本發(fā)明涉及用于顯示的微發(fā)光二極管，更具體地，涉及一種用于修復(fù)微發(fā)光二極管缺陷的方法、一種用于制造微發(fā)光二極管裝置的方法、一種微發(fā)光二極管裝置以及一種包含微發(fā)光二極管裝置的電子設(shè)備。

背景技術(shù)：

微發(fā)光二極管(microled)技術(shù)是指在襯底上以高密度集成的微小尺寸的led陣列。目前，微發(fā)光二極管技術(shù)正開始發(fā)展，工業(yè)界正期待有高品質(zhì)的微發(fā)光二極管產(chǎn)品進(jìn)入市場。高品質(zhì)微發(fā)光二極管產(chǎn)品會對市場上已有的諸如lcd/oled的傳統(tǒng)顯示產(chǎn)品產(chǎn)生深刻影響。

在制造微發(fā)光二極管的過程中，首先在施主晶圓上形成微發(fā)光二極管，接著將微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移到接受襯底上。接受襯底例如是顯示屏。

在制造微發(fā)光二極管過程中的一個困難在于如何將微發(fā)光二極管從施主晶圓上轉(zhuǎn)移到接受襯底上。在現(xiàn)有技術(shù)中，一般通過靜電拾取的方式來執(zhí)行所述轉(zhuǎn)移。在靜電拾取的過程中需要使用轉(zhuǎn)移頭陣列。轉(zhuǎn)移頭陣列的結(jié)構(gòu)相對復(fù)雜，并需要考慮它的可靠性。制造轉(zhuǎn)移頭陣列需要額外的成本。在利用轉(zhuǎn)移頭陣列的拾取之前需要產(chǎn)生相位改變。另外，在使用轉(zhuǎn)移頭陣列的制造過程中，微發(fā)光二極管用于相位改變的熱預(yù)算受到限制，通常小于350℃，或者更具體地，小于200℃；否則，微發(fā)光二極管的性能會劣化。在使用轉(zhuǎn)移頭陣列的制造過程中通常需要兩次轉(zhuǎn)移，即，從施主晶圓到承載晶圓的轉(zhuǎn)移以及從承載晶圓到接受襯底的轉(zhuǎn)移。

美國專利us8,333,860b1公開了一種用于傳送微器件的傳送頭陣列，其中通過向傳送頭中的電極施加電壓來拾取微器件。該專利在此全部引入作為參考。

美國專利us8,426,227b1公開了一種用于形成微發(fā)光二極管陣列的方法，其中，使用傳送頭來將微發(fā)光二極管陣列轉(zhuǎn)移到接受襯底上。該專利在此全部引入作為參考。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的一個目的是提供一種用于修復(fù)微發(fā)光二極管缺陷的新技術(shù)方案。

根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，提供了一種用于修復(fù)微發(fā)光二極管缺陷的方法，包括：獲取接收襯底上的微發(fā)光二極管缺陷圖案；在激光透明的修復(fù)載體襯底上形成對應(yīng)于缺陷圖案的微發(fā)光二極管；使修復(fù)載體襯底上的微發(fā)光二極管與接收襯底上的缺陷位置對準(zhǔn)，并使其與缺陷位置處的接墊接觸；以及從修復(fù)載體襯底側(cè)用激光照射修復(fù)載體襯底，以從修復(fù)載體襯底剝離微發(fā)光二極管。

優(yōu)選地，形成對應(yīng)于缺陷圖案的微發(fā)光二極管的步驟包括：以缺陷圖案將微發(fā)光二極管安裝到臨時襯底上；以及將臨時襯底上的微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移到修復(fù)載體襯底上。

優(yōu)選地，在臨時襯底上涂覆有粘合劑，以及將微發(fā)光二極管安裝到臨時襯底上的步驟包括：使得激光透明的原始襯底上的微發(fā)光二極管與粘合劑接觸；按照缺陷圖案，用激光照射原始襯底，以從原始襯底剝離微發(fā)光二極管；以及通過部分粘合劑釋放，將按照缺陷圖案的經(jīng)剝離的微發(fā)光二極管保留在臨時襯底上，而釋放未剝離的微發(fā)光二極管。

優(yōu)選地，將臨時襯底上的微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移到修復(fù)載體襯底上的步驟包括：將臨時襯底上的微發(fā)光二極管鍵合到修復(fù)載體襯底；以及通過完全粘合劑釋放，將微發(fā)光二極管從臨時襯底剝離。

優(yōu)選地，臨時襯底上的微發(fā)光二極管通過聚合物薄膜被鍵合到修復(fù)載體襯底，以及在將微發(fā)光二極管從臨時襯底剝離之后去除聚合物薄膜的至少一部分。

優(yōu)選地，所述粘合劑是紫外線照射膠帶，以及所述臨時襯底是pet板。

優(yōu)選地，通過uv曝光來執(zhí)行所述部分粘合劑釋放和完全粘合劑釋放。

優(yōu)選地，部分粘合劑釋放中所使用的曝光時間和能量小于標(biāo)準(zhǔn)曝光時間和能量，以及完全粘合劑釋放中所使用的曝光時間或能量大于或等于標(biāo)準(zhǔn)曝光時間或能量。

優(yōu)選地，修復(fù)載體襯底是藍(lán)寶石襯底。

根據(jù)本發(fā)明的另一個實(shí)施例，提供了一種用于制造微發(fā)光二極管裝置的方法，包括使用根據(jù)本發(fā)明的方法修復(fù)接收襯底上的微發(fā)光二極管缺陷。

根據(jù)本發(fā)明的另一個實(shí)施例，提供了一種使用根據(jù)本發(fā)明的方法制造的微發(fā)光二極管裝置。

根據(jù)本發(fā)明的另一個實(shí)施例，提供了一種電子設(shè)備，包含根據(jù)本發(fā)明的微發(fā)光二極管裝置。

另外，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，盡管現(xiàn)有技術(shù)中存在許多問題，但是，本發(fā)明的每個實(shí)施例或權(quán)利要求的技術(shù)方案可以僅在一個或幾個方面進(jìn)行改進(jìn)，而不必同時解決現(xiàn)有技術(shù)中或者背景技術(shù)中列出的全部技術(shù)問題。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，對于一個權(quán)利要求中沒有提到的內(nèi)容不應(yīng)當(dāng)作為對于該權(quán)利要求的限制。

通過以下參照附圖對本發(fā)明的示例性實(shí)施例的詳細(xì)描述，本發(fā)明的其它特征及其優(yōu)點(diǎn)將會變得清楚。

附圖說明

被結(jié)合在說明書中并構(gòu)成說明書的一部分的附圖示出了本發(fā)明的實(shí)施例，并且連同其說明一起用于解釋本發(fā)明的原理。

圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的方法的一個示意性實(shí)施例的流程圖。

圖2a至圖2g示出了根據(jù)本發(fā)明的用于微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移的一個例子。

圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的方法的另一個示意性實(shí)施例的流程圖。

圖4a至圖4l示出了根據(jù)本發(fā)明的用于微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移的另一個例子。

圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的方法的又一個示意性實(shí)施例的流程圖。

圖6a至圖6f示出了根據(jù)本發(fā)明的用于紅微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移的例子。

圖7a至圖7l示出了根據(jù)本發(fā)明的用于微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移的又一個例子。

圖8示出了根據(jù)本發(fā)明的用于橫向微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移的一個例子。

圖9示出了根據(jù)本發(fā)明的用于橫向微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移的另一個例子。

圖10示出了根據(jù)本發(fā)明的方法的又一個示意性實(shí)施例的流程圖。

圖11示出了根據(jù)本發(fā)明的方法的又一個示意性實(shí)施例的流程圖。

圖12a至圖12f示出了根據(jù)本發(fā)明的用于修復(fù)微發(fā)光二極管缺陷的一個例子。

圖13示出了根據(jù)本發(fā)明的方法的又一個示意性實(shí)施例的流程圖。

圖14a至圖14c示出了根據(jù)本發(fā)明的用于預(yù)排除缺陷微發(fā)光二極管的一個例子。

圖15a至圖15b示出了根據(jù)本發(fā)明的用于預(yù)排除缺陷微發(fā)光二極管的另一個例子。

圖16a至圖16b是圖15b中方框a所示區(qū)域的放大視圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將參照附圖來詳細(xì)描述本發(fā)明的各種示例性實(shí)施例。應(yīng)注意到：除非另外具體說明，否則在這些實(shí)施例中闡述的部件和步驟的相對布置、數(shù)字表達(dá)式和數(shù)值不限制本發(fā)明的范圍。

以下對至少一個示例性實(shí)施例的描述實(shí)際上僅僅是說明性的，決不作為對本發(fā)明及其應(yīng)用或使用的任何限制。

對于相關(guān)領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的技術(shù)、方法和設(shè)備可能不作詳細(xì)討論，但在適當(dāng)情況下，所述技術(shù)、方法和設(shè)備應(yīng)當(dāng)被視為說明書的一部分。

在這里示出和討論的所有例子中，任何具體值應(yīng)被解釋為僅僅是示例性的，而不是作為限制。因此，示例性實(shí)施例的其它例子可以具有不同的值。

應(yīng)注意到：相似的標(biāo)號和字母在下面的附圖中表示類似項(xiàng)，因此，一旦某一項(xiàng)在一個附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對其進(jìn)行進(jìn)一步討論。

下面參照附圖來描述本發(fā)明的實(shí)施例和例子。

圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的用于微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移的方法的一個示意性實(shí)施例的流程圖。

如圖1所示，在步驟s1100，在激光透明的原始襯底上形成微發(fā)光二極管。

所述激光透明的原始襯底例如可以是藍(lán)寶石襯底、sic襯底等等。所述微發(fā)光二極管可以用于被安裝到顯示屏面板上。

本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以在原始襯底上形成一個微發(fā)光二極管，或者也可以形成多個微發(fā)光二極管。例如，可以在激光透明的原始襯底上形成多個微發(fā)光二極管。所述多個微發(fā)光二極管可以形成陣列。

在一個例子中，在激光透明的原始襯底上形成多個微發(fā)光二極管的情況下，原始襯底還可以被分割或劃分成多個片，用于更加靈活的轉(zhuǎn)移。

在步驟s1200，使微發(fā)光二極管與接收襯底上預(yù)先設(shè)置的接墊接觸。

例如，所述接收襯底是顯示屏面板。

例如，所述接墊可以被設(shè)置成用于顯示屏中的紅色像素陣列、黃色像素陣列或藍(lán)色像素陣列。

在一個例子中，在形成了多個微發(fā)光二極管的情況下，可以使多個微發(fā)光二極管中的至少一個微發(fā)光二極管與接收襯底上預(yù)先設(shè)置的至少一個接墊接觸。所述至少一個微發(fā)光二極管可以是所述多個微發(fā)光二極管中的一個、多個或者全部。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，盡管在這里僅描述了希望被剝離的至少一個微發(fā)光二極管與接墊接觸，但是，所述多個微發(fā)光二極管中的其他微發(fā)光二極管也可以與接墊接觸。

例如，在接觸的步驟中，可以使微發(fā)光二極管經(jīng)由液體薄膜與接收襯底上預(yù)先設(shè)置的接墊接觸。例如，所述液體薄膜例如可以包含助焊劑。在這里，通過液體薄膜(助焊劑)的表面張力，微發(fā)光二極管的剝離可以變得很容易，并且成功率很高。

在步驟s1300，從原始襯底側(cè)用激光照射原始襯底，以從原始襯底剝離微發(fā)光二極管。

在一個例子中，在至少一個微發(fā)光二極管與接墊接觸的情況下，可以從原始襯底側(cè)用激光照射原始襯底上的至少一個區(qū)域，以從原始襯底剝離所述至少一個微發(fā)光二極管。例如，所述至少一個區(qū)域可以由技術(shù)人員選擇。例如，所述至少一個區(qū)域可以分別與所述至少一個微發(fā)光二極管對應(yīng)。所述至少一個區(qū)域可以僅是原始襯底上的部分區(qū)域，或者也可以是全部區(qū)域。

在另一個例子中，還可以偏移所述原始襯底，以用于轉(zhuǎn)移另外的微發(fā)光二極管。

在另一個例子中，在使用原始襯底完成轉(zhuǎn)移之后，為了應(yīng)對在顯示屏面板上的部分點(diǎn)處微發(fā)光二極管缺失的情況，可以使用另外的激光透明的備用襯底。例如，可以在另外的備用襯底上形成微發(fā)光二極管；使備用襯底上的微發(fā)光二極管與接收襯底上預(yù)先設(shè)置的接墊(在缺失位置)接觸；以及從備用襯底側(cè)用激光照射備用襯底，以從備用襯底剝離微發(fā)光二極管。以這種方式，可以進(jìn)一步提高顯示屏的質(zhì)量。

在將微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移到接收襯底之后，可以在接收襯底上形成微發(fā)光二極管陣列。

在將微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移到接收襯底之后，還可以包括后續(xù)步驟。

例如，還可以在接收襯底上，對所剝離的微發(fā)光二極管進(jìn)行回流焊接。還可以在微發(fā)光二極管上沉積負(fù)電極?？梢栽诿糠N顏色的微發(fā)光二極管被轉(zhuǎn)移之后進(jìn)行回流焊。作為替代，也可以在所有顏色的微發(fā)光二極管被轉(zhuǎn)移之后進(jìn)行回流焊。

另外，還可以對所焊接的微發(fā)光二極管進(jìn)行聚合物填充。例如，還可以用錐形電介質(zhì)沉積來代替聚合物填充。

在另一個實(shí)施例中，本發(fā)明還包括一種用于制造微發(fā)光二極管裝置的方法。該制造方法包括使用根據(jù)本發(fā)明的用于微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移的方法將微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移到接收襯底上。所述接收襯底例如是顯示屏面板。所述微發(fā)光二極管裝置例如是顯示屏裝置。

在另一個實(shí)施例中，本發(fā)明還包括一種微發(fā)光二極管裝置，例如顯示屏裝置?？梢允褂酶鶕?jù)本發(fā)明的用于制造微發(fā)光二極管裝置的方法來制造所述微發(fā)光二極管裝置。

相對于現(xiàn)有技術(shù)，在同等條件下，通過本發(fā)明的技術(shù)方案制造的微發(fā)光二極管更加簡單、可靠并能夠保持高性能，而且其生產(chǎn)率相對高且成本低。

在另一個實(shí)施例中，本發(fā)明還包括一種電子設(shè)備。該電子設(shè)備包含根據(jù)本發(fā)明的微發(fā)光二極管裝置。例如，該電子設(shè)備可以是手機(jī)、平板電腦等。

在本發(fā)明的技術(shù)方案中，直接在原始襯底上形成微發(fā)光二極管，并通過激光剝離的方式將其轉(zhuǎn)移到接收襯底上。本發(fā)明的技術(shù)方案是現(xiàn)有技術(shù)中沒有想到的。

另外，通過本發(fā)明，可以選擇性地轉(zhuǎn)移微發(fā)光二極管。

另外，在本發(fā)明的技術(shù)方案中，可以進(jìn)行僅一次轉(zhuǎn)移，而在現(xiàn)有技術(shù)中需要進(jìn)行兩次轉(zhuǎn)移。

另外，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案更加高效，成本更低，并且不會產(chǎn)生由于額外的熱開銷造成的產(chǎn)品性能劣化。

另外，與采用拾取頭的現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明不需要復(fù)雜的拾取系統(tǒng)，并因此通過本發(fā)明制造的產(chǎn)品的成本更低、更可靠。

另外，由于不需要現(xiàn)有技術(shù)中的微發(fā)光二極管與中間的承載襯底之間的臨時鍵合，因此，通過本發(fā)明，可以進(jìn)一步降低成本。

由于在本發(fā)明中不需要考慮采用拾取頭的現(xiàn)有技術(shù)中所要考慮的鍵合層相位改變，因此，根據(jù)本發(fā)明的制造方法可以具有較高的生產(chǎn)率，額外的熱負(fù)荷限制較小。因而，在同等條件下，所制造的微發(fā)光二極管具有更高的性能。

下面參照圖2a至2g描述根據(jù)本發(fā)明的用于微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移的一個例子。

如圖2a所示，在諸如藍(lán)寶石襯底的對激光透明的原始襯底1上形成微發(fā)光二極管2。所述微發(fā)光二極管2例如具有垂直微發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)。微發(fā)光二極管2例如包括n型摻雜的gan層、多個量子阱結(jié)構(gòu)、p型摻雜的gan層、p金屬電極和微凸塊等。

如圖2a所示，可以將多個微發(fā)光二極管2分割開來。

如圖2b所示，將原始襯底1翻轉(zhuǎn)過來，并將其與具有液體薄膜(例如，包含助焊劑)5的接收襯底4對齊。微發(fā)光二極管2上的微凸塊與助焊劑接觸。接收襯底4上預(yù)先設(shè)置有接墊3。例如，接墊3包括用于接收紅色微發(fā)光二極管的接墊3r、用于接收藍(lán)色微發(fā)光二極管的接墊3b和用于接收綠色微發(fā)光二極管的接墊3g。

如圖2c所示，選擇性地用激光6照射原始襯底上的部分區(qū)域7，從而將所形成的多個微發(fā)光二極管中的選定的微發(fā)光二極管2a、2b從原始襯底上剝離。

如圖2d所示，將原始襯底1抬起。由于液體薄膜的表面張力的作用，很容易地將所選定的微發(fā)光二極管2a、2b剝離，而在原始襯底1上保留其他微發(fā)光二極管。

之后，可以移動原始襯底，并重復(fù)圖2c至圖2d的操作，這樣可以將多個微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移到接收襯底上。

如圖2e所示，多個微發(fā)光二極管被轉(zhuǎn)移到接收襯底4。

如圖2f所示，例如通過回流焊將多個微光二極管焊接到接收襯底上。之后可以清洗助焊劑。

如圖2g所示，在接收襯底上進(jìn)行填充聚合物8并進(jìn)行密封。之后，沉積n金屬電極9，例如利用ito材料。

圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的用于微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移的方法的另一個示意性實(shí)施例的流程圖。

如圖3所示，在步驟s2100，在激光透明的原始襯底上形成微發(fā)光二極管。

在步驟s2200，在接收襯底上設(shè)置各向異性導(dǎo)電層。

例如，各向異性導(dǎo)電層是各向異性導(dǎo)電膜(acf)、各向異性導(dǎo)電漿(acg)和各向異性導(dǎo)電膠帶(act)中的至少一種。

在步驟s2300，使微發(fā)光二極管與接收襯底上的各向異性導(dǎo)電層接觸。例如，可以使得微發(fā)光二極管與接收襯底上的各向異性導(dǎo)電層粘接在一起。在這個步驟中，例如可以先將微發(fā)光二極管與接收襯底上對應(yīng)的接墊對準(zhǔn)。

在步驟s2400，從原始襯底側(cè)用激光照射原始襯底，以從原始襯底剝離微發(fā)光二極管。

例如，可以分別針對紅發(fā)光二極管、綠發(fā)光二極管、藍(lán)發(fā)光二極管分別執(zhí)行上述步驟。由于分別針對三種發(fā)光二極管執(zhí)行上述轉(zhuǎn)移可以看作是對上述步驟的簡單重復(fù)，因此，在這里不再重復(fù)。只要上述步驟中的每一個在一個方案中被執(zhí)行過，則該方案落入本發(fā)明的保護(hù)范圍。

在步驟s2500，對各向異性導(dǎo)電層進(jìn)行處理，使得微發(fā)光二極管(電極)與接收襯底上的接墊電連接。

在一個例子中，可以使用輔助襯底，從微發(fā)光二極管側(cè)對各向異性導(dǎo)電層施加壓力。例如，對各向異性導(dǎo)電層進(jìn)行處理的溫度可以在150℃至200℃之間。例如，所施加的壓力是在1mpa至4mpa之間。例如，施加壓力的時間是在10秒至30秒之間。

在一個例子中，輔助襯底可以是平板剛性襯底。本申請的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，通過采用剛性襯底可以減小微發(fā)光二極管可能出現(xiàn)的移位。這是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員尚未注意到的地方。

例如，可以在輔助襯底的表面上涂覆有臨時鍵合聚合物。在這種情況下，步驟s2500還可以包括：經(jīng)由臨時鍵合聚合物將輔助襯底與各向異性導(dǎo)電層鍵合；以及在施加壓力之后，經(jīng)由臨時鍵合聚合物對輔助襯底進(jìn)行解鍵合，以移除輔助襯底。將輔助襯底與微發(fā)光二極管臨時鍵合的好處在于，可以相對固定微發(fā)光二極管的位置，并減小對各向異性導(dǎo)電層進(jìn)行處理期間微發(fā)光二極管的移位。

在上述處理之后，可以對微發(fā)光二極管執(zhí)行通常的后續(xù)處理。例如，后續(xù)處理可以包括：對臨時鍵合聚合物進(jìn)行蝕刻，以暴露微發(fā)光二極管的外延層；在微發(fā)光二極管的外延層上形成n電極；以及在n電極上進(jìn)行封裝。

例如，接收襯底可以是顯示襯底。在接收襯底上可以預(yù)先設(shè)置引線以及接墊，以便與微發(fā)光二極管電連接。

在這個實(shí)施例中，通過各向異性導(dǎo)電層來連接微發(fā)光二極管和接收襯底。這種方式處理相對簡單，并且更適合于大規(guī)模生產(chǎn)。

在該另一個實(shí)施例中，本發(fā)明還包括一種用于制造微發(fā)光二極管裝置的方法。該制造方法包括使用根據(jù)本發(fā)明的用于微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移的方法將微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移到接收襯底上。所述接收襯底例如是顯示屏面板或顯示襯底。所述微發(fā)光二極管裝置例如是顯示屏裝置。

在該另一個實(shí)施例中，本發(fā)明還包括一種微發(fā)光二極管裝置，例如顯示屏裝置?？梢允褂酶鶕?jù)所述實(shí)施例的用于制造微發(fā)光二極管裝置的方法來制造所述微發(fā)光二極管裝置。在根據(jù)所述實(shí)施例的微發(fā)光二極管裝置中，微發(fā)光二極管通過各向異性導(dǎo)電層與接收襯底上的接墊電接觸，這與現(xiàn)有技術(shù)中的微發(fā)光二極管裝置是不同的。

在該另一個實(shí)施例中，本發(fā)明還包括一種電子設(shè)備。該電子設(shè)備包含根據(jù)所述實(shí)施例的微發(fā)光二極管裝置。例如，該電子設(shè)備可以是手機(jī)、平板電腦等。

圖4a至圖4l示出了根據(jù)本發(fā)明的用于微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移的另一個例子。

如圖4a所示，在諸如藍(lán)寶石襯底的原始襯底201上具有紅色微發(fā)光二極管202。在諸如顯示襯底的接收襯底204上具有各向異性導(dǎo)電膜(acf)203。接收襯底204具有用于連接微發(fā)光二極管的信號引線205以及接墊205’。

如圖4b所示，以較小的力將原始襯底201(紅色微發(fā)光二極管202)與各向異性導(dǎo)電膜203接觸。例如，可以把要轉(zhuǎn)移的紅色微發(fā)光二極管202與接收襯底204上的接墊對準(zhǔn)。用激光206照射原始襯底201，以選擇性地剝離紅色微發(fā)光二極管。

圖4c中示出了剝離后的紅色微發(fā)光二極管202r。

圖4d示出了原始襯底207及其綠色微發(fā)光二極管208。要剝離的綠色微發(fā)光二極管與接收襯底204上的接墊對準(zhǔn)。

圖4e示出了綠色微發(fā)光二極管208以較小的力與各向異性導(dǎo)電膜203接觸。通過激光209選擇性地剝離至少一個綠色微發(fā)光二極管。

圖4f示出了剝離后的紅色微發(fā)光二極管202r和綠色微發(fā)光二極管208g。

圖4g示出了原始襯底210及其藍(lán)色微發(fā)光二極管211。要剝離的藍(lán)色微發(fā)光二極管與接收襯底204上的接墊對準(zhǔn)。

圖4h示出了藍(lán)色微發(fā)光二極管211以較小的力與各向異性導(dǎo)電膜203接觸。通過激光212選擇性地剝離至少一個藍(lán)色微發(fā)光二極管。

圖4i示出了剝離后的紅色微發(fā)光二極管202r、綠色微發(fā)光二極管208g和藍(lán)色微發(fā)光二極管211b。

在轉(zhuǎn)移了三種顏色的發(fā)光二極管之后，可以檢查是否存在缺陷，并進(jìn)行修補(bǔ)。

圖4j中示出了輔助襯底213。輔助襯底213是平板剛性襯底，例如玻璃襯底。在輔助襯底213上涂覆有聚合物214，例如3mlc5200/5320聚合物。該聚合物例如可以通過紫外線固化，并且可以通過紅色激光解鍵合。

在圖4k中，通過輔助襯底213對acf203進(jìn)行處理。例如，處理?xiàng)l件為，溫度在150℃至200℃之間，所施加的壓力是在1mpa至4mpa之間，施加壓力的時間是在10秒至30秒之間。通過所述處理，acf203在垂直方向上將微發(fā)光二極管與對應(yīng)的接墊互連。

之后，(通過聚合物214)對輔助襯底213進(jìn)行解鍵合。

在圖4l中，執(zhí)行通常的后續(xù)處理：對聚合物214進(jìn)行蝕刻，以暴露微發(fā)光二極管的外延層；在微發(fā)光二極管的外延層上形成n電極215(例如，ito材料電極)；以及在n電極上進(jìn)行封裝216(例如，進(jìn)行pet層疊)。

圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的用于微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移的方法的又一個示意性實(shí)施例的流程圖。

如圖5所示，在步驟s3100，將至少一個微發(fā)光二極管從原始襯底轉(zhuǎn)移到支撐體。例如，原始襯底是激光透明的。

在一個例子中，該步驟可以包括：將原始襯底安裝到支撐體，其中，在原始襯底上形成有微發(fā)光二極管，在支撐體的表面上有光釋放粘合劑，微發(fā)光二極管通過光釋放粘合劑粘合到支撐體上；從原始襯底側(cè)用激光照射原始襯底，用于從原始襯底剝離所述至少一個微發(fā)光二極管；以及從支撐體側(cè)照射光，以釋放未被剝離的微發(fā)光二極管。在這個例子中，支撐體是透光的。

例如，光釋放粘合劑可以是紫外線照射膠帶(uvtape)。例如，支撐體是硬性的。在轉(zhuǎn)移過程中微發(fā)光二極管的移位會影響最終產(chǎn)品的質(zhì)量。本申請的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)通過采用硬性的支撐體，可以減小這種移位。這是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員尚未注意到的地方。例如，支撐體的材料可以是pet。

通常，紅色微發(fā)光二極管很難在諸如藍(lán)寶石襯底的激光透明襯底上形成。因此，在一個例子中，可以預(yù)先形成紅色微發(fā)光二極管，然后將紅色微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移到原始襯底上，以用于最終轉(zhuǎn)移到接收襯底上。例如，在該實(shí)施例中，可以在生長襯底上形成紅色微發(fā)光二極管。接著，將紅色微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移到中間襯底上。之后，將紅色微發(fā)光二極管從中間襯底轉(zhuǎn)移到原始襯底上。

在步驟s3200，將所述至少一個微發(fā)光二極管從支撐體轉(zhuǎn)移到備用襯底。

例如，備用襯底在其表面上具有彈性體或聚合物。例如，通過彈性體或聚合物將所述至少一個微發(fā)光二極管鍵合到備用襯底。

在一個例子中，該步驟還可以包括：將具有所述至少一個微發(fā)光二極管的支撐體鍵合到備用襯底，以及從支撐體側(cè)照射光，以釋放所述至少一個微發(fā)光二極管。

在步驟s3300，將所述至少一個微發(fā)光二極管從備用襯底轉(zhuǎn)移到接收襯底上。

在一個例子中，該步驟還可以包括：將所述至少一個微發(fā)光二極管與接收襯底上的接墊對準(zhǔn)；以及通過彈性體或聚合物剝離所述至少一個微發(fā)光二極管。

例如，可以分別針對紅色微發(fā)光二極管、藍(lán)色微發(fā)光二極管和綠色微發(fā)光二極管執(zhí)行上述轉(zhuǎn)移步驟。在這里不再重復(fù)描述。

在上述處理之后，可以對微發(fā)光二極管執(zhí)行常規(guī)的后續(xù)處理。例如，后續(xù)處理可以包括：在具有微發(fā)光二極管的接收襯底上涂覆聚合物；對聚合物進(jìn)行固化；對聚合物進(jìn)行蝕刻，以暴露微發(fā)光二極管的外延層；在微發(fā)光二極管的外延層上形成n電極；以及在n電極上進(jìn)行封裝。

本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在微發(fā)光二極管的轉(zhuǎn)移過程中，通常僅轉(zhuǎn)移原始襯底上的部分微發(fā)光二極管。如果直接將微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移到接收襯底上，則容易污染原始襯底上的剩余微發(fā)光二極管。在這個實(shí)施例中，通過經(jīng)由中間的支撐體的轉(zhuǎn)移，可以減小這種污染。

在該又一個實(shí)施例中，本發(fā)明還包括一種用于制造微發(fā)光二極管裝置的方法。該制造方法包括使用根據(jù)所述實(shí)施例的用于微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移的方法將微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移到接收襯底上。所述接收襯底例如是顯示屏面板或顯示襯底。所述微發(fā)光二極管裝置例如是顯示屏裝置。

在該又一個實(shí)施例中，本發(fā)明還包括一種微發(fā)光二極管裝置，例如顯示屏裝置?？梢允褂酶鶕?jù)所述實(shí)施例的用于制造微發(fā)光二極管裝置的方法來制造所述微發(fā)光二極管裝置。

在該又一個實(shí)施例中，本發(fā)明還包括一種電子設(shè)備。該電子設(shè)備包含根據(jù)所述實(shí)施例的微發(fā)光二極管裝置。例如，該電子設(shè)備可以是手機(jī)、平板電腦等。

通常，紅色微發(fā)光二極管不能直接形成在諸如藍(lán)寶石襯底的激光透明的原始襯底上。因此，需要預(yù)先在另外的襯底上形成紅色微發(fā)光二極管，然后將其轉(zhuǎn)移到藍(lán)寶石襯底上。圖6a至圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的用于紅微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移的例子。

如圖6a所示，在諸如gaas襯底的生長襯底301上形成紅色微發(fā)光二極管302。

如圖6b所示，通過臨時鍵合聚合物303，將紅色微發(fā)光二極管302與諸如硅襯底的中間襯底304鍵合。聚合物303例如是熱釋放膠帶(trt)。

如圖6c所示，例如通過濕法蝕刻去除生長襯底301。

如圖6d所示，諸如藍(lán)寶石襯底的原始襯底306上涂覆有光刻膠305。通過光刻膠305，原始襯底306與紅色微發(fā)光二極管302鍵合。光刻膠305能夠承受200℃以上的溫度，通常250℃以上。

如圖6e所示，在小于200℃的溫度，對聚合物303進(jìn)行處理，以去除中間襯底304。

如圖6f所示，對光刻膠305執(zhí)行o2等離子蝕刻，以便隔離各個紅色微發(fā)光二極管302。

圖7a至圖7l示出了根據(jù)本發(fā)明的用于微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移的又一個例子。

如圖7a所示，原始襯底406上具有光刻膠405和紅色微發(fā)光二極管402。紅色微發(fā)光二極管402被安裝到到紫外線照射膠帶411上。紫外線照射膠帶411位于硬性的pet支撐體412上。通過激光413，選擇性地剝離紅色微發(fā)光二極管。

如圖7b所示，從支撐體412側(cè)照射紫外線，從而釋放未被剝離的紅色微發(fā)光二極管。

被剝離的紅色微發(fā)光二極管402r很容易與原始襯底406脫離。如圖7c所示，被剝離的紅色微發(fā)光二極管402r粘在紫外線照射膠帶411上，而其他紅色微發(fā)光二極管仍留在原始襯底406上。

如圖7d所示，諸如玻璃襯底的備用襯底415上具有彈性體/聚合物416。例如，可以通過旋凃的方式將彈性體/聚合物416涂覆到備用襯底415上。彈性體/聚合物416例如可以是pdms或3mlc5320，并且例如可以通過紫外線固化。

如圖7e所示，從支撐體側(cè)完全照射紫外線，從而釋放紅色微發(fā)光二極管及彈性體/聚合物416。

之后，例如，如果在微發(fā)光二極管上沒有微凸起，則可以利用銀漿對備用襯底415上的微發(fā)光二極管進(jìn)行絲網(wǎng)印刷。

如圖7f所示，將備用襯底415上的紅色微發(fā)光二極管402r與接收襯底417上的接墊419對準(zhǔn)。例如，接收襯底417是顯示襯底，并包括信號引線418。例如，通過回流，將紅色微發(fā)光二極管402r鍵合到接墊419。回流的溫度例如可以大于260℃。之后通過激光剝離，將備用襯底415與接收襯底417分離。

圖7g示出了分離后的接收襯底417。在接收襯底417上具有接墊419和紅色微發(fā)光二極管402r。

圖7h示出了從備用襯底420向接收襯底417轉(zhuǎn)移綠色微發(fā)光二極管422g的示意圖。備用襯底420具有彈性體/聚合物421。

圖7i示出了分離后的接收襯底417。在接收襯底417上具有接墊419、紅色微發(fā)光二極管402r和綠色微發(fā)光二極管422g。

圖7j示出了從備用襯底423向接收襯底417轉(zhuǎn)移藍(lán)色微發(fā)光二極管425b的示意圖。備用襯底423具有彈性體/聚合物424。

圖7k示出了分離后的接收襯底417。在接收襯底417上具有接墊419、紅色微發(fā)光二極管402r、綠色微發(fā)光二極管422g和藍(lán)色微發(fā)光二極管425b。

在圖7l中，對轉(zhuǎn)移后的微發(fā)光二極管執(zhí)行常規(guī)的后續(xù)處理：在具有微發(fā)光二極管的接收襯底上涂覆聚合物426；對聚合物426進(jìn)行固化；對聚合物進(jìn)行蝕刻，以暴露微發(fā)光二極管的外延層；在微發(fā)光二極管的外延層上形成n電極427；以及在n電極上進(jìn)行封裝(未示出)。

本發(fā)明的技術(shù)方案既可以使用垂直結(jié)構(gòu)的微發(fā)光二極管，也可以使用橫向結(jié)構(gòu)的微發(fā)光二極管(倒裝微發(fā)光二極管)。前面的附圖中示出的垂直結(jié)構(gòu)的微發(fā)光二極管僅僅是示例性的，并不用于限制本發(fā)明的范圍。圖8示出了橫向微發(fā)光二極管的例子。

在圖8所示的例子中，微發(fā)光二極管是橫向微發(fā)光二極管。在橫向微發(fā)光二極管中，p電極和n電極位于同一側(cè)。在圖8中示出了紅色橫向微發(fā)光二極管505、綠色橫向微發(fā)光二極管506和藍(lán)色橫向微發(fā)光二極管507。橫向微發(fā)光二極管505包括p電極505p(正電極)和n電極505n(負(fù)電極)。橫向微發(fā)光二極管506包括p電極506p和n電極506n。橫向微發(fā)光二極管507包括p電極507p和n電極507n。

在襯底504中設(shè)置引線結(jié)構(gòu)(包括接墊)515p、515n、516p、516n、517p、517n。引線結(jié)構(gòu)515p、516p、517p用于連接正電極。引線結(jié)構(gòu)515n、516n、517n用于連接負(fù)電極。

在圖8的例子中，橫向微發(fā)光二極管的電極505p、505n、506p、506n、507p、507n分別通過各向異性導(dǎo)電層503連接到引線結(jié)構(gòu)515p、515n、516p、516n、517p、517n。

可以在橫向微發(fā)光二極管之間涂覆聚合物502。還可以在橫向微發(fā)光二極管上設(shè)置透明的蓋層501。

圖9示出了橫向微發(fā)光二極管的另一個例子。圖9的例子與圖8的例子的區(qū)別之處在于，在圖9中，橫向微發(fā)光二極管通過焊料(而非各向異性導(dǎo)電層)連接到襯底。

在圖9中示出了紅色橫向微發(fā)光二極管605、綠色橫向微發(fā)光二極管606和藍(lán)色橫向微發(fā)光二極管607。橫向微發(fā)光二極管605包括p電極605p和n電極605n。橫向微發(fā)光二極管606包括p電極606p和n電極606n。橫向微發(fā)光二極管607包括p電極607p和n電極607n。

在襯底604中設(shè)置引線結(jié)構(gòu)(包括接墊)615p、615n、616p、616n、617p、617n。引線結(jié)構(gòu)615p、616p、617p用于連接正電極。引線結(jié)構(gòu)615n、616n、617n用于連接負(fù)電極。

在圖9的例子中，例如，橫向微發(fā)光二極管的電極605p、605n、606p、606n、607p、607n包括焊料凸起602。例如，還可以在焊料凸起602上涂覆助焊劑。將電極605p、605n、606p、606n、607p、607n分別接合到引線結(jié)構(gòu)615p、615n、616p、616n、617p、617n(例如，通過回流焊接)。

例如，還可以在橫向微發(fā)光二極管和襯底604之間填充聚合物603。還可以在橫向微發(fā)光二極管上設(shè)置透明的蓋層601。這些處理是現(xiàn)有技術(shù)中已知的，故在此不再詳述。

因此，例如，本發(fā)明還可以包括橫向微發(fā)光二極管的具體應(yīng)用。具體來說，本發(fā)明還可以提供一種用于微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移的方法。該方法包括：在激光透明的原始襯底上形成微發(fā)光二極管，其中，該微發(fā)光二極管是橫向微發(fā)光二極管，其中該橫向微發(fā)光二極管的p電極和n電極位于同一側(cè)；使橫向微發(fā)光二極管的p電極和n電極與接收襯底上預(yù)先設(shè)置的接墊接觸；以及從原始襯底側(cè)用激光照射原始襯底，以從原始襯底剝離橫向微發(fā)光二極管。

采用橫向微發(fā)光二極管的一個效果在于，可以省略微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移之后的n金屬電極處理。此外，由于在晶圓級進(jìn)行測試時p電極和n電極都已經(jīng)被形成，因此，可以簡化晶圓級的顏色分格和/或測試。

此外，例如，在這個方法中，還可以在接收襯底上設(shè)置各向異性導(dǎo)電層，以便經(jīng)由各向異性導(dǎo)電層使橫向微發(fā)光二極管的p電極和n電極與接墊接觸。然后，在從原始襯底剝離橫向微發(fā)光二極管后，對各向異性導(dǎo)電層進(jìn)行處理，使得橫向微發(fā)光二極管的p電極和n電極與接收襯底上的接墊電連接。

例如，各向異性導(dǎo)電層可以是各向異性導(dǎo)電膜、各向異性導(dǎo)電漿和各向異性導(dǎo)電膠帶中的至少一種。

除了利用各向異性導(dǎo)電層的粘性以及利用液體(例如助焊劑)的表面張力使橫向微發(fā)光二極管的p電極和n電極與接收襯底上預(yù)先設(shè)置的接墊接觸之外，本發(fā)明還可以利用重力、靜電力和/或電磁力的作用來實(shí)現(xiàn)所述接觸。

例如，當(dāng)從原始襯底側(cè)用激光照射原始襯底時，橫向微發(fā)光二極管與原始襯底分離，并由于重力的原因，橫向微發(fā)光二極管掉落在接收襯底上。

例如，可以通過向所述接墊施加電壓來施加靜電力，從而利用靜電力的作用，使得橫向微發(fā)光二極管在從原始襯底剝離后留在接收襯底上。

例如，在橫向微發(fā)光二極管中包含磁性物質(zhì)(例如ni)的情況下，可以設(shè)置磁場，以利用電磁力的作用，使得橫向微發(fā)光二極管在從原始襯底剝離后留在接收襯底上。

類似地，還可以將這個應(yīng)用橫向微發(fā)光二極管的例子中的轉(zhuǎn)移方法應(yīng)用于制造微發(fā)光二極管裝置的方法，以將橫向微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移到接收襯底上。所述接收襯底例如是顯示屏面板或顯示襯底。所述微發(fā)光二極管裝置例如是顯示屏裝置。

例如，還可以使用所述制造方法來制造微發(fā)光二極管裝置，例如顯示屏裝置。這種微發(fā)光二極管裝置采用橫向微發(fā)光二極管。

例如，本發(fā)明還包括一種電子設(shè)備。該電子設(shè)備包含所述微發(fā)光二極管裝置。例如，該電子設(shè)備可以是手機(jī)、平板電腦等。

圖10示出了根據(jù)本發(fā)明的利用非接觸的作用力來轉(zhuǎn)移微發(fā)光二極管的一個方法的流程圖。

如圖10所示，在用于微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移的方法中，在步驟s4100，在激光透明的原始襯底上形成微發(fā)光二極管。

所述微發(fā)光二極管例如既可以是橫向微發(fā)光二極管，也可以是垂直結(jié)構(gòu)的微發(fā)光二極管。在橫向微發(fā)光二極管中，p電極和n電極位于同一側(cè)的。在垂直結(jié)構(gòu)的微發(fā)光二極管中，p電極和n電極位于相對側(cè)。

在步驟s4200，從原始襯底側(cè)用激光照射原始襯底，以從原始襯底剝離微發(fā)光二極管。

在步驟s4300，利用非接觸的作用力，使微發(fā)光二極管與接收襯底上預(yù)先設(shè)置的接墊接觸。

非接觸的作用力指的是，這種作用力本身的施加可以不需要物體的直接接觸。例如，非接觸的作用力可以是通過場來施加的。這與利用各向異性導(dǎo)電層的粘性以及利用液體(例如助焊劑)的表面張力所施加的作用力不同。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)明白，盡管非接觸的作用力本身的施加可以不需要物體的直接接觸，但是，可以通過非接觸的作用力來保持物體的直接接觸。例如，下面給出了非接觸的作用力的幾個例子。

例如，所述非接觸的作用力是重力。微發(fā)光二極管位于接收襯底上方。當(dāng)執(zhí)行剝離之后，由于重力的原因，微發(fā)光二極管掉落在接收襯底上并留在接收襯底上。

例如，所述非接觸的作用力是靜電力?？梢酝ㄟ^向所述接墊施加電壓來施加所述靜電力。

例如，所述非接觸的作用力是電磁力。在微發(fā)光二極管包含磁性物質(zhì)的情況下，可以通過磁體(例如永磁體)設(shè)置磁場，以利用電磁力的作用，使得微發(fā)光二極管在從原始襯底剝離后留在接收襯底上，從而直接或間接地與接墊接觸。

在這個實(shí)施例中，通過非接觸的方式，將微發(fā)光二極管附著到接收襯底上，這是現(xiàn)有技術(shù)中所沒有預(yù)想到的。

例如，微發(fā)光二極管的電極包括焊料凸起。例如通過回流焊等，使所述焊料凸起與所述接墊接合。

圖10中的步驟順序不構(gòu)成對于本發(fā)明的任何限制。例如，盡管在圖10中示出了步驟s4200在步驟s4300之前，但是，重力作用、靜電力作用或電磁力作用例如可以是在步驟s4200之前或者在執(zhí)行步驟s4200時施加的。換句話說，例如，可以在步驟s4200之前或者與步驟s4200同時地執(zhí)行步驟s4300.

類似地，還可以將這個轉(zhuǎn)移方法應(yīng)用于制造微發(fā)光二極管裝置的方法，以將微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移到接收襯底上。所述接收襯底例如是顯示屏面板或顯示襯底。所述微發(fā)光二極管裝置例如是顯示屏裝置。

例如，還可以使用所述制造方法來制造微發(fā)光二極管裝置，例如顯示屏裝置。

例如，本發(fā)明還包括一種電子設(shè)備。該電子設(shè)備包含所述微發(fā)光二極管裝置。例如，該電子設(shè)備可以是手機(jī)、平板電腦等。

圖11示出了根據(jù)本發(fā)明的又一個實(shí)施例的用于修復(fù)微發(fā)光二極管缺陷的方法的流程圖。

如圖11所示，在步驟s5100，獲取接收襯底上的微發(fā)光二極管缺陷圖案。

例如，可以通過自動視覺檢查、光致發(fā)光、電子光學(xué)檢測、電性能測試等，獲得缺陷圖案。這些檢測方式不是本發(fā)明的改進(jìn)之處并且可以是現(xiàn)有技術(shù)的，因此，在此不再詳細(xì)描述。

在步驟s5200，在激光透明的修復(fù)載體襯底上形成對應(yīng)于缺陷圖案的微發(fā)光二極管。

在一個例子中，可以首先以缺陷圖案將微發(fā)光二極管安裝到臨時襯底上。

例如，所述臨時襯底是硬性的，諸如pet板。例如，在臨時襯底上涂覆有粘合劑，諸如紫外線照射膠帶?？梢允沟眉す馔该鞯脑家r底上的微發(fā)光二極管與粘合劑接觸。然后，按照缺陷圖案，用激光照射原始襯底，以從原始襯底剝離微發(fā)光二極管。通過部分粘合劑釋放，將按照缺陷圖案的經(jīng)剝離的微發(fā)光二極管保留在臨時襯底上，而釋放未剝離的微發(fā)光二極管。在部分粘合劑釋放之后，未剝離的微發(fā)光二極管仍舊保留在原始襯底上。部分粘合劑釋放意味著，在釋放之后，粘合劑剩余的粘合力足以使得已經(jīng)剝離的微發(fā)光二極管脫離原始襯底，而無法使得未剝離的微發(fā)光二極管脫離原始襯底。

接著，將臨時襯底上的微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移到修復(fù)載體襯底上。

例如，可以首先將臨時襯底上的微發(fā)光二極管鍵合到修復(fù)載體襯底。臨時襯底上的微發(fā)光二極管例如可以通過聚合物薄膜被鍵合到修復(fù)載體襯底。然后，通過完全粘合劑釋放，將微發(fā)光二極管從臨時襯底剝離。例如，在將微發(fā)光二極管從臨時襯底剝離之后去除聚合物薄膜的至少一部分，例如微發(fā)光二極管之間的聚合物薄膜部分。

例如，可以通過uv曝光來執(zhí)行所述部分粘合劑釋放和完全粘合劑釋放。

一般來說，部分粘合劑釋放中所使用的曝光時間或能量小于標(biāo)準(zhǔn)曝光時間或能量，即，部分釋放的曝光時間小于標(biāo)準(zhǔn)時間和/或部分釋放的能量小于標(biāo)準(zhǔn)能量。完全粘合劑釋放中所使用的曝光時間或能量大于或等于標(biāo)準(zhǔn)曝光時間或能量,即，完全釋放的曝光時間大于或等于標(biāo)準(zhǔn)時間和/或完全釋放的能量大于或等于標(biāo)準(zhǔn)能量。標(biāo)準(zhǔn)曝光時間或能量可以指的是恰好使得粘合劑完全釋放所需的曝光時間或能量，或者也可以指的是標(biāo)稱曝光時間或能量。

在步驟s5300，使修復(fù)載體襯底上的微發(fā)光二極管與接收襯底上的缺陷位置對準(zhǔn)，并使其與缺陷位置處的接墊接觸。

在步驟s5400，從修復(fù)載體襯底側(cè)用激光照射修復(fù)載體襯底，以從修復(fù)載體襯底剝離微發(fā)光二極管。

例如，修復(fù)載體襯底是藍(lán)寶石襯底。如上面所述，在本發(fā)明中，所采用的襯底是激光透明的。換句話說，與要剝離的諸如微發(fā)光二極管的器件相比，相對于所要照射的激光，該襯底是透明的，即，具有更高的透光率。因此，在被照射時，激光中的能量主要被它后面的器件(微發(fā)光二極管)吸收，從而實(shí)現(xiàn)剝離。當(dāng)然，激光透明的襯底和器件之間的透光率差異越大，剝離的效果越好。

在該又一個實(shí)施例中，本發(fā)明還提供一種用于制造微發(fā)光二極管裝置的方法。該制造方法包括使用根據(jù)所述實(shí)施例的用于修復(fù)微發(fā)光二極管缺陷的方法修復(fù)接收襯底上的微發(fā)光二極管缺陷。所述接收襯底例如是顯示屏面板或顯示襯底。所述微發(fā)光二極管裝置例如是顯示裝置。

在該又一個實(shí)施例中，本發(fā)明還提供一種微發(fā)光二極管裝置，例如顯示裝置。可以使用根據(jù)所述實(shí)施例的用于制造微發(fā)光二極管裝置的方法來制造所述微發(fā)光二極管裝置。

在該又一個實(shí)施例中，本發(fā)明還提供一種電子設(shè)備。該電子設(shè)備包含根據(jù)所述實(shí)施例的微發(fā)光二極管裝置。例如，該電子設(shè)備可以是手機(jī)、平板電腦等。

當(dāng)將大規(guī)模微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)到接收襯底上之后，會產(chǎn)生一定的良率損失。因此，在大多數(shù)情況下需要執(zhí)行修復(fù)，以保證產(chǎn)品質(zhì)量。在現(xiàn)有技術(shù)中采用拾取頭來執(zhí)行修復(fù)?，F(xiàn)有技術(shù)的修復(fù)方式相對較復(fù)雜，并且效率較低。根據(jù)本發(fā)明的修復(fù)方式相對簡單和/或具有較高的效率。

圖12a至圖12f示出了根據(jù)本發(fā)明的用于修復(fù)微發(fā)光二極管缺陷的一個例子。

如圖12a所示，在原始襯底701上形成有微發(fā)光二極管703。微發(fā)光二極管703包括缺陷微發(fā)光二極管和良好微發(fā)光二極管。將微發(fā)光二極管通過粘合劑層704安裝到臨時襯底705上。粘合劑層704例如是紫外線照射膠帶。所述臨時襯底705例如是pet板。按照缺陷圖案，用激光702照射原始襯底701，以從原始襯底剝離缺陷微發(fā)光二極管。

如圖12b所示，從臨時襯底705側(cè)用紫外線706對粘合劑層(紫外線照射膠帶)704進(jìn)行部分曝光。

如圖12c所示，經(jīng)過部分曝光之后，粘合劑層704仍然具有一定的殘留粘性，足以使得已激光剝離的微發(fā)光二極管703b脫離原始襯底，而未激光剝離的微發(fā)光二極管703a仍然保留在原始襯底上。由于以缺陷圖案對微發(fā)光二極管執(zhí)行激光剝離，因此，粘合劑層704(或臨時襯底705)上具有基于缺陷圖案排列的良好微發(fā)光二極管。

如圖12d所示，通過接合聚合物薄膜708將粘合劑層704上的微發(fā)光二極管703b臨時鍵合到修復(fù)載體襯底707上。接著，對粘合劑層704進(jìn)行完全曝光。如圖12e所示，粘合劑層704與微發(fā)光二極管703b分離。圖12f示出了用于進(jìn)行修復(fù)的修復(fù)載體襯底707及在它上面的基于缺陷圖案的微發(fā)光二極管703b。如圖12f所示，還可以去除微發(fā)光二極管703b之間的接合聚合物薄膜708，僅留下微發(fā)光二極管703b與襯底707之間的薄膜部分。

然后，可以通過激光剝離的方式，將修復(fù)載體襯底707用于修復(fù)接收襯底上的缺陷。

圖13示出了根據(jù)本發(fā)明的又一個示例性實(shí)施例的用于預(yù)排除缺陷微發(fā)光二極管的方法的流程圖。

如圖13所示，在步驟s6100，獲得激光透明的襯底上的缺陷微發(fā)光二極管的缺陷圖案。

例如，可以通過自動視覺檢查、光致發(fā)光、電子光學(xué)檢測或電性能測試，獲得缺陷圖案。

在步驟s6200，按照缺陷圖案，從激光透明的襯底側(cè)用激光照射激光透明的襯底，以從激光透明的襯底剝離缺陷微發(fā)光二極管。

在一個例子中，通過接觸的方式來施加作用力，以使得剝離的微發(fā)光二極管脫離激光透明的襯底。例如，可以將激光透明的襯底上的微發(fā)光二極管安裝到紫外線照射膠帶。例如，紫外線照射膠帶被附著在硬性的支撐體上。通過激光將缺陷微發(fā)光二極管剝離到紫外線照射膠帶，以及通過uv曝光將無缺陷微發(fā)光二極管保留在激光透明的襯底上。

在另一個例子中，可以利用非接觸的作用力，從激光透明的襯底剝離缺陷微發(fā)光二極管。如前面所述，非接觸的作用力不需要通過接觸的方式來施加。例如，非接觸的作用力是重力、靜電力和電磁力中的至少一個?？梢园凑涨懊嫠龅姆绞絹硎┘舆@些作用力。

根據(jù)本發(fā)明，除了可以在將微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移到接收襯底上之后進(jìn)行修復(fù)，或者還可以在所述轉(zhuǎn)移之前在激光透明的襯底上進(jìn)行修復(fù)。例如，在激光透明的襯底上，在所剝離的微發(fā)光二極管的位置形成良好的微發(fā)光二極管。可以通過利用前面所述的修復(fù)方法，在缺陷位置形成良好的微發(fā)光二極管。

在又一個實(shí)施例中，本發(fā)明還提供一種用于制造微發(fā)光二極管裝置的方法。該制造方法包括使用根據(jù)所述實(shí)施例的用于預(yù)排除缺陷微發(fā)光二極管的方法預(yù)排除激光透明的襯底上的缺陷微發(fā)光二極管。所述接收襯底例如是顯示屏面板或顯示襯底。所述微發(fā)光二極管裝置例如是顯示裝置。

在該又一個實(shí)施例中，本發(fā)明還提供一種微發(fā)光二極管裝置，例如顯示裝置。可以使用根據(jù)所述實(shí)施例的用于制造微發(fā)光二極管裝置的方法來制造所述微發(fā)光二極管裝置。

在該又一個實(shí)施例中，本發(fā)明還提供一種電子設(shè)備。該電子設(shè)備包含根據(jù)所述實(shí)施例的微發(fā)光二極管裝置。例如，該電子設(shè)備可以是手機(jī)、平板電腦等。

在現(xiàn)有技術(shù)中，在進(jìn)行轉(zhuǎn)移時，襯底上的良好微發(fā)光二極管和缺陷微發(fā)光二極管都被轉(zhuǎn)移到接收襯底上。然而，根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案，僅已知良好的微發(fā)光二極管被轉(zhuǎn)移到接收襯底。

圖14a至圖14c示出了根據(jù)本發(fā)明的用于預(yù)排除缺陷微發(fā)光二極管的一個例子。

在這個例子中，首先例如通過自動視覺檢查、光致發(fā)光、電子光學(xué)檢測或電性能測試等來獲得激光透明的襯底上的缺陷圖案。然后，將激光透明的襯底安裝到紫外線照射膠帶。如圖14a所示，紫外線照射膠帶804位于支撐體805上。激光透明的襯底801經(jīng)由微發(fā)光二極管803安裝到紫外線照射膠帶804上。按照缺陷圖案，用激光802照射襯底801，以從襯底801剝離缺陷微發(fā)光二極管。

如圖14b所示，從支撐體805側(cè)用紫外線806對紫外線照射膠帶804進(jìn)行部分曝光。

如圖14c所示，經(jīng)過部分曝光之后，紫外線照射膠帶804仍然具有一定的殘留粘性，足以使得已激光剝離的微發(fā)光二極管803b脫離襯底801，而未激光剝離的微發(fā)光二極管803a仍然保留在襯底801上

圖15a至圖15b示出了根據(jù)本發(fā)明的用于預(yù)排除缺陷微發(fā)光二極管的另一個例子。

如圖15a所示，在襯底(晶圓)901上有良好微發(fā)光二極管902和缺陷微發(fā)光二極管903。通過根據(jù)本發(fā)明的方法，在將微發(fā)光二極管從襯底901轉(zhuǎn)移到接收襯底(未示出)之前，預(yù)排除缺陷微發(fā)光二極管903。圖15b示出了預(yù)排除缺陷微發(fā)光二極管后的襯底901。

圖16a至圖16b是圖15b中方框a所示區(qū)域的放大視圖。如圖16a所示，在位置903a的缺陷微發(fā)光二極管被預(yù)排除。如圖16b所示，可以直接在襯底901上執(zhí)行修復(fù)，從而在位置903a形成良好的微發(fā)光二極管。可選地，也可以在將微發(fā)光二極管從襯底901轉(zhuǎn)移到接收襯底之后執(zhí)行所述修復(fù)。

雖然已經(jīng)通過例子對本發(fā)明的一些特定實(shí)施例進(jìn)行了詳細(xì)說明，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，以上例子僅是為了進(jìn)行說明，而不是為了限制本發(fā)明的范圍。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，可在不脫離本發(fā)明的范圍和精神的情況下，對以上實(shí)施例進(jìn)行修改。本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求來限定。