本技術涉及一種切斷電源線和信號線的切斷元件、及切斷元件電路，尤其涉及一種具有小型化、高電流額定值的切斷元件及切斷元件電路。

背景技術：

能夠利用充電而反復使用的二次電池大多被加工成電池組件提供給用戶。特別是，在重量能量密度高的鋰離子二次電池中，為了確保用戶及電子設備的安全，一般來說，將多個過充電保護、過放電保護等的保護電路內藏于電池組件，在所定的情況下切斷電池組件的輸出。

在這種切斷元件中，通過使用內藏于電池組件的FET開關進行輸出的ON/OF，來進行電池組件的過充電保護或過放電保護動作。然而，即使在由于某種原因FET開關短路損壞的情況下，或者在施加雷擊浪涌等流入瞬間大電流的情況下，或者由于電池單元的壽命輸出電壓異常低下、反之輸出過大的異常電壓、串聯的電池單元各自的電壓變化增大的情況下，也必須從起火等事故中保護電池組件及電子設備。為此，即使在這樣可以設想的任何異常狀態(tài)下，為了安全地切斷電池單元的輸出，由具有通過來自外部的信號來切斷電流路徑的功能的熔絲元件構成的切斷元件被使用。

作為鋰離子二次電池等用的保護電路的切斷元件，如圖27所示，通過使電流路徑上的第1電極91、發(fā)熱體引出電極95、及第2電極92與可熔導體93連接而形成電流路徑的一部分，利用起因于過電流的自身發(fā)熱、或設置于切斷元件內部的發(fā)熱體94，使該電流路徑上的可熔導體93 熔斷(參照專利文獻1)。在這樣的切斷元件90中，通過在連接于發(fā)熱體94的發(fā)熱體引出電極95、及第1電極91、第2電極92上收集熔融的液體狀的可熔導體93，分離并切斷第1電極91、第2電極92之間的電流路徑。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2010-003665號公報

技術實現要素：

如圖27所示，在以往的切斷元件90的電流路徑上，在第1電極91與第2電極92之間，插入有與發(fā)熱體94連接的發(fā)熱體引出電極95。由此，第1電極91與發(fā)熱體引出電極95通過可熔導體93連接，并且第2電極92與發(fā)熱體引出電極95通過可熔導體93連接。因此，由于可熔導體93大型化且占有大面積，所以元件的尺寸大型化。另外，在以往的切斷元件90中，因為起因于可熔導體93的大型化而導通電阻變高，所以難以提高電流額定值。

因此，期望提供一種能夠實現元件的小型化、并且能夠提高電流額定值的切斷元件及切斷元件電路。

為了解決上述問題，本技術的一種實施方式的切斷元件具備：絕緣基板、形成于絕緣基板上且互相對向的第1電極和第2電極、形成于絕緣基板上且在與第1電極跟第2電極的對向方向交叉的方向上互相對向的第3電極和第4電極、連接于第3電極與第4電極的發(fā)熱體、以及第1可熔導 體。該第1可熔導體包含：使第1電極與第2電極連接的第1連接部、以及連接于該第1連接部且使第1電極和第2電極與第3電極連接的第2連接部。

另外，本技術的一種實施方式的切斷元件具備：絕緣基板、形成于絕緣基板上且互相對向的第1電極和第2電極、形成于絕緣基板上且在與第1電極跟第2電極的對向方向交叉的方向上互相對向的第3電極和第4電極、連接于第3電極與第4電極的發(fā)熱體、連接于第1電極與第2電極的第2可熔導體、以及與第2可熔導體隔開且連接于第1電極和第2電極與第3電極的第3可熔導體。

進一步說，本技術的一種實施方式的切斷元件具備：絕緣基板、形成于絕緣基板上且互相對向的第1電極和第2電極、形成于絕緣基板上且在與第1電極跟第2電極的對向方向交叉的方向上互相對向的第3電極和第4電極、連接于第3電極與第4電極的發(fā)熱體、連接于第1電極與第2電極的第4可熔導體、以及連接于第1電極與第3電極的第5可熔導體和連接于第2電極與第3電極的第6可熔導體中的至少一方。

本技術的一種實施方式的切斷元件電路具備：連接于外部電路的第1端子和第2端子、發(fā)熱電阻、連接于發(fā)熱電阻的第3端子、連接于第1端子與第2端子且串聯于外部電路的第1熔絲、以及連接于第1端子和第2端子與第3端子的第2熔絲。

另外，本技術的一種實施方式的切斷元件電路具備：連接于外部電路的第1端子和第2端子、發(fā)熱電阻、連接于發(fā)熱電阻的第3端子、連接于 第1端子與第2端子且串聯于外部電路的第3熔絲、以及連接于第1端子和第2端子中的至少一方與第3端子的第4熔絲。

根據本技術的一種實施方式的切斷元件或切斷元件電路，因為使第1電極與第2電極對向配置、且使可熔導體連接于第1電極和第2電極，所以與將發(fā)熱體引出電極插入于第1電極與第2電極之間的以往的構成相比，能夠實現減小可熔導體的電阻、提高電流額定值，并且能夠實現切斷元件全體的小型化。

附圖說明

圖1A是表示省略蓋部部件的切斷元件的平面圖。

圖1B是圖1A中所示的切斷元件的沿著A-A′線的截面圖。

圖1C是圖1A中所示的切斷元件的沿著B-B′線的截面圖。

圖2是安裝有切斷元件的電池組件的電路圖。

圖3A是切斷元件的電路圖，表示啟動前的狀態(tài)。

圖3B是圖3A中所示的切斷元件的電路圖，表示發(fā)熱體發(fā)熱、第1電極與第2電極之間的電流路徑被切斷的狀態(tài)。

圖3C是圖3A中所示的切斷元件的電路圖，表示發(fā)熱體的供電路徑被切斷的狀態(tài)。

圖4是表示發(fā)熱體設置于絕緣層內部的切斷元件的平面圖。

圖5是表示發(fā)熱體設置于絕緣基板背面的切斷元件的平面圖。

圖6是表示發(fā)熱體設置于絕緣基板內部的切斷元件的平面圖。

圖7是表示發(fā)熱體與第1～第3電極重疊的切斷元件的平面圖。

圖8是表示發(fā)熱體與第1～第4電極并列設置的切斷元件的平面圖。

圖9A是表示發(fā)熱體的發(fā)熱中心偏向第2電極側且省略蓋部部件的切斷元件的平面圖。

圖9B是圖9A中所示的切斷元件的沿著A-A′線的截面圖。

圖9C是圖9A中所示的切斷元件的沿著B-B′線的截面圖。

圖10A是圖9A～圖9C中所示的切斷元件的平面圖，表示第1電極與第2電極之間的電流路徑被切斷的狀態(tài)。

圖10B是圖10A中所示的切斷元件的沿著B-B′線的截面圖。

圖10C是圖10A中所示的切斷元件的電路圖。

圖11A是圖9A～圖9C中所示的切斷元件的平面圖，表示第1電極與第3電極之間的電流路徑被切斷的狀態(tài)。

圖11B是圖11A中所示的切斷元件的沿著B-B′線的截面圖。

圖11C是圖11A中所示的切斷元件的電路圖。

圖12是表示使用構成通電路徑的第2可熔導體、及構成通往發(fā)熱體的供電路徑的第3可熔導體的切斷元件的平面圖。

圖13A是圖12中所示的切斷元件的電路圖，表示啟動前的狀態(tài)。

圖13B是圖12中所示的切斷元件的電路圖，表示發(fā)熱體發(fā)熱、第1電極與第2電極之間的電流路徑被切斷的狀態(tài)。

圖13C是圖12中所示的切斷元件的電路圖，表示發(fā)熱體的供電路徑被切斷的狀態(tài)。

圖14是表示使用構成通電路徑的第2可熔導體、及構成通往發(fā)熱體的供電路徑的第4和第5可熔導體的切斷元件的平面圖。

圖15A是表示使用構成通電路徑的第2可熔導體、及構成通往發(fā)熱體的供電路徑的第4可熔導體的切斷元件的平面圖。

圖15B是表示圖15A中所示的切斷元件的切斷元件電路的電路圖。

圖16A是表示使用構成通電路徑的第2可熔導體、及構成通往發(fā)熱體的供電路徑的第5可熔導體的切斷元件的平面圖。

圖16B是表示圖16A中所示的切斷元件的切斷元件電路的電路圖。

圖17A是表示具備含有高熔點金屬層與低熔點金屬層的被覆構造的可熔導體的立體圖，表示將高熔點金屬層作為內層且該高熔點金屬層被低熔點金屬層被覆的構造。

圖17B是表示具備含有高熔點金屬層與低熔點金屬層的被覆構造的可熔導體的立體圖，表示將低熔點金屬層作為內層且該低熔點金屬層被高熔點金屬層被覆的構造。

圖18A是表示具備高熔點金屬層與低熔點金屬層的積層構造的可熔導體的立體圖，表示上下2層構造。

圖18B是表示具備高熔點金屬層與低熔點金屬層的積層構造的可熔導體的立體圖，表示由內層及2個外層構成的3層構造。

圖19是表示具備高熔點金屬層與低熔點金屬層的多層構造的可熔導體的截面圖。

圖20A是表示在高熔點金屬層的表面形成有線狀的開口部、且低熔點金屬層在該開口部露出的可熔導體的平面圖，表示沿著長度方向形成有開口部的情況。

圖20B是表示在高熔點金屬層的表面形成有線狀的開口部、且低熔點金屬層在該開口部露出的可熔導體的平面圖，表示沿著寬度方向形成有開口部的情況。

圖21是表示在高熔點金屬層的表面形成有圓形的開口部，且低熔點金屬層在該開口部露出的可熔導體的平面圖。

圖22是表示在高熔點金屬層上形成有圓形的開口部，且在該開口部的內部填充有低熔點金屬層的可熔導體的平面圖。

圖23是表示具有被高熔點金屬層被覆的更厚的第1邊緣部、及露出低熔點金屬層的第2邊緣部的可熔導體的平面圖。

圖24是表示作為第1可熔導體，使用具有被高熔點金屬層被覆的更厚的第1邊緣部、及露出低熔點金屬層的第2邊緣部的可熔導體的切斷元件的平面圖。

圖25是表示作為第2、3可熔導體，使用具有被高熔點金屬層被覆的更厚的第1邊緣部、及露出低熔點金屬層的第2邊緣部的可熔導體的切斷元件的平面圖。

圖26是表示作為第2、4、5可熔導體，使用具有被高熔點金屬層被覆的更厚的第1邊緣部、及露出低熔點金屬層的第2邊緣部的可熔導體的切斷元件的平面圖。

圖27是表示以往的切斷元件的構成的平面圖。

具體實施方式

以下參照附圖對本技術的一種實施方式的切斷元件、及切斷元件電路進行詳細說明。再有，本技術不只限于以下的實施方式，在不脫離本技術的主旨的范圍內，當然可以對本技術進行各種變更。另外，附圖為示意性的，各尺寸的比率等有可能與現實的東西相異。具體尺寸等應該根據以下 的說明來考慮、判斷。另外，在附圖之間當然包含相互尺寸的關系及比率不同的部分。

適用有本技術的切斷元件1如圖1A～圖1C所示。圖1A是表示省略蓋部部件的切斷元件的平面圖，圖1B是圖1A中所示的切斷元件1的沿著A-A′線的截面圖，圖1C是圖1A中所示的切斷元件的沿著B-B′線的截面圖。如圖1A～圖1C所示，切斷元件1具備絕緣基板10、形成于絕緣基板10上的第1～第4電極11～14、連接于第3電極13與第4電極14的發(fā)熱體15、以及連接于第1～第3電極11～13的第1可熔導體21。該第1可熔導體21包含使第1電極11與第2電極12連接的第1連接部21a、以及連接于該第1連接部21a且使第1電極11和第2電極12與第3電極13連接的第2連接部21b。

[絕緣基板]

絕緣基板10例如含有氧化鋁、玻璃陶瓷、莫來石、氧化鋯等絕緣性材料且形成為大致方形。絕緣基板10除此之外雖然也可以含有用于玻璃環(huán)氧基板、苯酚基板等印刷配線基板的材料，但是需要注意第1可熔導體21的熔斷時的溫度。

[發(fā)熱體]

發(fā)熱體15含有電阻值比較高且一通電便發(fā)熱的導電性材料，例如鎢(W)、鉬(Mo)、釕(Ru)等。將這些導電性材料的合金或組合物、化合物的粉狀體與樹脂粘合劑等混合成導電膏，并使用絲網印刷技術將該導電膏圖案化后、通過煅燒等形成發(fā)熱體15。

發(fā)熱體15形成于絕緣基板10的表面10a上，且被絕緣層17被覆。絕緣層17是為了實現發(fā)熱體15的保護及絕緣，且有效地將發(fā)熱體15所發(fā)生的熱量傳送至第1電極11、第2電極12而設置的，例如含有玻璃等。第1電極11、第2電極12通過被發(fā)熱體15加熱，能夠容易地凝集第1可熔導體21的熔融導體。在絕緣層17上，形成有第1～第4電極11～14各自的一部分。

發(fā)熱體15的一端部與第3電極13的下層部13b連接，發(fā)熱體15的另一端部與第4電極14的下層部14b連接。第3電極13的下層部13b形成于絕緣基板10的表面10a上、且被絕緣層17被覆，并在絕緣基板10的一端側與第3電極13的上層部13a連接。發(fā)熱體15通過第3電極13的上層部13a與第1可熔導體21連接。另外，第4電極14的下層部14b形成于絕緣基板10的表面10a上、且被絕緣層17被覆，并在絕緣基板10的另一端側與第4電極14的上層部14a連接。第4電極14的上層部14a為了在切斷元件1上搭載后述的蓋部部件19，被形成為與第3電極13的上層部13a具有相同的高度。發(fā)熱體15通過第4電極14與外部電路連接。

[第1～第4電極]

第1電極11、第2電極12分別形成于絕緣基板10中的互相對向的一對邊緣。該第1電極11、第2電極12通過通孔與形成于絕緣基板10的背面10b側的外部連接電極11a、12a連接，通過該外部連接電極11a、12a與外部電路連接。另外，第1電極11、第2電極12形成在從絕緣基板10的表面10a到絕緣層17上，在該絕緣層17上，以所定的間隔G1隔開且互相對向。接著，第1電極11、第2電極12通過在切斷元件1上搭載后述的第1可熔導體21，通過該第1可熔導體21電連接。

因此，若切斷元件1被安裝在電路基板上，則因為通過第1可熔導體21第1電極11與第2電極12連接，所以從第1電極11經由第1可熔導體21到第2電極12的電流路徑被作為該外部電路的一部分形成。安裝有第1電極11、第2電極12的外部電路是安裝有切斷元件1的電子設備的電流線，例如為鋰離子二次電池的電池組件的充放電電路、各種電子設備的電源電路、或者數字信號電路等。作為該外部電路，能夠使用不管電流的強弱只要求能物理地切斷電流路徑的任何電路。

第3電極13、第4電極14分別形成于與設置有第1電極11、第2電極12的絕緣基板10的一對邊緣正交的一對邊緣。也就是說，第3電極13、第4電極14在與第1電極、第2電極的對向方向交叉的方向上互相對向。第4電極14通過通孔與形成于絕緣基板10的背面10b側的外部連接電極14c連接、且通過該外部連接電極14c與外部電路連接。第3電極13包含形成于絕緣基板10的表面10a上且被絕緣層17被覆的下層部13b、以及形成于該絕緣層17上的上層部13a。第4電極14包含形成于絕緣基板10的表面10a上且被絕緣層17被覆的下層部14b、以及形成于該絕緣層17上的上層部14a。下層部13b與上層部13a連接、且與發(fā)熱體15的一端部連接。下層部14b與上層部14a連接、且與發(fā)熱體15的另一端部連接。

另外，第3電極13的上層部13a與第1電極11、第2電極12以所定的間隔G2隔開且對向。然后，在第3電極13中，在上層部13a上配置第1可熔導體21。因此，在切斷元件1中，形成從第1電極11或第2電極12通過第1可熔導體21及第3電極13向發(fā)熱體15通電的供電路徑2(參照圖3A)。

[電極涂層處理]

此處，第1～第4電極11～14使用銅(Cu)及銀(Ag)等一般的電極材料形成。另外，第1～第3電極11～13在切斷元件1操作時，也可以通過利用發(fā)熱體15所發(fā)生的熱量使第1可熔導體21熔融，從而由構成該第1可熔導體21的低熔點金屬發(fā)生熔蝕(焊料浸出)。因此，在切斷元件1中，因為第1電極11與第2電極12的間隔G1、及第1電極11和第2電極12與第3電極13的間隔G2擴大，所以能夠更加提高絕緣性、切斷性。

再有，在第1～第3電極11～13的表面上，鎳(Ni)/金(Au)電鍍、Ni/鈀(Pd)電鍍、Ni/Pd/Au電鍍等的涂層也可以使用電鍍處理等已知的方法涂布。因此，在切斷元件1中，能夠防止第1～第3電極11～13的氧化，能夠可靠地保持第1可熔導體21。另外，在用回流焊安裝切斷元件1時，能夠防止因為用于連接第1可熔導體21的連接用焊料或者用于形成第1可熔導體21外層的低融點金屬熔融而使第1～第3電極11～13被熔蝕。

[第1可熔導體]

作為第1可熔導體21，能夠使用利用發(fā)熱體15的發(fā)熱而被快速熔斷的任何金屬(低熔點金屬)。該低熔點金屬例如是焊料、及以錫(Sn)為主要成分的無鉛(Pb)焊料等。

另外，第1可熔導體21也可以含有低熔點金屬及高熔點金屬。作為低熔點金屬，優(yōu)選使用焊料、及以Sn為主要成分的無鉛焊料等，作為高熔點金屬，優(yōu)選使用至少含有Ag和Cu中的一種作為其構成元素的材料。由于第1可熔導體21含有高熔點金屬及低熔點金屬，在回流焊安裝切斷 元件1時，因為即使由于回流焊溫度超過低熔點金屬的熔融溫度、該低熔點金屬熔融，也能夠抑制作為內層的低熔點金屬向外部流出，所以能夠維持第1可熔導體21的形狀。另外，在第1可熔導體21熔斷時，因為由于低熔點金屬熔融、熔蝕(焊料浸出)高熔點金屬，所以能夠在高熔點金屬的熔點以下的溫度快速使第1可熔導體21熔斷。再有，第1可熔導體21如后面所述，能夠形成為各種各樣的構成。

第1可熔導體21被形成為大致矩形狀。該第1可熔導體21使用連接用焊料，以使第1電極11、第2電極12連接的方式形成，且配置于第3電極13的上層部13a上。因此，第1可熔導體21包含使第1電極11與第2電極12連接的第1連接部21a、以及連接于該第1連接部21a且使第1電極11和第2電極12與第3電極13連接的第2連接部21b。另外，第1可熔導體21構成從第1電極11、第2電極12經由第3電極13到發(fā)熱體15及第4電極14的通往發(fā)熱體15的供電路徑2。

再有，第1可熔導體21為了防止氧化、及提高熔斷時的潤濕性等，優(yōu)選涂布助焊劑18。

另外，在切斷元件1中，在第1～第4電極11～14上，形成有防止熔融的第1可熔導體21流出的保護壁16。保護壁16使用具有絕緣性的材料形成，例如含有玻璃等。通過設置保護壁16，能夠防止由于第1可熔導體21的熔融導體通過第1電極11、第2電極12流入外部連接電極11a、12a以至于電路基板的連接電極被熔蝕，以及能夠防止在第3電極13上連接用焊料過分擴散。

另外，在切斷元件1中，通過蓋部部件19覆蓋絕緣基板10來保護該切斷元件1的內部。蓋部部件19與上述絕緣基板10相同，例如使用熱塑性塑料、陶瓷、玻璃環(huán)氧樹脂基板等絕緣性材料形成。

[切斷元件的電路構成]

這樣的切斷元件1如圖2所示，例如安裝于鋰離子二次電池的電池組件30內的電路中。電池組件30例如具備由合計4個鋰離子二次電池的電池單元31～34構成的電池組35。

電池組件30具備電池組35、控制電池組35的充放電的充放電控制電路40、在電池組35異常時切斷充電的本技術的切斷元件1、檢測各個電池單元31～34的電壓的檢測電路36、以及成為根據檢測電路36的檢測結果控制切斷元件1的操作的開關元件的電流控制元件37。

電池組35由需要進行過充電保護及過放電保護的控制的電池單元31～34串聯而成。該電池組35通過電池組件30的正極端子30a及負極端子30b以可以裝卸的方式連接于充電裝置45，從該充電裝置45施加充電電壓。因為將由充電裝置45充電的電池組件30通過正極端子30a、負極端子30b連接于電子設備，所以能夠使該電子設備驅動。

充放電控制電路40具備與從電池組35流向充電裝置45的電流路徑串聯的2個電流控制元件41和42、以及控制這些電流控制元件41和42的操作的控制部43。電流控制元件41、42例如由場效應晶體管(以下稱為FET)構成，通過由控制部43控制柵極電壓，來控制電池組35的電流路徑的導通與切斷?？刂撇?3從充電裝置45接受電力供給進行操作，根據檢測電路36的檢測結果，當電池組35為過放電或過充電時，控制電流控制元件41、42的操作以切斷電流路徑。

切斷元件1例如配置于電池組35與充放電控制電路40之間的充放電電流路徑上，該切斷元件1的操作由電流控制元件37控制。

檢測電路36與各個電池單元31～34連接，檢測各個電池單元31～34的電壓值，向充放電控制電路40的控制部43提供各個電壓值。另外，檢測電路36在電池單元31～34中的任一個成為過充電電壓或過放電電壓時，輸出控制電流控制元件37的控制信號。

電流控制元件37例如由FET構成，根據從檢測電路36輸出的檢測信號，在電池單元31～34的電壓值成為超過規(guī)定的過放電或過充電狀態(tài)的電壓時使切斷元件1驅動，不依靠電流控制元件41、42的開關操作切斷電池組35的充放電電流路徑。

本技術的一種實施方式的切斷元件1用于由如以上結構構成的電池組件30，具有如圖3A所示的電路結構。也就是說，在切斷元件電路70中，通過第1熔絲71(第1可熔導體21的第1連接部21a)第1端子72(第1電極11)與第2端子73(第2電極12)連接。另外，由于通過第2熔絲74(第1可熔導體21的第2連接部21b)第1、第2端子72、73與第3端子75(第3電極13)、發(fā)熱電阻76(發(fā)熱體15)及第4端子77(第4電極14)連接，形成供電路徑2。

通過切斷元件1安裝于電池組件30的電路中，與第1可熔導體21的一端部連接的第1電極11通過外部連接電極11a與充放電電流路徑的一端部連接，并且與第1可熔導體21的另一端部連接的第2電極12通過外部連接電極12a與充放電電流路徑的另一端部連接。因此，第1可熔導體21在充放電電流路徑上與第1電極11、第2電極12各自的外部連接電極11a、12a串聯。另外，第4電極14通過外部連接電極14a與電流控制元件 37連接。因此，發(fā)熱體15的一端部通過第3電極13與第1可熔導體21連接，并且發(fā)熱體15的另一端部通過第4電極14與電流控制元件37連接。通往發(fā)熱體15的供電路徑2的通電由連接于第4電極14的電流控制元件37控制。

檢測電路36如果檢測出電池單元31～34中的任一個的異常電壓，則向電流控制元件37輸出切斷信號。于是，電流控制元件37控制電流以使發(fā)熱體15通電。在供電路徑2中，因為電流從電池組35通過第1電極11、第1可熔導體21及第3電極13流過，所以發(fā)熱體15開始發(fā)熱。切斷元件1利用發(fā)熱體15的發(fā)熱使第1可熔導體21熔斷。

此時，在切斷元件1中，如圖3B所示，通過連接于第1、第2端子72、73(第1、第2電極11、12)的第1熔絲71(第1連接部21a)熔斷，電池組件30的充放電電流路徑被切斷后，如圖3C所示，通過連接于第1、第2端子72、73與第3端子75(第3電極13)的第2熔絲74(第2連接部21b)熔斷，通往發(fā)熱電阻76(發(fā)熱體15)的供電路徑2被切斷。

此外，本技術的切斷元件不只限于使用鋰離子二次電池的電池組件的情況下，當然也可以適用于需要由電信號切斷電流路徑的各種用途。

根據這樣的切斷元件1，因為使第1電極11與第2電極12對向配置，使第1可熔導體21連接于第1、第2電極11、12，所以與通過發(fā)熱體引出電極使第1、第2電極對向的以往的構成相比，能夠實現減小可熔導體的電阻、提高電流額定值，并且能夠實現元件全體的小型化。

也就是說，在以往的切斷元件中，將發(fā)熱體引出電極插入于第1、第2電極之間，通過可熔導體使發(fā)熱體電極與第1電極連接，并且通過該可 熔導體使發(fā)熱體電極與第2電極連接。在此情況下，因為可熔導體的電阻值變大，所以不能提高切斷元件的電流額定值。另外，因為由于在第1、第2電極之間設置了發(fā)熱體引出電極，第1、第2電極的間隔擴大，所以元件全體的尺寸也變大了。

關于這一點，在切斷元件1中，使第1電極11與第2電極12直接對向，使第1可熔導體21連接于第1、第2電極11、12及第3電極13。因此，在切斷元件1中，因為第1可熔導體21的尺寸在通電方向上變短，能夠實現伴隨小型化的低電阻化，并且能夠提高電流額定值。另外，在切斷元件1中，因為不通過上述發(fā)熱體引出電極而使第1電極11與第2電極12直接對向，所以能夠實現元件全體的小型化，并且能夠實現高電流額定值。

此外，在切斷元件1中，除了第1可熔導體21利用發(fā)熱體15的發(fā)熱而熔斷之外，因為在外部電路流入過電流的情況下，第1可熔導體21利用自身發(fā)熱(焦耳熱)而熔斷，所以能夠切斷外部電路。

[連接部W2＜連接部W1]

另外，在第1可熔導體21中，連接于第1、第2電極11、12與第3電極13的第2連接部21b的寬度W2比連接于第1、第2電極11、12的第1連接部21a的寬度W1小。第1可熔導體21因為在外部電路的電流路徑上串聯，所以為了實現第1可熔導體21的低電阻化、及切斷元件1的高電流額定值，連接于第1、第2電極11、12的第1連接部21a的寬度W1優(yōu)選足夠大。另一方面，因為只要能夠切斷通往發(fā)熱體15的供電路徑2即可，所以連接于第3電極13的第2連接部21b的寬度W2只要比第1、第2電極11、12之間的間隔G1大，也沒有必要進一步增大。

[發(fā)熱體的發(fā)熱中心C]

此處，切斷元件1以第1可熔導體21的第1連接部21a先于第2連接部21b熔斷的方式形成。因為如果第2連接部21b先于第1連接部21a熔斷，則向發(fā)熱體15的供電停止，所以第1可熔導體21就不能熔斷。

為此，切斷元件1以如果發(fā)熱體15發(fā)熱、則第1連接部21a先于第2連接部21b熔斷的方式形成。具體地說，在切斷元件1中，第1可熔導體21以第1連接部21a比第2連接部21b靠近發(fā)熱體15的發(fā)熱中心C的方式配置。

此處，發(fā)熱體15的發(fā)熱中心C是指在由發(fā)熱體15發(fā)熱而產生的熱量分布中，在發(fā)熱初期的階段達到最高溫度的區(qū)域。在由發(fā)熱體15發(fā)生的熱量中，從絕緣基板10釋放的熱量最多。如果由耐熱沖擊性優(yōu)異但熱導率也高的陶瓷材料形成絕緣基板10等，則熱量將擴散至絕緣基板10。因此，在發(fā)熱體15中，因為在開始通電的發(fā)熱初期的階段，離與絕緣基板10相接觸的外邊最遠的中心成為最熱，所以該中心成為高溫，同時由于隨著向與絕緣基板10相接觸的外邊放熱，從而隨著接近該外邊、溫度不容易上升。

為此，在切斷元件1中，以第1連接部21a比第2連接部21b靠近發(fā)熱體15的在發(fā)熱初期達到最高溫度的發(fā)熱中心C的方式，配置發(fā)熱體15、第1電極11和第2電極12、及第1可熔導體21。因此，在第1可熔導體21中，因為相比第2連接部21b熱量更早地傳遞至第1連接部21a，該第1連接部21a首先熔斷，所以能夠防止在外部電路的電流路徑被切斷之前通往發(fā)熱體15的供電路徑2被切斷的事態(tài)發(fā)生。第2連接部21b因為 比第1連接部21a后加熱，所以在第1連接部21a熔斷后熔斷。由此，向發(fā)熱體15的供電被停止。

[間隔G2＜間隔G1]

另外，在切斷元件1中，第1電極11和第2電極12與第3電極13之間的間隔G2也可以比第1電極11與第2電極12之間的間隔G1小。第1可熔導體21因為電極之間的間隔越長熔融導體的張力越強，所以容易熔斷。于是，由于第1電極11與第2電極12之間的間隔G1比第1電極11和第2電極12與第3電極13之間的間隔G2大，所以第1連接部21a先于第2連接部21b熔斷。因此，在切斷元件1中，能夠防止在外部電路的電流路徑被切斷之前通往發(fā)熱體15的供電路徑2被切斷的事態(tài)發(fā)生。

[發(fā)熱體的配置]

另外，在切斷元件1中，也可以代替在絕緣基板10的表面10a上形成發(fā)熱體15，而如圖4所示，在形成子絕緣基板10的表面10a上的絕緣層17的內部形成發(fā)熱體15。在這種情況下，與發(fā)熱體15連接的第3電極13、第4電極14的下層部13b、14b也被形成于從絕緣基板10的表面10a至絕緣層17的內部。另外，在絕緣層17的內部形成發(fā)熱體15的情況下，第1可熔導體21也優(yōu)選以第1連接部21a比第2連接部21b靠近發(fā)熱體15的發(fā)熱中心C的方式配置。

另外，在切斷元件1中，如圖5所示，也可以在絕緣基板10的背面10b上形成發(fā)熱體15。在這種情況下，發(fā)熱體15在絕緣基板10的背面10b上被絕緣層17被覆。另外，與發(fā)熱體15連接的第3電極13、第4電極14的下層部13b、14b也同樣形成在絕緣基板10的背面10b上，并且通過導電通孔與形成于絕緣基板10的表面10a上的上層部13a、14a連接。

在切斷元件1中，因為由于發(fā)熱體15形成于絕緣基板10的背面10b上，絕緣基板10的表面10a平坦化，所以能夠在表面10a上使用印刷法等一次性地形成第1電極11和第2電極12、及第3電極13和第4電極14的上層部13a、14a。因此，在切斷元件1中，能夠簡化第1～第4電極11～14的制造步驟，并且能夠實現薄型化。

在切斷元件1中，在絕緣基板10的背面10b上形成發(fā)熱體15的情況下，通過使用細陶瓷等熱導性優(yōu)異的材料作為絕緣基板10的形成材料，也與使用該發(fā)熱體15、在絕緣基板10的表面10a上形成發(fā)熱體15的情況相同，能夠加熱第1可熔導體21且使其熔斷。另外，在絕緣基板10的背面10b上形成發(fā)熱體15的情況下，第1可熔導體21也優(yōu)選以第1連接部21a比第2連接部21b靠近發(fā)熱體15的發(fā)熱中心C的方式配置。

另外，在切斷元件1中，如圖6所示，也可以在絕緣基板10的內部形成發(fā)熱體15。在這種情況下，沒有必要設置用于被覆發(fā)熱體15的絕緣層17。另外，與發(fā)熱體15連接的第3電極13、第4電極14的下層部13b、14b形成至絕緣基板10的內部，并且通過導電通孔與通過通孔形成于絕緣基板10的表面10a上的上層部13a、14a連接。

因為由于在絕緣基板10的內部形成發(fā)熱體15，在切斷元件1中，絕緣基板10的表面10a平坦化，所以能夠在表面10a上使用印刷法等一次性地形成第1電極11和第2電極12、及第3電極13和第4電極14的上層部13a、14a。因此，在切斷元件1中，能夠簡化第1～第4電極11～14的制造步驟，并且能夠實現薄型化。

在切斷元件1中，在絕緣基板10的內部形成發(fā)熱體15的情況下，通過使用細陶瓷等熱導性優(yōu)異的材料作為絕緣基板10的形成材料，也與使 用該發(fā)熱體15在絕緣基板10的表面10a上形成發(fā)熱體15的情況相同，能夠加熱第1可熔導體21且使其熔斷。另外，在絕緣基板10的內部形成發(fā)熱體15的情況下，第1可熔導體21也優(yōu)選以第1連接部21a比第2連接部21b靠近發(fā)熱體15的發(fā)熱中心C的方式配置。

[發(fā)熱體與第1～第3電極的重疊]

另外，在切斷元件1中，在絕緣基板10的表面10a上形成發(fā)熱體15且用絕緣層17被覆發(fā)熱體15的情況(圖1A～圖1C)、在絕緣層17的內部形成發(fā)熱體15的情況(圖4)、在絕緣基板10的背面10b上形成發(fā)熱體15的情況(圖5)、以及在絕緣基板10的內部形成發(fā)熱體15的情況(圖6)中任一種情況下，也優(yōu)選發(fā)熱體15與第1電極11、第2電極12互相重疊。

因為由于發(fā)熱體15與第1電極11、第2電極12互相重疊，發(fā)熱體15所發(fā)生的熱量能夠被有效地傳送至第1電極11、第2電極12，所以在連接于第1電極11、第2電極12的第1可熔導體21中，能夠使第1連接部21a先于第2連接部21b熔斷。另外，因為由于第1電極11、第2電極12被有效地加熱，熔融導體對第1電極11、第2電極12的熔蝕被促進，所以能夠提高第1電極11、第2電極12之間的絕緣性。

另外，如圖7所示，在切斷元件1中，也可以使發(fā)熱體15與第1～第3電極11～13互相重疊。在這種情況下，第1電極11、第2電極12與發(fā)熱體15的發(fā)熱中心C附近重疊，第3電極13與發(fā)熱體15的端部重疊。因此，因為第1電極11、第2電極12先于第3電極13被加熱達到高溫，所以在第1可熔導體21中，能夠使第1連接部21a先于第2連接部21b熔斷。另外，因為不僅第1電極11、第2電極12而且第3電極13也能夠被 有效地加熱，所以通過第1～第3電極11～13分別保持熔融導體，不僅能夠提高第1電極11與第2電極12之間的絕緣性，也能夠提高第1電極11、第2電極12與第3電極13之間的絕緣性。

[發(fā)熱體與第1～第4電極并設]

另外，在切斷元件1中，如圖8所示，發(fā)熱體15也可以與第1～第4電極11～14并列形成于絕緣基板10的表面10a上。在這種情況下，發(fā)熱體15被設置于絕緣基板10的表面10a上，且被絕緣層17被覆。另外，在這種情況下，第1可熔導體21也優(yōu)選以第1連接部21a比第2連接部21b靠近發(fā)熱體15的發(fā)熱中心C的方式配置。

[發(fā)熱中心偏移]

另外，在切斷元件1中，如圖9A～如圖9C所示，對于發(fā)熱體15與第1電極11、第2電極12的相對位置關系，發(fā)熱體15的發(fā)熱中心C也可以與第1電極11或第2電極12中的連接有第1可熔導體21的部位重疊。例如，在切斷元件1中，如果以第1電極11的長度(在圖9C中的橫方向上的最大尺寸)等于第2電極12的長度(在圖9C中的橫方向上的最大尺寸)的方式，在絕緣基板10的表面10a上配置第1電極11、第2電極12，則將發(fā)熱體15形成于稍微偏向第2電極12側的位置上。因此，在切斷元件1中，因為能夠通過第2電極12將發(fā)熱體15的熱量有效地傳送至第1可熔導體21的第1連接部21a，所以能夠快速切斷外部電路的電流路徑。

另外，在切斷元件1中，通過使發(fā)熱體15的發(fā)熱中心C與第1電極11或第2電極12中的連接有第1可熔導體21的部位重疊，能夠防止起因于發(fā)熱體15的過熱的損傷。也就是說，由于在發(fā)熱體15的發(fā)熱中心C上 配置第1電極11或第2電極12，所以能夠將發(fā)熱體15所發(fā)生的熱量有效地傳送至第1電極11或第2電極12。因此，因為由于發(fā)熱體15所發(fā)生的熱量被傳送，該發(fā)熱體15自身難以蓄積熱量，所以能夠防止起因于過熱的發(fā)熱體15的損傷。

另一方面，如果在發(fā)熱體15的發(fā)熱中心C上第1電極11或第2電極12不重疊，該發(fā)熱體15的發(fā)熱中心C上成為空隙區(qū)，則因為不能有效地將發(fā)熱體15的發(fā)熱所產生的熱量傳送至第1電極11、第2電極12及第1可熔導體21，所以不能快速熔斷第1可熔導體21。

為此，在切斷元件1中，由于使發(fā)熱體15的發(fā)熱中心C與第1電極11或第2電極12中的連接有第1可熔導體21的部位重疊，能夠使第1可熔導體21快速熔斷，并且能夠防止發(fā)熱體15的過熱。

在使發(fā)熱體15的發(fā)熱中心C與第2電極12中的連接有第1可熔導體21的部位重疊的切斷元件1中，因為如果發(fā)熱體15發(fā)熱，則與發(fā)熱中心C重疊的第2電極12側被有效地加熱，所以第1可熔導體21從連接于第2電極12側熔融。由此，在切斷元件1中，如圖10A～如圖10C所示，首先，因為在第1可熔導體21上第1連接部21a熔斷，所以第1電極11、第2電極12之間的電流路徑被切斷。此時，在第1可熔導體21中，因為離發(fā)熱體15的發(fā)熱中心C遠的第2連接部21b沒有熔斷，所以通往發(fā)熱體15的供電路徑2沒有被切斷。因此，在切斷元件1中，于第1可熔導體21上在從第1連接部21a熔斷至使第1電極11、第2電極12之間的電流路徑切斷的期間內，能夠可靠地使發(fā)熱體15持續(xù)發(fā)熱。

此后，在切斷元件1中，如圖11A～如圖11C所示，通過發(fā)熱體15持續(xù)發(fā)熱，因為由于在第1可熔導體21上第2連接部21b也熔斷，第1電 極11、第3電極13之間的電流路徑被切斷，所以向發(fā)熱體15的供電停止。

[變形例]

接著，對本技術的一種實施方式的其他切斷元件進行說明。再有，在以下的說明中，對于與用于上述切斷元件1及切斷元件電路70的部件相同的部件附加上相同的附圖標記，并省略了有關該部件的詳細的說明。如圖12所示，切斷元件20具備絕緣基板10、形成于絕緣基板10上的第1～第4電極11～14、連接于第3電極13與第4電極14的發(fā)熱體15、連接于第1電極11與第2電極12的第2可熔導體22、以及與該第2可熔導體22隔開且連接于第1電極11和第2電極12與第3電極13的第3可熔導體23。

切斷元件1與切斷元件20的不同點是：連接于第1～第3電極11～13的可熔導體在切斷元件1中使用了1個可熔導體(第1可熔導體21)，而在切斷元件20中使用了多個可熔導體(第2可熔導體22及第3可熔導體23)。也就是說，在切斷元件20中，第2可熔導體22連接于第1電極11與第2電極12，第3可熔導體23連接于第1電極11和第2電極12與第3電極13。

作為第2、第3可熔導體22、23，能夠使用與上述第1可熔導體21相同的可熔導體，另外，與第1可熔導體21相同，對于第2、第3可熔導體22、23能夠采用后述的各種形態(tài)。第2可熔導體22使第1電極11、第2電極12電連接，并且在安裝有切斷元件20的外部電路的電流路徑上串聯。第3可熔導體23構成從第1電極11、第2電極12通過第3電極13 至發(fā)熱體15及第4電極14的通往發(fā)熱體15的供電路徑27(參照圖13A～圖13C)。

另外，在切斷元件20中，因為第2可熔導體22配置于比第3可熔導體23靠近發(fā)熱體15的發(fā)熱中心C的位置，所以如果發(fā)熱體15發(fā)熱，則首先通過第2可熔導體22熔斷，切斷第1電極11、第2電極12之間的電流路徑后，再通過第3可熔導體23熔斷，切斷第1電極11、第2電極12與第3電極13之間的電流路徑。

這樣的切斷元件20具有如圖13A所示的電路構造。也就是說，在切斷元件電路80中，因為通過第3熔絲81(第2可熔導體22)使第1、第2端子72、73(第1、第2電極11、12)連接，并且通過第4熔絲82(第3可熔導體23)使第1、第2端子72、73與第3端子75(第3電極13)、發(fā)熱電阻76(發(fā)熱體15)及第4端子77(第4電極14)連接，所以形成連續(xù)的供電路徑27。供電路徑27由連接于第4端子77的電流控制元件控制通電。

于是，在有必要切斷安裝有切斷元件20的外部電路的電流路徑的情況下，通過電流控制元件供電路徑27能夠被通電，電流從第1端子72或第2端子73通過第3、第4熔絲81、82及第3端子75流向發(fā)熱電阻76。如果發(fā)熱電阻76在通電時發(fā)熱，則切斷元件電路80如圖13B所示，通過連接于第1、第2端子72、73的第3熔絲81熔斷，切斷外部電路的電流路徑后，如圖13C所示，通過連接于第1、第2端子72、73與第3端子75的第4熔絲82熔斷，切斷通往發(fā)熱電阻76的供電路徑27。

根據這樣的切斷元件20，也與切斷元件1相同，因為使第1電極與第2電極直接對向配置，使第2可熔導體22連接于第1、第2電極11、12， 所以與將發(fā)熱體引出電極插入于第1電極、第2電極之間的以往的構成相比，能夠實現減小可熔導體的電阻、提高電流額定值，并且能夠實現元件全體的小型化。

[寬度W2＜寬度W1]

再有，在切斷元件20中，第3可熔導體23的寬度W2比第2可熔導體22的寬度W1小。第2可熔導體22具有與切斷元件1中的第1可熔導體21的第1連接部21a同樣的功能，第3可熔導體23具有與切斷元件1中的第1可熔導體21的第2連接部21b同樣的功能。因此，為了實現低電阻化、及切斷元件20的高電流額定值，連接于第1、第2電極11、12的第2可熔導體22的寬度W1優(yōu)選足夠大。另一方面，因為只要能夠切斷通往發(fā)熱體15的供電路徑27即可，所以連接于第3電極13的第3可熔導體23的寬度W2只要比第1、第2電極11、12的間隔G1大，也沒有必要進一步增大。

[第2可熔導體的熔點＜第3可熔導體的熔點]

另外，在切斷元件20中，也可以通過使第2可熔導體22的形成材料與第3可熔導體23的形成材料相異，使第2可熔導體22的熔點比第3可熔導體23的熔點低。由此，在切斷元件20中，能夠使連接于第1、第2電極11、12的第2可熔導體22先于連接于第1、第2電極11、12與第3電極13的第3可熔導體23熔融。因此，在切斷元件20中，能夠防止在外部電路的電流路徑被切斷之前，通往發(fā)熱體15的供電路徑27被切斷的事態(tài)發(fā)生。

另外，在切斷元件20中，也可以通過使用于第3可熔導體23的高熔點金屬的鍍層厚度比用于第2可熔導體22的高熔點金屬的鍍層厚度厚 等，改變第2、第3可熔導體22、23各自的層構造，給第2、第3可熔導體22、23的熔點設置差異，使第2可熔導體22相對比第3可熔導體23容易熔斷。

[第4～第6可熔導體]

另外，如圖14所示，切斷元件20也可以具備連接于第1電極11與第2電極12的第4可熔導體26、連接于第1電極11與第3電極13的第5可熔導體24、以及連接于第2電極12與第3電極13的第6可熔導體25。作為第4～第6可熔導體24～26，能夠使用與上述第1可熔導體21相同的可熔導體，另外，與第1可熔導體21相同，對于第4～第6可熔導體24～26能夠采用后述的各種形態(tài)。

另外，在切斷元件20中，也可以僅設置第5可熔導體24或第6可熔導體25中的任一方。圖15A是僅使第5可熔導體24連接于第1電極11與第3電極13的切斷元件20的平面圖。圖15B是該切斷元件電路80的電路圖。圖16A是僅使第6可熔導體25連接于第2電極12與第3電極13的切斷元件20的平面圖。圖16B是該切斷元件電路80的電路圖。

在圖15B所示的切斷元件電路80中，因為通過第3熔絲81(第4可熔導體26)使第1、第2端子72、73(第1、第2電極11、12)連接，并且通過第5熔絲83(第5可熔導體24)使第1、第2端子72、73與第3端子75(第3電極13)、發(fā)熱電阻76(發(fā)熱體15)及第4端子77(第4電極14)連接，所以形成連續(xù)的供電路徑27。供電路徑27由連接于第4端子77的電流控制元件控制通電。

在圖16B所示的切斷元件電路80中，因為通過第3熔絲81(第4可熔導體26)使第1、第2端子72、73(第1、第2電極11、12)連接，并 且通過第6熔絲84(第6可熔導體25)使第1、第2端子72、73與第3端子75(第3電極13)、發(fā)熱電阻76(發(fā)熱體15)及第4端子77(第4電極14)連接，所以形成連續(xù)的供電路徑27。供電路徑27由連接于第4端子77的電流控制元件控制通電。

另外，在切斷元件20中，與切斷元件1同樣，第1電極11和第2電極12與第3電極13的間隔G2也可以比第1電極11與第2電極12的間隔G1小。

另外，在切斷元件20中，與切斷元件1同樣，也可以在絕緣基板10的表面10a上形成發(fā)熱體15，且用絕緣層17被覆該發(fā)熱體15(圖12)，或者，也可以在絕緣層17的內部、絕緣基板10的背面10b或絕緣基板10的內部等形成發(fā)熱體15。在任一種情況下，在切斷元件20中，與切斷元件1同樣，也可以使發(fā)熱體15與第1、第2電極11、12互相重疊，也可以使發(fā)熱體15與第1～第3電極11～13互相重疊。

另外，在切斷元件20中，與切斷元件1同樣，發(fā)熱體15也可以與第1～第4電極11～14并列形成于絕緣基板10的表面10a上。

另外，在切斷元件20中，與切斷元件1同樣，對于發(fā)熱體15與第1電極11、第2電極12的相對位置關系，發(fā)熱體15的發(fā)熱中心C也可以與第1電極11或第2電極12中的搭載有第1可熔導體21的部位重疊。

[可熔導體的構成]

如上所述，第1～第6可熔導體21～26也可以含有低熔點金屬及高熔點金屬。作為低熔點金屬，優(yōu)選使用以Sn為主要成分的無鉛焊料等焊料，作為高熔點金屬，優(yōu)選使用至少含有Ag和Cu中的一種作為其構成元素的材料。此時，作為第1～第6可熔導體21～26中的各個可熔導體，如 圖17A所示，也可以使用含有作為內層的高熔點金屬層60、及作為外層的低熔點金屬層61的可熔導體。在此情況下，第1～第6可熔導體21～26中的各個可熔導體可以具有高熔點金屬層60的整個表面被低熔點金屬層61被覆的構造，也可以具有除了互相對向的一對側面之外高熔點金屬層60被低熔點金屬層61被覆的構造。由高熔點金屬層60及低熔點金屬層61被覆的構造，能夠使用電鍍等已知的成膜技術形成。

另外，如圖17B所示，作為第1～第6可熔導體21～26中的各個可熔導體，也可以使用含有作為內層的低熔點金屬層61、及作為外層的高熔點金屬層60的可熔導體。在此情況下，第1～第6可熔導體21～26中的各個可熔導體也可以具有低熔點金屬層61的整個表面被高熔點金屬層60被覆的構造，也可以具有除了互相對向的一對側面之外低熔點金屬層61被高熔點金屬層60被覆的構造。

另外，第1～第6可熔導體21～26中的各個可熔導體如圖18A及圖18B所示，也可以具有高熔點金屬層60與低熔點金屬層61被積層的積層構造。

在此情況下，第1～第6可熔導體21～26中的各個可熔導體如圖18A所示，也可以以由連接于第1～第3電極11、13的下層、與積層在該下層上的上層構成的2層構造形成。在此情況下，可以在作為下層的高熔點金屬層60的上面積層作為上層的低熔點金屬層61，相反也可以在作為下層的低熔點金屬層61的上面積層作為上層的高熔點金屬層60?；蛘?，第1～第6可熔導體21～26中的各個可熔導體如圖18B所示，也可以以由內 層、及在該內層的上下面上積層的2個外層構成的3層構造形成。在此情況下，可以在作為內層的高熔點金屬層60的上下面上積層作為外層的2個低熔點金屬層61，相反也可以在作為內層的低熔點金屬層61的上下面上積層作為外層的2個高熔點金屬層60。

另外，第1～第6可熔導體21～26中的各個可熔導體如圖19所示，也可以具有高熔點金屬層60與低熔點金屬層61被交替積層的4層以上的多層構造。在此情況下，第1～第6可熔導體21～26中的各個可熔導體也可以具有整個表面或者除了互相對向的一對側面之外、最外層以外的層被構成該最外層的金屬層被覆的構造。

另外，第1～第6可熔導體21～26中的各個可熔導體也可以具有高熔點金屬層60被以條紋狀的方式部分地積層在構成內層的低熔點金屬層61的表面上的構造。圖20A及圖20B是第1～第6可熔導體21～26中的各個可熔導體的平面圖。

在如圖20A所示的第1～第6可熔導體21～26中的各個可熔導體中，在低熔點金屬層61的表面上，通過在寬度方向上以所定間隔、而在長度方向上形成多個線狀高熔點金屬層60，能夠沿著長度方向形成線狀的開口部62，并且低熔點金屬層61在該開口部62露出。在第1～第6可熔導體21～26中的各個可熔導體中，因為由于低熔點金屬層61在開口部62露出，熔融的低熔點金屬與高熔點金屬的接觸面積增加，所以由于高熔點金屬層60的熔蝕作用更加被促進，能夠提高熔斷性。開口部62例如在低熔點金屬層61上，通過實施構成高熔點金屬層60的金屬的局部電鍍來形成。

另外，在第1～第6可熔導體21～26中的各個可熔導體中，如圖20B所示，也可以在低熔點金屬層61的表面上，通過在長度方向上以所定間隔、而在寬度方向上形成多個線狀高熔點金屬層60，沿著寬度方向形成線狀的開口部62。

另外，在第1～第6可熔導體21～26中的各個可熔導體中，如圖21所示，也可以通過在低熔點金屬層61的表面上形成高熔點金屬層60，并且在高熔點金屬層60的整個表面上形成多個圓形的開口部63，使低熔點金屬層61在該開口部63露出。開口部63例如在低熔點金屬層61上，通過實施構成高熔點金屬層60的金屬的局部電鍍來形成。

在第1～第6可熔導體21～26中的各個可熔導體中，因為由于低熔點金屬層61在開口部63露出，熔融的低熔點金屬與高熔點金屬的接觸面積增加，所以由于高熔點金屬的熔蝕作用更加被促進，能夠提高熔斷性。

另外，在第1～第6可熔導體21～26中的各個可熔導體中，如圖22所示，也可以在作為內層的高熔點金屬層60上形成多個開口部64，且通過在該高熔點金屬層60上、使用電鍍技術等使低熔點金屬層61成膜，在開口部64內填充低熔點金屬層61。因此，在第1～第6可熔導體21～26中的各個可熔導體中，因為熔融的低熔點金屬與高熔點金屬的接觸面積增大，所以低熔點金屬能夠在更短的時間內熔蝕高熔點金屬。

另外，在第1～第6可熔導體21～26中的各個可熔導體中，優(yōu)選使低熔點金屬層61的體積比高熔點金屬層60的體積大。在第1～第6可熔導體21～26中的各個可熔導體中，因為通過利用發(fā)熱體15的發(fā)熱被加熱的低熔點金屬熔融，該低熔點金屬熔蝕高熔點金屬，所以能夠快速熔融和熔斷。因此，在第1～第6可熔導體21～26中的各個可熔導體中，因為由于 使低熔點金屬層61的體積比高熔點金屬層60的體積大，能夠促進上述熔蝕作用，所以能夠快速使第1電極11、第2電極12之間短路。

另外，第1～第6可熔導體21～26中的各個可熔導體如圖23所示，也可以被形成為大致矩形的板狀，包含被構成外層的高熔點金屬被覆且以比主面部51的厚度厚的方式形成的互相對向的一對第1邊緣部52、及構成內層的低熔點金屬露出且以比第1邊緣部52的厚度薄的方式形成的互相對向的一對第2邊緣部53。

因為第1邊緣部52的側面被高熔點金屬層60被覆，所以該第1邊緣部52以比第1～第6可熔導體21～26中的各個可熔導體的主面部51的厚度厚的方式形成。在第2邊緣部53的側面上，外周被高熔點金屬層60圍繞的低熔點金屬層61露出。第2邊緣部53除了與第1邊緣部52鄰接的兩個端部之外，以與主面部51的厚度相同的厚度形成。

在切斷元件1中，如圖24所示，在第1可熔導體21中，第1邊緣部52在第1、第2電極11、12的寬度方向上延伸，并且該第1邊緣部52連接于第1電極11和第3電極13的雙方、及第2電極12和第3電極13的雙方。另外，第2邊緣部53朝著通電方向的兩個側端的方向，在第1、第2電極11、12之間延伸。

因此，在切斷元件1中，因為第1可熔導體21的第1連接部21a快速熔斷，所以能夠切斷外部電路的電流路徑，并且因為由于使第2連接部21b的熔斷延遲，能夠維持發(fā)熱體15的發(fā)熱，所以能夠可靠地切斷第1、第2電極11、12之間的電流路徑。

也就是說，第2邊緣部53以比第1邊緣部52的厚度相對薄的方式形成。另外，在第2邊緣部53的側面上，構成內層的低熔點金屬層61露 出。因此，在第2邊緣部53中，低熔點金屬層61對高熔點金屬層60產生熔蝕作用，并且因為也以被熔蝕的高熔點金屬層60的厚度比第1邊緣部52的厚度薄的方式形成，所以與以起因于高熔點金屬層60的更厚的方式形成的第1邊緣部52相比，能夠用更少的熱能快速使第2邊緣部53熔融。與此相反，第1邊緣部52因為被具有更大厚度的高熔點金屬層60被覆，所以與第2邊緣部53相比，需要更多的熱能才能熔斷。

因此，在切斷元件1中，通過發(fā)熱體15發(fā)熱，首先，在延伸有第2邊緣部53的第1電極11與第2電極12之間第1可熔導體21熔斷。由此，在切斷元件1中，第1、第2電極11、12之間的電流路徑切斷。接著，因為由于在延伸有第1邊緣部52的第1、第2電極11、12與第3電極13之間第1可熔導體21熔斷，通往發(fā)熱體15的供電路徑2被切斷，所以發(fā)熱體15的發(fā)熱停止。也就是說，在切斷元件1中，能夠防止在第1、第2電極11、12之間的電流路徑被切斷之前，起因于第1、第2電極11、12與第3電極13之間的電流路徑被切斷，以至于向發(fā)熱體15的供電停止而不能切斷第1、第2電極11、12之間的電流路徑的事態(tài)發(fā)生。

在切斷元件20中，也如圖25所示，在第2可熔導體22中，以更厚的方式形成的第1邊緣部52在第1、第2電極11、12的寬度方向上延伸，第2邊緣部53朝著通電方向的兩個側端的方向，在第1、第2電極11、12之間延伸。另外，在第3可熔導體23中，以更厚的方式形成的第1邊緣部52連接于第1電極11和第3電極13的雙方、及第2電極12和第3電極13的雙方。另外，第2邊緣部53于第3電極13的寬度方向上在第1、第2電極11、12之間延伸。

因此，在切斷元件20中，因為第2可熔導體22及第3可熔導體23各自中的第2邊緣部53快速熔融，所以通過切斷第1、第2電極11、12之間的電流路徑，能夠切斷外部電路的電流路徑，并且因為通過使第3可熔導體23的第1邊緣部52的熔斷延遲，能夠維持發(fā)熱體15的發(fā)熱，所以能夠可靠地切斷第1、第2電極11、12之間的電流路徑。

另外，如圖26所示，在使用第5、第6可熔導體24、25的情況下也同樣，在第5、第6可熔導體24、25中，以更厚的方式形成的第1邊緣部52連接于第1電極11和第3電極13的雙方、及第2電極12和第3電極13的雙方。

因此，在切斷元件20中，因為第4可熔導體26的第2邊緣部53快速熔融，所以通過切斷第1、第2電極11、12之間的電流路徑，能夠切斷外部電路的電流路徑，并且因為通過使第5、第6可熔導體24、25各自中的第1邊緣部52的熔斷延遲，能夠維持發(fā)熱體15的發(fā)熱，所以能夠可靠地切斷第1、第2電極11、12之間的電流路徑。

具有這樣的構成的第1～第6可熔導體21～26中的各個可熔導體通過將構成低熔點金屬層61的焊料箔等低熔點金屬箔用構成高熔點金屬層60的Ag等金屬被覆來制造。作為將低熔點金屬箔用高熔點金屬被覆的工法，能夠在細長的低熔點金屬箔上連續(xù)實施高融點金屬電鍍的電解電鍍法，在作業(yè)效率、制造成本上變得有利。

如果使用電解電鍍在低熔點金屬箔上實施高融點金屬電鍍，則因為在細長的低熔點金屬箔的邊緣部分、即邊緣部上電場強度相對變強，所以高熔點金屬層60以更厚的方式被電鍍(參照圖23)。由此，能夠獲得邊緣部被高熔點金屬層以更厚的方式形成的細長的導體色帶50。接著，通過在 與長度方向正交的寬度方向(圖23中的C-C′線方向)上，將該導體色帶50切割至規(guī)定的長度，就制成了第1～第6可熔導體21～26中的各個可熔導體。因此，在第1～第6可熔導體21～26中的各個可熔導體中，導體色帶50的邊緣部成為第1邊緣部52，導體色帶50的切割面成為第2邊緣部53。另外，第1邊緣部52被高融點金屬被覆，并且在第2邊緣部53的端面(導體色帶50的切割面)上，上下一對高熔點金屬層60與被該一對高熔點金屬層60挾持的低熔點金屬層61露出于外部。

本公開含有涉及在2014年1月24日在日本專利局提交的日本優(yōu)先權專利申請JP2014-011808中公開的主旨，其全部內容包括在此，以供參考。

本領域的技術人員應該理解，雖然根據設計要求和其他因素可能出現各種修改、組合、子組合和可替換項，但是它們均包含在附加的權利要求或它的等同物的范圍內。

本技術也可以采用以下構成。

(1)

一種切斷元件，其具備：

絕緣基板；

第1電極和第2電極，形成于所述絕緣基板上且互相對向；

第3電極和第4電極，形成于所述絕緣基板上且在與所述第1電極跟所述第2電極的對向方向交叉的方向上互相對向；

發(fā)熱體，連接于所述第3電極與所述第4電極；以及

第1可熔導體，包含使所述第1電極與所述第2電極連接的第1連接部、及連接于該第1連接部且使所述第1電極和所述第2電極與所述第3電極連接的第2連接部。

(2)

上述(1)中所述的切斷元件，其中，

具有從所述第1電極或所述第2電極通過所述第1可熔導體及所述第3電極向所述發(fā)熱體通電的供電路徑；

通過利用所述發(fā)熱體的發(fā)熱使所述第1可熔導體熔融，在使所述第1連接部熔斷后，使所述第2連接部熔斷。

(3)

上述(1)或(2)中所述的切斷元件，其中，所述第1連接部比所述第2連接部靠近所述發(fā)熱體的發(fā)熱中心。

(4)

上述(1)至(3)中的任一項所述的切斷元件，其中，所述第2連接部的寬度W2比所述第1連接部的寬度W1小。

(5)

上述(1)至(4)中的任一項所述的切斷元件，其中，所述發(fā)熱體的發(fā)熱中心與所述第1電極或所述第2電極中的連接有所述第1可熔導體的部位互相重疊。

(6)

上述(1)至(5)中的任一項所述的切斷元件，其中，所述第1可熔導體含有焊料。

(7)

上述(1)至(5)中的任一項所述的切斷元件，其中，

所述第1可熔導體含有低熔點金屬與高熔點金屬；

所述低熔點金屬利用被所述發(fā)熱體加熱而熔融，同時熔蝕所述高熔點金屬。

(8)

上述(7)中所述的切斷元件，其中，

所述低熔點金屬含有焊料；

所述高熔點金屬至少含有銀(Ag)和銅(Cu)中的一種作為其構成元素。

(9)

上述(7)或(8)中所述的切斷元件，其中，所述第1可熔導體具有包含作為內層的高熔點金屬層與作為外層的低熔點金屬層的被覆構造。

(10)

上述(7)或(8)中所述的切斷元件，其中，所述第1可熔導體具有包含作為內層的低熔點金屬層與作為外層的高熔點金屬的被覆構造。

(11)

上述(7)或(8)中所述的切斷元件，其中，所述第1可熔導體具有低熔點金屬層與高熔點金屬層被積層的積層構造。

(12)

上述(7)或(8)中所述的切斷元件，其中，所述第1可熔導體具有低熔點金屬層與高熔點金屬層被交替積層的4層以上的多層構造。

(13)

上述(7)或(8)中所述的切斷元件，其中，

所述第1可熔導體包含形成于作為內層的低熔點金屬層的表面的高熔點金屬層；

在該高熔點金屬層設置有開口部。

(14)

上述(7)或(8)中所述的切斷元件，其中，

所述第1可熔導體包含具有多個開口部的高熔點金屬層、及形成于該高熔點金屬層上的低熔點金屬層；

在所述開口部填充有所述低熔點金屬層。

(15)

上述(1)至(14)中的任一項所述的切斷元件，其中，

所述第1可熔導體含有低熔點金屬與高熔點金屬；

低熔點金屬的體積比高熔點金屬的體積大。

(16)

上述(10)至(13)中的任一項所述的切斷元件，其中，

所述第1可熔導體，包含：

一對第1邊緣部，被作為外層的所述高熔點金屬層被覆、且以比主面部的厚度厚的方式形成并互相對向；以及

一對第2邊緣部，作為內層的所述低熔點金屬層露出、且以比所述第1邊緣部的厚度薄的方式形成并互相對向，

所述第1邊緣部朝沿著至所述發(fā)熱體的通電方向，連接于所述第1電極與所述第3電極，或者，連接于所述第1電極與所述第3電極且連接于所述第2電極與所述第3電極。

(17)

上述(10)至(13)中的任一項所述的切斷元件，其中，

所述第1可熔導體，包含：

一對第1邊緣部，被作為外層的所述高熔點金屬層被覆、且以比主面部的厚度厚的方式形成并互相對向；以及

一對第2邊緣部，作為內層的所述低熔點金屬層露出、且以比所述第1邊緣部的厚度薄的方式形成并互相對向，

所述第2邊緣部朝沿著所述第1電極與所述第2電極之間的通電方向，連接于所述第1電極與所述第2電極。

(18)

一種切斷元件，其具備：

絕緣基板；

第1電極和第2電極，形成于所述絕緣基板上且互相對向；

第3電極和第4電極，形成于所述絕緣基板上且在與所述第1電極跟所述第2電極的對向方向交叉的方向上互相對向；

發(fā)熱體，連接于所述第3電極與所述第4電極；

第2可熔導體，連接于所述第1電極與所述第2電極；以及

第3可熔導體，與所述第2可熔導體隔開且連接于所述第1電極和所述第2電極與所述第3電極。

(19)

上述(18)中所述的切斷元件，其中，

具有從所述第1電極或所述第2電極通過所述第2可熔導體、所述第3可熔導體及所述第3電極向所述發(fā)熱體通電的供電路徑；

通過利用所述發(fā)熱體的發(fā)熱使所述第2可熔導體熔斷，在切斷所述第1電極與所述第2電極之間的電流路徑后，通過使所述第3可熔導體熔斷，切斷所述第1電極或所述第2電極與所述第3電極之間的電流路徑。

(20)

上述(18)或(19)中所述的切斷元件，其中，所述第2可熔導體配置于比所述第3可熔導體靠近所述發(fā)熱體的發(fā)熱中心的位置。

(21)

上述(18)至(20)中的任一項所述的切斷元件，其中，所述第3可熔導體的寬度W2比所述第2可熔導體的寬度W1小。

(22)

上述(18)至(21)中的任一項所述的切斷元件，其中，所述第2可熔導體的熔點比所述第3可熔導體的熔點低。

(23)

上述(18)至(22)中的任一項所述的切斷元件，其中，所述發(fā)熱體的發(fā)熱中心與所述第1電極或所述第2電極中的連接有所述第2可熔導體的部位互相重疊。

(24)

上述(18)至(23)中的任一項所述的切斷元件，其中，所述第2可熔導體和所述第3可熔導體中的至少一方含有焊料。

(25)

上述(18)至(23)中的任一項所述的切斷元件，其中，

所述第2可熔導體和所述第3可熔導體中的至少一方含有低熔點金屬與高熔點金屬；

所述低熔點金屬利用被所述發(fā)熱體加熱而熔融，同時熔蝕所述高熔點金屬。

(26)

上述(25)中所述的切斷元件，其中，

所述低熔點金屬含有焊料；

所述高熔點金屬至少含有銀(Ag)和銅(Cu)中的一種作為其構成元素。

(27)

上述(25)或(26)中所述的切斷元件，其中，所述第2可熔導體和所述第3可熔導體中的至少一方具有包含作為內層的高熔點金屬層與作為外層的低熔點金屬層的被覆構造。

(28)

上述(25)或(26)中所述的切斷元件，其中，所述第2可熔導體和所述第3可熔導體中的至少一方具有包含作為內層的低熔點金屬層與作為外層的高熔點金屬的被覆構造。

(29)

上述(25)或(26)中所述的切斷元件，其中，所述第2可熔導體和所述第3可熔導體中的至少一方具有低熔點金屬層與高熔點金屬層被積層的積層構造。

(30)

上述(25)或(26)中所述的切斷元件，其中，所述第2可熔導體和所述第3可熔導體中的至少一方具有低熔點金屬層與高熔點金屬層被交替積層的4層以上的多層構造。

(31)

上述(25)或(26)中所述的切斷元件，其中，

所述第2可熔導體和所述第3可熔導體中的至少一方包含形成于作為內層的低熔點金屬層的表面的高熔點金屬層；

在該高熔點金屬層設置有開口部。

(32)

上述(125)或(26)中所述的切斷元件，其中，

所述第2可熔導體和所述第3可熔導體中的至少一方包含具有多個開口部的高熔點金屬層、及形成于該高熔點金屬層上的低熔點金屬層；

在所述開口部填充有所述低熔點金屬層。

(33)

上述(18)至(32)中的任一項所述的切斷元件，其中，

所述第2可熔導體和所述第3可熔導體中的至少一方含有低熔點金屬與高熔點金屬；

低熔點金屬的體積比高熔點金屬的體積大。

(34)

上述(28)至(引)中的任一項所述的切斷元件，其中，

所述第3可熔導體，包含：

一對第1邊緣部，被作為外層的所述高熔點金屬層被覆、且以比主面部的厚度厚的方式形成并互相對向；以及

一對第2邊緣部，作為內層的所述低熔點金屬層露出、且以比所述第1邊緣部的厚度薄的方式形成并互相對向，

所述第1邊緣部朝沿著至所述發(fā)熱體的通電方向，連接于所述第1電極與所述第3電極，或者，連接于所述第1電極與所述第3電極且連接于所述第2電極與所述第3電極。

(35)

上述(28)至(31)中的任一項所述的切斷元件，其中，

所述第2可熔導體，包含：

一對第1邊緣部，被作為外層的所述高熔點金屬層被覆、且以比主面部的厚度厚的方式形成并互相對向；以及

一對第2邊緣部，作為內層的所述低熔點金屬層露出、且以比所述第1邊緣部的厚度薄的方式形成并互相對向，

所述第2邊緣部朝沿著所述第1電極與所述第2電極之間的通電方向，連接于所述第1電極與所述第2電極。

(36)

一種切斷元件，其具備：

絕緣基板；

第1電極和第2電極，形成于所述絕緣基板上且互相對向；

第3電極和第4電極，形成于所述絕緣基板上且在與所述第1電極跟所述第2電極的對向方向交叉的方向上互相對向；

發(fā)熱體，連接于所述第3電極與所述第4電極；

第4可熔導體，連接于所述第1電極與所述第2電極；以及

第5可熔導體和第6可熔導體中的至少一方，所述第5可熔導體連接于所述第1電極與所述第3電極，所述第6可熔導體連接于所述第2電極與所述第3電極。

(37)

上述(36)中所述的切斷元件，其中，

具有從所述第1電極或所述第2電極通過所述第4可熔導體、所述第5可熔導體及所述第6可熔導體中的至少一方與所述第3電極向所述發(fā)熱體通電的供電路徑；

通過利用所述發(fā)熱體的發(fā)熱使所述第4可熔導體熔斷，在切斷所述第1電極與所述第2電極之間的電流路徑后，通過使所述第5可熔導體和所述第6可熔導體中的至少一方熔斷，切斷所述第1電極或所述第2電極與所述第3電極之間的電流路徑。

(38)

上述(36)或(37)中所述的切斷元件，其中，所述第4可熔導體配置于比所述第5可熔導體和所述第6可熔導體靠近所述發(fā)熱體的發(fā)熱中心的位置。

(39)

上述(36)至(38)中的任一項所述的切斷元件，其中，所述第5可熔導體的寬度W2和所述第6可熔導體的寬度W2比所述第4可熔導體的寬度W1小。

(40)

上述(36)至(39)中的任一項所述的切斷元件，其中，所述第4可熔導體的熔點比所述第5可熔導體的熔點和所述第6可熔導體的熔點低。

(41)

上述(36)至(40)中的任一項所述的切斷元件，其中，所述發(fā)熱體的發(fā)熱中心與所述第1電極或所述第2電極中的連接有所述第4可熔導體的部位互相重疊。

(42)

上述(36)至(41)中的任一項所述的切斷元件，其中，所述第4可熔導體、所述第5可熔導體及所述第6可熔導體中的至少一個含有焊料。

(43)

上述(36)至(41)中的任一項所述的切斷元件，其中，

所述第4可熔導體、所述第5可熔導體及所述第6可熔導體中的至少一個含有低熔點金屬與高熔點金屬；

所述低熔點金屬利用被所述發(fā)熱體加熱而熔融，同時熔蝕所述高熔點金屬。

(44)

上述(43)中所述的切斷元件，其中，

所述低熔點金屬含有焊料；

所述高熔點金屬至少含有銀(Ag)和銅(Cu)中的一種作為其構成元素。

(45)

上述(43)或(44)中所述的切斷元件，其中，所述第4可熔導體、所述第5可熔導體及所述第6可熔導體中的至少一個具有包含作為內層的高熔點金屬層與作為外層的低熔點金屬層的被覆構造。

(46)

上述(43)或(44)中所述的切斷元件，其中，所述第4可熔導體、所述第5可熔導體及所述第6可熔導體中的至少一個具有包含作為內層的低熔點金屬層與作為外層的高熔點金屬的被覆構造。

(47)

上述(43)或(44)中所述的切斷元件，其中，所述第4可熔導體、所述第5可熔導體及所述第6可熔導體中的至少一個具有低熔點金屬層與高熔點金屬層被積層的積層構造。

(48)

上述(43)或(44)中所述的切斷元件，其中，所述第4可熔導體、所述第5可熔導體及所述第6可熔導體中的至少一個具有低熔點金屬層與高熔點金屬層被交替積層的4層以上的多層構造。

(49)

上述(43)或(44)中所述的切斷元件，其中，

所述第4可熔導體、所述第5可熔導體及所述第6可熔導體中的至少一個包含形成于作為內層的低熔點金屬層的表面的高熔點金屬層；

在該高熔點金屬層設置有開口部。

(50)

上述(43)或(44)中所述的切斷元件，其中，

所述第4可熔導體、所述第5可熔導體及所述第6可熔導體中的至少一個包含具有多個開口部的高熔點金屬層、及形成于該高熔點金屬層上的低熔點金屬層；

在所述開口部填充有所述低熔點金屬層。

(51)

上述(36)至(50)中的任一項所述的切斷元件，其中，

所述第4可熔導體、所述第5可熔導體及所述第6可熔導體中的至少一個含有低熔點金屬與高熔點金屬；

低熔點金屬的體積比高熔點金屬的體積大。

(52)

上述(46)至(49)中的任一項所述的切斷元件，其中，

所述第4可熔導體、所述第5可熔導體及所述第6可熔導體中的至少一個，包含：

一對第1邊緣部，被作為外層的所述高熔點金屬層被覆、且以比主面部的厚度厚的方式形成并互相對向；以及

一對第2邊緣部，作為內層的所述低熔點金屬層露出、且以比所述第1邊緣部的厚度薄的方式形成并互相對向，

所述第5可熔導體的所述第1邊緣部朝沿著至所述發(fā)熱體的通電方向，連接于所述第1電極與所述第3電極，或者，所述第5可熔導體的所述第1邊緣部連接于所述第1電極與所述第3電極、并且所述第6可熔導體的所述第1邊緣部朝沿著至所述發(fā)熱體的通電方向、連接于所述第2電極與所述第3電極，

所述第4可熔導體的所述第2邊緣部朝沿著所述第1電極與所述第2電極之間的通電方向，連接于所述第1電極與所述第2電極。

(53)

上述(1)至(52)中的任一項所述的切斷元件，其中，所述第1電極和所述第2電極與所述第3電極之間的間隔G2比所述第1電極與所述第2電極之間的間隔G1小。

(54)

上述(1)至(53)中的任一項所述的切斷元件，其中，

在形成有所述第1電極、所述第2電極、所述第3電極及所述第4電極的所述絕緣基板的表面上，具備絕緣層；

所述發(fā)熱體形成于所述絕緣基板與所述絕緣層之間，或者，形成于所述絕緣層的內部。

(55)

上述(1)至(53)中的任一項所述的切斷元件，其中，所述發(fā)熱體形成于與形成有所述第1電極、所述第2電極、所述第3電極及所述第4電極的所述絕緣基板的表面相反的背面。

(56)

上述(1)至(53)中的任一項所述的切斷元件，其中，所述發(fā)熱體形成于所述絕緣基板的內部。

(57)

上述(54)至(56)中的任一項所述的切斷元件，其中，所述發(fā)熱體與所述第1電極和所述第2電極互相重疊。

(58)

上述(57)中所述的切斷元件，其中，所述發(fā)熱體與所述第3電極互相重疊。

(59)

上述(1)至(53)中的任一項所述的切斷元件，其中，

在形成有所述第1電極、所述第2電極、所述第3電極及所述第4電極的所述絕緣基板的表面上，具備絕緣層；

所述發(fā)熱體形成于所述絕緣基板與所述絕緣層之間，并且與所述第1電極、所述第2電極、所述第3電極及所述第4電極并列形成。

(60)

一種切斷元件電路，其具備：

第1端子和第2端子，連接于外部電路；

發(fā)熱電阻；

第3端子，連接于所述發(fā)熱電阻；

第1熔絲，連接于所述第1端子與所述第2端子且串聯于所述外部電路；以及

第2熔絲，連接于所述第1端子和所述第2端子與所述第3端子。

(61)

上述(60)中所述的切斷元件電路，其中，通過所述第1端子或所述第2端子、所述第1熔絲和所述第2熔絲、及所述第3端子向所述發(fā)熱電阻通電，通過利用所述發(fā)熱電阻所發(fā)生的熱量使所述第1熔絲熔融，在切斷所述第1端子與所述第2端子之間的電流路徑后，通過使所述第2熔絲熔融，切斷所述第1端子和所述第2端子與所述第3端子之間的電流路徑。

(62)

上述(60)或(61)中所述的切斷元件電路，其中，

所述第1熔絲串聯于電源線；

所述發(fā)熱電阻的開放端通過開關元件連接于所述電源線的另一極；

通過使所述開關元件驅動，所述發(fā)熱電阻被通電。

(63)

一種切斷元件電路，其具備：

第1端子和第2端子，連接于外部電路；

發(fā)熱電阻；

第3端子，連接于所述發(fā)熱電阻；

第3熔絲，連接于所述第1端子與所述第2端子且串聯于所述外部電路；以及

第4熔絲，連接于所述第1端子和所述第2端子中的至少一方與所述第3端子。

(64)

上述(63)中所述的切斷元件電路，其中，通過所述第1端子或所述第2端子、所述第3熔絲和所述第4熔絲、及所述第3端子向所述發(fā)熱電阻通電，通過利用所述發(fā)熱電阻所發(fā)生的熱量使所述第3熔絲熔融，在切斷所述第1端子與所述第2端子之間的電流路徑后，通過使所述第4熔絲熔融，切斷所述第1端子和所述第2端子與所述第3端子之間的電流路徑。

(65)

上述(63)或(64)中所述的切斷元件電路，其中，

所述第3熔絲串聯于電源線；

所述發(fā)熱電阻的開放端通過開關元件連接于所述電源線的另一極；

通過使所述開關元件驅動，所述發(fā)熱電阻被通電。

符號的說明

1，20：切斷元件

2，27：供電路徑

10：絕緣基板

10a：表面

10f：背面

11：第1電極

12：第2電極

13：第3電極

14：第4電極

15：發(fā)熱體

16：保護壁

17：絕緣層

18：助焊劑

19：蓋部部件

21：第1可熔導體

22：第2可熔導體

23：第3可熔導體

26：第4可熔導體

24：第5可熔導體

25：第6可熔導體

30：電池組件

31～34：電池單元

36：檢測電路

37：電流控制元件

40：充放電控制電路

41，42：電流控制元件

43：控制部

45：充電裝置

50：導體色帶