技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種異質(zhì)結(jié)太陽能電池降低串聯(lián)電阻的方法，包括步驟如下：在n型硅片一面沉積本征非晶硅層及n型非晶硅層，另一面沉積本征非晶硅層及p型非晶硅層；在非晶硅層表面沉積透明導(dǎo)電氧化物薄膜；在透明導(dǎo)電氧化物薄膜層表面形成金屬柵線；其中，所述方法還包括在沉積非晶硅層的表面或透明導(dǎo)電氧化物薄膜表面進(jìn)行等離子處理。本發(fā)明消除非晶硅層及透明導(dǎo)電氧化物薄膜層表面的吸附層或氧化層，降低界面勢壘造成的接觸電阻，從而提高電池的填充因子及轉(zhuǎn)換效率，能夠提升異質(zhì)結(jié)太陽能產(chǎn)品的性能，降低單位生產(chǎn)成本。

技術(shù)研發(fā)人員：黃輝明;羅騫;宋廣華;陳文平;郭海龍;陳松洲;劉泉
受保護(hù)的技術(shù)使用者：鈞石(中國)能源有限公司
文檔號(hào)碼：201510872214
技術(shù)研發(fā)日：2015.12.02
技術(shù)公布日：2017.06.09