本發(fā)明涉及一種光電子器件和一種用于制造光電子器件的方法。

背景技術(shù)：

傳統(tǒng)的光電子器件（例如OLED）通常由襯底、光學(xué)功能層（例如有機功能層）、電極層、防濕氣作用的封裝層（例如薄膜封裝層（TFE））和遮蓋體（例如蓋板）構(gòu)建。在很多情況下，還將熱沉和/或散熱器（Waermeverteiler）（例如金屬板或者金屬膜）層壓到蓋玻璃（Deckglas）上。蓋玻璃用作機械保護以及用作其他濕氣阻擋部（Feuchtebarriere）并且如襯底那樣一般由實心玻璃構(gòu)成。蓋玻璃在制造工藝期間通常整面地被層壓到襯底上。封裝層構(gòu)造在蓋板與襯底之間并且一般延伸到整個襯底上方。

在制造工藝期間，制造在器件復(fù)合件（Bauelementverbund）中的多個光電子器件并且緊接著將所述多個光電子器件分割，例如借助將襯底和蓋板刻劃和斷裂來分割。在器件復(fù)合件中，襯底和蓋板分別一體式地延伸到多個光電子器件上方?？虅澓蛿嗔芽梢赃M行來使得：在此露出用于電接觸電極層的電接觸部，或者至少僅還必須將封裝層和/或各種不同的中間層（譬如膠粘劑層）去除，以便至少部分露出電接觸部并且可由此電接觸。例如當(dāng)接觸區(qū)域在機械上是敏感的時，對電接觸部的機械的、耐環(huán)境的（umweltbestaendig）電接觸可能是困難的。此外，其中封裝層必須局部受損的電接觸可能妨礙封裝層的效果，因為封裝層不再平面地閉合并且污染物可能可侵入到封裝層與電接觸部之間。這樣的污染物接著可深入直至光學(xué)功能層并且損傷所述光學(xué)功能層。

因而，例如OLED或有機太陽能電池的電接觸部例如可被構(gòu)造在相對應(yīng)的光電子器件的邊緣區(qū)域中，例如被構(gòu)造在光學(xué)有源和/或功能區(qū)域旁和/或在要接觸的電極的末端上并且在那里被電接觸。在該區(qū)域中可以在相對高的機械和/或熱負荷的情況下工作，因為其下沒有敏感的層、例如有機功能層。此外，在邊緣區(qū)域中可以增強電接觸部，例如特別厚地實施所述電接觸部，因為與在有源區(qū)域中的電極相比對在邊緣區(qū)域中的電接觸部的要求可以是不同的。例如，在邊緣區(qū)域中，較低透明性是可接受的。此外，可以降低機械敏感性，例如因為例如當(dāng)在邊緣區(qū)域中的電接觸部之下沒有布置光學(xué)功能層時，電接觸部的機械損傷比有源區(qū)域中的電極的機械損傷對光電子器件的運行可能有更少的影響。

然而，僅在邊緣區(qū)域中的電接觸可導(dǎo)致在光電子器件中的電流分布方面的缺點，這可要求布置能導(dǎo)電的中間線路、譬如母線（Busbar）。此外，僅在邊緣區(qū)域中的電接觸要求結(jié)構(gòu)化地布置光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)和電極。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

在不同的實施例中，提供了一種光電子器件，該光電子器件可以簡單地制造和/或可簡單地電接觸和/或其中在運行時簡單地實現(xiàn)光電子器件中的均勻的電流分布。

在不同的實施例中，提供了一種用于制造光電子器件的方法，該方法可以簡單地被執(zhí)行和/或該方法能夠有助于在該光電子器件中在運行時簡單地實現(xiàn)光電子器件中的均勻的電流分布。

在不同的實施例中，提供了一種光電子器件。該光電子器件具有載體。在該載體之上構(gòu)造有第一電極。在第一電極之上構(gòu)造有光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)。在該光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)之上構(gòu)造有第二電極，該第二電極平面地延伸到光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)的背離載體的側(cè)的至少一部分上。在第二電極之上構(gòu)造有封裝部，該封裝部包封（einkapseln）光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)。為了電接觸第一電極和/或第二電極，能導(dǎo)電的接觸結(jié)構(gòu)被布置在第一電極和/或第二電極上的封裝部的凹進部中并且延伸穿過封裝層。接觸結(jié)構(gòu)和封裝部被構(gòu)造為使得它們共同作用地包封第一電極和/或第二電極。

如果接觸結(jié)構(gòu)被構(gòu)造在第一電極和第二電極上，則在第一電極上構(gòu)造有第一接觸結(jié)構(gòu)并且在第二電極上構(gòu)造有另一接觸結(jié)構(gòu)、例如第二接觸結(jié)構(gòu)。該接觸結(jié)構(gòu)能夠?qū)崿F(xiàn)簡單電接觸相對應(yīng)的電極。該接觸結(jié)構(gòu)可以由一個或多個局部施加到相對應(yīng)的電極上的能導(dǎo)電的接觸元件形成。例如，接觸元件可以具有能導(dǎo)電的膏、能導(dǎo)電的粘合劑和/或焊劑。接觸結(jié)構(gòu)可以輕柔地被施加到相對應(yīng)的電極上，尤其是使得相對應(yīng)的電極和/或其下的結(jié)構(gòu)不被損傷。接觸結(jié)構(gòu)可以改善相對應(yīng)的電極的機械穩(wěn)定性。這可以有助于光電子器件隨后經(jīng)由接觸結(jié)構(gòu)可特別簡單且可靠地被電接觸。此外，電接觸也可以經(jīng)由光電子器件的光學(xué)有源區(qū)域、例如經(jīng)由光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)進行，因為該光學(xué)有源區(qū)在接觸時受接觸結(jié)構(gòu)保護。

此外，可以直接接觸光電子器件的機械敏感的部位（例如在光學(xué)有源區(qū)域中的薄的電極和/或在薄的絕緣層上的薄的接觸區(qū)域）。該接觸結(jié)構(gòu)并且必要時其他接觸結(jié)構(gòu)可以近似自由分布地被布置在相對應(yīng)的電極上，例如也被布置在光電子器件的有源區(qū)域中，使得可以減小在相對應(yīng)的電極的平面中的電壓損耗和/或可以更自由地設(shè)計相對應(yīng)的電極中的電流分布。這例如可以有助于獲得發(fā)光面的更好的均勻性和或光電子器件的更高的效率。這可以有助于：減小用于分配電流的母線的數(shù)目和/或大小，或者可以完全省去母線。由于在布置接觸結(jié)構(gòu)方面的設(shè)計自由度提高，所以接觸結(jié)構(gòu)可以被實施為具有小的面，使得可以形成單位制造面的大的有源或者有用面。此外，在（例如用于將接觸結(jié)構(gòu)電接觸的）另一接觸步驟中，可以使用承受機械或者化學(xué)負荷的工藝。

接觸結(jié)構(gòu)和封裝部可以共同作用地包封第一電極或第二電極例如意味著：接觸結(jié)構(gòu)以直接物理接觸的方式緊貼在封裝部的凹進部的壁部上，更確切地說，環(huán)繞地緊貼在整個壁部上，以及接觸結(jié)構(gòu)本身形成部分封裝部。接觸結(jié)構(gòu)和封裝部因此形成在第一電極和/第二電極之上的閉合的面和/或在有機功能層結(jié)構(gòu)之上的閉合的面。換言之，第一電極和/或第二電極和/或有機功能層結(jié)構(gòu)完全被封裝部和接觸結(jié)構(gòu)覆蓋和/或通過封裝部和接觸結(jié)構(gòu)保護。接觸結(jié)構(gòu)因此盡管形成封裝部的中斷，但與封裝部共同作用地保護相對應(yīng)的電極和其下的有機功能層免受有害的環(huán)境影響。出于該原因，接觸結(jié)構(gòu)的材料例如可以類似致密地或者比封裝部的材料更致密地被構(gòu)造。換言之，接觸結(jié)構(gòu)這樣具有材料和材料密度，使得接觸結(jié)構(gòu)有所需的封裝效果。

封裝部可以具有封裝層和/或遮蓋體。封裝層可以被構(gòu)造在第二電極上方，例如被構(gòu)造在第二電極上。對封裝層替選地或者除了封裝層之外，遮蓋體可以用作封裝部。例如，遮蓋體和黏合劑層可以用于固定作為封裝部的遮蓋體。

在不同的實施例中，接觸結(jié)構(gòu)至少部分被構(gòu)造在封裝部與第一電極和/或第二電極之間。換言之，接觸結(jié)構(gòu)至少部分被構(gòu)造在封裝部之下和/或至少部分被封裝部覆蓋。又換言之，封裝部與接觸結(jié)構(gòu)至少部分重疊。

在不同的實施例中，接觸結(jié)構(gòu)從封裝部的凹進部伸出來。例如，接觸結(jié)構(gòu)的厚度可以大于封裝部的厚度。該厚度在本上下文中可以在垂直于電極的表面的方向上被測量，在該電極上構(gòu)造有接觸結(jié)構(gòu)。

在不同的實施例中，接觸結(jié)構(gòu)具有一個、兩個或者更多個接觸元件，所述接觸元件分別能導(dǎo)電地被構(gòu)造并且所述接觸元件至少成對地彼此有直接的物理的和電的接觸中。例如，接觸結(jié)構(gòu)具有第一接觸元件和至少一個第二接觸元件，所述至少一個第二接觸元件被布置在第一接觸元件與相對應(yīng)的電極之間。第一接觸元件在本上下文中例如可以是固體、例如牢固的金屬本體，并且第二接觸元件例如可以是黏合劑、例如膠粘劑（例如銀粘合劑）、焊料和/或?qū)щ姼啵ɡ玢y膏）。此外，例如可以布置第三接觸元件，該第三接觸元件穿過封裝部伸出并且電接觸第一接觸元件。第三接觸元件例如可以是針形的接觸元件。

在不同的實施例中，光電子器件具有印制導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，該印制導(dǎo)線結(jié)構(gòu)被構(gòu)造在封裝部上方、在封裝部之下和/或在封裝部之間并且該印制導(dǎo)線結(jié)構(gòu)與接觸結(jié)構(gòu)電耦合。印制導(dǎo)線結(jié)構(gòu)例如可以具有一個、兩個或者更多個能導(dǎo)電的印制導(dǎo)線。印制導(dǎo)線結(jié)構(gòu)用于將接觸結(jié)構(gòu)電接觸。印制導(dǎo)線結(jié)構(gòu)例如可以與用于使光電子器件運行的電子電路電耦合。在封裝部之間構(gòu)造有印制導(dǎo)線結(jié)構(gòu)例如可以意味著：印制導(dǎo)線結(jié)構(gòu)被構(gòu)造在封裝層與遮蓋體之間。在封裝部之下構(gòu)造有印制導(dǎo)線結(jié)構(gòu)例如可以意味著：印制導(dǎo)線結(jié)構(gòu)被構(gòu)造在遮蓋體之下。

在不同的實施例中，印制導(dǎo)線結(jié)構(gòu)被布置在黏合劑層中。黏合劑層被構(gòu)造在第二電極上方。例如，借助黏合劑層可以將封裝部的遮蓋體固定在第二電極上方和/或必要時固定在封裝層上方。

在不同的實施例中，光電子器件在第一電極和/或第二電極上方具有所述接觸結(jié)構(gòu)中的兩個、三個或者更多個，所述接觸結(jié)構(gòu)分布地布置在相對應(yīng)的電極上方并且所述接觸結(jié)構(gòu)被構(gòu)造在封裝部的相對應(yīng)的凹進部中。這可以有助于在光電子器件中的特別均勻的電流分布。這可以有助于光電子器件的高效率。在OLED的情況下，均勻的電流分布可以有助于均勻的亮度分布。

在不同的實施例中，提供了一種用于制造光電子器件的方法，其中提供了載體。例如構(gòu)造該載體。在該載體上方構(gòu)造第一電極。在第一電極上方構(gòu)造光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)。在該光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)上方構(gòu)造第二電極，使得該第二電極平面地延伸到光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)的背離載體的側(cè)的至少一部分上方。在第一電極和/或第二電極上構(gòu)造能導(dǎo)電的接觸結(jié)構(gòu)的至少一部分。在第一電極和/或第二電極和接觸結(jié)構(gòu)上方構(gòu)造封裝部，使得封裝部包封光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)、第一電極和/或第二電極和接觸結(jié)構(gòu)。封裝部被處理和/或接觸結(jié)構(gòu)被構(gòu)造為使得接觸結(jié)構(gòu)穿過封裝部形成到第一電極和/或第二電極的能導(dǎo)電的連接。

在不同的實施例中，第一電極和/或第二電極被接觸結(jié)構(gòu)和封裝部共同作用地包封。

在不同的實施例中，封裝部具有封裝層。封裝層被處理為使得接觸結(jié)構(gòu)穿過封裝層形成能導(dǎo)電的連接，其方式是：接觸結(jié)構(gòu)至少部分地從封裝層釋放出來（befreien）。例如，在接觸結(jié)構(gòu)上方的封裝層可以被去除，例如借助機械工藝（譬如借助刮刻或者研磨）或者借助化學(xué)工藝（例如借助刻蝕）或借助激光燒蝕（Laserablation）來進行。

在不同的實施例中，接觸結(jié)構(gòu)被構(gòu)造為使得接觸結(jié)構(gòu)在將接觸結(jié)構(gòu)從封裝層釋放出來之后從封裝層伸出來?？商孢x地或附加地，接觸結(jié)構(gòu)可以具有第一接觸元件和第二接觸元件，其中第一接觸元件經(jīng)由第二接觸元件與相對應(yīng)的電極耦合。例如，第一接觸元件可以是固體，而第二接觸元件可以是黏合劑、例如膠粘劑、導(dǎo)電膏或者焊劑。

在不同的實施例中，接觸結(jié)構(gòu)的至少一部分被構(gòu)造在第一電極和/第二電極上，其方式是：接觸結(jié)構(gòu)的第一接觸元件被構(gòu)造在第一電極和/第二電極上。封裝部被處理和/或接觸結(jié)構(gòu)被構(gòu)造為使得接觸結(jié)構(gòu)穿過封裝部形成能導(dǎo)電的連接，其方式是：使另一接觸元件運動通過封裝部，直至另一接觸元件在物理上并且在電學(xué)上接觸第一接觸元件。該另一接觸元件例如可以是第三接觸元件。

在不同的實施例中，印制導(dǎo)線結(jié)構(gòu)被構(gòu)造在封裝部上方并且與接觸結(jié)構(gòu)電耦合。

在不同的實施例中，所述接觸結(jié)構(gòu)中的兩個、三個或者更多個分布在第一電極和/或第二電極上方地被布置在電極上方。兩個、三個或者更多個接觸結(jié)構(gòu)例如可以對應(yīng)于在前面所闡述的接觸結(jié)構(gòu)被構(gòu)造。

在不同的實施例中，在器件復(fù)合件中制造多個光電子器件，其中載體延伸到光電子器件的多個上方；在器件復(fù)合件中構(gòu)造光電子器件的光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)、電極、接觸結(jié)構(gòu)和封裝層并且隨后分割光電子器件。在分割光電子器件之前或者之后，可以處理封裝部和/或構(gòu)造接觸結(jié)構(gòu)，使得接觸結(jié)構(gòu)穿過相對應(yīng)的封裝部形成到相對應(yīng)的電極的能導(dǎo)電的連接。

附圖說明

本發(fā)明的實施例在附圖中示出并且以下更詳細地予以闡述。

在附圖中：

圖1示出了傳統(tǒng)的光電子器件的剖視圖；

圖2示出了光電子器件的實施例的剖視圖；

圖3示出了光電子器件的實施例的俯視圖；

圖4示出了光電子器件的實施例的詳細剖視圖；

圖5示出了光電子器件的實施例的詳細剖視圖；

圖6示出了在用于制造光電子器件的方法的期間的電極、封裝層和接觸結(jié)構(gòu)的實施例的詳細的剖視圖；

圖7示出了在用于制造光電子器件的方法的期間的電極、封裝層和接觸結(jié)構(gòu)的實施例的詳細的剖視圖；

圖8示出了在用于制造光電子器件的方法的期間的電極、封裝層和接觸結(jié)構(gòu)的實施例的詳細的剖視圖；

圖9示出了在用于制造光電子器件的方法期間的器件復(fù)合件的實施例的第一狀態(tài)；

圖10示出了在用于制造光電子器件的方法期間的器件復(fù)合件的第二狀態(tài)；

圖11示出了在用于制造光電子器件的方法期間的器件復(fù)合件的第三狀態(tài)；

圖12示出了在用于制造光電子器件的方法期間的光電子器件的實施例；

圖13示出了用于制造光電子器件的方法的實施例的流程圖；

圖14示出了用于制造光電子器件的方法的部分的實施例的流程圖；

圖15示出了光電子器件的層結(jié)構(gòu)的實施例的詳細剖視圖；

圖16示出了光電子器件的實施例的剖視圖；

圖17示出了光電子器件的實施例的剖視圖；

圖18示出了光電子器件的實施例的剖視圖。

具體實施方式

在以下的詳細的描述中，參照所附的附圖，這些附圖形成該描述的部分并且在附圖中為了闡明而示出了特定的實施形式，在所述特定的實施形式中可以實踐本發(fā)明。在此方面， 參照所描述的（多個）圖的取向而使用例如如“上”、“下”、“前”、“后”、“前面的”、“后面的”等等的方向術(shù)語。因為實施形式的部件能夠以多個不同的取向來定位，所以方向術(shù)語用于闡明而決不是限制性的。易于理解的是，可以使用其他的實施形式并且可以進行結(jié)構(gòu)上的或者邏輯上的改變，而不偏離本發(fā)明的保護范圍。易于理解的是，只要沒有特殊地另外說明，就可以將在此描述的不同的示例性的實施形式的特征互相組合。因此，以下的詳細的描述不能夠理解為限制性的意義，并且本發(fā)明的保護范圍通過附上的權(quán)利要求來限定。

在本描述的范圍內(nèi)，術(shù)語“連接”、“連通”以及“耦合”被用于描述不僅直接的而且間接的連接、直接的或者間接的連通以及直接的或者間接的耦合。在附圖中，只要這是適宜的，相同的或者相似的元件就配備有相同的附圖標記。

光電子器件在不同的實施例中可以是發(fā)射電磁輻射的器件或者吸收電磁輻射的器件。吸收電磁輻射的器件例如可以是太陽能電池。發(fā)射電磁輻射的器件在不同的實施例中可以是發(fā)射電磁輻射的半導(dǎo)體器件和/或被構(gòu)造為發(fā)射電磁輻射的二極管，被構(gòu)造為發(fā)射電磁輻射的有機二極管，被構(gòu)造為發(fā)射電磁輻射的晶體管或者被構(gòu)造為發(fā)射電磁輻射的有機晶體管。輻射例如可以是在可見范圍中的光、UV光和/或紅外光。在此上下文中，發(fā)射電磁輻射的器件例如可以被構(gòu)造為發(fā)光二極管（light emitting diode，LED），被構(gòu)造為有機發(fā)光二極管（organic light emitting diode，OLED），被構(gòu)造為發(fā)光晶體管或者被構(gòu)造為有機發(fā)光晶體管。發(fā)光器件在不同的實施例中可以是集成電路的部分。此外，可以設(shè)置多個發(fā)光器件，例如所述多個發(fā)光器件可以被安置在共同的殼體中。

術(shù)語“半透明的”或“半透明的層”在不同的實施例中可以被理解為：層對于光而言是透光的，例如對于由發(fā)光器件產(chǎn)生的光而言是透光的，例如對于一個或多個波長范圍的光而言是透光的，例如對于在可見光的波長范圍中（例如至少在380nm到780nm的波長范圍的子范圍中）的光而言是透光的。例如，術(shù)語“半透明的層”在不同的實施例中要被理解為：所有的被耦合輸入到結(jié)構(gòu)（例如層）中的光量也基本上從該結(jié)構(gòu)（例如層）被耦合輸出，其中光的部分在這種情況下可被散射。

術(shù)語“透明的”或者“透明的層”在不同的實施例中可以被理解為：層對于光而言是透光的（例如至少在從380nm到780nm的波長范圍的子范圍中），其中被耦合輸入到結(jié)構(gòu)（例如層）中的光基本上沒有散射地或者光轉(zhuǎn)換地也從該結(jié)構(gòu)（例如層）被耦合輸出。能導(dǎo)電的連接例如可以是產(chǎn)生電流的（galvanisch）連接。能導(dǎo)電的材料例如可以是產(chǎn)生電流的材料。

圖1示出了傳統(tǒng)的光電子器件1。傳統(tǒng)的光電子器件1具有載體12、例如襯底。載體12可以半透明地或者甚至透明地被構(gòu)造。在載體12上構(gòu)造有光電子層結(jié)構(gòu)。

光電子層結(jié)構(gòu)具有第一電極層14，該第一電極層14具有第一接觸區(qū)段16、第二接觸區(qū)段18和第一電極20。第二接觸區(qū)段18與光電子層結(jié)構(gòu)的第一電極20電耦合。第一電極20與第一接觸區(qū)段16借助電絕緣阻擋部21電絕緣。在第一電極20上方構(gòu)造有光電子層結(jié)構(gòu)的光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)22、例如有機功能層結(jié)構(gòu)。光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)22例如可以具有一個、兩個或者更多個子層，如下面參照圖15進一步更詳細闡述的那樣。在光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)22上方構(gòu)造有光電子層結(jié)構(gòu)的第二電極23，所述第二電極23與第一接觸區(qū)段16電耦合。第一電極20例如用作光電子層結(jié)構(gòu)的陽極或者陰極。第二電極23對應(yīng)于第一電極用作光電子層結(jié)構(gòu)的陰極或陽極。第一接觸區(qū)段16也可以稱作第二電極23的末端。

在第二電極23上方和部分地在第一接觸區(qū)段16上方并且部分地在第二接觸區(qū)段18上方構(gòu)造有光電子層結(jié)構(gòu)的封裝層24，該封裝層24將該光電子層結(jié)構(gòu)封裝。在封裝層24中，在第一接觸區(qū)段16上方構(gòu)造有封裝層24的第一凹進部，而在第二接觸區(qū)段18上方構(gòu)造有封裝層24的第二凹進部。在封裝層24的第一凹進部中露出第一接觸區(qū)域32，而在封裝層24的第二凹進部中露出第二接觸區(qū)域34。第一接觸區(qū)域32用于電接觸第一接觸區(qū)段16，而第二接觸區(qū)域34用于電接觸第二接觸區(qū)段18。

在封裝層24上方構(gòu)造有黏合劑層36。黏合劑層36例如具有黏合劑、例如膠粘劑、例如層壓膠粘劑、漆和/或樹脂。在黏合劑層36上方構(gòu)造有遮蓋體38。黏合劑層36用于將遮蓋體38固定在封裝層24上。遮蓋體38例如具有玻璃和/或金屬。遮蓋體38用于保護傳統(tǒng)的光電子器件1例如免受外部作用、例如免受來自外部的機械力作用和/或免受環(huán)境影響、如濕氣或者氧氣。遮蓋體38例如用作對平面的濕氣進入的氣密防護部。這例如可以意味著：遮蓋體38例如可以具有關(guān)于水和/或氧氣的小于10-1 g/(m2d)的、例如小于10-4 g/(m²d)、例如小于10-10 g/(m²d)、例如直至大約10-6 g/(m²d)的擴散率。此外，遮蓋體38可以用于分散和/或引離在傳統(tǒng)的光電子器件1中產(chǎn)生的熱。例如，遮蓋體38的玻璃可以用作防止外部作用的防護部，而遮蓋體38的金屬層可以用于分散和/或引離在傳統(tǒng)的光電子器件1運行中形成的熱量。遮蓋體38和/或封裝層24可以稱作傳統(tǒng)的光電子器件1的封裝部。尤其是，在缺少封裝層24的情況下，例如遮蓋體38用作傳統(tǒng)的光電子器件1的封裝部。

黏合劑層36例如可以結(jié)構(gòu)化地被施加到封裝層24上。黏合劑層36結(jié)構(gòu)化地被施加到封裝層24上例如可以意味著：黏合劑層36已直接在施加時具有預(yù)給定的結(jié)構(gòu)。例如，黏合劑層36可以借助分配方法或者印刷方法結(jié)構(gòu)化地被施加。

傳統(tǒng)的光電子器件1在第一接觸區(qū)域32和第二接觸區(qū)域34中對外部作用敏感，因為在這些接觸區(qū)域32、34中沒有設(shè)置遮蓋體38。

傳統(tǒng)的光電子器件1例如可以從器件復(fù)合件中被分割，其方式是：載體12沿著其在圖1中側(cè)向示出的外棱邊被刻劃并且接著斷裂，而且其方式是：遮蓋體38均勻地沿著其在圖1中示出的側(cè)向外棱邊被刻劃并且接著斷裂。在刻劃和斷裂時，使在接觸區(qū)域32、34上方的封裝層24露出。隨后，可以在另一方法步驟中使第一接觸區(qū)域32和第二接觸區(qū)域34露出，例如借助燒蝕工藝、例如借助激光燒蝕、機械刮刻或者刻蝕方法露出。

圖2示出了光電子器件10的實施例的剖視圖。光電子器件10例如可以盡可能地對應(yīng)于在上文中所闡述的傳統(tǒng)的光電子器件1。與之不同，光電子器件10具有至少一個接觸結(jié)構(gòu)40、例如兩個或者更多個接觸結(jié)構(gòu)40、例如三個接觸結(jié)構(gòu)40。光電子器件10的封裝部由封裝層24形成。

接觸結(jié)構(gòu)40與光電子器件10的第二電極23直接物理接觸地被構(gòu)造。接觸結(jié)構(gòu)40具有能導(dǎo)電的材料和/或由能導(dǎo)電的材料形成。接觸結(jié)構(gòu)40是通過封裝層24到第二電極區(qū)段23的能導(dǎo)電的（例如產(chǎn)生電流的）連接。例如，接觸結(jié)構(gòu)40延伸穿過封裝層24。

接觸結(jié)構(gòu)40至少部分地被構(gòu)造在封裝部的凹進部中?？商孢x地或者附加地，接觸結(jié)構(gòu)40可以至少部分地被布置在封裝部之下和/或被布置在封裝部與第二電極23之間。接觸結(jié)構(gòu)40和封裝部共同作用地包封第二電極23。這例如可以意味著：接觸結(jié)構(gòu)40以直接物理接觸的方式緊貼在封裝部的凹進部的壁部上，更確切地說，環(huán)繞地緊貼在整個壁部上，并且接觸結(jié)構(gòu)40本身形成子封裝部。接觸結(jié)構(gòu)40和封裝部因此在第二電極23上方并且在有機功能層結(jié)構(gòu)22上方形成閉合的面。換言之，第二電極23和有機功能層結(jié)構(gòu)22完全被封裝部和接觸結(jié)構(gòu)40覆蓋和/或通過封裝部和接觸結(jié)構(gòu)保護。接觸結(jié)構(gòu)40因此盡管形成封裝部的中斷，但是與封裝部共同作用地保護第二電極23 和其下的有機功能層結(jié)構(gòu)免受有害的環(huán)境影響。出于該原因，接觸結(jié)構(gòu)40的材料例如可以類似致密地或者比封裝部的材料更致密地被構(gòu)造。換言之，接觸結(jié)構(gòu)40這樣具有材料和材料密度，使得接觸結(jié)構(gòu)40有所需的封裝效果。

在接觸結(jié)構(gòu)40上構(gòu)造有第一接觸區(qū)域32。第二接觸區(qū)域34延伸到光電子器件10的整個寬度上方。然而，第二接觸區(qū)域34也可以僅僅延伸到光電子器件10的部分上方。

接觸結(jié)構(gòu)40的能導(dǎo)電的材料例如可以具有銀、金、鉑、鎳、錫、鉍或者銅或者具有這些材料中的一種或者多種的合金。接觸結(jié)構(gòu)40例如可以由焊料或者銀膏形成。接觸結(jié)構(gòu)40例如可以由薄膜金屬結(jié)構(gòu)形成。接觸結(jié)構(gòu)40例如可以由接觸點和/或接觸條形成。

接觸結(jié)構(gòu)40的在垂直于第二電極23的其上布置有接觸結(jié)構(gòu)40的表面的方向上的厚度可以在例如1μm至10mm的范圍中，例如在從10μm到1mm的范圍中，例如在從100μm到500μm的范圍中。該厚度例如可以大于封裝層24的厚度。接觸結(jié)構(gòu)40的厚度例如可以僅略微厚于封裝層24的厚度地被構(gòu)造?？商孢x地或者附加地，接觸結(jié)構(gòu)40的厚度可以是封裝層的厚度和/或第二電極23的厚度的例如2倍至5倍、例如3倍至4倍。

接觸結(jié)構(gòu)40的（例如在平行于第二電極23的其上布置有接觸結(jié)構(gòu)40的表面的方向上的）寬度或者直徑可以在例如從0.005mm到10mm的范圍中、例如在從0.1mm到5mm的范圍中，例如為大約2.5mm。如果接觸結(jié)構(gòu)40被構(gòu)造為接觸條，則接觸結(jié)構(gòu)的（例如在平行于第二電極23的其上布置有接觸結(jié)構(gòu)的表面的方向上的和在垂直于寬度的方向上的）長度例如在從寬度直至1m的范圍中，例如在從寬度直至10cm的范圍中，例如在從寬度直至1cm的范圍中，例如在從寬度直至1mm的范圍中。

接觸結(jié)構(gòu)40能夠?qū)崿F(xiàn)直接地、尤其是在沒有第二接觸區(qū)段18的情況下電接觸第二電極23，更確切地說穿過封裝層24來電接觸第二電極23。這能夠?qū)崿F(xiàn)給光電子器件10在光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)22的與第一接觸區(qū)段16背離的側(cè)上構(gòu)造有僅僅一個切割面，尤其是使得遮蓋體38的側(cè)向外棱邊與載體12的側(cè)向外棱邊平齊地被構(gòu)造。這可以有助于，簡單地構(gòu)造光電子器件10，因為光電子器件10在相對應(yīng)的側(cè)面上可以簡單地在一個切削和/或鋸割工藝中被切削或鋸割。此外，在該區(qū)域中提高了光電子器件10的穩(wěn)定性，因為在遮蓋體38和載體12的相對應(yīng)的側(cè)上互相保護，類似于居中地在光電子器件10中是這種情況。此外，如果省去第二接觸區(qū)段18，在載體12等大的情況下可以利用載體12的較大的面來施加光電子層結(jié)構(gòu)。

可替選地或者附加地，接觸結(jié)構(gòu)40與第二電極23和/或第二接觸區(qū)段18相比可以相對穩(wěn)定地被構(gòu)造，例如使得接觸結(jié)構(gòu)40的電接觸可能簡單地實現(xiàn)，而其下的層、尤其是第二電極23和/或光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)22在此不受損傷，例如由于機械作用、例如由于刮擦而不受損傷。

此外，通過將接觸結(jié)構(gòu)40中的多個并排布置可以實現(xiàn)到第二電極23上方和到光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)22的表面上方的良好的和/或均勻的電流分布。由此，在光電子器件10運行時，光學(xué)外表形象可以特別均勻和/或光電子器件10的效率可以特別良好和/或外表形象可以設(shè)定為使得其具有亮的和對此相對暗的區(qū)域和/或亮度梯度。例如，可以將不同的電壓和/或電勢施加到接觸結(jié)構(gòu)40的不同接觸結(jié)構(gòu)上。由此得到有針對性地不均勻的亮度分布。

在黏合劑層36與封裝層24之間和/或在黏合劑層36與接觸結(jié)構(gòu)40之間可以構(gòu)造在圖2中未示出的印制導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，接觸結(jié)構(gòu)40經(jīng)由該印制導(dǎo)線結(jié)構(gòu)是可電接觸的。例如，印制導(dǎo)線結(jié)構(gòu)可以與未示出的電子電路、例如控制單元和/或調(diào)節(jié)單元電耦合。

圖3示出了光電子器件10、例如在上面參照圖2所闡述的光電子器件10的實施例的俯視圖。

由圖3得知，在該實施例中，六個接觸結(jié)構(gòu)40分布地布置在光電子器件10的有源區(qū)域上方。然而也可以構(gòu)造更多的或者更少的接觸結(jié)構(gòu)40。接觸結(jié)構(gòu)40圓形地被構(gòu)造。然而對此可替選地，接觸結(jié)構(gòu)40也可以多邊形地被構(gòu)造和/或點形地或者條形地被構(gòu)造。此外，接觸結(jié)構(gòu)40可以被構(gòu)造為使得這些接觸結(jié)構(gòu)40彼此相交，例如使得這些接觸結(jié)構(gòu)40形成矩陣，或者使得這些接觸結(jié)構(gòu)40具有多個圓形的同心條。

例如在用于制造光電子器件10的方法期間的步驟中，圖4示出了光電子器件10的實施例的詳細剖視圖。光電子器件10例如可以盡可能地對應(yīng)于在上文中的光電子器件10。載體12由能導(dǎo)電的材料形成，使得可以省去第一電極20并且載體12用作電極。在光電子器件10運行期間的通過電流因此直接從載體12朝向光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)22進行或者從光電子層結(jié)構(gòu)22朝向載體12進行。在本上下文中，載體12氣密密封地被構(gòu)造并且用作光電子層結(jié)構(gòu)的封裝結(jié)構(gòu)和/或與封裝層24共同作用地包封光電子層結(jié)構(gòu)。

接觸結(jié)構(gòu)40以半球形的本體形式被布置和/或被構(gòu)造在第二電極23上。例如，接觸結(jié)構(gòu)40以接觸點的形式被構(gòu)造。接觸結(jié)構(gòu)40例如可以具有第一接觸元件、第二接觸元件和/或第三接觸元件。例如，能導(dǎo)電的本體（例如金屬本體）和/或能導(dǎo)電的膏料液滴（Pastentropfen）（例如銀膏料液滴）形成第一接觸元件。第二接觸元件例如可以由黏合劑、尤其是能導(dǎo)電的黏合劑形成。例如，第一接觸元件可以借助第二接觸元件被固定、例如被粘牢或者被焊牢在第二電極23上。在第二電極23上方和在接觸結(jié)構(gòu)40上方或者在接觸結(jié)構(gòu)40旁現(xiàn)在可以構(gòu)造封裝層24。

例如在用于制造光電子器件10的方法期間的一個步驟中，圖5示出了光電子器件10的實施例的詳細剖視圖。光電子器件10例如可以盡可能地對應(yīng)于在上文中所闡述的光電子器件10之一。例如，光電子器件10在載體12與光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)22之間可以具有第一電極20。此外，光電子器件10可以具有接觸結(jié)構(gòu)40，用于電接觸第二電極23。此外，光電子器件10具有另一接觸結(jié)構(gòu)42，用于電接觸第一電極20。

另一接觸結(jié)構(gòu)42例如可以根據(jù)第一接觸結(jié)構(gòu)40的構(gòu)建方案被構(gòu)造。尤其是，另一接觸結(jié)構(gòu)42可以具有其他接觸元件或由這些其他接觸元件形成。其他接觸結(jié)構(gòu)42例如可以用于簡單地和/或可靠地接觸第一電極20。例如，其他接觸結(jié)構(gòu)42在電接觸第一電極20時可以保護該第一電極20免受機械損傷。

在第二電極23上方和在接觸結(jié)構(gòu)40或者其他接觸結(jié)構(gòu)42上方或者在接觸結(jié)構(gòu)40或者其他接觸結(jié)構(gòu)42旁現(xiàn)在可以構(gòu)造封裝層24。

圖6示出了在用于制造光電子器件10的方法的步驟期間的第二電極23、接觸結(jié)構(gòu)40和封裝層24的實施例的詳細剖視圖。第二電極23、接觸結(jié)構(gòu)40和/或封裝層24例如可以根據(jù)在上文中所闡述的第二電極23、接觸結(jié)構(gòu)40或封裝層24被構(gòu)造。圖6尤其是示出了如下狀態(tài)：在該狀態(tài)下，第一接觸結(jié)構(gòu)40完全被封裝層24覆蓋，例如直接在構(gòu)造封裝層24之后被覆蓋。

構(gòu)造接觸結(jié)構(gòu)40使得接觸結(jié)構(gòu)40是持久耐久的和/或是有抵抗能力的可以與用于接觸結(jié)構(gòu)40的材料有關(guān)地需要對接觸結(jié)構(gòu)40升溫和/或加熱。如果在提高的溫度的情況下施加封裝層24，則升溫或加熱例如可以在施加封裝層24的進程中同時進行。例如，如果封裝層24借助CVD方法被構(gòu)造，則在此接觸結(jié)構(gòu)40可以被加熱到使得該接觸結(jié)構(gòu)40硬化和/或變干。

接觸結(jié)構(gòu)40在垂直于第二電極23的其上構(gòu)造有接觸結(jié)構(gòu)40的表面的方向上具有比封裝層24、例如比在接觸結(jié)構(gòu)40之外的封裝層24更大的厚度。這例如可以有助于簡單地建立到第二電極23的電連接，例如其方式是：去除在接觸結(jié)構(gòu)40之上的封裝層24，例如以研磨工藝、刮刻工藝、燒蝕工藝或者刻蝕工藝來去除。此外，這可以有助于保護第二電極23免受機械損傷，尤其是在將接觸結(jié)構(gòu)40電接觸時保護第二電極23。如果布置有其他接觸結(jié)構(gòu)42，則該其他接觸結(jié)構(gòu)42可以根據(jù)接觸結(jié)構(gòu)40的構(gòu)建方案被構(gòu)造。接觸結(jié)構(gòu)40和其他接觸結(jié)構(gòu)42可以相同地或者不同地被構(gòu)造。

圖7示出了在用于制造光電子器件10的方法期間的第二電極23、接觸結(jié)構(gòu)40和封裝層24的另一狀態(tài)，在該另一狀態(tài)下，接觸結(jié)構(gòu)40具有直接被構(gòu)造在第二電極23上的第一接觸元件41和另一接觸元件（例如第三接觸元件43）。第三接觸元件43曾運動穿過封裝層24，直至該第三接觸元件43與第一接觸元件41直接物理接觸。第三接觸元件43例如銷釘形地或者針形地被構(gòu)造并且已穿透封裝層42。由此，在封裝層24中形成凹進部。第三接觸元件43現(xiàn)在可以就地保留以用于電接觸并且電接觸可以經(jīng)由第一接觸元件41和第三接觸元件43進行。對此可替選地，第三接觸元件43又可以被去除并且隨后可以給封裝層24中的接著遺留的凹進部填充有能導(dǎo)電的材料，其中能導(dǎo)電的材料接著可以形成第三接觸元件43。

換言之，針接觸可以進行，其中封裝層24利用針被穿透，其中可以去除該針或者該針可以被用作接觸結(jié)構(gòu)40的第三接觸元件43。如果該針在穿透封裝層24之后被去除，則在此形成的凹進部可以被第三接觸元件43填充。第一接觸元件41在針接觸時用作第二電極23和其下的光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)22以防針的防護部。因此，接觸結(jié)構(gòu)40能夠?qū)崿F(xiàn)針接觸，其中第二電極23和其下的光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)22在此不受損傷。

例如在用于制造光電子器件10的方法期間，圖8示出了第二電極23、接觸結(jié)構(gòu)40和封裝層24的實施例的詳細剖視圖。

接觸結(jié)構(gòu)40從封裝層24伸出來并且比封裝層24具有更大的厚度?？蛇x地，可以布置第二接觸元件46，尤其是布置黏合劑，借助該黏合劑將接觸結(jié)構(gòu)40、尤其是第一接觸元件41固定在第二電極23上。

在準備階段可以將接觸結(jié)構(gòu)40布置在第二電極23上。例如，第二接觸元件46可以被布置在第二電極23上，并且第一接觸元件41可以被布置在第二接觸元件46上。對此可替選地，第一接觸元件41可以直接地被布置在第二電極23上。封裝層24例如可以被處理為使得該封裝層24在接觸結(jié)構(gòu)40上方被去除。換言之，可以使接觸結(jié)構(gòu)40至少部分露出和/或至少部分地從封裝結(jié)構(gòu)24釋放出來。對此可替選地，可以首先在封裝層24中構(gòu)造凹進部47，例如借助激光和/或借助刻蝕方法來構(gòu)造。接觸結(jié)構(gòu)40此后可以在第二電極23上被布置和/或被構(gòu)造在凹進部47中。

圖9示出了在用于制造光電子器件10的方法期間處于第二狀態(tài)下的器件復(fù)合件44的實施例。器件復(fù)合件44適合于制造多個光電子器件10。器件復(fù)合件44具有載體12，該載體12例如可以對應(yīng)于在上文中所闡述的載體12，其中載體12適合于構(gòu)造多個光電子器件10。載體12因此可以形成載體復(fù)合件。載體復(fù)合件例如可以是半導(dǎo)體襯底。在載體12上構(gòu)造有光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)22?？蛇x地，在載體12與光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)22之間可以構(gòu)造第一電極20。光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)22與載體12對應(yīng)地延伸到多個要制造的光電子器件10上方。在光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)22上方構(gòu)造有第二電極23。第二電極23對應(yīng)于載體12和光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)22地延伸超過多個要制造的光電子器件10。

圖10示出了在用于制造光電子器件10的方法期間的器件復(fù)合件44的第二狀態(tài)。在器件復(fù)合件44中，光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)22對于每個光電子器件10而言彼此分開，并且接觸結(jié)構(gòu)40被構(gòu)造在相對應(yīng)的第二電極23上。接觸結(jié)構(gòu)40可以在分離光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)22之前或者在分離光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)22之后被構(gòu)造在第二電極23上。

圖11示出了在用于制造光電子器件10的方法期間的器件復(fù)合件44的第三狀態(tài)，在該第三狀態(tài)下，封裝層24被構(gòu)造在光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)22、第二電極23和接觸結(jié)構(gòu)40上方。封裝層24包封光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)22、第二電極23和接觸結(jié)構(gòu)40。尤其是，封裝層24與載體12共同作用地包封光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)22、第二電極23和接觸結(jié)構(gòu)40。

圖12示出了光電子器件10的兩個實施例，所述光電子器件10例如曾由在圖1中示出的器件復(fù)合件44分割而來。隨后，接觸結(jié)構(gòu)40可以至少部分地從封裝層24釋放出來。例如，接觸結(jié)構(gòu)40可以在封裝層24中露出。例如，封裝層24局部地或者在整個光電子器件10上方被剝離到如下范圍：接觸結(jié)構(gòu)40從封裝層24凸出。對此可替選地，封裝層24可以被穿孔，例如借助接觸結(jié)構(gòu)40的參照圖7所闡述的第三接觸元件43被穿孔。

光電子器件10的分割例如可以以機械方式借助切削、鋸割或者沖壓和/或借助激光來進行。

圖13示出了用于制造光電子器件、例如在上文中所闡述的光電子器件10的方法的實施例的流程圖。該方法用于簡單地和/或成本低廉地制造光電子器件10。

在步驟S2中，提供載體、例如在上文中所闡述的載體12，例如作為用于光電子器件10的單載體或者作為多個光電子器件10的載體復(fù)合件。

在步驟S4中可選地可以構(gòu)造第一電極、例如在上文中所闡述的第一電極20。

在步驟S6中，構(gòu)造光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)、例如在上文中所闡述的光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)22。光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)22可以具有多個子層、例如光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)單元，所述子層可以相繼地和/或相疊地被構(gòu)造，如在下文參照圖15更詳細地闡述的那樣。

在步驟S8中，構(gòu)造第二電極、例如第二電極23。第二電極23被構(gòu)造在光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)22上方。

在步驟S10中，構(gòu)造接觸結(jié)構(gòu)、例如在上文中所闡述的接觸結(jié)構(gòu)40。接觸結(jié)構(gòu)40被構(gòu)造在第二電極23上方，例如直接被構(gòu)造在第二電極23上。

在步驟S12中，構(gòu)造封裝層、例如在上文中所闡述的封裝層24。封裝層24被構(gòu)造在接觸結(jié)構(gòu)40和第二電極23上方。

在步驟S14中，使接觸結(jié)構(gòu)40至少部分地露出和/或從封裝層24釋放出來。例如，在接觸結(jié)構(gòu)40上方的封裝層24可以部分地或完全被去除。

可選地，在步驟S16中，將接觸結(jié)構(gòu)40接觸，例如借助在上文中所闡述的印制導(dǎo)線結(jié)構(gòu)來接觸。

在步驟S18中，可以布置遮蓋體，例如布置在上文中所闡述的遮蓋體38。遮蓋體38例如可以借助黏合劑被布置在封裝層24上，例如借助黏合劑層36來布置。

對步驟S10、S12和S14可替選地，可以構(gòu)造步驟S20、S22和S24。

在步驟S20中，在第二電極23上構(gòu)造封裝層，例如構(gòu)造在上文中所闡述的封裝層24。

在步驟S22中，在封裝層24中構(gòu)造凹進部，例如構(gòu)造在上文中所闡述的凹進部47。凹進部47例如可以借助刻蝕方法或者激光剝離方法（例如激光燒蝕方法）來構(gòu)造。

在步驟S24中構(gòu)造接觸結(jié)構(gòu)，例如構(gòu)造在上文中所闡述的接觸結(jié)構(gòu)40。接觸結(jié)構(gòu)40在第二電極23上被構(gòu)造在凹進部47中。隨后，在步驟S16和/或S18中可以繼續(xù)該方法。

光電子器件10例如可以被制造在具有多個例如同類的光電子器件10的復(fù)合件中，例如被制造在晶片復(fù)合件中。隨后，光電子器件10可以從該復(fù)合件中被分割出來，例如借助機械分割、借助切削、鋸割、沖壓和/或借助激光來分割。

圖14示出了用于制造光電子器件的子方法的實施例的流程圖。例如，在上文中所闡述的方法的進程中，可以完成在圖14中所示的步驟S26、S28或S30，而不是步驟S10、S12或S14或者而不是步驟S20、S22或S24。

在步驟S26中，在第二電極區(qū)段上構(gòu)造第一接觸元件、例如第一接觸元件41。

在步驟S28中，在第二電極23和第一接觸元件41上方構(gòu)造封裝層24。

在步驟S30中，布置第三接觸元件、例如第三接觸元件43。第三接觸元件43被布置為使得該第三接觸元件43延伸穿過封裝層24并且由此形成穿過封裝層24朝向第二電極23的能導(dǎo)電的（例如產(chǎn)生電流的）連接。例如，封裝層24可以借助第三接觸元件43而被穿孔或者被穿透，或者封裝層24可以首先被穿孔或者被穿透并且接著可以布置第三接觸元件43。因此，接觸結(jié)構(gòu)40被構(gòu)造為使得該接觸結(jié)構(gòu)40形成穿過封裝層24的電連接。

圖15示出了光電子器件、例如光電子器件10的實施例的層結(jié)構(gòu)的詳細剖視圖，其中接觸結(jié)構(gòu)40在該詳細視圖中未示出。光電子器件10可以被構(gòu)造為頂部發(fā)射器（Top-Emitter）和/或底發(fā)射器（Bottom-Emitter）。如果光電子器件10被構(gòu)造為頂部發(fā)射器和底發(fā)射器，則光電子器件10可以稱作光學(xué)透明器件、例如透明有機發(fā)光二極管。

光電子器件10具有載體12和在載體12上方的有源區(qū)域。在載體12與有源區(qū)域之間可以構(gòu)造未示出的第一阻擋層、例如第一阻擋薄層。在載體12與阻擋層之間可以構(gòu)造絕緣層和/或平面化層（Planarisierungsschicht）。如果例如載體12的表面對于構(gòu)造第一電極20而言過于粗糙，則平面化層可以被構(gòu)造在載體12上。如果例如載體能導(dǎo)電地被構(gòu)造，則例如絕緣層可以被構(gòu)造，以便將第一電極20與載體12電絕緣?？蛇x地，可以構(gòu)造具有平面化和絕緣的雙重功能的唯一的層。此外，相對應(yīng)的層可以橫向地、即平行于其他層地被結(jié)構(gòu)化。有源區(qū)域具有第一電極20、光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)22和第二電極23。在有源區(qū)域上方構(gòu)造封裝層24。封裝層24可以被構(gòu)造為第二阻擋層，例如被構(gòu)造為第二阻擋薄層。在有源區(qū)域上方并且必要時在封裝層24上方布置遮蓋部38。遮蓋部38例如可以借助黏合劑層36被布置在封裝層24上。

有源區(qū)域是電學(xué)上和/或光學(xué)上有源的區(qū)域。有源區(qū)域例如是光電子器件10的如下區(qū)域：在該區(qū)域中，電流流動以使光電子器件10運行和/或，在該區(qū)域中產(chǎn)生或者吸收電磁輻射。第二電極23的被布置在有源區(qū)域上方的部分也可以稱作第二電極23的功能部分。

光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)22可以具有一個、兩個或者更多個功能層結(jié)構(gòu)單元并且在所述層結(jié)構(gòu)單元之間具有一個、兩個或者更多個中間層。

載體12可以半透明地或者透明地被構(gòu)造。載體12用作電子元件或者層（例如發(fā)射光的元件）的載體元件。載體12例如可以具有玻璃、石英和/或半導(dǎo)體材料或者任何其他合適的材料或者由玻璃、石英和/或半導(dǎo)體材料或者任何其他合適的材料形成。此外，載體12可以具有塑料膜或者帶有一個或者多個塑料膜的層壓板或者由塑料膜或者帶有一個或者多個塑料膜的層壓板形成。塑料可以具有一種或多種聚烯烴。此外，塑料可以具有聚氯乙烯（PVC）、聚苯乙烯（PS）、聚酯和/或聚碳酸酯（PC）、聚對苯二甲酸乙二醇酯（PET）、聚醚砜（PES）和/或聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN）。載體12可以具有金屬或由其形成，例如銅、銀、金、鉑、鐵、例如金屬合金、例如鋼。載體12可以被構(gòu)造為金屬膜或者金屬涂層的膜。載體12可以是鏡結(jié)構(gòu)的部分或者形成該鏡結(jié)構(gòu)。載體12可以具有機械上剛性的區(qū)域和/或機械上柔性的區(qū)域或這樣被構(gòu)造。

第一電極20可以被構(gòu)造為陽極或者被構(gòu)造為陰極。第一電極20可以半透明地或者透明地被構(gòu)造。第一電極20具有能導(dǎo)電的材料（例如金屬）和/或能導(dǎo)電的透明氧化物（transparent conductive oxide，TCO）或者多個具有金屬或者TCO的層的層堆疊。第一電極20例如可以具有在TCO的層上的金屬層的組合的層堆疊，或者相反地可以具有在金屬的層上的TCO層的組合的層堆疊。實例是銀層，該銀層被施加在銦錫氧化物層（ITO）（Ag施加在ITO上）或者ITO-Ag-ITO多層。

作為金屬例如可以使用Ag、Pt、Au、Mg、Al、Ba、In、Ca、Sm或者Li以及這些材料的化合物、組合物或者合金。

透明導(dǎo)電氧化物是透明的能導(dǎo)電的材料、例如金屬氧化物，譬如是氧化鋅、氧化錫、氧化鎘、氧化鈦、氧化銦或者銦錫氧化物（ITO）。除了二元的金屬含氧化合物（諸如ZnO、SnO2或者In2O3）以外，三元的金屬含氧化合物、諸如AlZnO、Zn2SnO4、CdSnO3、ZnSnO3、Mgln2O4、GaInO3、Zn2In2O5或者In4Sn3O12或者不同的透明導(dǎo)電氧化物的混合物也屬于TCO族。

對所述材料可替選地或者附加地，第一電極20可以具有：由金屬納米線和納米粒子、例如由Ag構(gòu)成的網(wǎng)絡(luò)、由碳納米管、石墨粒子和石墨層構(gòu)成的網(wǎng)絡(luò)和/或由半導(dǎo)體的納米線構(gòu)成的網(wǎng)絡(luò)?？商孢x地或者附加地，第一電極20可以具有如下結(jié)構(gòu)中的一個或者由此形成：由金屬納米線、例如由Ag構(gòu)成的網(wǎng)絡(luò)，所述納米線與能導(dǎo)電的聚合物組合；由碳納米管構(gòu)成的網(wǎng)絡(luò)，所述碳納米管與能導(dǎo)電的聚合物組合；和/或石墨層和復(fù)合材料。此外，第一電極20可以具有能導(dǎo)電的聚合物或者過渡金屬氧化物。

第一電極20例如可以具有在從10nm到500nm的范圍中的層厚度、例如在小于25nm到250nm的范圍中的層厚度、例如在從50nm到100nm的范圍中的層厚度。

第一電極20可以與第一電端子（例如第一接觸區(qū)段16）電耦合，在第一電端子上可施加第一電勢。第一電勢可以由能量源（未示出）提供，例如由電流源或者電壓源提供。可替選地，第一電勢可以被施加到載體12上并且經(jīng)由載體12被間接輸送給第一電極20。第一電勢例如可以是接地電勢或者另外的預(yù)給定的參考電勢。

光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)22可以具有空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)射器層、電子傳輸層和/或電子注入層。

空穴注入層可以被構(gòu)造在第一電極20上或者被構(gòu)造在第一電極20上方?？昭ㄗ⑷雽涌梢跃哂腥缦虏牧现械囊环N或多種或者由其形成：HAT-CN、Cu(I)pFBz、MoOx、WOX、VOX、ReOX、F4-TCNQ、NDP-2、NDP-9、Bi(III)pFBz、F16CuPc、NPB（N,N′-雙(萘-1-基)-N,N′-雙（苯基）-聯(lián)苯胺）、β-NPB N,N′-雙(萘-2-基)-N,N′-雙（苯基）-聯(lián)苯胺）、TPD（N-N′-雙(3-甲基苯基)-N,N′-雙（苯基）-聯(lián)苯胺）、Spiro TPD（N,N′-雙(3-甲基苯基)-N,N′-雙（苯基）-聯(lián)苯胺）、Spiro-NPB（N,N′-雙(萘-1-基)-N,N′-雙（苯基）-螺環(huán)）、DMFL-TPD N,N′-雙(3-甲基苯基)-N,N′-雙（苯基）-9,9-二甲基-芴）、DMFL-NPB（N,N′-雙(萘-1-基)-N,N′-雙（苯基）-9,9-二甲基-芴）、DPFL-TPD（N,N′-雙(3-甲基苯基)-N,N′-雙（苯基）-9,9-二甲基-芴）、DPEL-NPB（N,N′-雙（萘-1-基）-N,N′-雙（苯基）-9,9-二苯基-芴）、Spiro-TAD（2,2′,7,7′-四（n, n-二苯基氨基）-9,9′-螺二芴）、9,9-雙[4- (N, N-雙-聯(lián)苯-4-基-氨基）苯基]-9Η-芴、9,9-雙[4- (N, N-雙-萘-2-基-氨基）苯基]-9Η-芴、9,9-雙[4- (N, N′-雙-萘-2-基-N,N′-雙-苯基-氨基）苯基]-9Η-芴、N,N′-雙(菲-9-基)-N,N′-雙（苯基）-聯(lián)苯胺、2,7-雙[N, N-雙（9,9-螺二芴-2-基)氨基]-9,9-螺二芴、2,2′-雙[N, N-雙(聯(lián)苯-4-基)氨基]9,9-螺二芴、2,2′-雙[N, N-二-苯基-氨基]9,9-螺二芴、二-[4-（N,N-聯(lián)甲苯-氨基）-苯基]環(huán)己烷、2,2′,7,7′-四（N,N-二-甲苯基）氨基-螺二芴和/或N,N,N′,N′-四-萘-2-基-聯(lián)苯胺。

空穴注入層可以具有在從大約10nm到大約1000nm的范圍中的層厚度、例如在從大約30nm到大約300nm的范圍中的層厚度、例如在從大約50nm到大約200nm的范圍中的層厚度。

在空穴注入層上或者在空穴注入層上方可以構(gòu)造空穴傳輸層?？昭▊鬏攲涌梢跃哂腥缦虏牧现械囊环N或多種或者由其形成：NPB（N,N′-雙(萘-1-基)-N,N′-雙（苯基）-聯(lián)苯胺）；β-NPB N,N′-雙(萘-2-基)-N,N′-雙（苯基）-聯(lián)苯胺）；TPD（N-N′-雙(3-甲基苯基)-N,N′-雙（苯基）-聯(lián)苯胺）；Spiro TPD（N,N′-雙(3-甲基苯基)-N,N′-雙（苯基）-聯(lián)苯胺）；Spiro-NPB（N,N′-雙(萘-1-基)-N,N′-雙（苯基）-螺環(huán)）；DMFL-TPD N,N′-雙(3-甲基苯基)-N,N′-雙（苯基）-9,9-二甲基-芴）；DMFL-NPB（N,N′-雙(萘-1-基)-N,N′-雙（苯基）-9,9-二甲基-芴）；DPFL-TPD（N,N′-雙(3-甲基苯基)-N,N′-雙（苯基）-9,9-二甲基-芴）；DPEL-NPB（N,N′-雙（萘-1-基）-N,N′-雙（苯基）-9,9-二苯基-芴）；Spiro-TAD（2,2′,7,7′-四（n，n-二苯基氨基）-9,9′-螺二芴）；9,9-雙[4- (N, N-雙-聯(lián)苯-4-基-氨基）苯基]-9Η-芴；9,9-雙[4- (N, N-雙-萘-2-基-氨基）苯基]-9Η-芴；9,9-雙[4- (N, N′-雙-萘-2-基-N,N′-雙-苯基-氨基）-苯基]-9Η-芴；N,N′-雙(菲-9-基)-N,N′-雙（苯基）-聯(lián)苯胺；2,7-雙[N, N-雙（9,9-螺二芴-2-基)-氨基]-9,9-螺二芴；2,2′-雙[N, N-雙(聯(lián)苯-4-基)氨基]9,9-螺二芴；2,2′-雙(N, N-二-苯基-氨基)9,9-螺二芴；二-[4-（N,N-聯(lián)甲苯-氨基）-苯基]環(huán)己烷；2,2′,7,7′-四（N,N-二-甲苯基）氨基-螺二芴和N,N,N’,N’四-萘-2-基-聯(lián)苯胺。

空穴傳輸層可以具有在從大約5nm到大約50nm的范圍中的層厚度、例如在從大約10nm到大約30nm的范圍中的層厚度、例如大約20nm的層厚度。

在空穴傳輸層上或者在空穴傳輸層上方可以構(gòu)造其中一個或者多個發(fā)射器層、例如具有發(fā)熒光的和/或發(fā)磷光的發(fā)射器的發(fā)射器層。發(fā)射器層可以具有有機聚合物、有機低聚物、有機單體、非聚合物的有機小分子（“small molecules”）或者這些材料的組合。發(fā)射器層可以具有如下材料中的一種或多種或者由其形成：有機或者有機金屬化合物、如聚芴、聚噻吩和聚亞苯基的衍生物（例如2或2.5取代的聚對苯乙炔）以及金屬絡(luò)合物、例如銥絡(luò)合物、如發(fā)藍色磷光的FIrPic（雙（3,5-二氟-2-（2-吡啶基）苯基-（2-羧基吡啶基）-銥 III））、發(fā)綠色磷光的Ir（ppy）3（三（2-苯基吡啶）-銥 （III））、發(fā)紅色磷光的Ru（dtb-bpy）3*2（PF6）（三[4,4’-二-叔-丁基-（2,2’）-二嘧啶] 釕（III）絡(luò)合物）以及發(fā)藍色熒光的DPAVBi （4,4-雙[4-（二-對甲苯氨基）苯乙烯基]聯(lián)苯、發(fā)綠色熒光的TTPA(9,10-雙[N,N-二(p-甲苯基)-氨基]蒽)和發(fā)紅色熒光的DCM2（4-二氰甲烯基）-2-甲基-6-喹嗪（julolidyl）-9-烯基-4H-吡喃）作為非聚合物的發(fā)射器。這種非聚合物的發(fā)射器例如可以借助熱蒸鍍來沉積。此外，可以采用聚合物發(fā)射器，所述聚合物發(fā)射器例如借助濕化學(xué)方法是可沉積的，譬如旋涂方法（也稱作Spin Coating）來沉積。發(fā)射器材料可以以合適的方式被嵌入在基質(zhì)材料中，被嵌入在例如技術(shù)陶瓷或者聚合物、例如環(huán)氧樹脂或者硅樹脂中。

第一發(fā)射器層可以具有在從大約5nm到大約50nm的范圍中的層厚度、例如在從大約10nm到大約30nm的范圍中的層厚度、例如大約20nm的層厚度。

發(fā)射器層可以具有發(fā)射單色或者不同顏色（例如藍色和黃色或者藍色、綠色和紅色）的發(fā)射器材料?？商孢x地，發(fā)射器層可以具有多個子層，所述子層發(fā)射不同顏色的光。借助不同顏色的混合可以引起具有白色色覺的光的發(fā)射?？商孢x地，也可以設(shè)置，在通過這些層產(chǎn)生的一次發(fā)射的光路中布置轉(zhuǎn)換器材料，該轉(zhuǎn)換器材料至少部分地吸收一次輻射并且發(fā)射另外的波長的二次輻射，使得由（尚不是白色的）一次輻射通過一次輻射和二次輻射的組合得到白色色覺。

在發(fā)射器層上或者在發(fā)射器層上方可以構(gòu)造電子傳輸層，例如沉積電子傳輸層。電子傳輸層可以具有如下材料中的一種或多種或者由其形成：NET-18、2,2’,2’’- (1,3,5-三苯基（Benzinetriyl）)-三 (1-苯基-1-H-苯并咪唑)、2-（4-聯(lián)苯基）-5-（4-叔-丁基）-1,3,4-惡二唑、2,9-二甲基-4,7-聯(lián)苯-1,10-菲咯啉（BCP）、8-羥基喹啉-鋰、4-（萘-1-基）-3,5-聯(lián)苯-4H-1,2,4-三唑、1,3-雙[2-（2,2’-二吡啶-6-基）-1,3,4-惡二唑-5-基]苯、4,7-聯(lián)苯-1,10-菲咯啉（BPhen）、3-（4-聯(lián)苯基）-4-苯基-5-叔-丁基苯基-1,2,4-三唑、雙（2-甲基-8-喹啉）-4-苯基苯酚）鋁、6,6’-雙[5-（聯(lián)苯-4-基）-1,3,4-惡二唑-2-基]-2,2’-雙吡啶基、2-苯基-9,10-雙（萘-2-基）-蒽、2,7-雙[2-（2,2’-二吡啶-6-基）-1,3,4-惡二唑-5-基]-9,9-二甲基芴、1,3-雙[2-（4-叔-丁基苯基）-1,3,4-惡二唑-5-基]苯、2-（萘-2-基）-4,7-聯(lián)苯-1,10-菲咯啉、2,9-雙（萘-2-基）-4,7-聯(lián)苯-1,10-菲咯啉、三（2,4,6-三甲基-3-（吡啶-3-基）苯基）硼烷、1-甲基-2-（4-（萘-2-基）苯基）-1H-咪唑[4,5-f][1,10]菲咯啉、苯基-二芘基膦氧化物、萘四碳酸酐或其酰亞胺、芘四碳酸酐或其酰亞胺以及基于具有硅雜環(huán)戊二烯單元的噻咯的物質(zhì)。

電子傳輸層可以具有在從大約5nm到大約50nm的范圍中的層厚度、例如在從大約10nm到大約30nm的范圍中的層厚度、例如大約20nm的層厚度。

在電子傳輸層上或者在電子傳輸層上方可以構(gòu)造電子注入層。電子注入層可以具有如下材料中的一種或多種或者由其形成：NDN-26、MgAg、Cs2CO3、Cs3PO4、Na、Ca、K、Mg、Cs、Li、LiF、2,2’,2’’- (1,3,5-三苯基)-三 (1-苯基-1-H-苯并咪唑)、2-（4-聯(lián)苯基）-5-（4-叔-丁基）-1,3,4-惡二唑、2,9-二甲基-4,7-聯(lián)苯-1,10-菲咯啉（BCP）、8-羥基喹啉-鋰、4-（萘-1-基）-3,5-聯(lián)苯-4H-1,2,4-三唑、1,3-雙[2-（2,2’-雙吡啶-6-基）-1,3,4-惡二唑-5-基]苯、4,7-聯(lián)苯-1,10-菲咯啉（BPhen）、3-（4-聯(lián)苯基）-4-苯基-5-叔-丁基苯基-1,2,4-三唑、雙（2-甲基-8-喹啉）-4-（苯基苯酚）鋁、6,6’-雙[5-（聯(lián)苯-4-基）-1,3,4-惡二唑-2-基]-2,2’-聯(lián)吡啶、2-苯基-9,10-二（萘-2-基）-蒽、2,7-雙[2-（2,2’-二吡啶-6-基）-1,3,4-惡二唑-5-基]-9,9-二甲基芴、1,3-雙[2-（4-叔-丁基苯基）-1,3,4-惡二唑-5-基]苯、2-（萘-2-基）-4,7-聯(lián)苯-1,10-菲咯啉、2,9-雙（萘-2-基）-4,7-聯(lián)苯-1,10-菲咯啉、三（2,4,6-三甲基-3（吡啶-3-基）苯基）硼烷、1-甲基-2-（4-（萘-2-基）苯基）-1H-咪唑[4,5-f][1,10]菲咯啉、苯基-二芘基膦氧化物、萘四碳酸酐或其酰亞胺、芘四碳酸酐或其酰亞胺以及基于具有硅雜環(huán)戊二烯單元的噻咯的物質(zhì)。

電子注入層可以具有在從大約5nm到大約200nm的范圍中的層厚度、例如在從大約20nm到大約50nm的范圍中的層厚度、例如大約30nm的層厚度。

在具有兩個或者更多個光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)單元的光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)22中，相對應(yīng)的中間層可以被構(gòu)造在光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)單元之間。光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)單元可以分別單個地獨自根據(jù)在上文中所闡述的光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)22的構(gòu)建方案被構(gòu)造。中間層可以被構(gòu)造為中間電極。中間電極可以與外部電壓源電連接。外部電壓源可以在中間電極上例如提供第三電勢。然而，中間電極也可以沒有外部電端子，例如其方式是中間電極具有浮置的電勢。

光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)單元例如可以具有最大大約3μm的層厚度、例如最大大約1μm的層厚度、例如最大大約300nm的層厚度。

光電子器件10可選地可以具有其他功能層，例如被布置在一個或者多個發(fā)射器層上或者在一個或者多個發(fā)射器層上方或者在電子傳輸層上或者在電子傳輸層上方。其他功能層例如可以是內(nèi)部的或者外部耦合輸入/輸出結(jié)構(gòu)，所述內(nèi)部的或者外部耦合輸入/輸出結(jié)構(gòu)可以進一步改善光電子器件10的功能并且由此進一步改進光電子器件10的效率。

第二電極23可以根據(jù)第一電極20的構(gòu)建方案之一來構(gòu)造，其中第一電極20和第二電極23可以相同地或者不同地被構(gòu)造。第二電極23可以被構(gòu)造為陽極或者被構(gòu)造為陰極。第二電極23可以與第二電端子（例如第二接觸區(qū)段18）電耦合，在該第二電端子上可施加第二電勢。第二電勢可以由與第一電勢相同的能量源或者不同于第一電勢的能量源提供。第二電勢可以與第一電勢不同。第二電勢例如可以具有值來使得與第一電勢的差具有在從大約1.5V到大約20V的范圍中的值、例如在從大約2.5V到大約15V的范圍中的值、例如在從大約3V到大約12V的范圍中的值。

封裝層24也可以稱作薄層封裝部。封裝層24可以被構(gòu)造為半透明的或者透明的層。封裝層24相對于化學(xué)污染物或大氣物質(zhì)、尤其是相對于水（濕氣）和氧氣形成了阻擋部。換言之，封裝層24被構(gòu)造為使得該封裝層24不能夠被會損傷光電子器件的物質(zhì)、例如水、氧氣或者溶劑透過或者最多非常小份額地被透過。封裝層24可以被構(gòu)造為單個層、層堆疊或者層結(jié)構(gòu)。

封裝層24可以具有或由其形成：氧化鋁、氧化鋅、氧化鋯、氧化鈦、氧化鉿、氧化鉭、氧化鑭、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化銦錫、氧化銦鋅、鋁摻雜的氧化鋅、聚對亞苯基對苯二酰胺、尼龍66以及它們的混合物和合金。

封裝層24可以具有從大約0.1nm（原子層）到大約1000nm的層厚度、例如從大約10nm到大約100nm的層厚度、例如大約40nm的層厚度。封裝層24可以具有高折射的材料、例如具有高折射率的一種或者多種材料、例如折射率為1.5到3的一種或者多種材料、例如折射率為1.7到2.5的一種或者多種材料、例如折射率為1.8到2的一種或者多種材料。

必要時，第一阻擋層可以對應(yīng)于封裝層24的構(gòu)建方案被構(gòu)造在載體12上。

封裝層24例如可以借助于合適的沉積方法被形成，例如借助原子層沉積方法（Atomic Layer Deposition （ALD））、例如等離子體增強的原子層沉積方法（Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition （PEALD））或者無等離子體的原子層沉積方法（Plasma-less Atomic Layer Deposition （PLALD））被形成；或者借助化學(xué)氣相沉積方法（Chemical Vapor Deposition （CVD））、例如等離子體增強的氣相沉積方法（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition （PECVD））或者無等離子體的氣相沉積方法（Plasma-less Chemical Vapor Deposition（PLCVD））被形成，或者替選地借助于另外的適合的沉積方法被形成。

必要時，耦合輸入或者耦合輸出層例如可以作為外部薄膜（未示出）被構(gòu)造在載體12上，或者作為內(nèi)部耦合輸出層（未示出）被構(gòu)造在光電子器件10的層橫截面中。耦合輸入/耦合輸出層可以具有基質(zhì)和分布于其中的散射中心，其中耦合輸入/耦合輸出層的平均折射率大于從中提供電磁輻射的層的平均折射率。此外，附加地可以構(gòu)造一個或者多個防反射層（Entspiegelungsschicht）。

黏合劑層36例如可以具有膠粘劑和/或漆，借助所述膠粘劑和/或漆將遮蓋部38例如布置、例如粘貼在封裝層24上。黏合劑層36可以透明地或者半透明地被構(gòu)造。黏合劑層36例如可以具有散射電磁輻射的顆粒、例如光散射的顆粒。由此，黏合劑層36可以用作散射層并且可導(dǎo)致顏色角變形（Farbwinkelverzug）和耦合輸出效率的改善。

作為光散射的顆粒可以設(shè)置介電的散射顆粒，例如由金屬氧化物、例如氧化硅（SiO2）、氧化鋅（ZnO）、氧化鋯（ZrO2）、氧化銦錫（ITO）或者氧化銦鋅（IZO）、氧化鎵（Ga2Ox）、氧化鋁或者氧化鈦構(gòu)成的介電的散射顆粒。另外的顆粒也是合適的，只要這些顆粒具有不同于黏合劑層36的基質(zhì)（例如氣泡、丙烯酸鹽或酯或玻璃空球體）的有效折射率的折射率。此外例如可以設(shè)置金屬納米顆粒、金屬如金、銀、鐵納米顆粒等作為光散射的顆粒。

黏合劑層36可以具有大于1μm的層厚度、例如為數(shù)微米的層厚度。在不同的實施例中，膠粘劑可以是層壓膠粘劑。

黏合劑層36可以具有小于遮蓋部38的折射率的折射率。黏合劑層36例如可以具有低折射的膠粘劑、譬如有為大約1.3的折射率的丙烯酸鹽或酯。然而，黏合劑層36也可以具有高折射的膠粘劑，該高折射的膠粘劑例如具有高折射的、非散射的顆粒并且具有經(jīng)過層厚度平均的折射率，該經(jīng)過層厚度平均的折射率大約對應(yīng)于光學(xué)功能層結(jié)構(gòu)22的平均折射率，例如在大約1.6到2.5、例如1.7到大約2.0的范圍中。

在有源區(qū)域上或者在有源區(qū)域上方可以布置有所謂的吸氣劑（Getter）層或者吸氣劑結(jié)構(gòu)、即橫向結(jié)構(gòu)化的吸氣劑層（未示出）。吸氣劑層可以半透明地、透明地或者不透明地被構(gòu)造。吸氣劑層可以具有如下材料或者由其形成：該材料吸收和約束對有源區(qū)域有害的物質(zhì)。吸氣劑層例如可以具有泡沸石衍生物或者由其形成。吸氣劑層可以具有大于大約1μm的層厚度、例如為數(shù)微米的層厚度。在不同的實施例中，吸氣劑層可以具有層壓膠粘劑或者被嵌入在黏合劑層36中。

對封裝層24可替選地或者附加地，遮蓋體38可以用作光電子器件10的封裝部。例如，封裝部可以由遮蓋體38形成，或者封裝部可以由遮蓋體38和封裝層24形成。遮蓋體38例如可以由玻璃遮蓋部、金屬膜或者密封的塑料膜遮蓋部形成。例如，塑料膜遮蓋部的密封可以根據(jù)在上文中所闡述的封裝層24的構(gòu)建方案而被構(gòu)造。遮蓋體38例如可以借助玻璃料化合物（英語glass frit bonding（玻璃漿料接合）/glass soldering（玻璃焊接）/seal glass bonding（密封玻璃接合））借助常規(guī)的玻璃焊料在封裝層24或有源區(qū)域上方布置在光電子器件10的幾何形狀的邊緣區(qū)域中。在這種情況下，可以省去封裝層24并且遮蓋體38可以與玻璃料化合物一起形成光電子器件10的封裝部。遮蓋部38例如可以具有為1.3到3、例如1.4到2、例如1.5到1.8的折射率（例如在633nm的波長的情況下）。

圖16示出了光電子器件10的實施例的剖面圖，該光電子器件10例如可以盡可能地對應(yīng)于在上文中所闡述的光電子器件10、例如參照圖2所闡述的光電子器件10。光電子器件10具有遮蓋體38，其中該遮蓋體38延伸直至載體12的側(cè)向外棱邊。例如，遮蓋體38的側(cè)向外棱邊可以與載體12的側(cè)向外棱邊平齊。在本上下文中，載體12和遮蓋體38例如在唯一的切削或者鋸割步驟中被切削或被鋸割。

遮蓋體38具有凹進部、尤其是第一接觸凹進部48，所述凹進部延伸穿過遮蓋體38并且在該凹進部中使第二接觸區(qū)域18露出并且是可電接觸的。因此，第一電極20經(jīng)由第一接觸凹進部48是可電接觸的。

圖17示出了光電子器件10的實施例的剖面圖，該光電子器件10例如可以盡可能地對應(yīng)于在上文中所闡述的光電子器件10、例如參照圖2所闡述的光電子器件10。光電子器件的封裝部由遮蓋體38和黏合劑層36形成。光電子器件10具有光電子器件10的多個第二接觸凹進部50，所述第二接觸凹進部50延伸穿過遮蓋體38。在第一接觸凹進部40中，構(gòu)造和/或布置接觸結(jié)構(gòu)40，更確切地說使得第二電極23經(jīng)由接觸結(jié)構(gòu)40在第二接觸凹進部50中是可電接觸的。

在該實施例中，可選地可以省去封裝層24。例如，遮蓋體38可以借助黏合劑層36直接與載體12和/或第二接觸區(qū)段18連接。在本上下文中，黏合劑層36例如可以由玻璃料形成和/或封裝部可以稱作腔體封裝部。

圖18示出了光電子器件10的實施例的剖面圖，該光電子器件例如可以盡可能地對應(yīng)于在上文中所闡述的光電子器件10、例如參照圖2所闡述的光電子器件10。接觸結(jié)構(gòu)40的電接觸例如可以通過如下方式進行：黏合劑層36導(dǎo)電地被構(gòu)造。例如，接觸結(jié)構(gòu)40可以與印制導(dǎo)線結(jié)構(gòu)和/或線網(wǎng)連接，所述線網(wǎng)緊接著用液體粘合劑澆注。黏合劑層36例如可以在尚為液體的狀態(tài)下與遮蓋體38連接，例如遮蓋體38可以借助黏合劑層36被層壓并且黏合劑層36可以緊接著被硬化。印制導(dǎo)線結(jié)構(gòu)或線網(wǎng)例如可以與接觸結(jié)構(gòu)40中的兩個或者更多個電連接和/或特別自支承地（selbsttragend）被構(gòu)造成。印制導(dǎo)線結(jié)構(gòu)或線網(wǎng)的線的厚度例如可以在為10μm到200μm的范圍中。印制導(dǎo)線結(jié)構(gòu)或線網(wǎng)例如可以僅僅在接觸結(jié)構(gòu)40上處于與光電子器件10的其余部分直接物理連接，例如印制導(dǎo)線結(jié)構(gòu)或線網(wǎng)可以被構(gòu)造為使得他們不接觸封裝層24。對印制導(dǎo)線結(jié)構(gòu)可替選地或者附加地，印制導(dǎo)線結(jié)構(gòu)或線網(wǎng)可以被構(gòu)造在遮蓋部上方。

本發(fā)明并不限于所說明的實施例。例如，在該光電子器件10中可以構(gòu)造所示出的接觸結(jié)構(gòu)40中的更多的或者更少的接觸結(jié)構(gòu)。此外，接觸結(jié)構(gòu)40在所有實施例中可以一件式、兩件式或者更多件式地被構(gòu)造。此外，接觸結(jié)構(gòu)40可以具有不同于所示出的形狀的形狀。此外，光電子器件10可以具有所示出的層中的更多的或者更少的層。例如，光電子器件10可以具有各種不同的功能層、例如耦合輸出層、散射層、聚焦層、平面化層等。此外，尤其是如果相對應(yīng)構(gòu)造更多的或者更少的層，則所示出的方法可以具有更多的或者更少的步驟。此外，這些實施例可以彼此組合。例如，所示出的實施例中的每個都可以具有根據(jù)圖15的光電子層結(jié)構(gòu)。此外，不僅封裝層24而且遮蓋體都可以具有凹進部、尤其是第二接觸凹進部50，接觸結(jié)構(gòu)40延伸通過所述凹進部。此外，在所有實施例中，對第一電極20的電接觸可以經(jīng)由在遮蓋體38中的第一接觸凹進部48進行和/或在所有實施例中遮蓋體38可以側(cè)向地延伸直至載體12的側(cè)向外棱邊。