(shè)區(qū)域裸露。

預(yù)設(shè)區(qū)域即為形成第一電極的區(qū)域，其中，第一電極的面積小于預(yù)設(shè)區(qū)域的面積，避免第一電極與有源層、第二半導(dǎo)體層等疊層接觸。本申請實施例提供的刻蝕工藝可以為干法刻蝕工藝，也可以為濕法刻蝕工藝，對此本申請不做具體限制，需要根據(jù)實際應(yīng)用進行選取。

S25、在第二半導(dǎo)體層背離襯底一側(cè)形成導(dǎo)電反射膜層。

導(dǎo)電反射膜層的反射面朝向襯底一側(cè)，以將有源區(qū)發(fā)出的光反射至襯底出射。其中，導(dǎo)電反射膜層優(yōu)選為金屬反射膜層；其中，在形成導(dǎo)電反射膜層后，且形成第一電極和第二電極前，即在步驟S25后，且在步驟S26前，制作方法還包括：

在導(dǎo)電反射膜層背離襯底一側(cè)形成金屬擴散阻擋層，其中，第二電極形成于金屬擴散阻擋層背離襯底一側(cè)。

具體的，當導(dǎo)電反射膜層為金屬反射膜層時，可以采用沉積工藝制備具有高反射率的金屬反射膜層；此外，可以采用磁控濺射方式制備金屬擴散阻擋層。

進一步的，在形成導(dǎo)電反射膜層后，且形成第一電極和第二電極前，即在步驟S25后，且在步驟S26前，制作方法還包括：

形成覆蓋導(dǎo)電反射膜層、且延伸覆蓋至第一半導(dǎo)體層的預(yù)設(shè)區(qū)域的鈍化層；

其中，鈍化層對應(yīng)預(yù)設(shè)區(qū)域的區(qū)域設(shè)置有第一開口，以用于形成第一電極，以及，鈍化層對應(yīng)導(dǎo)電反射膜層的區(qū)域設(shè)置有第二開口，以用于形成第二電極。

需要說明的是，當制作過程中在導(dǎo)電反射膜層背離襯底一側(cè)制備有金屬擴散阻擋層，則本申請實施例提供的鈍化層制備于金屬擴散阻擋層背離襯底一側(cè)。

S26、在第一半導(dǎo)體層的預(yù)設(shè)區(qū)域、且背離襯底一側(cè)形成第一電極，且在導(dǎo)電反射膜層背離襯底一側(cè)形成第二電極，第一電極與第二電極之間相互絕緣。

S3、將發(fā)光微結(jié)構(gòu)焊接到一基板上。

參考圖2c所示，在多個發(fā)光微結(jié)構(gòu)200的第一電極205和第二電極206背離襯底100一側(cè)焊接一基板300。

具體的，采用回流焊或者共晶焊方式，在基板300對應(yīng)第一電極205的區(qū)域、且背離襯底100一側(cè)形成第一連接電極401，且在基板300對應(yīng)第二電極206的區(qū)域、且背離襯底100一側(cè)形成第二連接電極402。其中，為了提高白光LED成品的強度和散熱性能，基板為采用硬度較高、散熱性能較好的材質(zhì)，本申請實施例提供的基板可以為陶瓷基板或硅基板；此外，在本申請其他實施例中，還可以采用其他材質(zhì)的基板，對此本申請不做具體限制；另外，本申請實施例對于基板的厚度范圍不做具體限制，需要根據(jù)實際應(yīng)用進行具體設(shè)計。

S4、在所述多個發(fā)光微結(jié)構(gòu)背離基板一側(cè)表面涂覆熒光粉并進行封裝形成多個白光LED半成品。

參考圖2d所示，在在所述多個發(fā)光微結(jié)構(gòu)背離基板一側(cè)表面涂覆熒光粉500進行封裝，形成多個白光LED半成品。本申請實施例提供封裝方法屬于本領(lǐng)域的公知常識，對此本申請不做具體限制，需要根據(jù)實際應(yīng)用進行選取。

S5、沿所述白光LED半成品的邊緣進行切割，以得到多個白光LED成品。

參考圖2e所示，以發(fā)光微結(jié)構(gòu)200的邊緣為切割道，對襯底100和基板300進行切割，已得到多個白光LED成品。其中，本申請實施例提供的制作方法，可以采用機械或激光切割工藝，對結(jié)構(gòu)進行切割。

進一步的，在發(fā)光微結(jié)構(gòu)焊接到基板上后，制備連接電極之前，即在步驟S3后，且在步驟S4前，制作方法還包括：

采用鋼網(wǎng)印刷的方式將膠水填充在發(fā)光微結(jié)構(gòu)和基板之間的空隙上，使發(fā)光微結(jié)構(gòu)充分固定在基板上。其中，本申請實施例對于膠水的種類不做具體限制，需要根據(jù)實際應(yīng)用進行選取。

進一步的，在制備連接電極后，進行封裝之前，即在步驟S4后，且在步驟S5前，制作方法還包括：

減薄所述襯底至預(yù)設(shè)厚度范圍或激光剝離所述襯底，預(yù)設(shè)厚度范圍為100μm~500μm，包括端點值。

其中，本申請實施例對于襯底減薄后的厚度不做具體限制，襯底可以為200μm、400μm等，需要根據(jù)實際應(yīng)用進行具體設(shè)計。

相應(yīng)的，本申請實施例還提供了一種白光LED成品，所述白光LED成品采用上述實施例提供的制作方法制作而成。

提供一襯底；在所述襯底任意一表面形成多個發(fā)光微結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光微結(jié)構(gòu)包括位于所述襯底表面的第一半導(dǎo)體層，位于所述第一半導(dǎo)體層背離所述襯底一側(cè)的有源層和第一電極，位于所述有源層背離所述襯底一側(cè)的第二半導(dǎo)體層，位于所述第二半導(dǎo)體層背離所述襯底一側(cè)的導(dǎo)電反射膜層，位于所述導(dǎo)電反射膜層背離所述襯底一側(cè)的第二電極，所述第一電極與所述第二電極之間相互絕緣；采用焊接的方式將所述發(fā)光微結(jié)構(gòu)焊接到一基板上，在所述基板對應(yīng)所述第一電極的區(qū)域、且背離所述襯底一側(cè)形成第一連接電極，且在所述基板對應(yīng)所述第二電極的區(qū)域、且背離所述襯底一側(cè)形成第二連接電極；在所述多個發(fā)光微結(jié)構(gòu)背離基板一側(cè)表面涂覆熒光粉并進行封裝形成多個白光LED半成品；沿所述白光LED半成品的邊緣進行切割，以得到多個白光LED成品。

由上述內(nèi)容可知，本申請實施例提供的技術(shù)方案，白光LED成品電極上下?lián)Q位，不僅不會擋住芯片原本的出光，還大大提高芯片的發(fā)光效率，并且可以起到降低熱阻的作用；采用鋼網(wǎng)印刷的方式將基板固定在對應(yīng)第一電極和第二電極背離所述襯底一側(cè)，可以有效地防止減薄襯底或者激光剝離襯底時產(chǎn)生的沖擊對發(fā)光微結(jié)構(gòu)的損傷；另外，把多個發(fā)光微結(jié)構(gòu)直接進入封裝工序，封裝測試一次完成，生產(chǎn)周期和成本大幅下降。

對所公開的實施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對這些實施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會被限制于本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的范圍。