本發(fā)明涉及能安裝并容納元件的元件收納用封裝以及將元件安裝在該封裝中的安裝結(jié)構(gòu)體。

背景技術(shù)：

近年，隨著設(shè)備的小型化，開發(fā)了能安裝半導(dǎo)體元件、發(fā)光二極管、壓電元件、水晶振蕩器、激光二極管或者光電二極管等元件的小型元件收納用封裝(例如，參照J(rèn)P特開2007-123950號公報(bào))。另外，對于JP特開2007-123950號公報(bào)中提出的元件收納用封裝，提出有具備基板、設(shè)置在基板上的框體、和設(shè)置于框體的一部分的同軸連接器的結(jié)構(gòu)。

由于元件收納用封裝的小型化、大容量化，特別是在使用100GHz這樣的高頻率信號的高頻用元件收納用封裝中，要求提高通過同軸連接器輸入輸出信號時(shí)的頻率特性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于，提供一種能夠提高具有同軸連接器的元件收納用封裝的頻率特性的元件收納用封裝以及安裝結(jié)構(gòu)體。

發(fā)明概要

本發(fā)明的一實(shí)施方式涉及的元件收納用封裝具備：金屬基板，其在上表面具有安裝元件的安裝區(qū)域；框體，其設(shè)置在所述金屬基板上，且具有俯視下包圍所述安裝區(qū)域的四邊、設(shè)置于所述四邊當(dāng)中的一邊的第1貫通孔、以及與所述第1貫通孔相鄰地設(shè)置于所述一邊的第2貫通孔；第1同軸連接器，其設(shè)置于所述第1貫通孔，且具有第1芯軸；第2同軸連接器，其設(shè)置于所述第2貫通孔，且具有第2芯軸；以及電路基板，其在由所述框體包圍的區(qū)域內(nèi)以俯視下一部分與所述框體的所述一邊相接的狀態(tài)被設(shè)置。此外，在所述電路基板的上表面形成有：與所述第1同軸連接 器的所述第1芯軸連接的第1信號線；與所述第2同軸連接器的所述第2芯軸連接的第2信號線；以及在所述第1信號線和所述第2信號線之間與兩線空出間隔而設(shè)置的第1接地導(dǎo)體層。在所述電路基板的下表面，形成被設(shè)置在俯視透視下與所述第1信號線以及所述第2信號線重疊的部位的第2接地導(dǎo)體層。此外，在所述框體的所述一邊和所述電路基板的側(cè)面之間的由所述第1信號線和所述第2信號線夾著的部位設(shè)置有溝槽。

此外，本發(fā)明的一實(shí)施方式涉及的安裝結(jié)構(gòu)體具備：所述元件收納用封裝；以及被安裝在所述元件收納用封裝的所述安裝區(qū)域的元件。

附圖說明

圖1是從一個(gè)方向觀察本發(fā)明的一實(shí)施方式涉及的安裝結(jié)構(gòu)體的概括立體圖，示出取下蓋體的狀態(tài)。

圖2是從一個(gè)方向觀察本發(fā)明的一實(shí)施方式涉及的元件收納用封裝的外觀立體圖。

圖3是從另一個(gè)方向觀察本發(fā)明的一實(shí)施方式涉及的元件收納用封裝的外觀立體圖。

圖4是本發(fā)明的一實(shí)施方式涉及的元件收納用封裝的俯視圖。

圖5是本發(fā)明的一實(shí)施方式涉及的元件收納用封裝的側(cè)視圖。

圖6是沿圖5的X-X的剖面圖。

圖7是將本發(fā)明的一實(shí)施方式涉及的元件收納用封裝的電路基板及其周邊放大的外觀立體圖。

圖8是將本發(fā)明的一實(shí)施方式涉及的元件收納用封裝的電路基板及其周邊放大的俯視圖。

圖9是圖8所示的電路基板的俯視圖。

圖10是沿圖8的Y-Y的剖面圖。

圖11是沿圖8的Z-Z的剖面圖。

圖12是表示本實(shí)施方式涉及的元件收納用封裝以及安裝結(jié)構(gòu)體的同軸連接器的高頻信號的頻率特性的模擬結(jié)果的曲線圖。

具體實(shí)施方式

以下，參照附圖，說明本發(fā)明的一實(shí)施方式涉及的元件收納用封裝以及安裝結(jié)構(gòu)體。

<安裝結(jié)構(gòu)體的構(gòu)成>

安裝結(jié)構(gòu)體1具備：元件收納用封裝2；以及設(shè)置在元件收納用封裝2的安裝區(qū)域R的元件3。元件收納用封裝2例如用于安裝并容納包括半導(dǎo)體元件、晶體管、激光二極管、光電二極管或半導(dǎo)體閘流管等有源元件、或者電阻器、電容器、太陽能電池、壓電元件、水晶振蕩器或陶瓷諧振器等無源元件的元件3。

元件3安裝在基座3a上?；?a設(shè)置于元件收納用封裝2的內(nèi)部的安裝區(qū)域R?；?a用于安裝元件3，且能夠?qū)υ?的高度位置進(jìn)行調(diào)整?；?a由絕緣材料形成，在基座3a的上表面形成與元件3電連接的電氣布線。另外，在本實(shí)施方式中，設(shè)置2個(gè)輸入輸出端子4，并與其對應(yīng)地將2個(gè)元件3安裝在基座3a上。

元件收納用封裝2適用于安裝與高耐壓化、大電流化、大功率化或者高速/高頻化對應(yīng)的元件3并使其發(fā)揮作用，作為元件3的一例，安裝半導(dǎo)體元件。此外，元件收納用封裝2具備：在上表面具有安裝元件3的安裝區(qū)域R的金屬基板21；設(shè)置在金屬基板21上，且具有俯視下包圍安裝區(qū)域R的四邊、設(shè)置于四邊的一邊的第1貫通孔Ha、以及在一邊與第1貫通孔Ha相鄰的第2貫通孔Hb的框體22；設(shè)置于第1貫通孔Ha，且具有第1芯軸231a的第1同軸連接器23a；設(shè)置于第2貫通孔Hb，且具有第2芯軸231b的第2同軸連接器23b；以及在安裝區(qū)域R上以俯視下一部分與框體22的一邊相接的狀態(tài)被設(shè)置的電路基板24。

金屬基板21是矩形形狀的金屬板，例如，由銅、鐵、鎢、鉬、鎳或鈷等金屬材料、或者含有這些金屬材料的合金形成。另外，金屬基板21的導(dǎo)熱率例如被設(shè)定為15W/(m·K)以上且450W/(m·K)以下。金屬基板21的熱膨脹系數(shù)例如被設(shè)定為3×10^-6/K以上且28×10^-6/K以下。

通過對將熔融的金屬材料澆鑄到膜框中使其固化而成的鑄塊使用滾軋加工或者沖壓加工等金屬加工法，從而將金屬基板21制成規(guī)定形狀。另外，金屬基板21的俯視時(shí)的一邊的長度例如被設(shè)定為5mm以上且 50mm以下。此外，金屬基板21的上下方向的厚度例如被設(shè)定為0.3mm以上且5mm以下。

此外，為了防止氧化腐蝕，使用電鍍法或者非電解鍍法，對金屬基板21的表面形成鎳或者金等金屬層。另外，金屬層的厚度例如被設(shè)定為0.5μm以上且9μm以下。

框體22設(shè)置在金屬基板21上?？蝮w22具有俯視下包圍安裝區(qū)域R的四邊。在框體22，在四邊之中的一邊設(shè)置同軸連接器23。此外，在框體22，在與設(shè)置了同軸連接器23的一邊相鄰的兩邊設(shè)置輸入輸出端子4?？蝮w22通過銀銅釬料等釬料接合在金屬基板21上。

框體22例如由銅、鐵、鎢、鉬、鎳或鈷等金屬材料、或者含有這些金屬材料的合金形成。框體22具有將由元件3產(chǎn)生的熱高效地向外部散熱的功能、吸收熱應(yīng)力或使熱應(yīng)力分散的功能。另外，框體22的導(dǎo)熱率例如被設(shè)定為15W/(m·K)以上且450W/(m·K)以下?？蝮w22的熱膨脹系數(shù)例如被設(shè)定為3×10^-6/K以上且28×10^-6/K以下。此外，框體22上下的厚度例如被設(shè)定為5mm以上且20mm以下。此外，俯視框體22時(shí)的框的厚度例如被設(shè)定為0.5mm以上且3mm以下。

此外，框體22在同軸連接器23被連接的一邊設(shè)置有載置電路基板24的段部22a。段部22a作為框體22的一部分而一體化。對于段部22a來說，其從框體22的一邊向由框體22包圍的區(qū)域凸出的長度例如被設(shè)定為1mm以上且10mm以下，其上下方向的長度例如被設(shè)定為0.5mm以上且5mm以下，其沿框體22的一邊的方向的長度例如被設(shè)定為5mm以上且50mm以下。

輸入輸出端子4設(shè)置于金屬基板21的邊緣，能夠?qū)⒖蝮w22內(nèi)和框體22外電連接。輸入輸出端子4是長方體形狀，從上表面起一直到位于框體22內(nèi)的側(cè)面被切口。如圖4所示，輸入輸出端子4的下表面的一部分向側(cè)方突出。并且，輸入輸出端子4的向側(cè)方突出的下表面的一部分與引線端子5連接。

輸入輸出端子4是絕緣材料，例如，由氧化鋁質(zhì)燒結(jié)體、多鋁紅柱石質(zhì)燒結(jié)體、碳化硅質(zhì)燒結(jié)體、氮化鋁質(zhì)燒結(jié)體、氮化硅質(zhì)燒結(jié)體或者玻璃陶瓷等陶瓷材料形成。另外，輸入輸出端子4的熱膨脹系數(shù)例如被設(shè)定為 3×10^-6/K以上且8×10^-6/K以下。

輸入輸出端子4能夠?qū)盈B多層而形成。這里，說明輸入輸出端子4的制作方法。輸入輸出端子4例如在由氧化鋁質(zhì)燒結(jié)體形成的情況下，在氧化鋁、氧化硅、氧化鎂以及氧化鈣等原料粉末中添加混合有機(jī)粘合劑、增塑劑或者溶劑等而得到混合物，并且得到形成片狀的生片。

此外，在輸入輸出端子4設(shè)置連接引線端子5的布線導(dǎo)體。為形成輸入輸出端子4，準(zhǔn)備成為布線導(dǎo)體的原料的鎢或者鉬等高熔點(diǎn)金屬粉末，在該粉末中添加混合有機(jī)粘合劑、增塑劑或者溶劑等而得到金屬膏。然后，將未燒成的生片沖切成規(guī)定形狀，在規(guī)定部位印刷金屬膏。

然后，層疊多層印刷了金屬膏的生片，在規(guī)定的溫度下同時(shí)燒成，從而得到一體形成的輸入輸出端子4。進(jìn)一步地，經(jīng)由釬料將引線端子5連接到輸入輸出端子4的下表面的布線導(dǎo)體。另外，在輸入輸出端子4形成連接引線端子5、接合線(bonding wire)的布線導(dǎo)體41。

引線端子5是用于將外部的電子設(shè)備等與元件3電連接的構(gòu)件。引線端子5經(jīng)由釬料與形成在輸入輸出端子4的下表面的布線導(dǎo)體連接。由此，將布線導(dǎo)體與引線端子5電連接。此外，在輸入輸出端子4的下表面形成多個(gè)布線導(dǎo)體，多個(gè)布線導(dǎo)體彼此空出間隔而設(shè)置。并且，相鄰的布線導(dǎo)體彼此電絕緣。并且，通過將各引線端子5設(shè)置于各布線導(dǎo)體，從而使相鄰的引線端子5彼此電絕緣。另外，引線端子5由導(dǎo)電材料形成，例如由銅、鐵、鎢、鉬、鎳或鈷等金屬材料、或者含有這些金屬材料的合金形成。

如圖5所示，引線端子5雖然沿平面方向延伸，但引線端子5的一端和引線端子5的另一端之間被折彎。如圖5所示，引線端子5被折彎而調(diào)整成使引線端子5的下表面的高度位置與金屬基板21的下表面的高度位置相同。由此，能夠使金屬基板21以及引線端子5雙方相對于外部的基板平坦地進(jìn)行安裝。并且，元件收納用封裝2能夠在增加相對于外部的基板進(jìn)行固定的面積的同時(shí)，相對于外部的基板無傾斜地連接。其結(jié)果是，元件收納用封裝2能夠與外部的基板穩(wěn)定且牢固地連接。

布線導(dǎo)體41還形成在輸入輸出端子4的上表面的由框體22包圍的區(qū)域。并且，布線導(dǎo)體41例如通過接合線與元件3的電極電連接。此外，布線導(dǎo)體41從輸入輸出端子4的上表面延伸到輸入輸出端子4內(nèi)。進(jìn)一 步地，布線導(dǎo)體41通過輸入輸出端子4內(nèi)的過孔而延伸至輸入輸出端子4的下表面。并且，元件3經(jīng)由布線導(dǎo)體41與引線端子5電連接。

在輸入輸出端子4的上表面的一部分形成第1金屬層。對于第1金屬層來說，由于輸入輸出端子4的主體部分由陶瓷材料構(gòu)成，所以當(dāng)將陶瓷材料的主體部分與框體22、密封圈6的金屬材料的框狀部經(jīng)由釬料而連接時(shí)，第1金屬層能夠作為釬料的基底。進(jìn)一步地，第1金屬層與電位成為基準(zhǔn)電位的導(dǎo)體例如接地導(dǎo)體連接。并且，第1金屬層相對于布線導(dǎo)體41作為屏蔽電極起作用，能夠降低來自外部的電磁波的影響，從而能夠容易地將流過布線導(dǎo)體41的高頻電流維持在期望的狀態(tài)。

此外，在輸入輸出端子4的下表面的與金屬基板21連接的部位形成與第1金屬層不同的第2金屬層。第2金屬層能夠經(jīng)由釬料將輸入輸出端子4的由陶瓷材料形成的主體部分和由金屬材料形成的金屬基板21連接。第2金屬層被設(shè)定成規(guī)定的電位，作為基準(zhǔn)電位起作用。

第2金屬層在輸入輸出端子4的下表面與布線導(dǎo)體41空出間隔而設(shè)置。并且，第2金屬層與布線導(dǎo)體41電絕緣。第2金屬層相對于布線導(dǎo)體41作為屏蔽電極起作用，能夠保護(hù)布線導(dǎo)體41不受外部電磁波影響。并且，能夠抑制在布線導(dǎo)體41中產(chǎn)生電磁噪聲。

此外，在俯視下與輸入輸出端子4的短邊平行的側(cè)面的與框體22連接的部位形成與第1金屬層以及第2金屬層不同的第3金屬層。第3金屬層能夠經(jīng)由釬料將輸入輸出端子4的由陶瓷材料形成的主體部分和由金屬材料形成的框體22連接。第3金屬層被設(shè)定成規(guī)定的電位，作為基準(zhǔn)電位起作用。

在框體22，在由一對輸入輸出端子4夾著的一邊設(shè)置第1貫通孔Ha和第2貫通孔Hb。第2貫通孔Hb在框體22的一邊與第1貫通孔Ha空出間隔而相鄰設(shè)置。在第1貫通孔Ha設(shè)置具有第1芯軸231a的第1同軸連接器23a。在第2貫通孔Hb設(shè)置具有第2芯軸231b的第2同軸連接器23b。同軸連接器23用于將內(nèi)部的元件3和外部的同軸電纜電連接。

在第1貫通孔Ha以及第2貫通孔Hb從外部向著框體22安裝通信用連接器或者同軸用連接器等同軸連接器23。另外，第1貫通孔Ha以及第2貫通孔Hb的大小被設(shè)定成能夠?qū)耐獠堪惭b的同軸連接器23進(jìn)行安裝 的大小。

如圖6所示，同軸連接器23具備：將框體22的內(nèi)外電連接的芯軸231；與芯軸231空出間隔而包圍芯軸231的周圍的金屬構(gòu)件232；和介于芯軸231與金屬構(gòu)件232之間的電介質(zhì)233。同軸連接器23用于將外部的電信號傳遞到封裝內(nèi)的電路基板24，或者將封裝內(nèi)的電路基板24的電信號傳遞到外部。

芯軸231具有傳遞規(guī)定的電信號的功能。芯軸231例如由銅、銀、金、鐵、鋁、鎳、鈷或者鉻等金屬材料形成。金屬構(gòu)件232具有設(shè)為公共的電位例如基準(zhǔn)電位的功能。此外，金屬構(gòu)件232例如由銅、銀、金、鐵、鋁、鎳、鈷或者鉻等金屬材料形成。并且，框體22由金屬材料形成，將金屬構(gòu)件232和框體22電連接。

電介質(zhì)233是絕緣性的材料，例如由氧化鋁、氮化鋁或氮化硅等無機(jī)材料、或者環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂或乙烯樹脂等有機(jī)材料、硼硅酸玻璃等玻璃材料、或者氧化鋁質(zhì)燒結(jié)體、多鋁紅柱石質(zhì)燒結(jié)體、碳化硅質(zhì)燒結(jié)體、氮化鋁質(zhì)燒結(jié)體、氮化硅質(zhì)燒結(jié)體或玻璃陶瓷等陶瓷材料形成?；蛘撸蓪⑦@些材料之中的多種材料混合而成的復(fù)合系材料形成。

電路基板24在由框體22包圍的區(qū)域內(nèi)以俯視下一部分與框體22的一邊相接的狀態(tài)被設(shè)置。電路基板24經(jīng)由釬料將同軸連接器23的芯軸231和設(shè)置于電路基板24的信號線241電連接。

在電路基板24的上表面設(shè)置：與第1同軸連接器23a的第1芯軸231a連接的第1信號線241a；與第2同軸連接器23b的第2芯軸231b連接的第2信號線241b；以及在第1信號線241a和第2信號線241b之間與兩信號線空出間隔而設(shè)置的第1接地導(dǎo)體層242。此外，在電路基板24的下表面，在俯視透視下與第1信號線241a以及第2信號線241b重疊的部位設(shè)置第2接地導(dǎo)體243。另外，第2接地導(dǎo)體243也可以作為用于使與金屬基板21之間的接合性、在第1信號線241a以及第2信號線241b中傳送的高頻信號的傳送特性穩(wěn)定的接地電極，而設(shè)置在電路基板24的下表面的整面。

此外，電路基板24在框體22的一邊和對置的側(cè)面之間的由第1信號線241a和第2信號線241b夾著的部位設(shè)置溝槽P。溝槽P通過在電路基 板24的側(cè)面形成凹部而設(shè)置。并且，如圖8所示，俯視下在溝槽P內(nèi)露出段部22a的上表面的一部分。另外，對于電路基板24來說，俯視下一邊的長度被設(shè)定成2mm以上且20mm以下，上下方向的厚度被設(shè)定成0.2mm以上且2mm以下。對于電路基板24的凹部來說，深度例如被設(shè)定成0.1mm以上且1mm以下，沿電路基板24的一邊的長度例如被設(shè)定成1mm以上且10mm以下。

此外，在電路基板24的四個(gè)角之中的與框體22的一邊(內(nèi)面)對置的2個(gè)角設(shè)置切口。切口被設(shè)置在與溝槽P夾著第1信號線241a的部位。此外，切口被設(shè)置在與溝槽P夾著第2信號線241b的部位。

框體22沿框體22的邊連續(xù)地經(jīng)由釬料來設(shè)置密封圈6。密封圈6在設(shè)置蓋體7來覆蓋框體22內(nèi)時(shí)，將蓋體7與框體22連接。另外，密封圈6由與蓋體7之間的線焊性優(yōu)異的例如銅、鎢、鐵、鎳或鈷等金屬、或者包含多種這些金屬的合金形成。另外，密封圈6的熱膨脹系數(shù)例如被設(shè)定成4×10^-6/K以上且16×10^-6/K以下。

此外，蓋體7被設(shè)置在密封圈6上，以便覆蓋框體22內(nèi)的元件3。蓋體7對由框體22包圍的區(qū)域進(jìn)行氣密密封。蓋體7例如由銅、鎢、鐵、鎳或鈷等金屬、或者包含多種這些金屬的合金、或者氧化鋁質(zhì)燒結(jié)體、多鋁紅柱石質(zhì)燒結(jié)體、碳化硅質(zhì)燒結(jié)體、氮化鋁質(zhì)燒結(jié)體、氮化硅質(zhì)燒結(jié)體或玻璃陶瓷等陶瓷形成。此外，蓋體7例如通過線焊經(jīng)由焊料或者釬料等接合構(gòu)件而接合在密封圈6上。

由框體22包圍的區(qū)域?yàn)檎婵諣顟B(tài)或者被填充氮?dú)獾?，通過在密封圈6上設(shè)置蓋體7，從而能夠使由框體22包圍的區(qū)域成為被氣密密封的狀態(tài)。蓋體7通過在規(guī)定氣氛下載置在密封圈6上并進(jìn)行線焊而安裝在密封圈6上。此外，蓋體7例如能夠經(jīng)由釬料、玻璃接合材料或者樹脂接合材料等接合材料來安裝。

關(guān)于本實(shí)施方式涉及的安裝結(jié)構(gòu)體1以及元件收納用封裝2，在從同軸連接器23一直到信號線241的信號線路上，如圖10所示，從框體22的內(nèi)周面一直到與電路基板24的信號線241連接的芯軸231的軸方向，在與框體22對置的電路基板24的側(cè)面設(shè)置溝槽P，并且在夾著溝槽P的電路基板24的角部設(shè)置切口，進(jìn)一步地，不在由溝槽P和切口夾著的電 路基板24的上表面設(shè)置接地導(dǎo)體層，由此能夠使連接同軸連接器23的信號線241的連接部作為微波傳輸帶線路起作用。進(jìn)一步地，對于電路基板24上的由第1接地導(dǎo)體層242夾著的信號線241來說，如圖11所示，能夠作為共面(coplanar)線路起作用。其結(jié)果是，能夠提高從同軸連接器23一直到信號線241的信號線路的頻率特性。即，在未設(shè)置溝槽P以及切口的情況下，當(dāng)高頻信號從同軸連接器23一直傳送到信號線241時(shí)，因在芯軸231與信號線路241的連接部和電路基板24之間產(chǎn)生的電場分布從而靜電電容增加。由此，如上所述，通過設(shè)置溝槽P以及切口來夾著芯軸231與信號線路241的連接部，并且作為微波傳輸帶線路，從而能夠減小芯軸231與信號線路241的連接部的靜電電容。其結(jié)果是，溝槽P以及切口能夠抑制在芯軸231與信號線路241的連接部處特性阻抗變小，從而能夠提高頻率特性。進(jìn)一步地，關(guān)于第1接地導(dǎo)體層242，也可以如圖9所示那樣在俯視下從溝槽P以及設(shè)置于夾著溝槽P的電路基板24的角部的切口的底部起一直到封裝的內(nèi)側(cè)設(shè)置固定的間隔來形成第1接地導(dǎo)體層242。由此，能夠使與連接同軸連接器23的信號線241的連接部和電路基板24上的由第1接地導(dǎo)體層242夾著的信號線241之間的靜電電容以及特性阻抗階段性地進(jìn)行變化。其結(jié)果是，能夠抑制在與連接同軸連接器23的信號線241的連接部和電路基板24上的由第1接地導(dǎo)體層242夾著的信號線241之間產(chǎn)生的插入損耗以及反射損耗。

此外，溝槽P以及切口優(yōu)選在芯軸231的軸方向上的長度、即溝槽P的下端以及切口的下端是相同高度位置。由此，能夠使在芯軸231與信號線路241的連接部產(chǎn)生的電場分布在與芯軸231的軸垂直的剖面中成為線對稱。其結(jié)果是，能夠抑制高頻信號從同軸連接器23一直傳送到信號線241時(shí)產(chǎn)生的高頻信號的諧振。

進(jìn)一步地，優(yōu)選俯視下溝槽P以及切口與芯軸231的軸的間隔相同。由此，能夠如上所述使在芯軸231與信號線路241的連接部產(chǎn)生的電場分布在與芯軸231的軸垂直的剖面中成為線對稱，從而能夠抑制從同軸連接器23一直到信號線241產(chǎn)生的高頻信號的諧振。

此外，電路基板24優(yōu)選被接合成夾著溝槽P以及切口與框體22的內(nèi)周面抵接。由此，能夠如上所述使在芯軸231與信號線路241的連接部 產(chǎn)生的電場分布在與芯軸231的軸垂直的剖面中成為線對稱，從而能夠抑制從同軸連接器23一直到信號線241產(chǎn)生的高頻信號的諧振。

進(jìn)一步地，第1接地導(dǎo)體層242優(yōu)選在俯視下與溝槽P以及切口的底面平行地空出固定的間隔來設(shè)置。由此，如上所述，能夠抑制在芯軸231與信號線路241的連接部處特性阻抗變小，從而能夠提高頻率特性，并且能夠使在芯軸231以及信號線路241中產(chǎn)生的電場分布在與芯軸231的軸垂直的剖面中成為線對稱，從而能夠抑制從同軸連接器23一直到信號線241產(chǎn)生的高頻信號的諧振。

此外，優(yōu)選俯視下溝槽P以及切口在芯軸231的軸方向上的長度比從框體22的內(nèi)周面向封裝的內(nèi)側(cè)突出的芯軸231的長度短。其結(jié)果是，如上所述，能夠抑制在芯軸231與信號線路241的接合部處特性阻抗變小，從而能夠提高頻率特性。

進(jìn)一步地，優(yōu)選俯視下溝槽P以及切口與框體22的內(nèi)周面平行地空出固定的間隔而設(shè)置。由此，能夠使在芯軸231以及信號線路241中產(chǎn)生的電場分布在與芯軸231的軸垂直的剖面中成為線對稱，從而能夠抑制從同軸連接器23一直到信號線241產(chǎn)生的高頻信號的諧振。

此外，同軸連接器23也可以在封裝內(nèi)側(cè)的芯軸231的下端部，連接伸出到封裝的內(nèi)側(cè)的、厚度比芯軸231的直徑薄的板狀的導(dǎo)電性構(gòu)件，并經(jīng)由金-錫焊料等導(dǎo)電性的連接構(gòu)件而連接到信號線路241。由此，能夠減小成為芯軸231與信號線路241的連接部的導(dǎo)電性構(gòu)件的靜電電容，能夠抑制在芯軸231與信號線路241的連接部處特性阻抗變小，能夠提高頻率特性。進(jìn)一步地，優(yōu)選俯視下溝槽P以及切口在芯軸231的軸方向上的長度比從框體22的內(nèi)周面向封裝的內(nèi)側(cè)突出的板狀的導(dǎo)電性構(gòu)件的長度短。其結(jié)果是，如上所述，能夠抑制在導(dǎo)電性構(gòu)件與信號線路241的接合部處特性阻抗變小，從而能夠提高頻率特性。

圖12是表示本實(shí)施方式涉及的元件收納用封裝以及安裝結(jié)構(gòu)體的同軸連接器23的高頻信號的頻率特性(S參數(shù))(反射損耗：Return Loss“S11”，插入損耗：Insertion Loss“S21”)的模擬結(jié)果的曲線圖。以實(shí)線示出本實(shí)施方式的頻率特性之中的反射損耗，以虛線示出比較例的頻率特性之中的反射損耗。進(jìn)一步地，以長斷續(xù)線示出本實(shí)施方式的頻率特性之 中的插入損耗，以斷續(xù)線示出比較例的頻率特性之中的插入損耗。另外，本實(shí)施方式是在電路基板24設(shè)置溝槽P的結(jié)構(gòu)，比較例是在電路基板24沒有溝槽P的結(jié)構(gòu)。對于反射損耗來說，隨著頻率從0GHz變高，反射損耗接近于0dB。此外，對于插入損耗來說，雖然頻率為0GHz時(shí)插入損耗為0dB，但隨著頻率變高，從0dB起的偏離逐漸變大。并且，插入損耗突然開始較大地偏離0dB的頻率是所謂的諧振頻率。關(guān)于插入損耗，雖然在本實(shí)施方式的頻率特性與比較例的頻率特性之間沒有大的差異，但是關(guān)于反射損耗，相對于比較例在45GHz至60GHz下為-20dB至0dB之間的數(shù)值，本實(shí)施方式中在45GHz至60GHz下能夠成為大致-20dB以下的數(shù)值。這樣，根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種可提高頻率特性的元件收納用封裝2以及安裝結(jié)構(gòu)體1。

本發(fā)明不限定為上述的實(shí)施方式，在不脫離本發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)能夠進(jìn)行各種變更、改良等。

<安裝結(jié)構(gòu)體的制造方法>

在此，說明圖1或者圖2所示的安裝結(jié)構(gòu)體1的制造方法。首先，準(zhǔn)備元件收納用封裝2和元件3。元件收納用封裝2的金屬基板21以及框體22是通過對將熔融的金屬材料澆鑄到膜框中使其固化而成的鑄塊使用現(xiàn)有周知的滾軋加工或者沖壓加工等金屬加工法從而被制作成規(guī)定形狀的。此外，通過上述的制造方法來制作輸入輸出端子4。

然后，經(jīng)由釬料將金屬基板21和框體22以及輸入輸出端子4連接。進(jìn)一步地，經(jīng)由金-錫焊料將同軸連接器23嵌入連接到框體22的第1貫通孔Ha以及第2貫通孔Hb。進(jìn)一步地，在設(shè)置了第1貫通孔Ha以及第2貫通孔Hb的框體22的側(cè)壁內(nèi)側(cè)的下端部設(shè)置的段部22a的上表面安裝電路基板24，并且經(jīng)由金-錫焊料等導(dǎo)電性的接合材料將芯軸231與信號線241電連接。這樣，能夠制作元件收納用封裝2。進(jìn)一步地，在元件收納用封裝2的安裝區(qū)域R經(jīng)由金-錫焊料、絕緣性的樹脂接合材料等接合材料來設(shè)置基座3a。進(jìn)一步地，在基座3a上安裝元件3，經(jīng)由接合線將元件3的電極和輸入輸出端子4的布線導(dǎo)體41、電路基板24的信號線241電連接。進(jìn)一步地，在元件收納用封裝2安裝密封圈6以及蓋體7，從而能夠制作安裝結(jié)構(gòu)體1。