本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法，例如為能夠良好地用于包含固體成像元件在內(nèi)的半導(dǎo)體器件及其制造方法。

背景技術(shù)：

作為數(shù)碼相機(jī)等中使用的固體成像元件(以下，簡(jiǎn)稱為“攝像元件”)，正在發(fā)展使用cmos(complementarymetaloxidesemiconductor：互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)的cmos圖像傳感器的開(kāi)發(fā)。

作為具有該cmos圖像傳感器在內(nèi)的半導(dǎo)體器件的攝像元件具有形成在半導(dǎo)體襯底的上表面上的多個(gè)像素。多個(gè)像素在俯視時(shí)以矩陣狀排列，分別檢測(cè)光。另外，在這些多個(gè)像素上分別形成有檢測(cè)光并產(chǎn)生電荷的光電二極管等的光電轉(zhuǎn)換元件。

日本專利第2600250號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)1)公開(kāi)了在固體成像裝置中在多個(gè)受光部上配置有聚光部的技術(shù)。日本專利第3478796號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)2)公開(kāi)了在固體成像裝置中二維地排列光電轉(zhuǎn)換區(qū)域的技術(shù)。日本專利第3551437號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)3)公開(kāi)了在固體成像裝置中在襯底上設(shè)置有多個(gè)受光部、多個(gè)彩色濾光片和多個(gè)聚光部的技術(shù)。日本專利第4419658號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)4)公開(kāi)了在固體成像裝置中設(shè)置有多個(gè)受光部和多個(gè)片上透鏡的技術(shù)。日本專利第4004302號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)5)公開(kāi)了在攝像元件中由受光元件、彩色濾光片和微透鏡構(gòu)成的像素呈矩陣狀地配置有多個(gè)的技術(shù)。日本特開(kāi)2007-88851號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)6)公開(kāi)了在攝像裝置中具備具有受光元件以及微透鏡在內(nèi)的攝像元件和攝像透鏡的技術(shù)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本專利第2600250號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)2：日本專利第3478796號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)3：日本專利第3551437號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)4：日本專利第4419658號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)5：日本專利第4004302號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)6：日本特開(kāi)2007-88851號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

作為這樣的半導(dǎo)體器件的攝像元件具有形成在半導(dǎo)體襯底的上方的遮光膜。遮光膜為了將光恰當(dāng)?shù)厝肷涞皆诙鄠€(gè)像素各自形成的光電二極管而對(duì)不需要的光進(jìn)行遮光。另一方面，遮光膜中的位于各光電二極管上的部分形成有開(kāi)口部。

這里，向配置在多個(gè)像素的排列的周邊側(cè)的像素入射的入射光是從相對(duì)于與半導(dǎo)體襯底的上表面垂直的方向傾斜的方向入射的。在這樣的情況下，向各像素入射的光的一部分不入射到該像素所含有的光電二極管，由此，光電二極管pd的靈敏度降低，即產(chǎn)生陰影(shading)。

為了防止或抑制該陰影，考慮對(duì)于形成在遮光膜上的開(kāi)口部實(shí)施以多個(gè)像素的排列的中心側(cè)的位置為中心進(jìn)行縮小的縮小處理即收縮處理，將開(kāi)口部錯(cuò)開(kāi)。但是，僅對(duì)于遮光膜的開(kāi)口部進(jìn)行收縮處理，入射到各像素的光被被半導(dǎo)體襯底的上方的布線層即與遮光膜不同層的布線層所含有的布線反射，因此，難以防止或抑制陰影。由此，cmos圖像傳感器的靈敏度降低，半導(dǎo)體器件的性能降低。

其他的課題和新的特征從本說(shuō)明書(shū)的記載及附圖明確。

根據(jù)一實(shí)施方式，半導(dǎo)體器件具有：彼此同層地形成在半導(dǎo)體襯底的上方的多個(gè)第一布線；以及分別與多個(gè)第一布線同層地形成的第二布線。多個(gè)第一布線在俯視時(shí)分別沿第一方向延伸、且沿與第一方向交叉的第二方向以第一間距排列，多個(gè)第二布線在俯視時(shí)分別沿第一方向延伸、且沿第二方向以第二間距排列。多個(gè)第一布線分別與多個(gè)第二布線的每一個(gè)電連接，第一間距比第二間距小。

發(fā)明的效果

根據(jù)一實(shí)施方式，能夠提高半導(dǎo)體器件的性能。

附圖說(shuō)明

圖1是表示實(shí)施方式1的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的俯視圖。

圖2是表示實(shí)施方式1的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的剖視圖。

圖3是表示實(shí)施方式1的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的剖視圖。

圖4是表示實(shí)施方式1中的第一層的布線層的布線布局的俯視圖。

圖5是表示實(shí)施方式1中的第一層的布線層的布線布局的俯視圖。

圖6是表示實(shí)施方式1中的最上層的布線層的布線布局?jǐn)?shù)據(jù)的俯視圖。

圖7是表示實(shí)施方式1中的最上層的布線層的布線布局?jǐn)?shù)據(jù)的俯視圖。

圖8是表示實(shí)施方式1中的最上層的布線層的布線布局?jǐn)?shù)據(jù)的俯視圖。

圖9是表示實(shí)施方式1中的最上層的布線層的布線布局?jǐn)?shù)據(jù)的俯視圖。

圖10是表示實(shí)施方式1中的最上層的布線層的布線布局?jǐn)?shù)據(jù)的俯視圖。

圖11是表示布線布局的設(shè)計(jì)工序及曝光用掩膜的制造工序的一部分的工藝流程圖。

圖12是表示實(shí)施方式1中的第一層的布線層的布線布局?jǐn)?shù)據(jù)的俯視圖。

圖13是表示實(shí)施方式1中的第一層的布線層的布線布局?jǐn)?shù)據(jù)的俯視圖。

圖14是表示實(shí)施方式1中的第一層的布線層的布線布局?jǐn)?shù)據(jù)的俯視圖。

圖15是表示實(shí)施方式1中的第一層的布線層的布線布局?jǐn)?shù)據(jù)的俯視圖。

圖16是表示實(shí)施方式1中的第一層的布線層的布線布局?jǐn)?shù)據(jù)的俯視圖。

圖17是表示實(shí)施方式1中的第一層的布線層中的配置布局的另一例的俯視圖。

圖18是表示實(shí)施方式1的半導(dǎo)體器件的制造工序的一部分的制造工藝流程圖。

圖19是實(shí)施方式1的半導(dǎo)體器件的制造工序中的主要部分剖視圖。

圖20是實(shí)施方式1的半導(dǎo)體器件的制造工序中的主要部分剖視圖。

圖21是實(shí)施方式1的半導(dǎo)體器件的制造工序中的主要部分剖視圖。

圖22是實(shí)施方式1的半導(dǎo)體器件的制造工序中的主要部分剖視圖。

圖23是實(shí)施方式1的半導(dǎo)體器件的制造工序中的主要部分剖視圖。

圖24是實(shí)施方式1的半導(dǎo)體器件的制造工序中的主要部分剖視圖。

圖25是表示比較例的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的剖視圖。

圖26是表示比較例中的第一層的布線層的布線布局的俯視圖。

圖27是表示實(shí)施方式1的第一變形例中的第一層的布線層的布線布局的第一變形例的俯視圖。

圖28是表示實(shí)施方式1的第一變形例中的第一層的布線層的布線布局的另一例的俯視圖。

圖29是表示實(shí)施方式1的第一變形例中的第一層的布線層的布線布局的另一例的俯視圖。

圖30是表示實(shí)施方式1的第一變形例中的第一層的布線層的布線布局的另一例的俯視圖。

圖31是表示實(shí)施方式1的第一變形例中的第一層的布線層的布線布局的又一例的俯視圖。

圖32是表示實(shí)施方式1的第二變形例中的第一層的布線層的布線布局的俯視圖。

圖33是表示實(shí)施方式1的第二變形例中的第一層的布線層的布線布局的另一例的俯視圖。

圖34是表示實(shí)施方式1的第三變形例中的第一層的布線層的布線布局的俯視圖。

圖35是表示實(shí)施方式1的第三變形例中的第一層的布線層的布線布局的另一例的俯視圖。

圖36是表示實(shí)施方式1的第三變形例中的第一層的布線層的布線布局的另一例的俯視圖。

圖37是表示實(shí)施方式1的第四變形例中的第一層的布線層的布線布局的俯視圖。

圖38是表示實(shí)施方式1的第四變形例中的第一層的布線層的布線布局的另一例的俯視圖。

圖39是表示實(shí)施方式2中的第二層的布線層的布線布局的俯視圖。

圖40是表示實(shí)施方式2中的第二層的布線層的布線布局的俯視圖。

圖41是表示實(shí)施方式2中的第二層的布線層的布線布局?jǐn)?shù)據(jù)的俯視圖。

圖42是表示實(shí)施方式2中的第二層的布線層的布線布局?jǐn)?shù)據(jù)的俯視圖。

圖43是表示實(shí)施方式2中的第二層的布線層的布線布局?jǐn)?shù)據(jù)的俯視圖。

圖44是表示實(shí)施方式2中的第二層的布線層的布線布局?jǐn)?shù)據(jù)的俯視圖。

圖45是表示實(shí)施方式2中的第二層的布線層的布線布局?jǐn)?shù)據(jù)的俯視圖。

圖46是實(shí)施方式2中的使第二層的布線層的布線布局?jǐn)?shù)據(jù)與第一層的布線層的布線布局?jǐn)?shù)據(jù)重疊地表示的俯視圖。

圖47是表示實(shí)施方式2的第一變形例中的第二層的布線層的布線布局的俯視圖。

圖48是表示實(shí)施方式2的第一變形例中的第二層的布線層的布線布局的俯視圖。

圖49是實(shí)施方式2的第一變形例中的使第二層的布線層的布線布局?jǐn)?shù)據(jù)與第一層的布線層的布線布局?jǐn)?shù)據(jù)重疊地表示的俯視圖。

圖50是表示實(shí)施方式2的第一變形例中的第二層的布線層的布線布局的另一例的俯視圖。

圖51是表示實(shí)施方式2的第一變形例中的第二層的布線層的布線布局的另一例的俯視圖。

圖52是實(shí)施方式2的第二變形例中的使第一層的布線層的布線布局與第二層的布線層的布線布局?jǐn)?shù)據(jù)重疊地表示的俯視圖。

圖53是表示實(shí)施方式2的第二變形例中的第一層的布線層的布線布局的俯視圖。

圖54是表示實(shí)施方式2的第二變形例中的第一層的布線層的布線布局的俯視圖。

圖55是表示實(shí)施方式2的第二變形例中的第一層的布線層的布線布局的另一例的俯視圖。

圖56是表示實(shí)施方式2的第二變形例中的第一層的布線層的布線布局的另一例的俯視圖。

圖57是表示實(shí)施方式2的第二變形例中的第一層的布線層的布線布局的另一例的俯視圖。

圖58是表示實(shí)施方式2的第二變形例中的第一層的布線層的布線布局的另一例的俯視圖。

圖59是表示實(shí)施方式2的第三變形例中的第二層的布線層的布線布局的俯視圖。

圖60是表示實(shí)施方式2的第三變形例中的第二層的布線層的布線布局的俯視圖。

圖61是表示實(shí)施方式2的第三變形例中的第二層的布線層的布線布局的另一例的俯視圖。

圖62是表示實(shí)施方式2的第四變形例中的第二層的布線層的布線布局的俯視圖。

圖63是表示實(shí)施方式2的第四變形例中的第二層的布線層的布線布局的俯視圖。

具體實(shí)施方式

在以下的實(shí)施方式中，為了方便，在必要時(shí)，分成多個(gè)段落或?qū)嵤┓绞降剡M(jìn)行說(shuō)明，但除了特別明示的情況以外，它們之間相互并不是沒(méi)有關(guān)系，處于一方是另一方的一部分或全部的變形例、詳細(xì)、補(bǔ)充說(shuō)明等的關(guān)系。

另外，在以下的實(shí)施方式中，提及要素的數(shù)量等(包含個(gè)數(shù)、數(shù)值、量、范圍等)的情況下，除了特別明示的情況及原理上明確地限定于特定的數(shù)量的情況等以外，不限于該特定的數(shù)量，也可以是特定的數(shù)量以上或以下。

而且，在以下的實(shí)施方式中，該構(gòu)成要素(也包含要件步驟等)除了特別明示的情況及原理上明確是必須的情況等以外，當(dāng)然也不一定是必須的。同樣，在以下的實(shí)施方式中，在提及構(gòu)成要素等的形狀、位置關(guān)系等時(shí)，除了特別明示的情況及原理上明確并不是這樣的情況等以外，包含實(shí)質(zhì)上與該形狀等近似或類似的結(jié)構(gòu)等。這關(guān)于上述數(shù)值及范圍也是同樣的。

以下，基于附圖詳細(xì)說(shuō)明具有代表性的實(shí)施方式。此外，在用于說(shuō)明實(shí)施方式的全部附圖中，對(duì)具有同一功能的部件標(biāo)注同一附圖標(biāo)記，并省略其重復(fù)說(shuō)明。另外，在以下的實(shí)施方式中，除了特別必要時(shí)以外，原則上不重復(fù)同一或同樣的部分的說(shuō)明。

而且，在實(shí)施方式所使用的附圖中，即使是剖視圖，為了易于觀察附圖，也有省略陰影線的情況。另外，即使是俯視圖，為了易于觀察圖面，也有標(biāo)注陰影線的情況。

另外，在剖視圖及俯視圖中，各部位的大小并不與實(shí)際設(shè)備對(duì)應(yīng)，有時(shí)為了易于理解附圖，相對(duì)大地顯示特定的部位。另外，在俯視圖和剖視圖對(duì)應(yīng)的情況下，有時(shí)也改變各部位的大小來(lái)顯示。

(實(shí)施方式1)

以下，參照附圖詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)施方式1的作為半導(dǎo)體器件的攝像元件的構(gòu)造及制造工序。在本實(shí)施方式1中，針對(duì)作為半導(dǎo)體器件的攝像元件具有cmos圖像傳感器的例子進(jìn)行說(shuō)明。

<半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)>

首先，說(shuō)明實(shí)施方式1的作為半導(dǎo)體器件的攝像元件的結(jié)構(gòu)。

圖1是表示實(shí)施方式1的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖2及圖3是表示實(shí)施方式1的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖2是沿圖1的a-a線的剖視圖，圖3是沿圖1的b-b線的剖視圖。

如圖1～圖3所示，本實(shí)施方式1的半導(dǎo)體器件具有例如由單晶硅(si)等構(gòu)成的半導(dǎo)體襯底sb。半導(dǎo)體襯底sb具有：區(qū)域ar1，其為作為半導(dǎo)體襯底sb的主面的上表面的區(qū)域；以及區(qū)域ar2，其作為半導(dǎo)體襯底sb的主面的上表面的區(qū)域，為與區(qū)域ar1相比靠近半導(dǎo)體襯底sb的周邊側(cè)的區(qū)域。

本實(shí)施方式1的半導(dǎo)體器件具有在區(qū)域ar1中形成在半導(dǎo)體襯底sb的上表面上的多個(gè)像素pu。即，區(qū)域ar1是形成有多個(gè)像素pu的像素區(qū)域。

在作為半導(dǎo)體襯底sb的主面的上表面內(nèi)，將相互交叉優(yōu)選正交的2個(gè)方向設(shè)為x軸方向及y軸方向。另外，將與作為半導(dǎo)體襯底sb的主面的上表面垂直的方向設(shè)為z軸方向。此時(shí)，多個(gè)像素pu在俯視時(shí)沿x軸方向及y軸方向以矩陣狀排列。

此外，在本申請(qǐng)說(shuō)明書(shū)中，俯視是指從與作為半導(dǎo)體襯底sb的主面的上表面垂直的方向即z軸方向觀察的情況。

雖然省略圖示，但本實(shí)施方式1的作為半導(dǎo)體器件的攝像元件具有在區(qū)域ar2中形成在半導(dǎo)體襯底sb的上表面上的周邊電路。即，區(qū)域ar2是形成有周邊電路的周邊電路區(qū)域。周邊電路形成在半導(dǎo)體襯底sb的上表面上，具有例如用于多個(gè)像素pu的開(kāi)關(guān)的多個(gè)晶體管、及形成在這些多個(gè)晶體管上的布線層等。

多個(gè)像素pu分別具有光電二極管pd、傳輸用晶體管tx及放大用晶體管(未圖示)等。另外，多個(gè)像素pu分別具有彩色濾光片cf及微透鏡ml。而且，半導(dǎo)體器件具有遮光膜sf1。遮光膜sf1為了將光恰當(dāng)?shù)厝肷涞蕉鄠€(gè)像素pu各自含有的光電二極管pd而對(duì)不需要的光進(jìn)行遮光。另一方面，在遮光膜sf1中的位于各光電二極管pd上的部分形成有開(kāi)口部op1。彩色濾光片cf以將所期望的波長(zhǎng)的光入射到光電二極管pd的方式，僅使該波長(zhǎng)的光透射。微透鏡ml以將光恰當(dāng)?shù)厝肷涞焦怆姸O管pd的方式對(duì)光進(jìn)行聚光。

光電二極管pd是接受入射光并轉(zhuǎn)換成電荷的光電轉(zhuǎn)換元件。傳輸用晶體管tx是用于對(duì)通過(guò)由光電二極管pd對(duì)入射光進(jìn)行轉(zhuǎn)換而生成的電荷進(jìn)行傳輸?shù)木w管。光電二極管pd是在區(qū)域ar1中形成在半導(dǎo)體襯底sb的上表面上。

在區(qū)域ar1中，在半導(dǎo)體襯底sb的上表面?zhèn)?，形成有例如摻入了?b)等的p型雜質(zhì)的p型半導(dǎo)體層pw。另一方面，在區(qū)域ar1中，在p型半導(dǎo)體層pw的上層部，形成有例如摻入了磷(p)或砷(as)等的n型雜質(zhì)的n型半導(dǎo)體層nw。因此，在區(qū)域ar1中，p型半導(dǎo)體層pw形成在n型半導(dǎo)體層nw的正下方。p型半導(dǎo)體層pw及n型半導(dǎo)體層nw形成pn結(jié)，構(gòu)成了光電二極管pd。即，在區(qū)域ar1中，在半導(dǎo)體襯底sb的上表面上形成有多個(gè)光電二極管pd。

在半導(dǎo)體襯底sb的上表面上，隔著由例如氧化硅(sio2)膜構(gòu)成的柵極絕緣膜gi形成有由例如多晶硅膜構(gòu)成的柵極電極ge。在柵極電極ge的側(cè)面上，形成有由例如氧化硅膜構(gòu)成的側(cè)壁sw。柵極電極ge是傳輸用晶體管tx的柵極電極。另一方面，構(gòu)成光電二極管pd的n型半導(dǎo)體層nw兼用作傳輸用晶體管tx的源極區(qū)域。

此外，在圖2及圖3中，省略了傳輸用晶體管tx的漏極區(qū)域的圖示。另外，光電二極管pd經(jīng)由傳輸用晶體管tx與對(duì)光電二極管pd中輸出的信號(hào)進(jìn)行放大的放大用晶體管等的晶體管連接，但這里僅圖示了傳輸用晶體管tx，省略了元件隔離區(qū)域等的圖示。

在區(qū)域ar1及區(qū)域ar2中，以覆蓋光電二極管pd及傳輸用晶體管tx的方式，在半導(dǎo)體襯底sb的上表面上形成有由例如氧化硅膜構(gòu)成的層間絕緣膜il。另外，層間絕緣膜il的上表面通過(guò)cmp(chemicalmechanicalpolishing：化學(xué)機(jī)械研磨)法等被平坦化。

此外，也可以在光電二極管pd的上表面、柵極電極ge的上表面及形成在柵極電極ge的側(cè)面上的側(cè)壁sw的表面上，形成有由例如氮化硅膜構(gòu)成的覆蓋絕緣膜cap。在這種情況下，層間絕緣膜il隔著覆蓋絕緣膜cap形成在光電二極管pd上及傳輸用晶體管tx上。

另外，在形成了層間絕緣膜il之后，能夠形成多個(gè)貫穿層間絕緣膜il且到達(dá)半導(dǎo)體襯底sb的接觸插塞(省略圖示)。在該情況下，接觸插塞的上表面及層間絕緣膜il的上表面通過(guò)cmp法等被平坦化。

在層間絕緣膜il上形成有由例如氧化硅(sio2)膜構(gòu)成的層間絕緣膜il1。

在層間絕緣膜il1上形成有貫穿層間絕緣膜il1的多個(gè)布線槽。通過(guò)將例如銅(cu)膜埋入多個(gè)布線槽各自的內(nèi)部，而在多個(gè)布線槽各自的內(nèi)部形成有布線wr11。布線wr11經(jīng)由上述接觸插塞與形成在半導(dǎo)體襯底sb的上表面上的光電二極管pd或傳輸用晶體管tx等的半導(dǎo)體元件電連接。

此外，層間絕緣膜il1及布線wr11構(gòu)成了第一層的布線層ml1。

布線wr11配置在相鄰的2個(gè)像素pu之間。由此，能夠防止或抑制在光入射到多個(gè)像素pu各自所含有的光電二極管pd時(shí)入射光被布線wr11遮擋的情況。此外，布線wr11及層間絕緣膜il1各自的上表面也可以通過(guò)cmp法等被平坦化。

在層間絕緣膜il1及布線wr11上形成有由例如含碳氧化硅(sioc)膜等構(gòu)成的層間絕緣膜il2。

在層間絕緣膜il2的上表面形成有多個(gè)布線槽，而且，在這些布線槽的底面上，形成有貫穿層間絕緣膜il2的多個(gè)過(guò)孔(省略圖示)。通過(guò)將例如銅(cu)膜埋入多個(gè)布線槽及多個(gè)過(guò)孔各自的內(nèi)部，來(lái)在多個(gè)布線槽各自的內(nèi)部形成布線wr21，在多個(gè)過(guò)孔各自的內(nèi)部形成連接柱(via)(省略圖示)。布線wr21經(jīng)由上述連接柱與布線wr11電連接。

此外，層間絕緣膜il2、布線wr21及上述連接柱(省略圖示)構(gòu)成了第二層的布線層ml2。

布線wr21配置在相鄰的2個(gè)像素pu之間。由此，能夠防止或抑制在光入射到多個(gè)像素pu各自所含有的光電二極管pd時(shí)入射光被布線wr21遮擋的情況。此外，布線wr21及層間絕緣膜il2各自的上表面通過(guò)cmp法等被平坦化。

在層間絕緣膜il2及布線wr21上形成有由例如含碳氧化硅(sioc)膜等構(gòu)成的層間絕緣膜il3。

在層間絕緣膜il3的上表面形成有多個(gè)布線槽。通過(guò)將例如銅(cu)膜埋入多個(gè)布線槽各自的內(nèi)部，在多個(gè)布線槽各自的內(nèi)部形成有遮光膜sf1。

此外，在區(qū)域ar2中，在布線槽tr3的內(nèi)部，與遮光膜同層地形成有布線wr3。另外，層間絕緣膜il3、遮光膜sf1及布線wr3構(gòu)成了第三層的布線層ml3。

遮光膜sf1配置在相鄰的2個(gè)像素pu之間。由此，能夠防止或抑制在光入射到多個(gè)像素pu各自所含有的光電二極管pd時(shí)入射光被遮光膜sf1遮擋的情況。此外，遮光膜sf1及層間絕緣膜il3各自的上表面通過(guò)cmp法等被平坦化。

此外，如圖1所示，遮光膜sf1在區(qū)域ar1中一體地形成。因此，在遮光膜sf1上，多個(gè)開(kāi)口部op1沿x軸方向及y軸方向以矩陣狀形成，在多個(gè)開(kāi)口部op1上分別形成有像素pu。

像這樣，本實(shí)施方式1的半導(dǎo)體器件在區(qū)域ar1及ar2中，具有形成在半導(dǎo)體襯底sb的上表面的上方的多個(gè)布線層ml1、ml2及ml3。另外，布線wr11包含于比最上層的布線層ml3更靠下層的布線層ml1，布線wr21包含于比最上層的布線層ml3更靠下層的布線層ml2。

此外，遮光膜sf1也可以包含于比最上層的布線層更靠下層的布線層，布線wr11或布線wr21也可以包含于比遮光膜更靠上層的布線層。

在層間絕緣膜il3、遮光膜sf1及布線wr3上形成有由例如氮化硅膜構(gòu)成的絕緣膜il4。

在相鄰的2個(gè)像素pu之間，在絕緣膜il4上形成有由例如氧化硅膜構(gòu)成的隔壁bw。

在相鄰的隔壁bw彼此之間形成有彩色濾光片cf。彩色濾光片cf是使例如紅(r)、綠(g)或藍(lán)(b)等的特定顏色的光透射而使其他顏色的光不透射的膜。

作為本實(shí)施方式1的半導(dǎo)體器件的攝像元件通過(guò)各像素pu所含有的光電二極管pd將從半導(dǎo)體襯底sb的主面?zhèn)燃瓷媳砻鎮(zhèn)认蚋飨袼豴u照射的光作為入射光來(lái)接受并轉(zhuǎn)換成電荷，并將轉(zhuǎn)換后的電荷作為信號(hào)信息讀取，由此得到圖像信息數(shù)據(jù)等。

在彩色濾光片cf上，形成有上表面為凸曲面的微透鏡ml。微透鏡ml是上表面彎曲的凸透鏡，由光能夠透射的膜構(gòu)成。微透鏡ml將從半導(dǎo)體襯底sb的主面?zhèn)燃瓷媳砻鎮(zhèn)认蚋飨袼豴u照射的光聚光到光電二極管pd。

如圖3所示，在本實(shí)施方式1中，在俯視時(shí)，各像素pu中的與多個(gè)像素pu的排列的中心側(cè)的部分相鄰的布線wr11相對(duì)于該像素pu所含有的光電二極管pd的相對(duì)位置，越靠近多個(gè)像素pu的排列的周邊側(cè)，越偏向多個(gè)像素pu的排列的中心側(cè)。另外，在俯視時(shí)，各像素pu中的與多個(gè)像素pu的排列的中心側(cè)的部分相鄰的布線wr21相對(duì)于該像素pu所含有的光電二極管pd的相對(duì)位置，越靠近多個(gè)像素pu的排列的周邊側(cè)，越偏向多個(gè)像素pu的排列的中心側(cè)。而且，在俯視時(shí)，各像素pu所含有的開(kāi)口部op1相對(duì)于該像素pu所含有的光電二極管pd的相對(duì)位置，越靠近多個(gè)像素pu的排列的周邊側(cè)，越偏向多個(gè)像素pu的排列的中心側(cè)。而且，就同一像素pu而言，布線wr11的偏移量ds1、布線wr21的偏移量ds2、開(kāi)口部op1的偏移量ds3按照偏移量ds1、偏移量ds2、偏移量ds3的順序變大。

(布線布局)

以下，對(duì)布線層中的布線布局進(jìn)行說(shuō)明。以下，以第一層的布線層ml1中的布線布局為例進(jìn)行說(shuō)明，但關(guān)于例如第二層等第一層以外的層的布線層中的布線布局，也能夠與第一層同樣。

圖4及圖5是表示實(shí)施方式1中的第一層的布線層的布線布局的俯視圖。圖5是圖4的區(qū)域rg1的放大俯視圖。

如圖4及圖5所示，第一層的布線層ml1具有多個(gè)布線wr11和多個(gè)布線wr12。多個(gè)布線wr11在作為半導(dǎo)體襯底sb(參照?qǐng)D3)的主面的上表面的區(qū)域aw11中，彼此同層地形成于第一層的布線層ml1。多個(gè)布線wr12在作為半導(dǎo)體襯底sb(參照?qǐng)D3)的主面的上表面的區(qū)域aw12中，分別與多個(gè)布線wr11同層地形成。區(qū)域aw12在俯視時(shí)配置在x軸方向上的區(qū)域aw11的一側(cè)的區(qū)域。另外，圖4中省略了圖示，但在區(qū)域aw11中形成有多個(gè)像素pu(參照?qǐng)D1)，在區(qū)域aw12中形成有周邊電路。

多個(gè)布線wr11在區(qū)域aw11中在俯視時(shí)分別沿x軸方向延伸，并且沿y軸方向以間距pt11排列。多個(gè)布線wr12在區(qū)域aw12中在俯視時(shí)分別沿x軸方向延伸，并且沿y軸方向以間距pt12排列。

在圖4及圖5所示的例子中，第一層的布線層ml1具有多個(gè)連接布線cw1。即，多個(gè)連接布線cw1分別與多個(gè)布線wr11同層地形成。多個(gè)布線wr11分別經(jīng)由多個(gè)連接布線cw1與多個(gè)布線wr12連接。通過(guò)這樣的配置，使得多個(gè)布線wr11分別與多個(gè)布線wr12的每一個(gè)電連接。

多個(gè)布線wr12與周邊電路所含有的例如晶體管等連接。因此，多個(gè)布線wr11分別經(jīng)由多個(gè)布線wr12的每一個(gè)與周邊電路連接。

如圖4及圖5所示，間距pt11比間距pt12小。通過(guò)這樣的配置，能夠使形成有像素pu(參照?qǐng)D1)的區(qū)域aw11中的相鄰的2個(gè)布線wr11之間的間隔比形成有周邊電路的區(qū)域aw12中的相鄰的2個(gè)布線wr12之間的間隔短。

如圖5所示，優(yōu)選的是，各布線wr11的靠區(qū)域aw12側(cè)的端部ep11的沿y軸方向的寬度wd11比多個(gè)布線wr12中的與該各布線wr11連接的布線wr12的靠區(qū)域aw11側(cè)的端部ep12的沿y軸方向的寬度wd12窄。

使用后述的圖12～圖16說(shuō)明的那樣，從具有區(qū)域aw12到區(qū)域aw13沿x軸方向延伸且沿y軸方向排列的布線的掩膜數(shù)據(jù)dat1中，截出配置在區(qū)域aw13的部分。而且，在針對(duì)截出的部分以被截出的部分內(nèi)的位置(以下也稱為“收縮中心位置”)ct11為中心進(jìn)行縮小處理之后，再粘貼至原來(lái)的掩膜數(shù)據(jù)dat1。由此，能夠容易地創(chuàng)建具有多個(gè)布線wr11和多個(gè)布線wr12的掩膜數(shù)據(jù)dat1a。

另外，在這樣的情況下，多個(gè)布線wr11中的某一個(gè)布線wr11在俯視時(shí)配置成比多個(gè)布線wr12中的與該某一個(gè)布線wr11連接的布線wr12更偏向y軸方向上的收縮中心位置ct11側(cè)。另外，多個(gè)布線wr11中的、在多個(gè)布線wr11的排列的在y軸方向上的負(fù)側(cè)的端部配置的布線wr11，在俯視時(shí)配置在比多個(gè)布線wr12中的與該布線wr11連接的布線wr12更偏向y軸方向上的正側(cè)。

此外，在各布線wr11的寬度wd11彼此相等、且各布線wr12的寬度wd12彼此相等的情況下，各布線wr11的寬度wd11也可以比各布線wr12的寬度wd12窄。

如圖5所示，多個(gè)連接布線cw1的各連接布線cw1的y軸方向上的寬度wc1比多個(gè)布線wr11中的與該各連接布線cw1連接的布線wr11的靠區(qū)域aw12側(cè)的端部ep11的沿y軸方向的寬度wd11寬。另外，各連接布線cw1的y軸方向上的寬度wc1在多個(gè)布線wr12中的與該各連接布線cw1連接的布線wr12的靠區(qū)域aw11側(cè)的端部ep12的沿y軸方向的寬度wd12以上。

由此，即使在彼此具有不同的y軸方向上寬度的布線wr11和布線wr12在y軸方向上錯(cuò)開(kāi)地配置的情況下，也能夠?qū)⒉季€wr11的端部ep11的x軸方向上的靠區(qū)域aw12側(cè)的側(cè)面整個(gè)面與連接布線cw1連接。另外，能夠?qū)⒉季€wr12的端部ep12的x軸方向上的區(qū)域aw11側(cè)的側(cè)面整個(gè)面與連接布線cw1連接。

如圖5所示，多個(gè)連接布線cw1中的連接布線cw1a與多個(gè)布線wr11中的布線wr11a連接，并且與多個(gè)布線wr12中的布線wr12a連接。將連接布線cw1a的y軸方向上的靠近收縮中心位置ct11側(cè)的側(cè)面作為側(cè)面sc1，將連接布線cw1a的與y軸方向上的靠近收縮中心位置ct11側(cè)的相反一側(cè)的側(cè)面作為側(cè)面sc2。另外，將布線wr11a的端部ep11的y軸方向上的靠近收縮中心位置ct11側(cè)的側(cè)面作為側(cè)面sw11，將布線wr11a的端部ep11的與y軸方向上的靠近收縮中心位置ct11側(cè)的相反一側(cè)的側(cè)面作為側(cè)面sw12。而且，將布線wr12a的端部ep12的y軸方向上的靠近收縮中心位置ct11側(cè)的側(cè)面作為側(cè)面sw21，將布線wr12a的端部ep12的與y軸方向上的靠近收縮中心位置ct11側(cè)的相反一側(cè)的側(cè)面作為側(cè)面sw22。

此時(shí)，優(yōu)選的是，側(cè)面sc1和側(cè)面sw11形成同一面，側(cè)面sc2和側(cè)面sw22形成同一面。由此，將布線wr11a的端部ep11的x軸方向上的靠區(qū)域aw12側(cè)的側(cè)面整個(gè)面與連接布線cw1a連接，將布線wr12a的端部ep12的x軸方向上的區(qū)域aw11側(cè)的側(cè)面整個(gè)面與連接布線cw1a連接，并且能夠使連接布線cw1a的寬度wc1最窄。

(布線布局的設(shè)計(jì)方法)

以下，將曝光用掩膜的制造方法包含在內(nèi)地說(shuō)明布線層中的布線布局的設(shè)計(jì)方法。以下，首先，在說(shuō)明了最上層的布線層中的布線布局的設(shè)計(jì)方法之后，說(shuō)明與最上層相比靠下層的布線層中的布線布局的設(shè)計(jì)方法。此外，布線層以外的各層的布局例如芯片布局也能夠同樣設(shè)計(jì)。

圖6～圖10是表示實(shí)施方式1中的最上層的布線層的布線布局?jǐn)?shù)據(jù)的俯視圖。

首先，創(chuàng)建芯片布局?jǐn)?shù)據(jù)。在該工序中，創(chuàng)建用于創(chuàng)建作為半導(dǎo)體器件的攝像元件的各制造工序中使用的掩膜數(shù)據(jù)的芯片布局?jǐn)?shù)據(jù)，來(lái)作為gds2流數(shù)據(jù)。

其次，如圖6所示，創(chuàng)建掩膜數(shù)據(jù)。通過(guò)掩膜尺寸效應(yīng)或光學(xué)鄰近效應(yīng)(opticalproximityeffect)，使得在形成在作為曝光用掩膜的光罩的表面上的曝光用圖案、和形成在半導(dǎo)體襯底上的抗蝕圖案之間產(chǎn)生形狀差。因此，為了修正上述形狀差，針對(duì)各層中的布局?jǐn)?shù)據(jù)進(jìn)行被稱為所謂的opc處理的修正處理等，來(lái)創(chuàng)建作為各層的圖案數(shù)據(jù)的掩膜數(shù)據(jù)。此時(shí)，如圖6所示，針對(duì)最上層的布線層ml3創(chuàng)建作為圖案數(shù)據(jù)的掩膜數(shù)據(jù)dat3。

掩膜數(shù)據(jù)dat3具有：平面fs的一部分的區(qū)域即區(qū)域ar1、以及平面fs的一部分的區(qū)域即區(qū)域ar2。區(qū)域ar1是將多個(gè)像素pu例如沿x軸方向及y軸方向排列成矩陣狀的區(qū)域，即像素區(qū)域。區(qū)域ar2是形成周邊電路的區(qū)域，即周邊電路區(qū)域。

如圖6所示，在掩膜數(shù)據(jù)dat3中，在區(qū)域ar1中配置有遮光膜sf1，在區(qū)域ar2中配置有布線wr3。另外，在遮光膜sf1中的形成有像素pu的部分即入射了光的部分，為了使光入射到像素pu所含有的光電二極管pd(參照?qǐng)D2)，而針對(duì)每個(gè)像素pu配置有開(kāi)口部op1。

然后，如圖7所示，截出部分掩膜數(shù)據(jù)。在該工序中，截出由最上層的布線層ml3的掩膜數(shù)據(jù)dat3中的配置在區(qū)域aw33中的部分構(gòu)成的、作為圖案數(shù)據(jù)的部分掩膜數(shù)據(jù)dat33。這里，區(qū)域aw33是區(qū)域ar1中的包含形成有多個(gè)像素pu的區(qū)域在內(nèi)的區(qū)域。另外，將區(qū)域ar1及區(qū)域ar2中的區(qū)域aw33以外的區(qū)域作為區(qū)域aw32。

將遮光膜sf1中的配置在區(qū)域aw33中的部分作為遮光膜sf11。另外，將遮光膜sf1中的配置在區(qū)域aw32的部分作為遮光膜sf12。

然后，如圖8所示，進(jìn)行收縮處理。在該工序中，對(duì)于被截出的部分掩膜數(shù)據(jù)dat33，以部分掩膜數(shù)據(jù)dat33內(nèi)的位置ct31為中心，進(jìn)行以恒定的倍率縮小的縮小處理即收縮處理。由此，創(chuàng)建出具有形成有分別縮小的多個(gè)開(kāi)口部op1的遮光膜sf11的、作為圖案數(shù)據(jù)的縮小部分掩膜數(shù)據(jù)dat31。

然后，如圖9所示，粘貼縮小部分掩膜數(shù)據(jù)。在該工序中，為了使縮小部分掩膜數(shù)據(jù)dat31內(nèi)的位置ct31成為與區(qū)域aw33的中心側(cè)的位置ct32(參照?qǐng)D7)處于相同坐標(biāo)，將縮小部分掩膜數(shù)據(jù)dat31粘貼在平面fs的區(qū)域aw33內(nèi)的區(qū)域且從區(qū)域aw32分離的區(qū)域即區(qū)域aw31。此時(shí)，區(qū)域aw31和區(qū)域aw32之間的區(qū)域是沒(méi)有創(chuàng)建掩膜數(shù)據(jù)的間隙區(qū)域aw34。

然后，如圖10所示，創(chuàng)建間隙部分掩膜數(shù)據(jù)。在該工序中，在間隙區(qū)域aw34中，形成作為圖案數(shù)據(jù)的間隙部分掩膜數(shù)據(jù)dat34，通過(guò)間隙部分掩膜數(shù)據(jù)dat34將間隙區(qū)域aw34填埋。由此，創(chuàng)建具有縮小部分掩膜數(shù)據(jù)dat31、間隙部分掩膜數(shù)據(jù)dat34和掩膜數(shù)據(jù)dat3的、作為圖案數(shù)據(jù)的掩膜數(shù)據(jù)dat3a。

掩膜數(shù)據(jù)dat3a是最上層的布線層ml3中的布線布局?jǐn)?shù)據(jù)，因此，間隙部分掩膜數(shù)據(jù)dat34由配置在間隙區(qū)域aw34整個(gè)面上的遮光膜sf13構(gòu)成。由此，配置由遮光膜sf11、sf12及sf13構(gòu)成的遮光膜sf1。

接著，包含曝光用掩膜的制造方法在內(nèi)地說(shuō)明與最上層相比靠下層的布線層中的布線布局的設(shè)計(jì)方法。

圖11是表示布線布局的設(shè)計(jì)工序及曝光用掩膜的制造工序的一部分的工藝流程圖。圖12～圖16是表示實(shí)施方式1中的第一層的布線層的布線布局?jǐn)?shù)據(jù)的俯視圖。

此外，以下，例示并說(shuō)明第一層的布線層ml1中的設(shè)計(jì)方法，但也能夠適用于例如第二層的布線層ml2等第一層以外的布線層中的設(shè)計(jì)方法。另外，以下，省略與上述最上層的布線層ml3中的設(shè)計(jì)方法共同的部分的說(shuō)明。

首先，在創(chuàng)建芯片布局?jǐn)?shù)據(jù)之后，如圖12所示，創(chuàng)建掩膜數(shù)據(jù)(圖11的步驟s1)。在該步驟s1中，針對(duì)第一層的布線層ml1中的布局?jǐn)?shù)據(jù)進(jìn)行被稱為所謂的opc處理的修正處理等，并準(zhǔn)備第一層的布線層ml1的作為圖案數(shù)據(jù)的掩膜數(shù)據(jù)dat1。掩膜數(shù)據(jù)dat1具有：平面fs的一部分的區(qū)域即區(qū)域ar1、以及平面fs的一部分的區(qū)域即區(qū)域ar2。雖然在圖12中未圖示，但多個(gè)像素pu(參照?qǐng)D6)配置在作為像素區(qū)域的區(qū)域ar1的一部分的區(qū)域即區(qū)域aw13內(nèi)。另外，將區(qū)域ar1及區(qū)域ar2中的區(qū)域aw13以外的區(qū)域作為區(qū)域aw12。

如圖12所示，在掩膜數(shù)據(jù)dat1中，從區(qū)域ar1到區(qū)域ar2，配置有多個(gè)布線(布線圖案)wr13。多個(gè)布線wr13分別沿x軸方向延伸，并且沿y軸方向以間距pt12排列。即，掩膜數(shù)據(jù)dat1具有在區(qū)域aw13中分別沿x軸方向延伸并且沿y方向以間距pt12排列的多個(gè)布線(布線圖案)wr13、以及在區(qū)域aw12中分別沿x軸方向延伸并且沿y軸方向以間距pt12排列的多個(gè)布線(布線圖案)wr13。

然后，如圖13所示，截出部分掩膜數(shù)據(jù)(圖11的步驟s2)。在該步驟s2中，截出第一層的布線層ml1的掩膜數(shù)據(jù)dat1中由配置在區(qū)域aw13的部分構(gòu)成的作為圖案數(shù)據(jù)的部分掩膜數(shù)據(jù)dat13。

將布線wr13中的配置在區(qū)域aw13的部分作為布線(布線圖案)wr11。另外，將布線wr13中的配置在區(qū)域aw12的部分作為布線(布線圖案)wr12。此時(shí)，多個(gè)布線wr11分別沿x軸方向延伸，并且沿y軸方向以間距pt12排列。另外，多個(gè)布線wr12分別沿x軸方向延伸，并且沿y軸方向以間距pt12排列。

然后，如圖14所示，進(jìn)行收縮處理(圖11的步驟s3)。在該步驟s3中，針對(duì)被截出的部分掩膜數(shù)據(jù)dat13，以部分掩膜數(shù)據(jù)dat13內(nèi)的位置ct11為中心，進(jìn)行以恒定的倍率縮小的縮小處理即收縮處理。由此，創(chuàng)建由分別被縮小的多個(gè)布線(布線圖案)wr11構(gòu)成的作為圖案數(shù)據(jù)的縮小部分掩膜數(shù)據(jù)dat11。多個(gè)布線wr11分別沿x軸方向延伸，并且沿y軸方向以間距pt11排列。間距pt11比間距pt12小。

然后，如圖15所示，粘貼縮小部分掩膜數(shù)據(jù)(圖11的步驟s4)。在該步驟s4中，為了使縮小部分掩膜數(shù)據(jù)dat11內(nèi)的位置ct11與區(qū)域aw13內(nèi)的位置ct12(參照?qǐng)D13)處于相同坐標(biāo)，將縮小部分掩膜數(shù)據(jù)dat11粘貼在平面fs的區(qū)域aw13內(nèi)的區(qū)域且與區(qū)域aw12分離的區(qū)域的區(qū)域aw11。此時(shí)，區(qū)域aw11和區(qū)域aw12之間的區(qū)域是沒(méi)有創(chuàng)建掩膜數(shù)據(jù)的間隙區(qū)域aw14。

然后，如圖16所示，創(chuàng)建間隙部分掩膜數(shù)據(jù)(圖11的步驟s5)。在該步驟s5中，在間隙區(qū)域aw14中，形成作為圖案數(shù)據(jù)的間隙部分掩膜數(shù)據(jù)dat14，通過(guò)間隙部分掩膜數(shù)據(jù)dat14將間隙區(qū)域aw14填埋。由此，創(chuàng)建具有縮小部分掩膜數(shù)據(jù)dat11、間隙部分掩膜數(shù)據(jù)dat14和掩膜數(shù)據(jù)dat1的、作為圖案數(shù)據(jù)的掩膜數(shù)據(jù)dat1a。

間隙部分掩膜數(shù)據(jù)dat14具有多個(gè)連接布線(布線圖案)cw1。多個(gè)連接布線cw1分別將多個(gè)布線wr11的每一個(gè)與多個(gè)布線wr12的每一個(gè)連接。

在圖5所示的例子中，由布線wr12a的端部ep12的x軸方向上的正側(cè)的側(cè)面、和布線wr12a的端部ep12的y軸方向上的正側(cè)的側(cè)面sw21形成的角部的坐標(biāo)為(xp1，yp1)。另外，由布線wr12a的端部ep12的x軸方向上的正側(cè)的側(cè)面、和布線wr12a的端部ep12的y軸方向上的負(fù)側(cè)的側(cè)面sw22形成的角部的坐標(biāo)為(xp2，yp2)。另一方面，由布線wr11a的端部ep11的x軸方向上的負(fù)側(cè)的側(cè)面、和布線wr11a的端部ep11的y軸方向上的正側(cè)的側(cè)面sw11形成的角部的坐標(biāo)為(xp3，yp3)。另外，由布線wr11a的端部ep11的x軸方向上的負(fù)側(cè)的側(cè)面、和布線wr11a的端部ep11的y軸方向上的負(fù)側(cè)的側(cè)面sw12形成的角部的坐標(biāo)為(xp4，yp4)。

這里，將考慮了第一層的布線層ml1的掩膜尺寸效應(yīng)或opc處理的最小線寬設(shè)為寬度w00，將第一層的布線層ml1中的收縮處理中的縮小倍率即收縮率設(shè)為α。此時(shí)，布線wr11配置成使布線wr11的寬度wd11在由下述式(1)定義的寬度w1以上。

w1＝w00+(1-α)×|yp2|(1)

在圖5所示的例子中，產(chǎn)生如下的矩形形狀：連接布線cw1的x軸方向上的負(fù)側(cè)及y軸方向上的正側(cè)(圖5中左上)的角部的坐標(biāo)為(xp1，yp3)，連接布線cw1的x軸方向上的正側(cè)及y軸方向上的負(fù)側(cè)(圖5中右下)的角部的坐標(biāo)為(xp4，yp2)。由此，能夠容易地創(chuàng)建具有矩形形狀的連接布線(布線圖案)cw1。

換言之，在圖5所示的例子中，連接布線(布線圖案)cw1是通過(guò)將配置在區(qū)域aw11的布線(布線圖案)wr11和配置在區(qū)域aw11的布線(布線圖案)wr12以彼此重疊的方式分別延長(zhǎng)至間隙區(qū)域aw14而創(chuàng)建的。

此時(shí)，y軸方向上相鄰的2個(gè)連接布線cw1之間的y軸方向上的間隔寬度sp1在第一層的布線層ml1中的考慮了掩膜尺寸效應(yīng)或opc處理的最小間隔寬度以上。

此外，布線wr11和布線wr12重疊的區(qū)域在x軸方向上的長(zhǎng)度也可以比間隙區(qū)域aw14在x軸方向上的長(zhǎng)度短，也可以比間隙區(qū)域aw14在x軸方向上的長(zhǎng)度長(zhǎng)。在這樣的情況下，也能夠得到與圖5所示的情況同樣的效果。

然后，制造曝光用掩膜(圖11的步驟s6)。在該步驟s6中，使用掩膜數(shù)據(jù)dat1a制造曝光用掩膜msk。

如使用后述的圖21說(shuō)明的那樣，曝光用掩膜msk具有：基體bs；形成在基體bs的表面上的由例如金屬膜等的遮光膜構(gòu)成的曝光用圖案ptn1；以及形成在基體的表面上的由例如金屬膜等的遮光膜構(gòu)成的曝光用圖案ptn2。曝光用圖案ptn1是基于掩膜數(shù)據(jù)dat1a的多個(gè)布線圖案形成的，用于形成多個(gè)布線wr11。另外，曝光用圖案ptn2是基于掩膜數(shù)據(jù)dat1a的多個(gè)布線圖案形成的，用于形成多個(gè)布線wr12。

在本實(shí)施方式1中，曝光用掩膜msk具有形成在基體bs的表面上的由例如金屬膜等的遮光膜構(gòu)成的曝光用圖案ptn3。曝光用圖案ptn3是基于掩膜數(shù)據(jù)dat1a的多個(gè)布線圖案形成的，用于形成多個(gè)連接布線gw1。

另外，布線wr11及布線wr12各自也可以在俯視時(shí)不具有矩形形狀。這樣的例子如圖17所示。圖17是表示實(shí)施方式1中的第一層的布線層中的配置布局的另一例的俯視圖。

如圖17所示，布線wr11具有靠區(qū)域ar2側(cè)的端部ep11和與端部ep11連接并沿x軸方向延伸的延伸部ex11，端部ep11的y軸方向上的寬度wd11也可以在延伸部ex11的y軸方向上的寬度wd13以上。另外，布線wr12具有靠區(qū)域aw11側(cè)的端部ep12和與端部ep12連接并沿x軸方向延伸的延伸部ex12，端部ep12的y軸方向上的寬度wd12也可以在延伸部ex12的y軸方向上的寬度wd14以上。

此時(shí)，在端部ep11與端部ep12相比偏向y軸方向上的正側(cè)的情況下，連接布線cw1的y軸方向上的正側(cè)的側(cè)面sc1和端部ep11的y軸方向上的正側(cè)的側(cè)面sw11形成同一面。另外，連接布線cw1的y軸方向上的負(fù)側(cè)的側(cè)面sc2和端部ep12的y軸方向上的負(fù)側(cè)的側(cè)面sw22形成同一面。

即使在圖17所示的情況下，關(guān)于端部ep11、端部ep12及連接布線cw1，通過(guò)與使用圖11～圖16說(shuō)明的設(shè)計(jì)方法同樣的設(shè)計(jì)方法，與圖4所示的情況同樣地，也能夠容易地創(chuàng)建具有矩形形狀的作為連接布線cw1的連接圖案，能夠得到與圖5所示的情況同樣的效果。

(半導(dǎo)體器件的制造方法)

以下，關(guān)于本實(shí)施方式1的半導(dǎo)體器件的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。圖18是表示實(shí)施方式1的半導(dǎo)體器件的制造工序的一部分的制造工藝流程圖。圖19～圖24是實(shí)施方式1的半導(dǎo)體器件的制造工序中的主要部分剖視圖。此外，圖19～圖24表示與圖3的剖視圖對(duì)應(yīng)的截面。

首先，形成光電二極管pd(圖18的步驟s11)。

在該步驟s11中，首先，如圖19所示，準(zhǔn)備由例如單晶硅(si)等構(gòu)成的半導(dǎo)體襯底sb。

其次，如圖19所示，分別在形成有像素的像素區(qū)域即區(qū)域ar1(參照?qǐng)D1)，形成構(gòu)成各像素的光電二極管pd、傳輸用晶體管tx及放大用晶體管等。

在區(qū)域ar1(參照?qǐng)D1)中，在半導(dǎo)體襯底sb的上表面?zhèn)龋纬捎袚饺肓死缗?b)等的p型的雜質(zhì)的p型半導(dǎo)體層pw。另一方面，在區(qū)域ar1中，在p型半導(dǎo)體層pw的上層部，形成有摻入了例如磷(p)或砷(as)等的n型的雜質(zhì)的n型半導(dǎo)體層nw。因此，在區(qū)域ar1中，p型半導(dǎo)體層pw形成在n型半導(dǎo)體層nw的正下方。p型半導(dǎo)體層pw及n型半導(dǎo)體層nw形成pn結(jié)，構(gòu)成光電二極管pd。即，在區(qū)域ar1中，在半導(dǎo)體襯底sb的上表面上形成多個(gè)光電二極管pd。

在區(qū)域ar1(參照?qǐng)D1)中，在半導(dǎo)體襯底sb的上表面上，隔著由例如氧化硅膜構(gòu)成的柵極絕緣膜gi，形成有由例如多晶硅膜構(gòu)成的柵極電極ge。在柵極電極ge的側(cè)面上，形成有由例如氧化硅膜構(gòu)成的側(cè)壁sw。柵極電極ge是傳輸用晶體管tx的柵極電極。另一方面，構(gòu)成光電二極管pd的n型半導(dǎo)體層nw兼用作傳輸用晶體管tx的源極區(qū)域。

此外，在圖19中，省略了傳輸用晶體管tx的漏極區(qū)域的圖示。另外，光電二極管pd經(jīng)由傳輸用晶體管tx與對(duì)光電二極管pd中輸出的信號(hào)進(jìn)行放大的放大用晶體管等的晶體管連接，但在這里，僅圖示了傳輸用晶體管tx，省略了元件隔離區(qū)域等的圖示。

然后，形成層間絕緣膜il(圖18的步驟s12)。在該步驟s12中，如圖20所示，在形成有各像素pu(參照?qǐng)D3)的區(qū)域中，以覆蓋光電二極管pd及傳輸用晶體管tx等的半導(dǎo)體元件的方式，在半導(dǎo)體襯底sb的上表面上通過(guò)例如cvd(chemicalvapordeposition：化學(xué)沉積)法形成由例如氧化硅膜構(gòu)成的層間絕緣膜il。另外，通過(guò)cmp法等使層間絕緣膜il的上表面平坦化。

此外，也可以在光電二極管pd的上表面、柵極電極ge的上表面及形成在柵極電極ge的側(cè)面上的側(cè)壁sw的表面上形成由例如氮化硅膜構(gòu)成的覆蓋絕緣膜cap。在這樣的情況下，層間絕緣膜il隔著覆蓋絕緣膜cap形成在光電二極管pd上及傳輸用晶體管tx上。

另外，在形成了層間絕緣膜il之后，形成了貫穿層間絕緣膜il到達(dá)半導(dǎo)體襯底sb的接觸孔(省略圖示)，通過(guò)利用金屬膜填埋所形成的接觸孔內(nèi)，能夠形成多個(gè)由被埋入接觸孔內(nèi)的金屬膜構(gòu)成的接觸插塞(省略圖示)。在該情況下，通過(guò)cmp法等使接觸插塞的上表面及層間絕緣膜il的上表面平坦化。

然后，如圖21及圖22所示，形成層間絕緣膜il1及布線wr11(步驟s13)。

在該步驟s13中，首先，在層間絕緣膜il上，通過(guò)將例如四乙氧基硅烷(tetraethylorthosilicate；teos)氣體作為原料氣體的cvd法，形成由氧化硅(sio2)膜構(gòu)成的層間絕緣膜il1。

接著，使用所謂的單鑲嵌法，形成埋入至層間絕緣膜il1的上表面的布線槽tr11的布線wr11。

首先，進(jìn)行光刻工序及蝕刻工序來(lái)對(duì)層間絕緣膜il1進(jìn)行圖案化，由此，在形成有相鄰的2個(gè)像素的區(qū)域之間的區(qū)域中，形成有貫穿層間絕緣膜il1的多個(gè)布線槽tr11。

在對(duì)該層間絕緣膜il1進(jìn)行圖案化的工序中，首先，在層間絕緣膜il1上形成抗蝕膜rf1。其次，使用曝光用掩膜msk對(duì)抗蝕膜rf1進(jìn)行圖案曝光。

曝光用掩膜msk具有：基體bs；形成在基體bs的表面上的由例如金屬膜等的遮光膜構(gòu)成的曝光用圖案ptn1；以及形成在基體bs的表面上的由例如金屬膜等的遮光膜構(gòu)成的曝光用圖案ptn2。曝光用圖案ptn1用于形成多個(gè)布線wr11(參照?qǐng)D22)，曝光用圖案ptn2用于形成多個(gè)布線wr12(參照?qǐng)D4)。另外，曝光用掩膜msk具有形成在基體bs的表面上的由例如金屬膜等的遮光膜構(gòu)成的曝光用圖案ptn3。曝光用圖案ptn3用于形成多個(gè)連接布線cw1(參照?qǐng)D4)。

然后，通過(guò)對(duì)圖案曝光的抗蝕膜rf1進(jìn)行顯影，如圖21所示，在區(qū)域aw11(參照?qǐng)D4)中形成用于形成多個(gè)布線wr11的抗蝕圖案rp1，在區(qū)域aw12(參照?qǐng)D4)中形成用于形成多個(gè)布線wr12(參照?qǐng)D4)的抗蝕圖案rp2。另外，在間隙區(qū)域aw14(參照?qǐng)D4)中形成用于形成多個(gè)連接布線cw1(參照?qǐng)D4)的抗蝕圖案rp3。

然后，將抗蝕圖案rp1、rp2及rp3用作蝕刻用掩膜來(lái)蝕刻層間絕緣膜il1。由此，形成了用于形成多個(gè)布線wr11的多個(gè)布線槽tr11、用于形成多個(gè)布線wr12的多個(gè)布線槽tr12、和用于形成多個(gè)連接布線cw1的多個(gè)布線槽tr13。在蝕刻該層間絕緣膜il1的工序中，能夠通過(guò)將例如包含氟化碳(氟碳)氣體在內(nèi)的氣體作為蝕刻氣體的干式蝕刻法對(duì)層間絕緣膜il1進(jìn)行蝕刻。

然后，如圖22所示，在多個(gè)布線槽tr11、多個(gè)布線槽tr12及多個(gè)布線槽tr13各自的內(nèi)部，作為導(dǎo)電膜而埋入例如銅(cu)膜。由此，在區(qū)域aw11(參照?qǐng)D4)中，在布線槽tr11內(nèi)形成布線wr11，在區(qū)域aw12(參照?qǐng)D4)中，在布線槽tr12內(nèi)與布線wr11同層地形成布線wr12，在間隙區(qū)域aw14(參照?qǐng)D4)中，在布線槽tr13內(nèi)與布線wr11同層地形成連接布線cw1。布線wr11經(jīng)由上述接觸插塞與形成在半導(dǎo)體襯底sb的上表面上的光電二極管pd或傳輸用晶體管tx等的半導(dǎo)體元件電連接。

布線wr11形成在形成有相鄰的2個(gè)像素pu(參照?qǐng)D3)的區(qū)域之間的區(qū)域，由此，能夠防止或抑制在光入射到多個(gè)像素pu各自的光電二極管pd時(shí)入射光被布線wr11遮擋的情況。布線wr11及層間絕緣膜il1各自的上表面通過(guò)cmp法等被平坦化。

此外，布線wr11不限于銅布線，也能夠由鋁(al)布線形成。在這樣的情況下，首先，在層間絕緣膜il上形成由鋁膜構(gòu)成的導(dǎo)電膜，在導(dǎo)電膜上形成抗蝕膜。其次，使用曝光用掩膜對(duì)抗蝕膜進(jìn)行圖案曝光并顯影，由此，在區(qū)域aw11(參照?qǐng)D4)中，形成用于形成多個(gè)布線wr11的第一抗蝕圖案(未圖示)，在區(qū)域aw12(參照?qǐng)D4)中，形成用于形成多個(gè)布線wr12的第二抗蝕圖案(未圖示)。另外，在間隙區(qū)域aw14(參照?qǐng)D4)中，形成用于形成多個(gè)連接布線cw1的第三抗蝕圖案(未圖示)。

然后，將第一抗蝕圖案、第二抗蝕圖案及第三抗蝕圖案用作蝕刻用掩膜來(lái)蝕刻導(dǎo)電膜。由此，在區(qū)域aw11(參照?qǐng)D4)中，在半導(dǎo)體襯底sb的上方，彼此同層地形成由導(dǎo)電膜構(gòu)成的多個(gè)布線wr11，在區(qū)域aw12(參照?qǐng)D4)中，分別與多個(gè)布線wr11同層地形成由導(dǎo)電膜構(gòu)成的多個(gè)布線wr12。另外，在間隙區(qū)域aw14(參照?qǐng)D4)中，分別與多個(gè)布線wr11同層地形成由導(dǎo)電膜構(gòu)成的多個(gè)連接布線cw1。

即，在步驟s13中，使用曝光用掩膜進(jìn)行光刻工序，由此，在區(qū)域aw11中，在半導(dǎo)體襯底sb的上方形成多個(gè)布線wr11，在區(qū)域aw12中，分別與多個(gè)布線wr11同層地形成多個(gè)布線wr12。

然后，如圖23所示，形成層間絕緣膜il2及布線wr21(步驟s14)。在該步驟s14中，首先，在層間絕緣膜il1上及布線wr11上，通過(guò)例如將三甲基硅烷(sih(ch3)3)氣體和氧氣(o2)氣體作為原料氣體的cvd法，形成由含碳氧化硅(sioc)膜構(gòu)成的層間絕緣膜il2。

然后，使用所謂的雙鑲嵌法形成被埋入在層間絕緣膜il2的上表面的布線槽tr2中的布線wr21、以及在布線wr21的正下方連接布線wr21及wr11的連接柱(省略圖示)。

首先，使用光刻技術(shù)及蝕刻法對(duì)層間絕緣膜il2進(jìn)行圖案化。由此，在層間絕緣膜il2的上表面上形成多個(gè)布線槽tr2，另外，在這些布線槽tr2的底面上，形成貫穿層間絕緣膜il2的多個(gè)過(guò)孔(省略圖示)。

在對(duì)該層間絕緣膜il2進(jìn)行圖案化的工序中，能夠通過(guò)例如將包含氟化碳(氟碳)氣體在內(nèi)的氣體作為蝕刻氣體的干式蝕刻法來(lái)蝕刻層間絕緣膜il2。

然后，通過(guò)向多個(gè)布線槽tr2及多個(gè)過(guò)孔各自的內(nèi)部埋入例如銅(cu)膜，來(lái)形成各布線槽內(nèi)的布線wr21和各過(guò)孔內(nèi)的連接柱。布線wr21經(jīng)由上述連接柱與布線wr11電連接。

此外，層間絕緣膜il2、布線wr21及上述連接柱(省略圖示)構(gòu)成了第二層的布線層ml2。

布線wr21形成在形成有相鄰的2個(gè)像素pu(參照?qǐng)D3)的區(qū)域之間的區(qū)域。由此，能夠防止或抑制在光入射到像素pu各自含有的光電二極管pd時(shí)入射光被布線wr21遮擋的情況。此外，布線wr21及層間絕緣膜il2各自的上表面通過(guò)cmp法等被平坦化。

然后，如圖24所示，形成層間絕緣膜il3及遮光膜sf1(步驟s15)。在該步驟s15中，首先，在層間絕緣膜il2上及布線wr21上，通過(guò)例如將三甲基硅烷(sih(ch3)3)氣體和氧氣(o2)氣體作為原料氣體的cvd法，形成由含碳氧化硅(sioc)膜構(gòu)成的層間絕緣膜il3。

然后，使用所謂的雙鑲嵌法形成埋入在層間絕緣膜il3的上表面的布線槽中的布線wr3、以及在布線wr3的正下方連接布線wr3及wr21的連接柱(省略圖示)。

首先，使用光刻技術(shù)及蝕刻法對(duì)層間絕緣膜il3進(jìn)行圖案化。由此，在層間絕緣膜il3的上表面上形成多個(gè)布線槽tr3。在對(duì)該層間絕緣膜il3進(jìn)行圖案化的工序中，能夠通過(guò)例如將包含氟化碳(氟碳)氣體在內(nèi)的氣體作為蝕刻氣體的干式蝕刻法來(lái)蝕刻層間絕緣膜il3。

然后，通過(guò)向多個(gè)布線槽tr3各自的內(nèi)部埋入例如銅(cu)膜，來(lái)在各布線槽tr3內(nèi)形成遮光膜sf1。

此外，層間絕緣膜il3及遮光膜sf1構(gòu)成了最上層的布線層ml3。

遮光膜sf1形成在形成有相鄰的2個(gè)像素pu(參照?qǐng)D3)的區(qū)域之間的區(qū)域。由此，能夠防止或抑制在光入射到多個(gè)像素pu各自含有的光電二極管pd時(shí)入射光被遮光膜sf1遮擋的情況。此外，遮光膜sf1及層間絕緣膜il2各自的上表面通過(guò)cmp法等被平坦化。

然后，如圖3所示，形成絕緣膜il4(圖18的步驟s16)。在該步驟s16中，首先，在層間絕緣膜il3上及遮光膜sf1上，形成由例如氮化硅膜構(gòu)成的絕緣膜il4。

然后，如圖3所示，形成隔壁bw及彩色濾光片cf(圖18的步驟s17)。

在該步驟s17中，首先，在絕緣膜il4上，通過(guò)cvd法形成由例如氧化硅膜構(gòu)成的膜，并使用光刻技術(shù)及蝕刻法進(jìn)行圖案化。由此，在形成有相鄰的2個(gè)像素pu的區(qū)域之間的區(qū)域中，在絕緣膜il4上形成由例如氧化硅膜構(gòu)成的隔壁bw。

在該步驟s17中，接著，在相鄰的隔壁bw彼此之間，形成彩色濾光片cf。彩色濾光片cf由例如被著色成紅(r)、綠(g)及藍(lán)(b)各色的膜構(gòu)成。

然后，如圖3所示，形成微透鏡ml(圖18的步驟s18)。在該步驟s18中，在彩色濾光片cf上形成微透鏡ml。微透鏡ml是上表面彎曲的凸透鏡，由光能夠透射的膜構(gòu)成。微透鏡ml將從半導(dǎo)體襯底sb的主面?zhèn)燃瓷媳砻鎮(zhèn)认蚋飨袼豴u照射的光聚光到光電二極管pd。

例如在隔壁bw上及彩色濾光片cf上形成了膜之后，對(duì)所形成的膜加熱而使其熔融，使該膜的上表面的形狀變圓，由此能夠形成微透鏡ml。

以上，圖3所示的本實(shí)施方式1的半導(dǎo)體器件完成。

(關(guān)于陰影)

以下，關(guān)于陰影，一邊與比較例的半導(dǎo)體器件進(jìn)行比較一邊進(jìn)行說(shuō)明。圖25是表示比較例的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖26是表示比較例的第一層的布線層的布線布局的俯視圖。圖25是沿圖1的b-b線的剖視圖。此外，沿圖1的a-a線的剖視圖與圖2同樣。

作為比較例的半導(dǎo)體器件的攝像元件也與實(shí)施方式1的半導(dǎo)體器件的攝像元件同樣，具有cmos圖像傳感器。

作為比較例的半導(dǎo)體器件的攝像元件也在區(qū)域ar1中，具有形成在半導(dǎo)體襯底sb的上表面上的多個(gè)像素pu。多個(gè)像素pu在俯視時(shí)沿x軸方向及y軸方向以矩陣狀排列。多個(gè)像素pu分別具有光電二極管pd、傳輸用晶體管tx及放大用晶體管(未圖示)等。光電二極管pd是接受入射光并轉(zhuǎn)換成電荷的光電轉(zhuǎn)換元件。

在比較例的半導(dǎo)體器件中，也與實(shí)施方式1的半導(dǎo)體器件同樣，多個(gè)像素pu分別具有彩色濾光片cf及微透鏡ml。而且，比較例的半導(dǎo)體器件與實(shí)施方式1的半導(dǎo)體器件同樣地具有遮光膜sf1。

這里，入射到多個(gè)像素pu各自的入射光不限于從與半導(dǎo)體襯底sb的上表面垂直的方向入射。例如入射到以矩陣狀配置的多個(gè)像素pu中的、配置在多個(gè)像素pu的排列的周邊側(cè)的像素pu的入射光，從相對(duì)于與半導(dǎo)體襯底sb的上表面垂直的方向傾斜的方向入射。在這樣的情況下，入射到各像素pu的光的一部分不入射到該像素pu所含有的光電二極管pd，由此，光電二極管pd的靈敏度的降低，即產(chǎn)生陰影。

為了防止或抑制該陰影，對(duì)微透鏡ml、彩色濾光片cf及遮光膜sf1的開(kāi)口部op1，進(jìn)行以多個(gè)像素pu的排列的中心位置為中心縮小的縮小處理即收縮處理，使微透鏡ml、彩色濾光片cf及開(kāi)口部op1錯(cuò)開(kāi)。

在比較例的半導(dǎo)體器件中，關(guān)于遮光膜sf1的開(kāi)口部op1、彩色濾光片cf及微透鏡ml，與實(shí)施方式1同樣地，以配置有多個(gè)像素pu的區(qū)域ar1內(nèi)的位置為中心進(jìn)行收縮處理。即，在比較例的半導(dǎo)體器件中，對(duì)最上層的布線層ml3的掩膜數(shù)據(jù)進(jìn)行收縮處理。但是，在比較例的半導(dǎo)體器件中，與實(shí)施方式1不同，針對(duì)第一層的布線層ml1及第二層的布線層ml2的掩膜數(shù)據(jù)不進(jìn)行收縮處理。因此，如圖26所示，配置有多個(gè)像素pu的區(qū)域ar1中的布線wr11的間距與配置有周邊電路的區(qū)域ar2中的布線wr12的間距相等。

如圖25所示，在比較例的半導(dǎo)體器件中，向配置在多個(gè)像素pu的排列的周邊側(cè)的像素pu入射的入射光被與最上層的布線層ml3相比靠下層的第二層的布線層ml2或第一層的布線層ml1反射，因此不能恰當(dāng)?shù)厝肷涞礁飨袼豴u所含有的光電二極管pd，依然會(huì)產(chǎn)生陰影。

即，若僅對(duì)遮光膜sf1的開(kāi)口部op1進(jìn)行收縮處理，則入射到各像素pu的光會(huì)被半導(dǎo)體襯底sb的上方的布線層即與遮光膜sf1不同的層的布線層所含有的布線反射，因此難以防止或抑制陰影。由此，cmos圖像傳感器的靈敏度降低，半導(dǎo)體器件的性能降低。

另外，近年來(lái)，多個(gè)像素pu各自伴隨微型化或高功能化，為了使充分的光量的光入射到光電二極管pd，需要使各像素pu所含有的光電二極管pd的面積增加來(lái)使遮光膜sf1的開(kāi)口部op1的面積增加。另一方面，為了將多個(gè)像素pu各自高功能化，使第一層的布線層ml1所含有的布線的條數(shù)及第二層的布線層ml2所含的布線的條數(shù)增加。在這樣的情況下，在比較例的半導(dǎo)體器件中，基于第一層的布線層ml1及第二層的布線層ml2的對(duì)入射光的陰影的問(wèn)題變大。

(本實(shí)施方式的主要特征和效果)

在本實(shí)施方式1中，在創(chuàng)建最上層的布線層ml3以外的布線層的第一層的布線層ml1的掩膜數(shù)據(jù)時(shí)，以包含多個(gè)像素pu在內(nèi)的區(qū)域aw13內(nèi)的任意位置為中心進(jìn)行收縮處理。因此，在作為最上層的布線層ml3以外的布線層的第一層的布線層ml1中，配置在區(qū)域aw13內(nèi)的區(qū)域aw11的布線wr11的間距比配置在與區(qū)域aw13不同的區(qū)域的區(qū)域aw12的布線wr12的間距小。

在本實(shí)施方式1中，對(duì)于第一層的布線層ml1的掩膜數(shù)據(jù)，以配置有多個(gè)像素pu的區(qū)域內(nèi)的位置為中心進(jìn)行收縮處理。由此，能夠使布線wr11的間距比布線wr12的間距小，能夠防止或抑制由第一層的布線層ml1導(dǎo)致的陰影。因此，能夠提高cmos圖像傳感器的靈敏度，提高半導(dǎo)體器件的性能。

如使用圖11～圖16說(shuō)明的那樣，在例如進(jìn)行收縮處理之前的第一層的布線層ml1的掩膜數(shù)據(jù)dat1中，第一層的布線層ml1通過(guò)例如沿x軸方向延伸且沿y軸方向排列的多個(gè)布線wr13形成。布線wr13從配置有多個(gè)像素pu(參照?qǐng)D3)的區(qū)域aw13延伸到配置有周邊電路的區(qū)域aw12。

在這樣的情況下，被截出部分掩膜數(shù)據(jù)dat13的區(qū)域aw13的外周橫穿多個(gè)布線wr13。而且，在將對(duì)于部分掩膜數(shù)據(jù)dat13進(jìn)行收縮處理而創(chuàng)建的縮小部分掩膜數(shù)據(jù)dat11粘貼到區(qū)域aw11之后，在區(qū)域aw11和區(qū)域aw12之間的間隙區(qū)域aw14中，沒(méi)有創(chuàng)建掩膜數(shù)據(jù)。因此，在創(chuàng)建間隙部分掩膜數(shù)據(jù)dat14時(shí)，在區(qū)域aw11和區(qū)域aw12之間，需要考慮收縮處理前后的布線wr11的間距差來(lái)連接布線wr11和布線wr12。

另外，配置在區(qū)域aw11的布線wr11在進(jìn)行創(chuàng)建間隙部分掩膜數(shù)據(jù)dat14的工序(圖11的步驟s5)時(shí)才開(kāi)始與配置在區(qū)域aw12的布線wr12電連接。因此，僅在創(chuàng)建芯片布局?jǐn)?shù)據(jù)時(shí)進(jìn)行布線wr11是否與布線wr12連接的驗(yàn)證是不充分的，還需要在創(chuàng)建掩膜數(shù)據(jù)dat1a之后進(jìn)行。

在本實(shí)施方式1中，通過(guò)使用配置在區(qū)域aw11的布線wr11的端部ep11的角部的坐標(biāo)、和配置在區(qū)域aw12的布線wr12的端部ep12的角部的坐標(biāo)的運(yùn)算，能夠容易地創(chuàng)建間隙部分掩膜數(shù)據(jù)dat14所含有的連接布線cw1的角部的坐標(biāo)。因此，能夠簡(jiǎn)化對(duì)作為間隙部分掩膜數(shù)據(jù)dat14所含有的連接布線cw1的圖案的配置進(jìn)行運(yùn)算的運(yùn)算處理。

另外，通過(guò)運(yùn)算自動(dòng)創(chuàng)建作為連接布線cw1的圖案，由此，能針對(duì)間隙部分掩膜數(shù)據(jù)dat14，使用基于多個(gè)運(yùn)算的比較驗(yàn)證等的方法，能夠較簡(jiǎn)便地驗(yàn)證間隙部分掩膜數(shù)據(jù)dat14是否發(fā)生數(shù)據(jù)的欠缺。

此外，也可以對(duì)于第一層的布線層ml1以外的布線層進(jìn)行收縮處理，也可以對(duì)于p型半導(dǎo)體層pw、n型半導(dǎo)體層nw或柵極電極ge進(jìn)行收縮處理。另外，在被收縮處理的區(qū)域的各部分中，收縮率α既能夠采用同一值，也能夠調(diào)整成不同的值。

而且，在本實(shí)施方式1中，關(guān)于被截出的區(qū)域aw13為矩形形狀，布線wr11和布線wr12通過(guò)區(qū)域aw11的x軸方向上的負(fù)側(cè)的端部和區(qū)域aw12之間的部分的間隙區(qū)域aw14來(lái)連接的例子進(jìn)行了說(shuō)明。但是，被截出的區(qū)域aw13也可以不是矩形形狀。或者，布線wr11和布線wr12也可以通過(guò)區(qū)域aw11的x軸方向上的正側(cè)的端部和區(qū)域aw12之間的部分的間隙區(qū)域aw14來(lái)連接?；蛘撸季€wr11和布線wr12也可以通過(guò)區(qū)域aw11的y軸方向上的正側(cè)或負(fù)側(cè)的端部和區(qū)域aw12之間的部分的間隙區(qū)域aw14來(lái)連接。在任意的情況下，都能夠得到與本實(shí)施方式1同樣的效果。

在本實(shí)施方式1中，創(chuàng)建作為連接布線cw1的圖案的方法是使配置在區(qū)域aw11中的布線wr11向區(qū)域aw12側(cè)延長(zhǎng)、并使配置在區(qū)域aw12中的布線wr12向區(qū)域aw11側(cè)延長(zhǎng)的方法。由此，能夠簡(jiǎn)便地創(chuàng)建具有連接布線cw1的間隙部分掩膜數(shù)據(jù)dat14。另外，在間隙區(qū)域aw14中，通過(guò)使布線wr11延長(zhǎng)的部分和布線wr12延長(zhǎng)的部分重疊，來(lái)創(chuàng)建作為連接布線cw1的圖案。由于重疊的部分即連接布線cw1的寬度wc1比第一層的布線層ml1的考慮了掩膜尺寸效應(yīng)或opc處理的寬度w00大，所以能夠提高基于曝光的布線寬度相對(duì)于加工精度之比的曝光裕度(margin)。

此外，在對(duì)于第一層的布線層ml1所含有的布線及第二層的布線層ml2所含有的布線進(jìn)行收縮處理的情況下，還需要對(duì)連接第一層的布線層ml1和第二層的布線層ml2之間的連接柱進(jìn)行收縮處理。在這樣的情況下，通過(guò)收縮處理，連接柱的寬度(直徑)變窄。例如，在收縮處理之前，連接柱的寬度為0.16μm，在相對(duì)于連接柱的收縮率為0.95的情況下，在收縮處理后，連接柱的寬度變窄到0.152μm。在這樣的情況下，在半導(dǎo)體器件的制造工序中的形成形成有連接柱的過(guò)孔的光刻工序中，加工尺寸的相對(duì)于加工精度的裕度變小，會(huì)發(fā)生例如不能形成過(guò)孔等的不良情況。

另一方面，根據(jù)本實(shí)施方式1，布線wr11經(jīng)由與布線wr11同層地形成的連接布線cw1與布線wr12連接。因此，不需要對(duì)于連接柱進(jìn)行收縮處理，因此在形成過(guò)孔的光刻工序中，能夠確保加工尺寸的相對(duì)于加工精度的裕度，能夠形狀精度良好地形成過(guò)孔。

(布線布局及其設(shè)計(jì)方法的第一變形例)

以下，關(guān)于布線層中的布線布局及其設(shè)計(jì)方法的第一變形例進(jìn)行說(shuō)明。

圖27是表示實(shí)施方式1的第一變形例中的第一層的布線層的布線布局的俯視圖。圖28～圖30是表示實(shí)施方式1的第一變形例中的第一層的布線層的布線布局的另一例的俯視圖。

在本第一變形例中，區(qū)域aw11中的布線wr11及區(qū)域aw12中的布線wr12中的至少一方延長(zhǎng)到間隙區(qū)域aw14，并與另一方連接。此外，配置在間隙區(qū)域aw14中的部分是連接布線cw1。

在圖27～圖30的任意的例子中，多個(gè)連接布線cw1中的連接布線cw1a均與多個(gè)布線wr11中的布線wr11a連接，并且與多個(gè)布線wr12中的布線wr12a連接。另外，布線wr11a與布線wr12a相比更偏向y軸方向上的收縮中心位置ct11側(cè)。

在圖27所示的例子中，布線wr11的靠區(qū)域aw12側(cè)的端部ep11延長(zhǎng)到間隙區(qū)域aw14中的與區(qū)域aw12接觸的部分，被延長(zhǎng)的端部ep11與布線wr12的靠區(qū)域aw11側(cè)的端部ep12接觸。另外，延長(zhǎng)的部分的端部ep11相當(dāng)于連接布線cw1。此時(shí)，布線wr11a的靠區(qū)域aw12側(cè)的端部ep11中的y軸方向上的與收縮中心位置ct11側(cè)相反一側(cè)的部分，在俯視時(shí)與布線wr12a的靠區(qū)域aw11側(cè)的端部ep12中的y軸方向上的靠收縮中心位置ct11側(cè)的部分接觸。

在圖28所示的例子中，布線wr12的靠區(qū)域aw11側(cè)的端部ep12延長(zhǎng)到間隙區(qū)域aw14中的與區(qū)域aw11接觸的部分，被延長(zhǎng)的端部ep12與布線wr11的靠區(qū)域aw12側(cè)的端部ep11接觸。另外，延長(zhǎng)的部分的端部ep12相當(dāng)于連接布線gw1。此時(shí)，布線wr11a的靠區(qū)域aw12側(cè)的端部ep11中的y軸方向上的與收縮中心位置ct11側(cè)相反一側(cè)的部分，在俯視時(shí)與布線wr12a的靠區(qū)域aw11側(cè)的端部ep12中的y軸方向上的靠收縮中心位置ct11側(cè)的部分接觸。

在圖29所示的例子中，布線wr11的靠區(qū)域aw12側(cè)的端部ep11延長(zhǎng)到間隙區(qū)域aw14的中央部，布線wr12的靠區(qū)域aw11側(cè)的端部ep12延長(zhǎng)到間隙區(qū)域aw14中的中央部，被延長(zhǎng)的端部ep11與被延長(zhǎng)的端部ep12接觸。此時(shí)，由延長(zhǎng)的部分的端部ep11和延長(zhǎng)的部分的端部ep12形成了連接布線cw1。另外，布線wr11a的靠區(qū)域aw12側(cè)的端部ep11中的y軸方向上的與收縮中心位置ct11側(cè)相反一側(cè)的部分，在俯視時(shí)與布線wr12a的靠區(qū)域aw11側(cè)的端部ep12中的y軸方向上的靠收縮中心位置ct11側(cè)的部分接觸。

此外，如圖30所示，被延長(zhǎng)的端部ep11也可以在x軸方向上與被延長(zhǎng)的端部ep12重疊。

在本第一變形例中，將間隔寬度sp1設(shè)為布線wr11a的端部ep11、和與特定布線wr11連接的布線wr12的端部ep12之間的、y軸方向上的間隔寬度，其中，特定布線wr11是指，配置在布線wr11a的y軸方向上的靠收縮中心位置ct11側(cè)、且與布線wr11a相鄰的布線wr11。此時(shí)，間隔寬度sp1為第一層的布線層ml1中的考慮了掩膜尺寸效應(yīng)或opc處理的最小間隔寬度以上。

在本第一變形例中，除了具有與實(shí)施方式1同樣的效果，還通過(guò)簡(jiǎn)單地使布線wr11及布線wr12的至少一方延長(zhǎng)，來(lái)配置作為連接布線cw1的圖案，與實(shí)施方式1相比，能夠簡(jiǎn)便地創(chuàng)建作為連接布線cw1的圖案。

另外，在本第一變形例中，也與實(shí)施方式1同樣地，布線wr11及布線wr12各自在俯視時(shí)也可以不具有矩形形狀。這樣的例子如圖31所示。圖31是表示實(shí)施方式1的第一變形例中的第一層的布線層的布線布局的又一例的俯視圖。

如圖31所示，布線wr11具有靠區(qū)域aw12側(cè)的端部ep11、以及與端部ep11連接并沿x軸方向延伸的延伸部ex11。端部ep11的y軸方向上的寬度wd11也可以是延伸部ex11的y軸方向上的寬度wd13以上。另外，布線wr12具有靠區(qū)域aw11側(cè)的端部ep12、以及與端部ep12連接并沿x軸方向延伸的延伸部ex12。端部ep12的y軸方向上的寬度wd12也可以為延伸部ex12的y軸方向上的寬度wd14以上。

在圖31所示的情況下，也能夠通過(guò)使端部ep11及端部ep12的至少一方延長(zhǎng)，來(lái)連接端部ep11和端部ep12。因此，能夠得到與圖27～圖30所示的情況同樣的效果。

(布線布局及其設(shè)計(jì)方法的第二變形例)

以下，關(guān)于布線層中的布線布局及其設(shè)計(jì)方法的第二變形例進(jìn)行說(shuō)明。

圖32是表示實(shí)施方式1的第二變形例中的第一層的布線層的布線布局的俯視圖。

如圖32所示，在本第二變形例中，多個(gè)連接布線cw1中的連接布線cw1a也與多個(gè)布線wr11中的布線wr11a連接，并且與多個(gè)布線wr12中的布線wr12a連接。另外，布線wr11a與布線wr12a相比更偏向y軸方向上的收縮中心位置ct11側(cè)。

在本第二變形例中，連接布線cw1a的y軸方向上的寬度wc1比布線wr11a的y軸方向上的寬度及布線wr12a的y軸方向上的寬度都窄。

此外，各布線wr11的y軸方向上的寬度wd11彼此相等，各布線wr12的y軸方向上的寬度wd12彼此相等，并且在寬度wd11比寬度wd12窄的情況下，各連接布線cw1的y軸方向上的寬度wc1為寬度wd11以下。

在圖32所示的例子中，布線wr11的端部ep11在y軸方向上的與收縮中心位置ct11側(cè)相反一側(cè)的側(cè)面sw12，在俯視時(shí)與布線wr12的端部ep12的y軸方向上的靠收縮中心位置ct11側(cè)的側(cè)面sw21相比，配置在更靠y軸方向上的收縮中心位置ct11側(cè)的相反一側(cè)。另外，連接布線cw1a的y軸方向上的靠收縮中心位置ct11側(cè)的側(cè)面sc1和端部ep12的側(cè)面sw21形成同一面，連接布線cw1a的y軸方向上的與收縮中心位置ct11側(cè)相反一側(cè)的側(cè)面sc2和端部ep11的側(cè)面sw12形成同一面。

在圖32所示的例子中，將布線wr11a設(shè)為配置在比收縮中心位置ct11更靠y軸方向上的負(fù)側(cè)的布線wr11。由布線wr12a的端部ep12的x軸方向上的正側(cè)的側(cè)面和布線wr12a的端部ep12的y軸方向上的正側(cè)的側(cè)面sw21形成的角部的坐標(biāo)為(xp1，yp1)。由布線wr12a的端部ep12的x軸方向上的正側(cè)的側(cè)面和布線wr12a的端部ep12的y軸方向上的負(fù)側(cè)的側(cè)面sw22形成的角部的坐標(biāo)為(xp2，yp2)。由布線wr11a的端部ep11的x軸方向上的負(fù)側(cè)的側(cè)面和布線wr11a的端部ep11的y軸方向上的正側(cè)的側(cè)面sw11形成的角部的坐標(biāo)為(xp3，yp3)。由布線wr11a的端部ep11的x軸方向上的負(fù)側(cè)的側(cè)面和布線wr11a的端部ep11的y軸方向上的負(fù)側(cè)的側(cè)面sw12形成的角部的坐標(biāo)為(xp4，yp4)。

這里，將第一層的布線層ml1的考慮了掩膜尺寸效應(yīng)或opc處理的最小線寬設(shè)為寬度w00，將第一層的布線層ml1中的收縮處理的縮小倍率即收縮率設(shè)為α。此時(shí)，布線wr11以布線wr11的寬度wd11配置成在由上述式(1)定義的寬度w1以上。

在本第二變形例中，在創(chuàng)建間隙部分掩膜數(shù)據(jù)dat14時(shí)，產(chǎn)生連接布線cw1的左上的坐標(biāo)成為(xp1，yp1)、且右下的坐標(biāo)成為(xp4，yp4)這樣的矩形形狀。這里，yp1及yp4用下述式(2)及下述式(3)表示。

yp1＝y(tǒng)p2+w1＝y(tǒng)p2+w00+(1-α)×|yp2|(2)

yp4＝α×yp2(3)

另外，若將連接布線cw1的寬度wc1的最小值設(shè)為寬度yw，則寬度yw用下述式(4)表示。

yw＝y(tǒng)p1-yp4＝y(tǒng)p2+w00+(1-α)×|yp2|-αyp2＝w00+yp2+|yp2|-α|yp2|-αyp2(4)

這里，由于yp2為負(fù)值，所以yp2和|yp2|為相反的極性，yp2+|yp2|及α|yp2|-αyp2分別抵消，因此，最終寬度yw等于寬度w00。

在本第二變形例中，也與實(shí)施方式1同樣地，能夠簡(jiǎn)便地進(jìn)行用于創(chuàng)建作為連接布線cw1的圖案的運(yùn)算，具有與實(shí)施方式1同樣的效果。

此外，與后述的實(shí)施方式2的第三變形例同樣地，也可以在被截出的區(qū)域aw13的整個(gè)區(qū)域中，考慮使端部ep11從端部ep12向y軸方向偏移并突出的距離的最大值來(lái)決定寬度w1的最大值w1max。而且，配置在被切掉的區(qū)域aw13中的布線wr11的端部ep11的寬度wd11也可以是被決定的寬度w1的最大值w1max以上。該情況下，也能夠得到與本第二變形例同樣的效果。

另外，在本第二變形例中，也與實(shí)施方式1同樣地，布線wr11及布線wr12分別在俯視時(shí)也可以不具有矩形形狀。這樣的例子如圖33所示。圖33是表示實(shí)施方式1的第二變形例中的第一層的布線層的布線布局的另一例的俯視圖。

如圖33所示，布線wr11具有：靠區(qū)域aw12側(cè)的端部ep11；與端部ep11連接并沿x軸方向延伸的延伸部ex11，端部ep11的y軸方向上的寬度wd11也可以是延伸部ex11的y軸方向上的寬度wd13以上。另外，布線wr12具有靠區(qū)域aw11側(cè)的端部ep12、以及與端部ep12連接并沿x軸方向延伸的延伸部ex12，端部ep12的y軸方向上的寬度wd12也可以是延伸部ex12的y軸方向上的寬度wd14以上。

在圖33所示的情況下，關(guān)于端部ep11、端部ep12及連接布線cw1，也能夠通過(guò)與使用圖11～圖16說(shuō)明的設(shè)計(jì)方法同樣的設(shè)計(jì)方法，與圖32所示的情況同樣地，容易地創(chuàng)建具有矩形形狀的作為連接布線cw1的圖案，能夠得到與圖32所示的情況同樣的效果。

(布線布局及其設(shè)計(jì)方法的第三變形例)

以下，關(guān)于布線層中的布線布局及其設(shè)計(jì)方法的第三變形例進(jìn)行說(shuō)明。

圖34是表示實(shí)施方式1的第三變形例中的第一層的布線層的布線布局的俯視圖。圖35及圖36是表示實(shí)施方式1的第三變形例中的第一層的布線層的布線布局的另一例的俯視圖。

在本第三變形例中，連接布線cw1包含延伸部cw11、延伸部cw12和連接部cw13。延伸部cw11與布線wr11的靠區(qū)域aw12側(cè)的端部ep11連續(xù)地形成，并沿x軸方向延伸。延伸部cw12與布線wr12的靠區(qū)域aw11側(cè)的端部ep12連續(xù)地形成，并沿x軸方向延伸。連接部cw13沿y軸方向延伸，并與延伸部cw11及延伸部cw12均連接。

多個(gè)連接布線cw1中的連接布線cw1a與多個(gè)布線wr11中的布線wr11a連接，并且與多個(gè)布線wr12中的布線wr12a連接。另外，布線wr11a以向y軸方向上的收縮中心位置ct11側(cè)與布線wr12a分離的方式配置。

連接布線gwla的延伸部cw11的y軸方向上的靠收縮中心位置ct11側(cè)的側(cè)面sc11和布線wr11a的端部ep11的y軸方向上的靠收縮中心位置ct11側(cè)的側(cè)面sw11形成同一面。另外，連接布線cw1a的延伸部cw11的y軸方向上的與收縮中心位置ct11側(cè)相反一側(cè)的側(cè)面sc12和布線wr11a的端部ep11的y軸方向上的與收縮中心位置ct11側(cè)相反一側(cè)的側(cè)面sw12形成同一面。

連接布線cw1a的延伸部cw12的y軸方向上的收縮中心位置ct11側(cè)的側(cè)面sc21和布線wr12a的端部ep12的y軸方向上的收縮中心位置ct11側(cè)的側(cè)面sw21形成同一面。另外，連接布線cw1a的延伸部cw12的y軸方向上的與收縮中心位置ct11側(cè)相反一側(cè)的側(cè)面sc22和布線wr12a的端部ep12的y軸方向上的與收縮中心位置ct11側(cè)相反一側(cè)的側(cè)面sw22形成同一面。

連接布線cw1a的連接部cw13的y軸方向上的靠收縮中心位置ct11側(cè)的側(cè)面sc31和連接布線cw1a的延伸部cw11的側(cè)面sc11形成同一面。另外，連接布線cw1a的連接部cw13的y軸方向上的與收縮中心位置ct11側(cè)相反一側(cè)的側(cè)面sc32和連接布線cw1a的延伸部cw12的側(cè)面sc22形成同一面。

但是，如上所述，布線wr11a以向y軸方向上的收縮中心位置ct11側(cè)與布線wr12a分離的方式配置。因此，布線wr11a的端部ep11的y軸方向上的與收縮中心位置ct11側(cè)相反一側(cè)的側(cè)面sw12與布線wr12a的端部ep12的y軸方向上的靠收縮中心位置ct11側(cè)的側(cè)面sw21相比，配置在更靠y軸方向上的收縮中心位置ct11側(cè)。另外，連接布線cw1a的延伸部cw11的側(cè)面sc12與連接布線cw1a的延伸部cw12的側(cè)面sc21相比，配置在更靠y軸方向上的收縮中心位置ct11側(cè)。

這里，若將第一層的布線層ml1的考慮了掩膜尺寸效應(yīng)或opc處理的最小線寬設(shè)為寬度w00，則能夠?qū)⑦B接部cw13的x軸方向上的寬度設(shè)為寬度w00。此時(shí)，通過(guò)使布線wr11延長(zhǎng)到間隙區(qū)域aw14，來(lái)創(chuàng)建作為延伸部cw11的圖案，通過(guò)使布線wr12延長(zhǎng)到間隙區(qū)域aw14，來(lái)創(chuàng)建作為延伸部cw12的圖案。另外，能夠通過(guò)與實(shí)施方式1同樣的運(yùn)算來(lái)創(chuàng)建作為將延伸部cw11和延伸部cw12連接的連接部cw13的圖案。

在本第二變形例中，也與實(shí)施方式1同樣地，y軸方向上相鄰的2個(gè)連接布線cw1之間的間隔寬度sp1為第一層的布線層ml1中的考慮了掩膜尺寸效應(yīng)或opc處理的最小間隔寬度以上。

在本第三變形例中，除了具有與實(shí)施方式1同樣的效果以外，由于通過(guò)單純將布線wr11及布線wr12的至少一方延長(zhǎng)來(lái)配置作為連接布線cw1的圖案，所以與實(shí)施方式1相比，還能夠簡(jiǎn)便地創(chuàng)建作為連接布線cw1的圖案。

此外，如圖35所示，連接部cw13的x軸方向上的位置也可以不是區(qū)域aw11和區(qū)域aw12之間的x軸方向上的中央位置。在這樣的情況下，也具有與圖34所示的例子同樣的效果。

或者，如圖36所示，連接部cw13的x軸方向上的位置也可以在多個(gè)連接布線cw1之間不同。在這樣的情況下，除了具有與圖34所示的例子同樣的效果以外，通過(guò)使連接部cw13的x軸方向上的位置在y軸方向上相鄰的2個(gè)連接布線cw1之間不同，使得這兩個(gè)連接布線cw1之間的間隔部在y軸方向上的兩側(cè)均不因連接部cw13而變窄。由此，能夠提高基于曝光的布線寬度相對(duì)于加工精度之比即曝光裕度。

(布線布局及其設(shè)計(jì)方法的第四變形例)

以下，關(guān)于布線層中的布線布局及其設(shè)計(jì)方法的第四變形例進(jìn)行說(shuō)明。

圖37是表示實(shí)施方式1的第四變形例中的第一層的布線層的布線布局的俯視圖。圖38是表示實(shí)施方式1的第四變形例中的第一層的布線層的布線布局的另一例的俯視圖。

在本第四變形例中，將布線wr11的靠區(qū)域aw12側(cè)的端部ep11和布線wr12的靠區(qū)域aw11側(cè)的端部ep12進(jìn)行連接的連接布線cw1沿著例如相對(duì)于x軸方向傾斜的方向以一直線狀延伸。而且，在相互連接的布線wr11、連接布線cw1及布線wr12的組中，連接布線cw1的y軸方向上的正側(cè)的側(cè)面sg1與布線wr11的y軸方向上的正側(cè)的側(cè)面sw11及布線wr12的y軸方向上的正側(cè)的側(cè)面sw21都連續(xù)。另外，在相互連接的布線wr11、連接布線cw1及布線wr12的組中，連接布線cw1的y軸方向上的負(fù)側(cè)的側(cè)面sc2與布線wr11的y軸方向上的負(fù)側(cè)的側(cè)面sw12及布線wr12的y軸方向上的負(fù)側(cè)的側(cè)面sw22都連續(xù)。

在圖37所示的例子中，由布線wr12的端部ep12的x軸方向上的正側(cè)的側(cè)面和布線wr12的端部ep12的y軸方向上的正側(cè)的側(cè)面sw21形成的角部的坐標(biāo)為(xp1，yp1)。另外，布線wr12的端部ep12的x軸方向上的正側(cè)的側(cè)面和布線wr12的端部ep12的y軸方向上的負(fù)側(cè)的側(cè)面sw22形成的角部的坐標(biāo)為(xp2，yp2)。另一方面，由布線wr11的端部ep11的x軸方向上的負(fù)側(cè)的側(cè)面和布線wr11的端部ep11的y軸方向上的正側(cè)的側(cè)面sw11形成的角部的坐標(biāo)為(xp3，yp3)。另外，由布線wr11的端部ep11的x軸方向上的負(fù)側(cè)的側(cè)面和布線wr11的端部ep11的y軸方向上的負(fù)側(cè)的側(cè)面sw12形成的角部的坐標(biāo)為(xp4，yp4)。

在本第四變形例中，在創(chuàng)建間隙部分掩膜數(shù)據(jù)時(shí)，作為連接布線cw1的圖案，而通過(guò)運(yùn)算產(chǎn)生以由上述坐標(biāo)(xp1，yp1)、(xp2，yp2)、(xp3，yp3)及(xp4，yp4)表示的4點(diǎn)為頂點(diǎn)的四邊形構(gòu)成的圖案。由此，在本第四變形例中，與實(shí)施方式1不同，使用了4點(diǎn)的坐標(biāo)，能夠簡(jiǎn)便地進(jìn)行用于創(chuàng)建作為連接布線cw1的圖案的運(yùn)算，具有與實(shí)施方式1大致同樣的效果。

如圖38所示，連接布線cw1也可以包含延伸部cw11、延伸部cw12和連接部cw13。延伸部cw11與布線wr11的靠區(qū)域aw12側(cè)的端部ep11連續(xù)地形成，并沿x軸方向延伸。延伸部cw12與布線wr12的靠區(qū)域aw11側(cè)的端部ep12連續(xù)地形成，并沿x軸方向延伸。對(duì)延伸部cw11的靠區(qū)域aw12側(cè)的端部和延伸部cw12的靠區(qū)域aw11側(cè)的端部進(jìn)行連接的連接部cw13沿著例如相對(duì)于x軸方向傾斜的方向以一直線狀延伸。

此時(shí)，通過(guò)使布線wr11延長(zhǎng)到間隙區(qū)域aw14，形成作為延伸部cw11的圖案，通過(guò)使布線wr12延長(zhǎng)到間隙區(qū)域aw14，形成作為延伸部cw12的圖案。另外，能夠通過(guò)與圖37所示的例子同樣的運(yùn)算來(lái)創(chuàng)建作為連接部cw13的圖案。因此，作為連接部cw13而創(chuàng)建以4點(diǎn)為頂點(diǎn)的四邊形構(gòu)成的圖案這一點(diǎn)具有與圖37所示的例子同樣的效果。

另外，圖38所示的例子除了連接部cw13是否與y軸平行這一點(diǎn)以外，具有與在實(shí)施方式1的第三變形例中圖34所示的例子大致同樣的結(jié)構(gòu)，也具有圖34所示的例子大致同樣的效果。

(實(shí)施方式2)

在實(shí)施方式1中，如圖5所示，配置在進(jìn)行了收縮處理的區(qū)域aw11中的布線wr11經(jīng)由與布線wr11同層地形成的連接布線cw1，與在進(jìn)行了收縮處理的區(qū)域aw11以外的區(qū)域aw12中同層地配置的布線wr12連接。另一方面，在實(shí)施方式2中，使用后述的圖40說(shuō)明的那樣，配置在進(jìn)行了收縮區(qū)域的區(qū)域aw21中的布線wr21經(jīng)由形成在與布線wr21不同的層上的連接布線cw1，與在進(jìn)行了收縮處理的區(qū)域aw21以外的區(qū)域aw22中同層地配置的布線wr22連接。

關(guān)于本實(shí)施方式2的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)，與使用圖1～圖3說(shuō)明的實(shí)施方式1的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)同樣，省略其說(shuō)明。另外，關(guān)于本實(shí)施方式2的半導(dǎo)體器件的制造方法，與使用圖18～圖24說(shuō)明的實(shí)施方式1的半導(dǎo)體器件的制造方法同樣，省略其說(shuō)明。

(布線布局)

以下，關(guān)于布線層中的布線布局進(jìn)行說(shuō)明。以下，例示并說(shuō)明了第二層的布線層ml2的布線布局，但關(guān)于例如第一層等的第二層以外的層的布線層的布線布局，也能夠同樣地配置。

圖39及圖40是表示實(shí)施方式2中的第二層的布線層的布線布局的俯視圖。圖40是圖39的區(qū)域rg2的放大俯視圖。

如圖39及圖40所示，第二層的布線層ml2具有多個(gè)布線wr21和多個(gè)布線wr22。多個(gè)布線wr21在作為半導(dǎo)體襯底sb(參照?qǐng)D3)的主面的上表面的區(qū)域aw21中，彼此同層地形成在第二層的布線層ml2。多個(gè)布線wr22在作為半導(dǎo)體襯底sb(參照?qǐng)D3)的主面的上表面的區(qū)域aw22中，分別與多個(gè)布線wr21同層地形成。區(qū)域aw22是在俯視時(shí)x軸方向上的區(qū)域aw21的一側(cè)的區(qū)域。另外，雖然圖39中省略了圖示，但在區(qū)域aw21中形成有多個(gè)像素pu(參照?qǐng)D1)，在區(qū)域aw22中形成有周邊電路。

多個(gè)布線wr21在區(qū)域aw21中在俯視時(shí)分別沿x軸方向延伸，并且沿y軸方向以間距pt21排列。多個(gè)布線wr22在區(qū)域aw22中在俯視時(shí)分別沿x軸方向延伸，并且沿y軸方向以間距pt22排列。

第一層的布線層ml1(參照?qǐng)D3)具有圖40所示的多個(gè)連接布線cw1。多個(gè)布線wr21分別經(jīng)由多個(gè)連接布線cw1的每一個(gè)與多個(gè)布線wr22連接。通過(guò)這樣的配置，使多個(gè)布線wr21分別與多個(gè)布線wr22的每一個(gè)電連接。

多個(gè)布線wr22與周邊電路所含有的例如晶體管等連接。因此，多個(gè)布線wr21分別經(jīng)由多個(gè)布線wr22的每一個(gè)與周邊電路連接。

如圖39及圖40所示，間距pt21比間距pt22小。通過(guò)這樣的配置，能夠使形成有像素pu(參照?qǐng)D1)的區(qū)域aw21中的相鄰的2個(gè)布線wr21之間的間隔比形成有周邊電路的區(qū)域aw22中的相鄰的2個(gè)布線wr22之間的間隔短。

如圖40所示，優(yōu)選的是，各布線wr21的靠區(qū)域aw22側(cè)的端部ep21的y軸方向上的寬度wd21，比多個(gè)布線wr22中的、與該各布線wr21連接的布線wr22的靠區(qū)域aw21側(cè)的端部ep22的y軸方向上的寬度wd22窄。

如使用后述的圖41～圖45說(shuō)明的那樣，截出掩膜數(shù)據(jù)dat2中的配置在區(qū)域aw23的部分，在針對(duì)該被截出的部分以被截出的部分內(nèi)的位置(收縮中心位置)ct21為中心進(jìn)行縮小處理之后，再粘貼到原來(lái)的掩膜數(shù)據(jù)dat2。由此，能夠容易地創(chuàng)建具有多個(gè)布線wr21和多個(gè)布線wr22在內(nèi)的掩膜數(shù)據(jù)dat2a。

另外，在這樣的情況下，多個(gè)布線wr21中的某一個(gè)布線wr21在俯視時(shí)與多個(gè)布線wr22中的與該某一個(gè)布線wr21連接的布線wr22相比，更向y軸方向上的收縮中心位置ct21側(cè)偏移地配置。另外，多個(gè)布線wr21中的、在多個(gè)布線wr21的排列的y軸方向上的負(fù)側(cè)的端部上配置的布線wr21，在俯視時(shí)與多個(gè)布線wr22中的與該布線wr21連接的布線wr22相比，更向y軸方向上的正側(cè)偏移地配置。

此外，在各布線wr21的寬度wd21彼此相等、且各布線wr22的寬度wd22彼此相等的情況下，各布線wr21的寬度wd21也可以比各布線wr22的寬度wd22窄。

多個(gè)連接布線cw1形成在與多個(gè)布線wr21不同的層。在本實(shí)施方式2中，作為一例，多個(gè)連接布線cw1形成在與形成有多個(gè)布線wr21的第二層的布線層ml2相比更下層的第一層的布線層ml1。多個(gè)連接布線cw1在俯視時(shí)分別沿x軸方向延伸，并且沿y軸方向以間距pt23排列。能夠使間距pt23與例如間距pt22相等。

在多個(gè)布線wr21和多個(gè)連接布線cw1之間的層中，彼此同層地形成有多個(gè)作為電極的連接柱va1。在多個(gè)布線wr22和多個(gè)連接布線cw1之間的層中，彼此同層地形成有多個(gè)作為電極的連接柱va2。多個(gè)布線wr21分別經(jīng)由多個(gè)連接柱va1與多個(gè)連接布線cw1電連接。多個(gè)布線wr22分別經(jīng)由多個(gè)連接柱va2與多個(gè)連接布線cw1的每一個(gè)電連接。

多個(gè)連接柱va1在俯視時(shí)沿y軸方向以間距ptv1排列，多個(gè)連接柱va2在俯視時(shí)沿y軸方向以間距ptv2排列。間距ptv1及ptv2均能夠與間距pt22相等。

第二層的布線層ml2具有多個(gè)端子部pd2。多個(gè)端子部pd2各自在區(qū)域aw21中分別與多個(gè)布線wr21同層地形成。各端子部pd2與各布線wr21的靠區(qū)域aw22側(cè)的端部ep21連接。

各端子部pd2在俯視時(shí)與各連接布線cw1重疊，各連接柱va1在俯視時(shí)內(nèi)置于與各連接布線cw1重疊的部分的各端子部pd2中。由此，各端子部pd2能夠經(jīng)由各連接柱va1可靠地與各連接布線cw1電連接。

另外，多個(gè)端子部pd2中的、與在多個(gè)布線wr21的排列的中央部配置的布線wr21連接的端子部pd2的y軸方向上的寬度，比多個(gè)端子部pd2中的、與配置在多個(gè)布線wr21的排列的端部上的布線wr21連接的端子部pd2的y軸方向上的寬度窄。

(布線布局的設(shè)計(jì)方法)

以下，包含曝光用掩膜的制造方法地說(shuō)明布線層中的布線布局的設(shè)計(jì)方法。此外，能夠通過(guò)與實(shí)施方式1中說(shuō)明的第一層的布線層ml1的布線布局的設(shè)計(jì)方法同樣的方法來(lái)設(shè)計(jì)第二層的布線層ml2的布線布局，因此，在本實(shí)施方式2中的布線布局的設(shè)計(jì)方法中，以與實(shí)施方式1中的布線布局的設(shè)計(jì)方法不同的部分為中心進(jìn)行說(shuō)明。另外，能夠通過(guò)與實(shí)施方式1中的最上層的布線層ml3的布線布局的設(shè)計(jì)方法同樣的方法來(lái)設(shè)計(jì)本實(shí)施方式2中的最上層的布線層ml3中的布線布局。另外，也能夠與實(shí)施方式1中的曝光用掩膜同樣地制造本實(shí)施方式2中的曝光用掩膜。

圖41～圖45是表示實(shí)施方式2中的第二層的布線層的布線布局?jǐn)?shù)據(jù)的俯視圖。

首先，在與實(shí)施方式1同樣地創(chuàng)建芯片布局?jǐn)?shù)據(jù)之后，進(jìn)行與圖11的步驟s1同樣的工序，如圖41及圖42所示，創(chuàng)建掩膜數(shù)據(jù)。在該工序中，針對(duì)第二層的布線層ml2中的布局?jǐn)?shù)據(jù)進(jìn)行被稱為所謂的opc處理的修正處理等，準(zhǔn)備作為第二層的布線層ml2的圖案數(shù)據(jù)的掩膜數(shù)據(jù)dat2。掩膜數(shù)據(jù)dat2具有平面fs的一部分的區(qū)域即區(qū)域ar1、以及平面fs的一部分的區(qū)域即區(qū)域ar2。雖然在圖41中未圖示，但多個(gè)像素pu(參照?qǐng)D6)配置在作為像素區(qū)域的區(qū)域ar1的一部分的區(qū)域即區(qū)域aw23內(nèi)。另外，將區(qū)域ar1及區(qū)域ar2中的區(qū)域aw23以外的區(qū)域作為區(qū)域aw22。

圖41表示在通過(guò)收縮處理創(chuàng)建圖39的俯視圖所示的布線布局之前的布線布局，圖42表示在通過(guò)收縮處理創(chuàng)建圖40的俯視圖所示的布線布局之前的布線布局。

如圖41及圖42所示，在掩膜數(shù)據(jù)dat2中，在區(qū)域ar1中配置有多個(gè)布線(布線圖案)wr21。多個(gè)布線wr21分別沿x軸方向延伸，并且沿y軸方向以間距pt22排列。另外，在區(qū)域ar2中配置有多個(gè)布線(布線圖案)wr22。多個(gè)布線wr22分別沿x軸方向延伸，并且沿y軸方向以間距pt22排列。即，掩膜數(shù)據(jù)dat2具有：在區(qū)域aw23中分別沿x軸方向延伸且沿y方向以間距pt22排列的多個(gè)布線(布線圖案)wr21；以及在區(qū)域aw22中分別沿x軸方向延伸且沿y軸方向以間距pt22排列的多個(gè)布線(布線圖案)wr22。

然后，進(jìn)行與圖11的步驟s2同樣的工序，如圖43所示，截出部分掩膜數(shù)據(jù)。在該工序中，截出第二層的布線層ml2的掩膜數(shù)據(jù)dat2中的、由配置在區(qū)域aw23的部分構(gòu)成的作為圖案數(shù)據(jù)的部分掩膜數(shù)據(jù)dat23。

然后，進(jìn)行與圖11的步驟s3同樣的工序，如圖44所示，進(jìn)行收縮處理。在該工序中，針對(duì)被截出的部分掩膜數(shù)據(jù)dat23以部分掩膜數(shù)據(jù)dat23內(nèi)的位置ct21為中心進(jìn)行以一定的倍率縮小的縮小處理即收縮處理。由此，創(chuàng)建出分別由縮小后的布線(布線圖案)wr21構(gòu)成的作為圖案數(shù)據(jù)的縮小部分掩膜數(shù)據(jù)dat21。多個(gè)布線wr21分別沿x軸方向延伸，并且沿y軸方向以間距pt21排列。間距pt21比間距pt22小。

如圖42所示，在進(jìn)行收縮處理之前的端子部pd2相對(duì)于配置有連接柱va1的區(qū)域，向x軸方向上的與收縮中心位置ct21側(cè)相反一側(cè)突出距離xmargin。另外，在進(jìn)行收縮處理之前的端子部pd2相對(duì)于配置有連接柱va1的區(qū)域，向y軸方向上的與收縮中心位置ct21側(cè)相反一側(cè)突出距離ymargin。

這里，將第二層的布線層ml2中的收縮處理的縮小倍率即收縮率設(shè)為α，連接柱va1相對(duì)于收縮中心位置ct21的中心坐標(biāo)為(xv，yv)。另外，將連接柱va1的x軸方向及y軸方向上的寬度(在連接柱va1呈圓形形狀時(shí)為直徑)設(shè)為寬度v1，連接柱va1的位置相對(duì)于第二層的布線層ml2的能夠允許的偏移量即偏移量的裕度為裕度△。此時(shí)，距離xmargin及距離ymargin由下述式(5)及下述式(6)定義。

xmargin＝(1-α)/α×(|xv|+0.5×v1+△)(5)

ymargin＝(1-α)/α×(|yv|+0.5×v1+△)(6)

另一方面，將第二層的布線層ml2的考慮了掩膜尺寸效應(yīng)或opc處理的最小線寬設(shè)為寬度w0。此時(shí)，在進(jìn)行了收縮處理之后的端子部pd2(參照?qǐng)D40)的x軸方向上的長(zhǎng)度為(w0+α×(xmargin+△))以上，y軸方向上的寬度為(w0+α×(ymargin+△))以上。

另外，在第二層的布線層ml2中，將最小線寬設(shè)為寬度w0，將最小間隔寬度設(shè)為間隔寬度s0。此時(shí)，在進(jìn)行收縮處理之前的作為布線wr21的圖案配置成以由下述式(7)定義的線寬wshrink為最小線寬，以由下述式(8)定義的間隔寬度sshrink為最小間隔寬度。

wshrink＝1/α×w0(7)

sshrink＝l/α×s0(8)

然后，進(jìn)行與圖11的步驟s4同樣的工序，如圖45所示，粘貼縮小部分掩膜數(shù)據(jù)。在該工序中，以縮小部分掩膜數(shù)據(jù)dat21內(nèi)的位置ct21成為與區(qū)域aw23內(nèi)的位置ct22(參照?qǐng)D43)相同的坐標(biāo)的方式，將縮小部分掩膜數(shù)據(jù)dat21粘貼在平面fs的區(qū)域aw23內(nèi)的區(qū)域且與區(qū)域aw22分離的區(qū)域的區(qū)域aw21。此時(shí)，區(qū)域aw21和區(qū)域aw22之間的區(qū)域是沒(méi)有創(chuàng)建掩膜數(shù)據(jù)的間隙區(qū)域aw24。

由此，創(chuàng)建具有縮小部分掩膜數(shù)據(jù)dat21和掩膜數(shù)據(jù)dat2在內(nèi)的作為圖案數(shù)據(jù)的掩膜數(shù)據(jù)dat2a。

此外，在本實(shí)施方式2中，也可以與實(shí)施方式1不同，不進(jìn)行與圖11的步驟s5同樣的工序。另外，在間隙區(qū)域aw24中，不形成連接布線。

圖46是實(shí)施方式2中的將第二層的布線層的布線布局?jǐn)?shù)據(jù)與第一層的布線層的布線布局?jǐn)?shù)據(jù)重疊地表示的俯視圖。在圖46所示的例子中，第一層的布線層ml1包含分別沿y軸方向延伸且沿x軸方向排列的多個(gè)布線wr11。

在本實(shí)施方式2中，針對(duì)作為下層的布線層的第一層的布線層ml1所含有的連接布線cw1、以及連接柱va1及va2沒(méi)進(jìn)行收縮處理。由此，如圖46所示，在第二層的布線層ml2中，在截出配置有多個(gè)像素pu的區(qū)域aw23的情況下，區(qū)域aw23比在第一層的布線層ml1中被截出的區(qū)域aw13大。

(本實(shí)施方式的主要特征和效果)

在本實(shí)施方式2中，在創(chuàng)建最上層的布線層ml3以外的布線層的第二層的布線層ml2的掩膜數(shù)據(jù)時(shí)，以包含多個(gè)像素pu在內(nèi)的區(qū)域aw23內(nèi)的某個(gè)位置為中心進(jìn)行收縮處理。由此，在本實(shí)施方式2中，在最上層的布線層ml3以外的布線層的第二層的布線層ml2中，配置在區(qū)域aw23內(nèi)的區(qū)域aw21中的布線wr21的間距也比配置在與區(qū)域aw23不同的區(qū)域的區(qū)域aw22中的布線wr22的間距小。

如在實(shí)施方式1中使用比較例說(shuō)明的那樣，若僅對(duì)于遮光膜sf1的開(kāi)口部op1進(jìn)行收縮處理，則入射到各像素pu的光被半導(dǎo)體襯底sb的上方的布線層且與遮光膜sf1不同的層的布線層所含有的布線反射，因此，難以防止或抑制陰影。因此，cmos圖像傳感器的靈敏度降低，半導(dǎo)體器件的性能降低。

另一方面，在本實(shí)施方式2中，與實(shí)施方式1同樣地，對(duì)于第二層的布線層ml2的掩膜數(shù)據(jù)，以配置有多個(gè)像素pu的區(qū)域內(nèi)的位置為中心進(jìn)行收縮處理。由此，能夠使布線wr21的間距比布線wr22的間距小，能夠防止或抑制由第二層的布線層ml2產(chǎn)生的陰影。因此，能夠提高cmos圖像傳感器的靈敏度，并提高半導(dǎo)體器件的性能。

在本實(shí)施方式2中，部分掩膜數(shù)據(jù)dat23被截出的區(qū)域aw23的外周不橫穿多個(gè)布線wr21及多個(gè)布線wr22的任意一方。由此，在間隙區(qū)域aw24中不需要?jiǎng)?chuàng)建部分掩膜數(shù)據(jù)，在區(qū)域aw21和區(qū)域aw22之間，不用進(jìn)行考慮了在收縮處理前后的布線wr21的間距之差的運(yùn)算就能夠連接布線wr21和布線wr22。

另外，在本實(shí)施方式2中，在進(jìn)行收縮處理之前的端子部pd2相對(duì)于配置有連接柱va1的區(qū)域，向x軸方向上的與收縮中心位置ct21側(cè)相反一側(cè)突出距離xmargin。另外，在進(jìn)行收縮處理之前的端子部pd2相對(duì)于配置有連接柱va1的區(qū)域，向y軸方向上的與收縮中心位置ct21側(cè)相反一側(cè)突出距離xmargin。因此，即使在沒(méi)有考慮第二層的布線層ml2的掩膜尺寸效應(yīng)或opc處理的情況、且裕度△為△＝0的情況下，連接柱va1在俯視時(shí)仍內(nèi)置在進(jìn)行了收縮處理之后的端子部pd2內(nèi)。

根據(jù)本實(shí)施方式2中的布線布局的設(shè)計(jì)方法，在創(chuàng)建芯片布局?jǐn)?shù)據(jù)時(shí)，若能夠驗(yàn)證布線wr21與連接柱va1電連接的情況，則在進(jìn)行了收縮處理之后，布線wr21仍能夠可靠地與連接柱va1電連接。因此，在創(chuàng)建芯片布局?jǐn)?shù)據(jù)時(shí)，在進(jìn)行了布線wr21是否與連接柱va1電連接的驗(yàn)證的情況下，在進(jìn)行了收縮處理之后粘貼縮小部分掩膜數(shù)據(jù)dat21并創(chuàng)建掩膜數(shù)據(jù)dat2a，此后無(wú)需再進(jìn)行驗(yàn)證。

另外，將在進(jìn)行了收縮處理之后的區(qū)域aw21內(nèi)的最小線寬設(shè)為線寬wshrink(參照上述式(7))，將在進(jìn)行了收縮處理之后的區(qū)域aw21內(nèi)的最小間隔寬度設(shè)為間隔寬度sshrink(參照上述式(8))。因此，在進(jìn)行了收縮處理之后，也能夠確保第二層的布線層ml2中的最小線寬和最小間隔寬度地配置多個(gè)布線wr21。

此外，也可以對(duì)第二層的布線層ml2以外的布線層進(jìn)行收縮處理，也可以對(duì)p型半導(dǎo)體層pw、n型半導(dǎo)體層nw或柵極電極ge進(jìn)行收縮處理。另外，在被收縮處理的區(qū)域的各部分中，還能夠以使收縮率α成為同一值或者成為不同值的方式來(lái)進(jìn)行調(diào)整該收縮率α。

而且，在本實(shí)施方式2中，以被截出的區(qū)域aw23具有矩形形狀、且布線wr21和布線wr22在區(qū)域aw21的x軸方向上的負(fù)側(cè)的端部和區(qū)域aw22之間的部分的間隙區(qū)域aw24進(jìn)行連接為例進(jìn)行了說(shuō)明。但是，被截出的區(qū)域aw23也可以不具有矩形形狀?；蛘?，布線wr21和布線wr22也可以在區(qū)域aw21的x軸方向上的正側(cè)的端部和區(qū)域aw22之間的部分的間隙區(qū)域aw24進(jìn)行連接?；蛘?，布線wr21和布線wr22也可以在區(qū)域aw21的y軸方向上的正側(cè)或負(fù)側(cè)的端部和區(qū)域aw22之間的部分的間隙區(qū)域aw24進(jìn)行連接。在任意的情況下，都能夠得到與本實(shí)施方式2同樣的效果。

(布線布局及其設(shè)計(jì)方法的第一變形例)

以下，關(guān)于布線層中的布線布局及其設(shè)計(jì)方法的第一變形例進(jìn)行說(shuō)明。在本第一變形例中，還對(duì)于多個(gè)連接柱va1進(jìn)行收縮處理。

圖47及圖48是表示實(shí)施方式2的第一變形例中的第二層的布線層的布線布局的俯視圖。圖47表示在進(jìn)行了收縮處理之后的配置，圖48表示在進(jìn)行收縮處理之前的配置。

在圖47及圖48所示的例子中，針對(duì)多個(gè)連接柱va1，以與多個(gè)布線wr21的收縮率相等的收縮率進(jìn)行收縮處理。由此，如圖47所示，能夠使y軸方向上的多個(gè)連接柱va1的排列的間距ptv1與y軸方向上的多個(gè)布線wr21的排列的間距pt21相等。此時(shí)，間距ptv1變得比y軸方向上的多個(gè)布線wr21的排列的間距pt22小。此外，連接柱va2的排列的間距ptv2能夠與y軸方向上的多個(gè)布線wr22的排列的間距pt22相等。

另外，第一層的布線層ml1具有多個(gè)端子部pc1。多個(gè)端子部pc1分別與多個(gè)連接布線cw1同層地形成。各端子部pc1與各連接布線cw1的靠區(qū)域aw21側(cè)的端部連接。

在本第一變形例中，將在進(jìn)行收縮處理之前的連接柱va1的x軸方向及y軸方向上的寬度(在連接柱va1呈圓形形狀時(shí)為直徑)設(shè)為寬度v1’。此時(shí)，寬度v1’由下述式(9)定義。

v1’＝1/α×v1(9)

如圖48所示，在進(jìn)行收縮處理之前的端子部pc1相對(duì)于配置有連接柱va1的區(qū)域，向x軸方向上的收縮中心位置ct21側(cè)突出距離xmargin2。另外，在進(jìn)行收縮處理之前的端子部pc1相對(duì)于配置有連接柱va1的區(qū)域，向y軸方向上的收縮中心位置ct21側(cè)突出距離ymargin2。距離xmargin2及距離ymargin2由下述式(10)及下述式(11)定義。此外，將裕度△’作為連接柱va1的位置相對(duì)于第二層的布線層ml2的能夠允許的偏移量即偏移量的裕度。

xmargin2＝(1-α)×(|xv|-0.5×v1’)+△’(10)

ymargin2＝(1-α)×(|yv|-0.5×v1’)+△’(11)

圖49是實(shí)施方式2的第一變形例中的使第二層的布線層的布線布局?jǐn)?shù)據(jù)與第一層的布線層的布線布局?jǐn)?shù)據(jù)重疊地表示的俯視圖。在圖49所示的例子中，第一層的布線層ml1包含分別沿y軸方向延伸且沿x軸方向排列的多個(gè)布線wr11。

在本第一變形例中，連接柱va1以與布線wr21相同的收縮率進(jìn)行收縮處理。因此，在截出了連接柱va1的層中，截出作為配置有多個(gè)像素pu的區(qū)域的區(qū)域awv的情況下，如圖49所示，區(qū)域awv為與第二層的布線層ml2中截出的區(qū)域aw23相同的大小。

根據(jù)本第一變形例，與實(shí)施方式2不同，形成在與第二層的布線層ml2相比更下層的連接柱va1也以與第二層的布線層ml2中的收縮率相等的收縮率進(jìn)行收縮處理。但是，在沒(méi)有考慮第二層的布線層ml2的掩膜尺寸效應(yīng)或opc處理的情況、裕度△’等于0的情況下，在進(jìn)行了收縮處理之后的連接柱va1在俯視時(shí)也內(nèi)置在端部ep21。另外，在進(jìn)行收縮處理之前的連接柱va1的x軸方向及y軸方向上的寬度v1’為考慮了收縮處理的寬度。因此，本第一變形例能夠提高設(shè)計(jì)的自由度，并且具有與實(shí)施方式2同樣的效果。

圖50及圖51是表示實(shí)施方式2的第一變形例中的第二層的布線層的布線布局的另一例的俯視圖。圖50表示在進(jìn)行了收縮處理之后的配置，圖51表示在進(jìn)行收縮處理之前的配置。

在圖50及圖51所示的例子中，配置有端子部pd2及端子部pc1。

在圖50所示的例子中，在將多個(gè)布線wr21的收縮率設(shè)為收縮率αm2時(shí)，相對(duì)于多個(gè)連接柱va1，以比收縮率αm2大的收縮率αv1進(jìn)行收縮處理。因此，如圖50所示，能夠使y軸方向上的多個(gè)連接柱va1的排列的間距ptv1比y軸方向上的多個(gè)布線wr21的排列的間距pt21大、且比y軸方向上的多個(gè)布線wr22的排列的間距pt22小。能夠?qū)⑹湛s率αv1設(shè)為例如0.995，將收縮率αm2設(shè)為例如0.99。

如圖51所示，在進(jìn)行收縮處理之前的端子部pd2相對(duì)于配置有連接柱va1的區(qū)域，向x軸方向上的與收縮中心位置ct21側(cè)相反一側(cè)突出距離xmargin’。另外，在進(jìn)行收縮處理之前的端子部pd2相對(duì)于配置有連接柱va1的區(qū)域，向y軸方向上的與收縮中心位置ct21側(cè)相反一側(cè)突出距離ymargin’。另一方面，在進(jìn)行收縮處理之前的端子部pc1相對(duì)于配置有連接柱va1的區(qū)域，向x軸方向上的收縮中心位置ct21側(cè)突出距離xmargin2’。另外，在進(jìn)行收縮處理之前的端子部pc1相對(duì)于配置有連接柱va1的區(qū)域，向y軸方向上的收縮中心位置ct21側(cè)突出距離ymargin2’。

由此，圖50及圖51所示的例子也具有與圖47及圖48所示的例子同樣的效果。

(布線布局及其設(shè)計(jì)方法的第二變形例)

以下，關(guān)于布線層中的布線布局及其設(shè)計(jì)方法的第二變形例進(jìn)行說(shuō)明。在本第二變形例中，在像素區(qū)域側(cè)在下層的布線層中形成的布線經(jīng)由在與該下層的布線層相比更上層的布線層中形成的連接布線，與在周邊電路區(qū)域側(cè)在下層的布線層配置的布線電連接。

圖52是實(shí)施方式2的第二變形例中的使第一層的布線層的布線布局與第二層的布線層的布線布局?jǐn)?shù)據(jù)重疊地表示的俯視圖。圖53及圖54是表示實(shí)施方式2的第二變形例中的第一層的布線層的布線布局的俯視圖。圖53表示在進(jìn)行收縮處理之后的配置，圖54表示在進(jìn)行收縮處理之前的配置。

如圖52～圖54所示，在本第二變形例中，第一層的布線層ml1包含多個(gè)布線wr11和多個(gè)布線wr12。多個(gè)布線wr11在配置有多個(gè)像素pu的區(qū)域即區(qū)域aw11中，分別沿x軸方向延伸，并且沿y軸方向排列。多個(gè)布線wr12在與區(qū)域aw11不同的區(qū)域即區(qū)域aw12中，分別沿x軸方向延伸，并且沿y軸方向排列。多個(gè)布線wr11分別經(jīng)由在與第一層的布線層ml1相比更上層的第二層的布線層ml2中形成的多個(gè)連接布線cw2的每一個(gè)，與多個(gè)布線wr12的每一個(gè)連接。多個(gè)連接布線cw2分別沿x軸方向延伸，并且沿y軸方向排列。

此外，在圖52所示的例子中，第二層的布線層ml2包含分別沿y軸方向延伸且沿x軸方向排列的多個(gè)布線wr21。

在本第二變形例中，如圖52所示，在第一層的布線層ml1中截出配置有多個(gè)像素pu的區(qū)域aw13的情況下，區(qū)域aw13比第二層的布線層ml2中被截出的區(qū)域aw23大。

在圖53及圖54所示的例子中，對(duì)于第一層的布線層ml1所含有的多個(gè)布線wr11進(jìn)行收縮處理，但對(duì)于第二層的布線層ml2所含有的多個(gè)連接布線cw2、及形成在多個(gè)布線wr11和多個(gè)連接布線cw2之間的層中的連接柱va1，不進(jìn)行收縮處理。

即，在圖53及圖54所示的例子中，第一層的布線層ml1和第二層的布線層ml2的關(guān)系與圖40及圖42所示的例子中的第一層的布線層ml1和第二層的布線層ml2的關(guān)系相反。

在圖53及圖54所示的例子中，代替圖40及圖42所示的例子中的多個(gè)布線wr21、多個(gè)端子部pd2及多個(gè)布線wr22，而配置了多個(gè)布線wr11、多個(gè)端子部pd1及多個(gè)布線wr12。多個(gè)布線wr11、多個(gè)端子部pd1及多個(gè)布線wr12配置在第一層的布線層ml1。多個(gè)布線wr11在區(qū)域aw11中沿y軸方向以間距pt11排列，多個(gè)布線wr12在區(qū)域aw12中沿y軸方向以間距pt12排列，多個(gè)連接布線cw1沿y軸方向以間距pt13排列。多個(gè)端子部pd1分別與布線wr11的靠區(qū)域aw12側(cè)的端部ep11連接。端部ep11的y軸方向上的寬度wd11比布線wr12的靠區(qū)域aw11側(cè)的端部ep12的y軸方向上的寬度wd12窄。

另外，在圖53及圖54所示的例子中，代替圖40及圖42所示的例子中的多個(gè)連接布線cw1，而配置了多個(gè)連接布線cw2。多個(gè)連接布線cw1配置在第二層的布線層ml2。多個(gè)連接布線cw2沿y軸方向以間距pt13排列。多個(gè)端子部pd1的每一個(gè)分別經(jīng)由多個(gè)連接柱va1的每一個(gè)與多個(gè)連接布線cw2的每一個(gè)電連接。另外，多個(gè)布線wr12的每一個(gè)分別經(jīng)由多個(gè)連接柱va2的每一個(gè)與多個(gè)連接布線cw2的每一個(gè)電連接。

如圖54所示，在進(jìn)行收縮處理之前的端子部pd1相對(duì)于配置有連接柱va1的區(qū)域，向x軸方向上的與收縮中心位置ct11側(cè)相反一側(cè)突出距離xmargin。另外，在進(jìn)行收縮處理之前的端子部pd1相對(duì)于配置有連接柱va1的區(qū)域，向y軸方向上的與收縮中心位置ct11側(cè)相反一側(cè)突出距離ymargin。

由此，圖53及圖54所示的例子也能夠提高設(shè)計(jì)的自由度，并且具有與實(shí)施方式2中的圖40及圖42所示的例子同樣的效果。

圖55及圖56是表示實(shí)施方式2的第二變形例中的第一層的布線層的布線布局的另一例的俯視圖。圖55表示在進(jìn)行了收縮處理之后的配置，圖56表示在進(jìn)行收縮處理之前的配置。

在圖55及圖56所示的例子中，除了第一層的布線層ml1所含有的多個(gè)布線wr11以外，對(duì)于形成在多個(gè)布線wr11和多個(gè)連接布線cw2之間的層中的連接柱va1，也進(jìn)行收縮處理。另一方面，對(duì)于第二層的布線層ml2所含有的多個(gè)連接布線cw2，不進(jìn)行收縮處理。

即，圖55及圖56所示的例子中的第一層的布線層ml1和第二層的布線層ml2的關(guān)系與圖47及圖48所示的例子中的第一層的布線層ml1和第二層的布線層ml2的關(guān)系相反。此外，在圖55及圖56所示的例子中，代替圖47及圖48所示的例子中的多個(gè)端子部pc1，而配置了多個(gè)端子部pc2。多個(gè)端子部pc2分別與連接布線cw2的靠區(qū)域aw11側(cè)的端部連接。多個(gè)端子部pc2分別經(jīng)由多個(gè)連接柱va1的每一個(gè)與多個(gè)布線wr11的靠區(qū)域aw12側(cè)的端部ep11的每一個(gè)電連接。

如圖56所示，在進(jìn)行收縮處理之前的端子部pc2相對(duì)于配置有連接柱va1的區(qū)域，向x軸方向上的收縮中心位置ct11側(cè)突出距離xmargin2。另外，在進(jìn)行收縮處理之前的端子部pc2相對(duì)于配置有連接柱va1的區(qū)域，向y軸方向上的收縮中心位置ct11側(cè)突出距離ymargin2。

由此，圖55及圖56所示的例子也具有與圖47及圖48所示的例子同樣的效果。

圖57及圖58是表示實(shí)施方式2的第二變形例中的第一層的布線層的布線布局的另一例的俯視圖。圖57表示在進(jìn)行了收縮處理之后的配置，圖58表示在進(jìn)行收縮處理之前的配置。

在圖57及圖58所示的例子中，配置有端子部pd1及端子部pc2。即，圖57及圖58所示的例子中的第一層的布線層ml1和第二層的布線層ml2的關(guān)系與圖50及圖51所示的例子中的第一層的布線層ml1和第二層的布線層ml2的關(guān)系相反。

但是，在圖57所示的例子中，與圖50所示的例子不同，在將多個(gè)連接柱va1的收縮率設(shè)為收縮率αv1時(shí)，針對(duì)多個(gè)布線wr11，以比收縮率αv1大的收縮率αm1進(jìn)行收縮處理。由此，如圖57所示，能夠使y軸方向上的多個(gè)布線wr11的排列的間距pt11比y軸方向上的多個(gè)連接柱va1的排列的間距ptv1大、且比y軸方向上的多個(gè)布線wr12的排列的間距pt12小。能夠?qū)⑹湛s率αv1設(shè)為例如0.99，將收縮率αm1設(shè)為例如0.995。

如圖58所示，在進(jìn)行收縮處理之前的端子部pd1相對(duì)于配置有連接柱va1的區(qū)域，向x軸方向上的收縮中心位置ct11側(cè)突出距離xmargin’。另外，在進(jìn)行收縮處理之前的端子部pd1相對(duì)于配置有連接柱va1的區(qū)域，向y軸方向上的收縮中心位置ct11側(cè)突出距離ymargin’。另一方面，在進(jìn)行收縮處理之前的端子部pc2相對(duì)于配置有連接柱va1的區(qū)域，向x軸方向上的收縮中心位置ct11側(cè)突出距離xmargin2’。另外，在進(jìn)行收縮處理之前的端子部pc2相對(duì)于配置有連接柱va1的區(qū)域，向y軸方向上的收縮中心位置ct11側(cè)突出距離ymargin2’。

由此，圖57及圖58所示的例子也具有與圖50及圖51所示的例子同樣的效果。

(布線布局及其設(shè)計(jì)方法的第三變形例)

以下，關(guān)于布線層中的布線布局及其設(shè)計(jì)方法的第三變形例進(jìn)行說(shuō)明。在本第三變形例中，在像素區(qū)域側(cè)在上層的布線層中形成的布線經(jīng)由在下層的布線層中形成的連接布線，與在周邊電路區(qū)域側(cè)在上層的布線層中配置的布線電連接。另外，在本第三變形例中，多個(gè)端子部pd2各自的形狀能夠設(shè)為彼此相同的形狀。

圖59及圖60是表示實(shí)施方式2的第三變形例中的第二層的布線層的布線布局的俯視圖。圖59表示在進(jìn)行了收縮處理之后的配置，圖60表示在進(jìn)行收縮處理之前的配置。此外，圖59及圖60是圖39的區(qū)域rg31、rg32及rg33的放大俯視圖。即，圖59及圖60是關(guān)于布線wr21、布線wr22及連接布線cw1，示出配置在y軸方向上的排列的正側(cè)的端部上的布線、配置在y軸方向上的排列的中央的布線、及配置在y軸方向上的排列的負(fù)側(cè)的端部上的布線。

在實(shí)施方式2中，在圖40及圖42所示的例子中，在進(jìn)行收縮處理之前的端子部pd2相對(duì)于配置有連接柱va1的區(qū)域，向x軸方向上的與收縮中心位置ct21側(cè)相反一側(cè)突出距離xmargin。另外，在進(jìn)行收縮處理之前的端子部pd2相對(duì)于配置有連接柱va1的區(qū)域，向y軸方向上的與收縮中心位置ct21側(cè)相反一側(cè)突出距離ymargin。另外，距離xmargin及距離ymargin在分別與多個(gè)布線wr21的每一個(gè)連接的多個(gè)端子部pd2之間彼此不同，因此，多個(gè)端子部pd2各自的形狀在多個(gè)端子部pd2之間彼此不同。

另一方面，在本第三變形例中，如圖59所示，多個(gè)端子部pd2各自的形狀在多個(gè)端子部pd2之間彼此相同。

如圖59所示，在本第三變形例中，多個(gè)端子部pd2也分別與多個(gè)布線wr21的每一個(gè)電連接，并且分別經(jīng)由多個(gè)連接柱va1的每一個(gè)與多個(gè)連接布線cw1的每一個(gè)電連接。另外，在彼此電連接的布線wr21、端子部pd2、連接柱va1及連接布線cw1的組中，端子部pd2包含：比布線wr21更向y軸方向上的正側(cè)突出的突出部pd21；以及比布線wr21更向y軸方向上的負(fù)側(cè)突出的突出部pd22。在彼此電連接的布線wr21、端子部pd2，連接柱va1及連接布線cw1的組中，端子部pd2在俯視時(shí)與連接布線cw1重疊，連接柱va1在俯視時(shí)內(nèi)置于與連接布線cw1重疊的部分的端子部pd2。

如圖60所示，在進(jìn)行收縮處理之前，在y軸方向上的多個(gè)連接柱va1的排列的正側(cè)的端部配置的連接柱va1相對(duì)于收縮中心位置ct21的中心坐標(biāo)為(xv，yvu)。另外，在y軸方向上的多個(gè)連接柱va1的排列的負(fù)側(cè)的端部配置的連接柱va1相對(duì)于收縮中心位置ct21的中心坐標(biāo)為(xv，yvl)。

在進(jìn)行收縮處理之前，各端子部pd2所含有的突出部pd21相對(duì)于配置有連接柱va1的區(qū)域，向x軸方向上的與收縮中心位置ct21側(cè)相反一側(cè)突出距離xmargin。

另一方面，在進(jìn)行收縮處理之前，各端子部pd2所含有的突出部pd21相對(duì)于配置有連接柱va1的區(qū)域，向y軸方向上的正側(cè)突出距離ymarginu。另外，在進(jìn)行收縮處理之前，各端子部pd2所含有的突出部pd22相對(duì)于配置有連接柱va1的區(qū)域，向y軸方向上的負(fù)側(cè)突出距離ymarginl。

這里，距離xmargin、距離ymarginu及距離ymarginl分別設(shè)定成在由下述式(12)～下述式(14)定義的值以上的值。

xmargin＝(1-α)/α×(|xv|+0.5×v1+△)(12)

ymarginu＝(1-α)/α×(|yvu|+0.5×v1+△)(13)

ymarginl＝(1-α)/α×(|yv1|+0.5×v1+△)(14)

端子部pd2只要僅突出在實(shí)施方式2中使用圖40及圖42說(shuō)明的距離xmargin及距離ymargin即可。但是，沿y軸方向排列的端子部pd2的數(shù)量極多，因此在創(chuàng)建掩膜數(shù)據(jù)時(shí)，一邊確認(rèn)與各端子部pd2對(duì)應(yīng)的連接柱va1的坐標(biāo)，一邊按每個(gè)端子部pd2設(shè)定距離xmargin及距離ymargin的情況下，創(chuàng)建掩膜數(shù)據(jù)的工序變得復(fù)雜。因此，如圖59及圖60所示，計(jì)算出在被截出的區(qū)域aw23的整個(gè)區(qū)域中，各端子部pd2的裕度的最大值、即端子部pd2從配置有連接柱va1的區(qū)域突出的距離的最大值，并配置具有該最大值以上的裕度的同一形狀的端子部pd2。由此，除了實(shí)施方式2具有的效果以外，還能夠比實(shí)施方式2更簡(jiǎn)便地進(jìn)行創(chuàng)建掩膜數(shù)據(jù)的工序。

而且，圖61示出從圖59及圖60所示的例子派生的例子。圖61是表示實(shí)施方式2的第三變形例中的第二層的布線層的布線布局的另一例的俯視圖。圖61表示在進(jìn)行收縮處理之前的配置。

在圖61所示的例子中，被截出的區(qū)域aw23沿y軸方向被分割成5個(gè)區(qū)域aw231～區(qū)域aw235。另外，設(shè)定距離xmargin1～距離xmargin5來(lái)作為區(qū)域aw231～區(qū)域aw235各自中的距離xmargin的最大值，設(shè)定距離ymargin1～距離ymargin5來(lái)作為區(qū)域aw231～區(qū)域aw235各自中的距離ymargin的最大值。而且，分別在區(qū)域aw231～區(qū)域aw235中，配置具有距離ymargin1～距離ymargin5各自的裕度以上的裕度的同一形狀的端子部pd2。

此時(shí)，多個(gè)端子部pd2中的、與配置在多個(gè)布線wr21的排列的中央部的布線wr21連接的端子部pd2的y軸方向上的寬度，變得比多個(gè)端子部pd2中的、與配置在多個(gè)布線wr21的排列的端部上的布線wr21連接的端子部pd2的y軸方向上的寬度窄。

被截出的區(qū)域aw23被分割成例如布局設(shè)計(jì)者容易處理的數(shù)量，按被分割的多個(gè)區(qū)域的每一個(gè)，算出各端子部pd2的裕度的最大值，并配置具有該最大值以上的裕度的同一形狀的端子部pd2。由此，在圖61所示的例子中，與圖59及圖60所示的例子相比，雖然創(chuàng)建掩膜數(shù)據(jù)的工序變得稍微復(fù)雜，但與實(shí)施方式2相比還是能夠使創(chuàng)建掩膜數(shù)據(jù)的工序簡(jiǎn)便的。

此外，雖然省略了圖示，但對(duì)于實(shí)施方式2的第一變形例及實(shí)施方式2的第二變形例，也能夠適用與本第三變形例同樣的變形例。

(布線布局及其設(shè)計(jì)方法的第四變形例)

以下，關(guān)于布線層中的布線布局及其設(shè)計(jì)方法的第四變形例進(jìn)行說(shuō)明。在本第四變形例中，除了多個(gè)布線wr21及多個(gè)連接柱va1以外，還對(duì)多個(gè)連接布線cw1進(jìn)行收縮處理。

圖62及圖63是表示實(shí)施方式2的第四變形例中的第二層的布線層的布線布局的俯視圖。圖62表示在進(jìn)行了收縮處理之后的配置，圖63表示在進(jìn)行收縮處理之前的配置。

在圖62所示的例子中，與圖50所示的例同樣地，在將多個(gè)布線wr21的收縮率設(shè)為收縮率αm2時(shí)，針對(duì)多個(gè)連接柱va1，以比收縮率αm2大的收縮率αv1進(jìn)行收縮處理。由此，如圖62所示，能夠使y軸方向上的多個(gè)連接柱va1的排列的間距ptv1比y軸方向上的多個(gè)布線wr21的排列的間距pt21大。

而且，在圖62所示的例子中，與圖50所示的例子不同，針對(duì)多個(gè)連接布線cw1，以比收縮率αv1大的收縮率αm1進(jìn)行收縮處理。由此，如圖62所示，能夠使y軸方向上的多個(gè)連接布線cw1的排列的間距pt23比y軸方向上的多個(gè)連接柱va1的排列的間距ptv1大、且比y軸方向上的多個(gè)布線wr22的排列的間距pt22小。

另外，第一層的布線層ml1具有多個(gè)端子部pc1。多個(gè)端子部pc1分別與多個(gè)連接布線cw1同層地形成。多個(gè)端子部pc1分別與多個(gè)連接布線cw1各自的靠區(qū)域aw21側(cè)的端部連接。

在圖62及圖63所示的例子中，在創(chuàng)建掩膜數(shù)據(jù)時(shí)，也分別在布線wr21、連接柱va1及連接布線cw1中，設(shè)定考慮了收縮率αm2，αv1及αm1的裕度。由此，在進(jìn)行了收縮處理之后，也能夠?qū)⒍鄠€(gè)布線wr21分別經(jīng)由多個(gè)連接柱va1的每一個(gè)與多個(gè)連接布線cw1的每一個(gè)電連接，并能夠?qū)⒍鄠€(gè)布線wr22的每一個(gè)分別經(jīng)由多個(gè)連接柱va2的每一個(gè)與多個(gè)連接布線cw2的每一個(gè)電連接。由此，在圖62及圖63所示的例子中，也能夠提高設(shè)計(jì)的自由度，并且具有與實(shí)施方式2中的圖40及圖42所示的例子同樣的效果。

此外，雖然省略了圖示，但對(duì)于實(shí)施方式2的第一變形例、實(shí)施方式2的第二變形例及實(shí)施方式2的第三變形例，也能夠適用與本第四變形例同樣的變形例。

以上，基于實(shí)施方式具體地說(shuō)明了本發(fā)明人研發(fā)的發(fā)明，但本發(fā)明不限于所述實(shí)施方式，在不脫離其主旨的范圍內(nèi)當(dāng)然能夠進(jìn)行各種變更。

附圖標(biāo)記說(shuō)明

ar1、ar2區(qū)域

aw11～aw13、aw21～aw23、aw231～aw235區(qū)域

aw14、aw24、aw34間隙區(qū)域

aw31～aw33、awv區(qū)域

bs基體

bw隔壁

cap覆蓋絕緣膜

cf彩色濾光片

ct11、ct21收縮中心位置(位置)

ct12、ct22、ct31、ct32位置

cw1連接布線(布線圖案)

cw1a、cw2、cw2a連接布線

cw11、cw12延伸部

cw13連接部

dat1、dat1a、dat2、dat2a、dat3、dat3a掩膜數(shù)據(jù)

dat11、dat21、dat31縮小部分掩膜數(shù)據(jù)

dat13、dat23、dat33部分掩膜數(shù)據(jù)

dat14、dat34間隙部分掩膜數(shù)據(jù)

ds1～ds3偏移量

ep11、ep12、ep21、ep22端部

ex11、ex12延伸部

fs平面

ge柵極電極

gi柵極絕緣膜

il、il1～il3層間絕緣膜

il4絕緣膜

ml微透鏡

ml1～ml3布線層

msk曝光用掩膜

nwn型半導(dǎo)體層

op1開(kāi)口部

pc1、pc2端子部

pd光電二極管

pd1、pd2端子部

pd21、pd22突出部

pt11～pt13、pt21～pt23間距

ptn1～ptn3曝光用圖案

ptv1、ptv2間距

pu像素

pwp型半導(dǎo)體層

rf1抗蝕膜

rg1、rg2、rg31～rg33區(qū)域

rp1～rp3抗蝕圖案

sb半導(dǎo)體襯底

sc1、sc11、sg12、sc2、sc21、sc22側(cè)面

sc31、sc32側(cè)面

sf1、sf11～sf13遮光膜

sp1間隔寬度

sw側(cè)壁

sw11、sw12、sw21、sw22側(cè)面

tr11～tr13、tr2、tr3布線槽

tx傳輸用晶體管

va1、va2連接柱

wc1寬度

wd11～wd14、wd21、wd22寬度

wr11、wr12、wr13、wr21、wr22布線(布線圖案)

wr11a、wr12a、wr1a、wr3布線

wr21～wr23、wr2a、wr23、wr3布線