本發(fā)明屬于OLED器件領(lǐng)域，具體涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件。

背景技術(shù)：

有機(jī)電致發(fā)光器件包括陽(yáng)極層、有機(jī)發(fā)光功能層和第二電極層；所述有機(jī)發(fā)光功能層包括空穴注入層、空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層。由于陰極與有機(jī)電子傳輸層的界面之間存在著較大的電子注入勢(shì)壘，為了提高電子和空穴之間的平衡性，在電子注入層和陰極之間引入絕緣緩沖層，如LiF層(0.5nm)，引入后，勢(shì)壘降低，電子注入能力明顯改善，驅(qū)動(dòng)電壓下降，發(fā)光效率提高。但是LiF蒸發(fā)溫度高(620～640℃)，Li離子滲透容易導(dǎo)致淬滅發(fā)光，進(jìn)而影響器件穩(wěn)定性。

諾瓦萊德公開股份有限公司在CN200710088908公開了一種雜環(huán)的自由基和雙自由基，其二聚物，低聚物，聚合物，二螺化合物和多環(huán)，具體如下結(jié)構(gòu)所示：(同類型，但是分子結(jié)構(gòu)不重復(fù)，可以參考使用)

此類化合物是N-型摻雜劑，用作注入層和阻擋層，其用作注入層時(shí)，是以N-型摻雜劑方式使用的，必須摻雜在基質(zhì)材料中才能增加載流子傳輸速度， 且這種材料需要光引發(fā)使用，工藝苛刻。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有的絕緣緩沖層中的Li離子滲透導(dǎo)致淬滅發(fā)光的問(wèn)題，提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件，電子注入層采用的材料為苯并咪唑類有機(jī)材料，這類材料使所述陰極與有機(jī)電子傳輸層的界面之間勢(shì)壘降低，從而可以使使電子注入層和所述第二電極層直接物理接觸設(shè)置，不需要設(shè)置絕緣緩沖層，具有提高器件效率、延長(zhǎng)器件壽命等性能。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采取的技術(shù)方案如下：

一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括疊加設(shè)置的第一電極層、發(fā)光層、電子注入層和第二電極層，所述電子注入層和所述第二電極層物理接觸設(shè)置；

所述電子注入層包括式(Ⅰ)所示苯并咪唑的有機(jī)離子鹽、式(Ⅱ)所示苯并咪唑類中性有機(jī)材料和式(Ⅲ)所示苯并咪唑類有機(jī)材料的二聚體中的一種或多種：

其中：BI具有式(Ⅳ)或式(Ⅴ)所示的結(jié)構(gòu)：

R₁～R₁₀相同或不同，分別獨(dú)立地選自甲氧基、二甲氨基、取代或未取代 的吲哚并咔唑基，取代或未取代的咔唑基，取代或未取代的聯(lián)咔唑基，取代或未取代的三苯胺基，取代或未取代的吩噁嗪基；

所述取代的吲哚并咔唑基，取代的咔唑基，取代的聯(lián)咔唑基，取代的三苯胺基，取代的吩噁嗪基中的取代基為C₁-C₆的烷基、甲氧基、二甲氨基、乙氧基和苯基中的一種或多種；

Ar為2-甲氧基苯、2,6-二甲氧基苯或2,4,6-三甲氧基苯；

X為鹵素。

所述苯并咪唑的有機(jī)離子鹽具有式(21)-式(26)所示結(jié)構(gòu)中的一種或多種，所述苯并咪唑類中性有機(jī)材料具有式(27)-式(32)所示結(jié)構(gòu)中的一種或多種，所述苯并咪唑類有機(jī)材料的二聚體具有式(33)-式(38)所示結(jié)構(gòu)中的一種或多種：

R₁～R₁₀相同或不同，分別獨(dú)立地選自甲氧基，二甲氨基，取代或未取代的吲哚并咔唑基，取代或未取代的咔唑基，取代或未取代的聯(lián)咔唑基，取代或未取代的三苯胺基，取代或未取代的吩噁嗪基；

所述取代的吲哚并咔唑基，取代的咔唑基，取代的聯(lián)咔唑基，取代的三苯胺基，取代的吩噁嗪基中的取代基為C₁-C₆的烷基、甲氧基、二甲氨基、乙氧基和苯基中的一種或多種。

所述苯并咪唑的有機(jī)離子鹽具有式(1-1)-式(1-15)所示結(jié)構(gòu)中的一種或多種，所述苯并咪唑類中性有機(jī)材料具有式(2-1)-式(2-9)所示結(jié)構(gòu)中 的一種或多種，所述苯并咪唑類有機(jī)材料的二聚體具有式(3-1)-式(3-6)所示結(jié)構(gòu)中的一種或多種：

所述電子注入層的厚度為1-10nm。

優(yōu)選地，所述的發(fā)光層和所述的電子注入層之間設(shè)置有電子傳輸層。

進(jìn)一步優(yōu)選地，所述的發(fā)光層和所述第一電極層之間設(shè)置有第一有機(jī)功能層。

第一有機(jī)功能層為空穴注入層和/或空穴傳輸層。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的苯并咪唑類有機(jī)功能材料的優(yōu)點(diǎn)是：

(1)本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件中的所述電子注入層使用的是苯并咪唑類有機(jī)材料，是因?yàn)檫@類材料使所述陰極與有機(jī)電子傳輸層的界面之間勢(shì)壘降低，從而可以使電子注入層和所述第二電極層直接物理接觸設(shè)置，避免器件因Li離子滲透帶來(lái)的淬滅發(fā)光和器件的不穩(wěn)定性，具有提高器件效率和延長(zhǎng)器件壽命等性能。

(2)本發(fā)明采用的苯并咪唑類有機(jī)材料能夠在空氣中穩(wěn)定存在，包括含苯并咪唑的鹵素陰離子的有機(jī)鹽類，中性有機(jī)分子和二聚分子等，通過(guò)真空加熱后，分解產(chǎn)生活潑的自由基，實(shí)現(xiàn)N摻雜的效果。在有機(jī)分子中引入給電子的取代基，提高自由基的活潑性，使其HOMO能級(jí)高于-3.0eV。由于常用的OLED電子傳輸材料LUMO能級(jí)約-3.0eV，因此當(dāng)電子注入層采用苯并咪唑的鹵素陰離子的有機(jī)鹽類，中性有機(jī)分子和二聚分子等，可增強(qiáng)電子注入，提高薄膜電子遷移率和載流子濃度，增加器件電流密度，提高器件效率和穩(wěn)定性。與低功函數(shù)的堿金屬和堿土金屬鹽類在大氣中穩(wěn)定性差，抗腐蝕能力不好，易氧化或剝離的缺點(diǎn)不一樣，本發(fā)明的苯并咪唑類有機(jī)功能材料在空氣中穩(wěn)定存在，便于長(zhǎng)期存儲(chǔ)。

(3)本發(fā)明的苯并咪唑類有機(jī)材料的蒸鍍溫度低，僅150℃左右，和常見電子注入材料相當(dāng)，而遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于常用的堿金屬鹽類或堿土金屬鹽類N型摻雜劑的蒸鍍溫度(大于600℃)，因此可以實(shí)現(xiàn)在有機(jī)腔室內(nèi)蒸鍍，降低成本。

(4)另外，相比于傳統(tǒng)使用的基于堿金屬原子/堿土金屬原子的n-型摻雜劑，此類低溫可蒸鍍的苯并咪唑類材料可以避免因金屬原子滲透造成的發(fā)光淬滅現(xiàn)象，提高了器件效率，延長(zhǎng)了器件壽命。

(5)本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器降低了陰極與有機(jī)電子傳輸層的界面之間勢(shì)壘，且由于勢(shì)壘的降低導(dǎo)致載流子注入增加，提高了載流子的傳輸能力，從而可以使電子注入層和所述第二電極層直接物理接觸設(shè)置，不再需要設(shè)置絕緣緩沖層，提高了器件效率，延長(zhǎng)了器件壽命。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為對(duì)比器件1，對(duì)比器件2和器件1的電流密度-電壓曲線圖；

圖3為對(duì)比器件1，對(duì)比器件2和器件1的亮度-電壓曲線圖；

圖4為對(duì)比器件1，對(duì)比器件2和器件1的電流密度-亮度曲線圖；

圖5為對(duì)比器件1，對(duì)比器件2和器件1的功率效率-亮度曲線圖；

圖6為對(duì)比器件1，對(duì)比器件2和器件1～5的電流密度-亮度曲線圖；

圖7為對(duì)比器件1，對(duì)比器件2和器件1～5的電流效率-亮度曲線圖；

圖8為對(duì)比器件1，對(duì)比器件2和器件1～5的功率效率-亮度曲線圖。

具體實(shí)施方式

下面將通過(guò)具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的描述。

本發(fā)明可以以許多不同的形式實(shí)施，而不應(yīng)該被理解為限于在此闡述的實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例，使得本發(fā)明公開將是徹底和完整的，并且將把本發(fā)明的構(gòu)思充分傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員，本發(fā)明將僅由權(quán)利要求來(lái)限定。在附圖中，為了清晰起見，會(huì)夸大層和區(qū)域的尺寸和相對(duì)尺寸。應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)元件例如層、區(qū)域或基板被稱作“形成在”或“設(shè)置在”另一元件“上”時(shí)，該元件可以直接設(shè)置在所述另一元件上，或者也可以存在中間元件。相反，當(dāng)元件被稱作“直接形成在”或“直接設(shè)置在”另一元件上時(shí)，不存在中間元件。

如圖1所示，一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括基板，以及在基板上疊加設(shè)置的第一電極層01(陽(yáng)極)、發(fā)光層04、電子注入層06和第二電極層07(陰極)，所述電子注入層06和所述第二電極層07物理接觸設(shè)置。所述第一電極層01和發(fā)光層04之間設(shè)置有第一有機(jī)功能層，所述發(fā)光層04與所述電子注入層06之間設(shè)置有電子傳輸層05；所述第一有機(jī)功能層為空穴注入層02和/或空穴傳輸層03；

所述電子注入層包括式(Ⅰ)所示苯并咪唑的有機(jī)離子鹽、式(Ⅱ)所示苯并咪唑類中性有機(jī)材料或式(Ⅲ)所示苯并咪唑類有機(jī)材料的二聚體中的一種或多種：

其中：BI具有式(Ⅳ)或式(Ⅴ)所示的結(jié)構(gòu)：

R₁～R₁₀相同或不同，分別獨(dú)立地選自甲氧基、二甲氨基、取代或未取代的吲哚并咔唑基，取代或未取代的咔唑基，取代或未取代的聯(lián)咔唑基，取代或未取代的三苯胺基，取代或未取代的吩噁嗪基；

所述取代的吲哚并咔唑基，取代的咔唑基，取代的聯(lián)咔唑基，取代的三苯胺基，取代的吩噁嗪基中的取代基為C₁-C₆的烷基、甲氧基、二甲氨基、乙氧基和苯基中的一種或多種；

Ar為2-甲氧基苯、2,6-二甲氧基苯或2,4,6-三甲氧基苯；

X為鹵素。

所述苯并咪唑的有機(jī)離子鹽具有式(21)-式(26)所示結(jié)構(gòu)中的一種或多種，所述苯并咪唑類中性有機(jī)材料具有式(27)-式(32)所示結(jié)構(gòu)中的一種或多種，所述苯并咪唑類有機(jī)材料的二聚體具有式(33)-式(38)所示結(jié)構(gòu)中的一種或多種：

R₁～R₁₀相同或不同，分別獨(dú)立地選自甲氧基，二甲氨基，取代或未取代的吲哚并咔唑基，取代或未取代的咔唑基，取代或未取代的聯(lián)咔唑基，取代或未取代的三苯胺基，取代或未取代的吩噁嗪基；

所述取代的吲哚并咔唑基，取代的咔唑基，取代的聯(lián)咔唑基，取代的三苯胺基，取代的吩噁嗪基中的取代基為C₁-C₆的烷基、甲氧基、二甲氨基、乙氧基和苯基中的一種或多種。

優(yōu)選地，所述苯并咪唑的有機(jī)離子鹽具有式(1-1)-式(1-15)所示結(jié)構(gòu)中的一種或多種，所述苯并咪唑類中性有機(jī)材料具有式(2-1)-式(2-9)所示結(jié)構(gòu)中的一種或多種，所述苯并咪唑類有機(jī)材料的二聚體具有式(3-1)-式(3-6)所示結(jié)構(gòu)中的一種或多種：

所述電子注入層的厚度為1-10nm。

如無(wú)特別說(shuō)明，本發(fā)明中的器件各層采用材料如下：

陽(yáng)極可以采用無(wú)機(jī)材料或有機(jī)導(dǎo)電聚合物。無(wú)機(jī)材料一般為氧化銦錫(ITO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦鋅(IZO)等金屬氧化物或金、銅、銀等功函數(shù)較高的金屬，優(yōu)選ITO；有機(jī)導(dǎo)電聚合物優(yōu)選為聚噻吩/聚乙烯基苯磺酸鈉(以下簡(jiǎn)稱PEDOT:PSS)、聚苯胺(以下簡(jiǎn)稱PANI)中的一種。

陰極一般采用鋰、鎂、鈣、鍶、鋁、銦等功函數(shù)較低的金屬或它們與銅、金、銀的合金，或金屬與金屬氟化物交替形成的電極層。本發(fā)明中陰極優(yōu)選為Al電極。

空穴傳輸層的材料可以選自芳胺類，咔唑類和枝聚物類低分子材料，優(yōu)選NPB和TCTA。

本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件還可在陽(yáng)極和空穴傳輸層之間具有空穴注入層，所述空穴注入層的材料例如可采用2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮雜苯并菲HATCN，4,4',4”-三(3-甲基苯基苯胺)三苯胺摻雜F4TCNQ，或者采用銅酞菁(CuPc)，或可為金屬氧化物類，如氧化鉬，氧化錸。本發(fā)明中空穴注入層材料優(yōu)選為HATCN。

發(fā)光層的發(fā)光材料可以選自香豆素類如DMQA或C545T,或雙吡喃類如DCJTB或DCM等熒光染料，或含Ir,Pt,Os,Ru,Rh,Pd,鑭系,錒系等金屬配合物。

熒光染料在發(fā)光層中的摻雜濃度不高于5wt％，磷光染料在發(fā)光層中的摻雜濃度不高于30wt％。所述摻雜濃度＝染料質(zhì)量/(染料質(zhì)量+主體材料質(zhì)量)×100％。

發(fā)光層的主體材料可選自常用于基質(zhì)材料的材料，如4,4’-二(咔唑基-9-)聯(lián)苯CBP。

本發(fā)明的電子傳輸層的材料可采用常用于電子傳輸層的材料，如芳香稠環(huán)類(如Pentacene、苝)或鄰菲咯啉類(如Bphen、BCP)化合物。

基板可以是玻璃或是柔性基片，所述柔性基片可采用聚酯類、聚酰亞胺 類化合物材料或者薄金屬片。所述層疊及封裝方法可采用本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的任意合適方法。

本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件的具體制備方法如下：

首先，利用洗滌劑和去離子水對(duì)玻璃基片進(jìn)行清洗，并放置在紅外燈下烘干，在玻璃上濺射一層陽(yáng)極材料，膜厚為150nm；

然后，把上述帶有陽(yáng)極的玻璃基片置于真空腔內(nèi)，抽真空至1×10^-4Pa，在上述陽(yáng)極層膜上繼續(xù)蒸鍍HATCN作為空穴注入層，在HATCN膜層上繼續(xù)蒸鍍NPB作為空穴傳輸層，成膜速率為0.1nm/s，蒸鍍膜厚為40nm。

在空穴傳輸層上蒸鍍發(fā)光層，采用雙源共蒸的方法進(jìn)行，主體材料與染料的質(zhì)量百分比通過(guò)膜厚監(jiān)控儀，調(diào)整成膜速率進(jìn)行控制。蒸鍍膜厚為30nm。

在發(fā)光層之上，繼續(xù)蒸鍍一層Bphen材料作為電子傳輸層，其蒸鍍速率為0.1nm/s，蒸鍍總膜厚為40nm；

在電子傳輸層上，繼續(xù)蒸鍍一層電子傳輸層材料，其蒸鍍速率為0.1nm/s，蒸鍍總膜厚為0.5nm；

最后，在上述電子傳輸層之上蒸鍍Al層作為器件的第二電極層，蒸鍍膜厚為150nm。

實(shí)施例1

器件1的結(jié)構(gòu)：

ITO/HATCN[5nm]/NPB[30nm]/TCTA[10nm]/CBP[30nm]:10wt％Ir(ppy)₃/Bphen[40nm]/式(1-3)[0.5nm]/Al[150nm]

對(duì)比器件1結(jié)構(gòu)如下：

ITO/HATCN[5nm]/NPB[30nm]/TCTA[10nm]/CBP[30nm]:10wt％Ir(ppy)₃/Bphen[40nm]/Al[150nm]

對(duì)比器件2結(jié)構(gòu)如下：

本對(duì)比例的結(jié)構(gòu)與對(duì)比例1相同，區(qū)別僅在于電子注入層采用的材料為L(zhǎng)iF:

ITO/HATCN[5nm]/NPB[30nm]/TCTA[10nm]/CBP[30nm]:10wt％Ir(ppy)₃/Bphen[40nm]/LiF[0.5nm]/Al[150nm]

器件1、對(duì)比器件1和對(duì)比器件2結(jié)構(gòu)相同，區(qū)別僅在于器件1的電子注入層采用的材料為式(1-3)所示o-MeO-DMBI-I，對(duì)比器件1無(wú)電子注入層材料和對(duì)比器件2采用了LiF絕緣緩沖層，表1中對(duì)比器件1除了沒有絕緣緩沖層(control)，其結(jié)構(gòu)和對(duì)比器件2完全相同，表1為其性能測(cè)試結(jié)果。

表1

對(duì)比器件1(圖中control device曲線)，對(duì)比器件2(圖中LiF曲線)和器件1(圖中radical曲線)的電流密度-電壓曲線圖見圖2，亮度-電壓曲線圖見圖3，電流密度-亮度曲線圖見圖4，功率效率-亮度曲線圖見圖5。圖1-圖5說(shuō)明本發(fā)明所保護(hù)的苯并咪唑類材料作為電子注入材料，其所在的器件1的驅(qū)動(dòng)電壓與LiF所在的對(duì)比器件2的驅(qū)動(dòng)電壓略低，但是在35700cd/m²發(fā)光亮度下，器件1的最大電流效率比對(duì)比器件1高49％，比對(duì)比器件2高25％，說(shuō)明本發(fā)明所保護(hù)的苯并咪唑類材料可以促進(jìn)更多的電子注入到器件中，提高載流子傳輸能力，進(jìn)而提高的器件效率，延長(zhǎng)了器件壽命。

實(shí)施例2-實(shí)施例5

實(shí)施例2-實(shí)施例5的器件2-器件5的結(jié)構(gòu)與器件1相同，區(qū)別僅在于電子注入層的厚度，表2為其性能測(cè)試結(jié)果。

表2

對(duì)比器件1(圖中control device曲線)，對(duì)比器件2(圖中LiF 0.5納米曲線)和器件1-器件5(圖中radical 1nm，radical 2nm,radical 3nm,radical 4nm,radical 6nm曲線)的電流密度-亮度曲線圖見圖6、電流效率-亮度曲線圖見圖7、功率效率-亮度曲線圖見圖8，圖6-圖8說(shuō)明隨著電子注入層厚度增加，驅(qū)動(dòng)電壓逐步上升，在35700cd/m²發(fā)光亮度下，最大電流效率隨電子注入層厚度增加先增后減，在電子注入層厚度為3nm時(shí)達(dá)到最大值。

實(shí)施例6

器件6結(jié)構(gòu)與器件1相同，電子注入層的厚度均為3nm，電子注入層采用本發(fā)明保護(hù)的不同的苯并咪唑類電子注入材料，表3為其性能測(cè)試結(jié)果。

表3

如表3數(shù)據(jù)所示，本發(fā)明所保護(hù)的苯并咪唑類材料作為電子注入材料， 其所在的器件在35700cd/m²發(fā)光亮度下，具有較大的電流效率，且驅(qū)動(dòng)電壓較低，所以本發(fā)明所保護(hù)的苯并咪唑類材料作為電子注入材料，使得陰極與有機(jī)電子傳輸層的界面之間勢(shì)壘降低，不再需要設(shè)置絕緣緩沖層，提高了載流子的傳輸能力，繼而提高了器件的效率，延長(zhǎng)了器件的壽命。

本發(fā)明的化合物的制備方法如下：

1、式(1-3)的合成路線：

將5.0g(23.85mmol)2-(2-羥基苯基)-1H-苯并咪唑(式4-1)溶于40mL 5N KOH和10mL乙醇混合溶液中，隨后將20mL(45.60g,321.26mmol)CH₃I滴加至溶液體系中。反應(yīng)體系在油浴中保持45℃過(guò)夜。反應(yīng)完畢，過(guò)濾得到的白色沉淀物，然后用乙醇清洗2次，得到式(1-3)所示化合物，產(chǎn)率70％。¹H NMR(400MHz,DMSO)δ/ppm:8.12(dd,J＝6.23,3.14Hz,²H),7.84(t,J＝7.75Hz,¹H),7.45(d,J＝8.48Hz,¹H),7.32(t,J＝7.54Hz,¹H),3.88(s,³H),3.85(s,⁶H).

¹³C NMR(400MHz,DMSO)δ/ppm:167.20,157.76,144.88,141.58,141.10,136.17,130.77,122.95,122.29,118.33,65.83,42.18.

制備式(1-1)、式(1-2)和式(1-4)至式(1-15)時(shí)，其中式(1-1)和式(1-2)是式(4-1)分別與CH₃Cl和CH₃Br反應(yīng)；式(1-4)，式(1-5)，式(1-6)是式(4-2)分別與CH₃Cl，CH₃Br和CH₃I反應(yīng)；式(1-7)，式(1-8)，式(1-9)是式(4-3)分別與CH₃Cl，CH₃Br和CH₃I反應(yīng)；式(1-10)是式(4-4)與CH₃I反應(yīng)；式(1-11)是式(4-5)與CH₃Cl反應(yīng)；式(1-12)是式(4-6)與CH₃Br反應(yīng)；式(1-13)是式(4-7)與CH₃Cl反應(yīng)；式(1-14)是式(4-8)與CH₃I反應(yīng)；式(1-15)是式(4-9)與CH₃I反應(yīng)，反應(yīng)條件同式(1-3)。

2、式(2-1)合成路線

50mL 2-氧甲基苯甲醛(式5-1)和N,N’-二甲基-o-苯二胺(式5-4)(136mg,1.0mmol)加入到甲醇(2mL)中,然后加入適當(dāng)?shù)姆枷闳?1.00mmol)。隨后加入一滴冰醋酸，將溶液體系在室溫下超聲直至有固體析出?；旌衔矬w系通過(guò)真空抽濾得到粗產(chǎn)物，此粗產(chǎn)物在甲醇中重結(jié)晶，得到式(2-1)所示純化合物。¹H NMR(D₆-DMSO,300MHz):7.65(dd,¹H),7.37(td,¹H),7.12(d,¹H),7.03(t,¹H),6.59(dd,²H),6.41(dd,²H),5.47(s,¹H),3.82(s,³H),2.48(s,⁶H)；¹³C{¹H}NMR(D₆-DMSO,300MHz):158.65,142.1,130.01,128.73,126.23,120.79,118.88,111.27,105.61,84.65,55.66，33.19；ESI-MS＝253.1335(M-H⁺),255.1491(M+H⁺)。

制備式(2-2)至式(2-9)時(shí)，其中式(2-2)是式(5-5)與式(5-1)反應(yīng)；式(2-3)是式(5-4)與式(5-2)反應(yīng)；式(2-4)是式(5-6)與式(5-2)反應(yīng)；式(2-5)是式(5-5)與式(5-3)反應(yīng)；式(2-6)是式(5-7)與式(5-3)反應(yīng)；式(2-7)是式(5-8)與式(5-1)反應(yīng)；式(2-8)是式(5-9)與式(5-2)反應(yīng)；式(2-9)是式(5-10)與式(5-3)反應(yīng)，反應(yīng)條件同式(2-1)。

3、式(3-1)合成路線

手套箱中(一種提供無(wú)水無(wú)氧合成的裝置，Vacuum Atmospheres Co.Glovebox，OMNI-LAB，VAC101975)，干燥的Schlenk管充滿汞(60g，0.3mol)，將小塊的Na(600mg,26mmol)加入至史萊克瓶Schlenk管中。加入2-Cyc-DMBI-PF6(式6-1)(2.0g,5.3mmol)和干燥無(wú)氧的四氫呋喃THF(10mL)到管中，確保鈉汞齊在液體狀態(tài)時(shí)可以攪拌均勻。溶液體系在黑暗狀態(tài)下室溫?cái)嚢?2小時(shí)。隨后將THF溶液從鈉汞齊體系中移除，然后多次使用THF清洗鈉汞齊。將收集到的THF溶液在不加熱的情況下進(jìn)行濃縮。濃縮得到的固體物質(zhì)懸浮于無(wú)水無(wú)氧的庚烷(100mL)，然后分別通過(guò)DMSO(3×30mL)和水(30mL)洗滌。最后利用硫酸鎂除掉體系中的水，過(guò)濾后進(jìn)行常溫真空濃縮，得到式(3-1)所示白色固體，產(chǎn)率57％。還可以通過(guò)在-20℃的飽和正庚烷中重結(jié)晶，得到更高純度的產(chǎn)物。¹H NMR(D₈-THF,500MHz)：δ6.43(dd,J＝5.4,3.2Hz，⁴H)，6.43(dd,J＝5.4,3.2Hz，⁴H)，3.04(s,¹²H)，2.00(m,²H)，1.58-1.10(多重寬峰，²⁰H)。¹³C{¹H}NMR(C₆D₆,500MHz):δ143.24，118.38,102.24，99.00，49.96，34.44，30.18，29.16，28.29；ESI-MS：m/z473.4(Me+M⁺)，229.0(Me/2+)，

制備式(3-2)至式(3-6)時(shí)，其中式(3-2)，式(3-3)，式(3-4)，式(3-5)，式(3-6)的原料分別是式(6-2)，式(6-3)，式(6-4)，式(6-5)，式(6-6)反應(yīng)條件同式(3-1)。

式(3-2)合成路線：反應(yīng)物為式(6-2)所示2-苯基-DMBI-PF₆(2.0g,5.43mmol)，經(jīng)過(guò)與式(3-1)相同的合成方法，得到白色粉末狀的式(3-2)。

盡管結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施例，應(yīng)當(dāng)理解，在本發(fā)明構(gòu)思的引導(dǎo)下，本領(lǐng)域技術(shù)人員可進(jìn)行各種修改和改進(jìn)，所附權(quán)利要求概括了本發(fā)明的范圍。