本申請要求于2014年4月11日向美國專利商標(biāo)局提交的美國非臨時專利申請No.14/251,486的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，其全部內(nèi)容通過援引納入于此。

背景

領(lǐng)域

各種特征涉及包括表面互連和溝槽的封裝基板，該溝槽包括無電鍍填充物。

背景技術(shù)：

圖1解說了常規(guī)集成封裝100，其包括基板102、一組互連104、第一管芯106、第二管芯108、第一組管芯到封裝互連116、第二組管芯到封裝互連118、以及第三組焊球120。第三組焊球120用于基板到主板互連。第一組管芯到封裝互連116和/或第二組焊球118可以是焊球。該組互連104包括位于基板102內(nèi)部的跡線。第一管芯106通過第一組互連116耦合至基板102。第二管芯108通過第二組互連118耦合至基板102。第三組焊球120耦合至基板102。第一管芯106和第二管芯108通過基板102中的該組互連104耦合至第三組焊球120。典型情況下，第三組焊球120耦合至印刷電路板(PCB)(未示出)。

常規(guī)的集成封裝(諸如圖1中描述的那個集成封裝)具有某些限制和不利方面。例如，常規(guī)的集成封裝受限于布線密度并且可能制造成本較高。存在提供生產(chǎn)成本較低以及具有較佳(例如，較高)布線密度特性的集成器件的需要。因此，需要具有低剖型但還占據(jù)盡可能小的臺面的成本高效的集成封裝。理想地，此類集成封裝還將提供與管芯的較高密度連接。

概述

本文描述的各種特征、裝置和方法提供一種封裝基板。

第一示例提供了一種基板，其包括第一介電層、第一互連、第一空腔、以及第一無電鍍金屬層。第一介電層包括第一表面和第二表面。第一互連在第一介電層的第一表面上。第一空腔穿過第一介電層的第一表面。第一無電鍍金屬層在第一空腔中形成。第一無電鍍金屬層定義嵌入在第一介電層中的第二互連。

根據(jù)一方面，該基板包括穿過第一介電層的第一表面的第二空腔以及形成在第二空腔中的第二無電鍍金屬層，其中第二無電鍍金屬層定義嵌入在第一介電層中的第三互連。

根據(jù)一個方面，該基板包括第一介電層的第一表面上的第一焊盤；穿過第一介電層的第一通孔，該第一通孔耦合至第一焊盤；以及嵌入在第一介電層中的第二焊盤，其中第二焊盤通過第一介電層的第二表面嵌入，其中第二焊盤耦合至第一通孔。

根據(jù)一方面，該基板包括包含第一表面和第二表面的核心層，其中該核心層的第一表面耦合至第一介電層的第二表面。

在一些實現(xiàn)中，該核心層包括第一通孔。

在一些實現(xiàn)中，該基板包括包含第一表面和第二表面的第二介電層，其中該第二介電層的第一表面耦合至核心層的第二表面。

根據(jù)一個方面，該基板包括嵌入在第一介電層的第一表面中的第三互連，其中該第三互連包括無電鍍金屬層；以及在第一介電層的第一表面上的第一焊盤，其中第一焊盤耦合至第三互連。

根據(jù)一方面，該基板包括在第一介電層上的抗蝕層。

根據(jù)一個方面，該基板是至少封裝基板和/或中介體中的一者。

根據(jù)一方面，該基板被納入在音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導(dǎo)航設(shè)備、通信設(shè)備、移動設(shè)備、移動電話、智能電話、個人數(shù)字助理、固定位置終端、平板式計算機(jī)、和/或膝上型計算機(jī)中的至少一者中。

第二示例提供了一種裝備，其包括包含第一表面和第二表面的第一介電層、在第一介電層的第一表面上的第一互連裝置、穿過第一介電層的第一表面的第一空腔、以及至少部分地形成在第一空腔中的第一無電鍍互連裝置。

根據(jù)一方面，該裝備包括穿過第一介電層的第一表面的第二空腔，并且第二無電鍍互連裝置被至少部分地形成在該第二空腔中。

根據(jù)一個方面，該裝備包括在第一介電層的第一表面上的第一焊盤；穿過第一介電層的第一垂直互連裝置，該第一垂直互連耦合至第一焊盤；以及嵌入在第一介電層中的第二焊盤，第二焊盤通過第一介電層的第二表面嵌入，其中第二焊盤耦合至第一垂直互連裝置。

根據(jù)一方面，該裝備包括包含第一表面和第二表面的核心層，其中該核心層的第一表面耦合至第一介電層的第二表面。在一些實現(xiàn)中，該核心層包括第一垂直互連裝置。在一些實現(xiàn)中，該裝備包括包含第一表面和第二表面的第二介電層，其中該第二介電層的第一表面耦合至核心層的第二表面。

根據(jù)一個方面，該裝備包括嵌入在第一介電層的第一表面中的第三無電鍍互連裝置，以及在第一介電層的第一表面上的第一焊盤，該第一焊盤耦合至第三無電鍍互連裝置。

根據(jù)一方面，該裝備包括在第一介電層上的抗蝕層。

根據(jù)一個方面，該裝備是至少基板和/或中介體中的一者。

根據(jù)一個方面，該裝備被納入到以下至少一者中：音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導(dǎo)航設(shè)備、通信設(shè)備、移動設(shè)備、移動電話、智能電話、個人數(shù)字助理、固定位置終端、平板計算機(jī)、和/或膝上型計算機(jī)。

第三示例提供了一種用于制造基板的方法。該方法形成包括第一表面和第二表面的第一介電層。該方法在第一介電層的第一表面上形成第一互連。該方法形成穿過第一介電層的第一表面的第一空腔。該方法至少部分地在第一空腔中形成第一無電鍍金屬，其中該第一無電鍍金屬定義嵌入在第一介電層中的第二互連。

根據(jù)一方面，該方法形成穿過第一介電層的第一表面的第二空腔。該方法至少部分地在第二空腔中形成第二無電鍍金屬，其中該第二無電鍍金屬定義嵌入在第一介電層中的第三互連。

根據(jù)一個方面，該方法在第一介電層的第一表面上形成第一焊盤。該方法形成穿過第一介電層的第一通孔，該第一通孔耦合至第一焊盤。該方法形成嵌入在第一介電層中的第二焊盤。第二焊盤通過第一介電層的第二表面來嵌入，其中第二焊盤耦合至第一通孔。

根據(jù)一方面，該方法形成包括第一表面和第二表面的核心層，其中該核心層的第一表面是在第一介電層的第二表面上形成的。在一些實現(xiàn)中，該核心層包括第一通孔。在一些實現(xiàn)中，該方法形成包括第一表面和第二表面的第二介電層，其中該第二介電層的第一表面是在核心層的第二表面上形成的。

根據(jù)一個方面，該方法形成嵌入在第一介電層的第一表面中的第三互連，該第三互連包括無電鍍金屬層。該方法在第一介電層的第一表面上形成第一焊盤，其中該第一焊盤耦合至第三互連。

根據(jù)一方面，該方法在第一介電層上形成抗蝕層。

根據(jù)一個方面，該基板是至少封裝基板和/或中介體中的一者。

根據(jù)一方面，基板被納入在音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導(dǎo)航設(shè)備、通信設(shè)備、移動設(shè)備、移動電話、智能電話、個人數(shù)字助理、固定位置終端、平板式計算機(jī)、和/或膝上型計算機(jī)中的至少一者中。

附圖

在結(jié)合附圖理解下面闡述的詳細(xì)描述時，各種特征、本質(zhì)和優(yōu)點會變得明顯，在附圖中，相像的附圖標(biāo)記貫穿始終作相應(yīng)標(biāo)識。

圖1解說了常規(guī)的集成器件的剖型視圖。

圖2解說了封裝基板的核心的示例。

圖3解說了無核基板的示例，其包括嵌入式溝槽、和在介電層的表面上用半加成工藝形成的跡線，其中在該溝槽中具有選擇性的無電鍍銅填充物。

圖4解說了有核基板的示例，其包括嵌入式溝槽、和在介電層的表面上用半加成工藝形成的跡線，其中在該溝槽中具有選擇性的無電鍍銅填充物。

圖5解說了無核基板的示例，其包括嵌入式溝槽、和在介電層的表面上用半加成工藝形成的跡線，其中在該溝槽中具有選擇性的無電鍍銅填充物。

圖6解說了有核基板的示例，其包括嵌入式溝槽、和在介電層的表面上用半加成工藝形成的跡線，其中在該溝槽中具有選擇性的無電鍍銅填充物。

圖7解說了包括嵌入式溝槽和在介電層的表面上用半加成工藝形成的跡線的基板的平面視圖的示例，其中在該溝槽中具有選擇性的無電鍍銅填充物。

圖8(包括圖8A、圖8B、和圖8C)解說了用于提供/制造包括嵌入式溝槽和在介電層的表面上用半加成工藝形成的跡線的基板的示例性序列，其中在該溝槽中具有選擇性的無電鍍銅填充物。

圖9解說了用于提供/制造包括嵌入式溝槽和在介電層的表面上用半加成工藝形成的跡線的基板的方法的流程圖，其中在該溝槽中具有選擇性的無電鍍銅填充物。

圖10(包括圖10A和圖10B)解說了用于提供/制造包括無電鍍金屬層的基板的示例性序列。

圖11解說用于提供/制造包括無電鍍金屬層的基板的方法的流程圖。

圖12解說了用于使用半加成圖案化(SAP)工藝來提供/制造互連的方法的流程圖。

圖13解說了用于使用半加成圖案化(SAP)工藝來提供/制造互連的序列。

圖14解說了包括嵌入式溝槽和在介電層的表面上用半加成工藝形成的跡線的無核基板的另一示例，其中在該溝槽中具有選擇性的無電鍍銅填充物。

圖15解說了包括嵌入式溝槽和在介電層的表面上用半加成工藝形成的跡線的有核基板的另一示例，其中在該溝槽中具有選擇性的無電鍍銅填充物。

圖16解說了可集成本文描述的半導(dǎo)體器件、管芯、封裝基板、集成電路和/或PCB的各種電子設(shè)備。

詳細(xì)描述

在以下描述中，給出了具體細(xì)節(jié)以提供對本公開的各方面的透徹理解。然而，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解，沒有這些具體細(xì)節(jié)也可實踐這些方面。例如，電路可能用框圖示出以避免使這些方面湮沒在不必要的細(xì)節(jié)中。在其他實例中，公知的電路、結(jié)構(gòu)和技術(shù)可能不被詳細(xì)示出以免模糊本公開的這些方面。

總覽

一些新穎特征涉及包括第一介電層、第一互連、第一空腔、以及第一無電鍍金屬層的基板。第一介電層包括第一表面和第二表面。第一互連在第一介電層的第一表面上。第一空腔穿過第一介電層的第一表面。在第一介電層的表面上(包括在第一介電層的至少第一空腔中)選擇性地形成第一無電鍍金屬層。在一些實現(xiàn)中，在第一無電鍍金屬層的諸部分上選擇性地形成第二金屬層。在一些實現(xiàn)中，使用半加成圖案化(SAP)工藝來選擇性地形成第二金屬層。在一些實現(xiàn)中，形成在第一空腔中的第一無電鍍金屬層定義嵌入式高密度互連。在一些實現(xiàn)中，第一無電鍍金屬層和/或第二金屬層定義第一介電層的表面上的互連(例如，跡線、焊盤)。在一些實現(xiàn)中，該封裝基板包括耦合至第一介電層的核心層。在一些實現(xiàn)中，該核心層包括一組互連。

包括無電鍍金屬層的示例性封裝基板

圖3概念地解說了包括表面互連和空腔的封裝基板的示例，該空腔包括無電鍍填充物。具體地，圖3解說了封裝基板300，其包括第一介電層302、第一焊盤304、通孔306、第二焊盤308、第一互連310、第二互連312、第一空腔320、以及第三互連322。

第一介電層302具有第一表面(例如，頂表面)和第二表面(例如，底表面)。第一表面與第二表面對向。不同的實現(xiàn)可以將不同的材料用于第一介電層302。在一些實現(xiàn)中，第一介電層302可以是經(jīng)填充的環(huán)氧樹脂。

第一焊盤304位于第一介電層302的第一表面上。通孔306穿過第一介電層302。第一焊盤304耦合至通孔306的第一部分(例如，頂部、頂表面)。第二焊盤308嵌入在第一介電層302的第二表面中。第二焊盤308耦合至通孔306的第二部分(例如，底部、底表面)。不同的實現(xiàn)可以對第一焊盤304、通孔306、和/或第二焊盤308使用不同的材料。在一些實現(xiàn)中，第一焊盤304、通孔306、以及第二焊盤308包括金屬層(例如，銅層)。

第一互連310在第一介電層302的第一表面上。在一些實現(xiàn)中，第一互連310是第一介電層302的第一表面上的跡線。第二互連312嵌入在第一介電層302的第二表面中。在一些實現(xiàn)中，第二互連312是嵌入在第一介電層302的第二表面中的跡線。不同實現(xiàn)可以將不同材料用于第一和第二互連310和312。在一些實現(xiàn)中，第一和第二互連310和312包括金屬層(例如，銅層)。

圖3還解說了空腔320穿過第一介電層302的第一表面。不同實現(xiàn)可將不同工藝用于在第一介電層302中制造空腔320。在一些實現(xiàn)中，空腔320通過第一介電層302的第一表面部分地穿過第一介電層302。在一些實現(xiàn)中，至少部分地用第三互連322來填充空腔320。在一些實現(xiàn)中，第三互連322是由無電鍍填充物制成的跡線。在一些實現(xiàn)中，無電鍍填充物是無電鍍金屬層(例如，無電鍍銅層)。

在一些實現(xiàn)中，第三互連322是電耦合封裝基板上的兩個管芯的高密度和/或細(xì)節(jié)距互連。在圖7中進(jìn)一步描述可電耦合兩個管芯的互連的示例。在一些實現(xiàn)中，兩個毗鄰互連322(例如，跡線、溝槽中的無電鍍填充互連)之間的間隔為約5微米(μm)或更小。在一些實現(xiàn)中，兩個毗鄰互連(例如，跡線)之間的間隔為約3微米(μm)或更小。

在一些實現(xiàn)中，第三互連322由不同于第一互連310和/或第二互連312的材料制成。例如，第三互連322包括無電鍍金屬層，并且第一互連310和/或第二互連312包括金屬層。

圖3解說了不具有核心層的封裝基板。然而，在一些實現(xiàn)中，封裝基板可包括核心層。

圖4概念地解說了包括核心層、表面互連和空腔的封裝基板的示例，該空腔包括無電鍍填充物。具體地，圖4解說了封裝基板400，其包括核心層402、第一介電層404、第二介電層406、第一焊盤410、第一通孔412、第二焊盤414、第二通孔416、第三焊盤418、第三通孔420、以及第四焊盤422。封裝基板400還包括第一互連424、空腔430、以及第二互連432。

核心層402具有第一表面(例如，頂表面)和第二表面(例如，底表面)。第一表面與第二表面對向。不同實現(xiàn)可將不同材料用于核心層402。在一些實現(xiàn)中，核心層402可由至少一個介電層制成。第一介電層404耦合至核心層402的第一表面。第二介電層406耦合至核心層402的第二表面。在一些實現(xiàn)中，第一介電層404和第二介電層406是預(yù)浸介電層。

第一焊盤410位于第一介電層404的第一表面(例如，頂表面)上。第一通孔412穿過第一介電層404。第一焊盤410耦合至第一通孔412的第一部分(例如，頂部、頂表面)。第二焊盤414嵌入在第一介電層404的第二表面(例如，底表面)中。第二焊盤414耦合至第一通孔412的第二部分(例如，底部、底表面)。

第二通孔416穿過核心層402。第二焊盤414耦合至第二通孔416的第一部分(例如，頂部、頂表面)。第二焊盤414在核心層402的第一表面上。第三焊盤418耦合至第二通孔416的第二部分(例如，底部、底表面)。

第三焊盤418在核心層402的第二表面(例如，底表面)上。第三焊盤418嵌入在第二介電層406的第一表面中。第三通孔420穿過第二介電層406。第三焊盤418耦合至第三通孔420的第一部分(例如，頂部、頂表面)。第四焊盤422在第二介電層406的第二表面(例如，底表面)上。第四焊盤422耦合至第三通孔420的第二部分(例如，底部、底表面)。

不同實現(xiàn)可將不同材料用于第一焊盤410、第一通孔412、第二焊盤414、第二通孔416、第三焊盤418、第三通孔420、以及第四焊盤422。在一些實現(xiàn)中，第一焊盤410、第一通孔412、第二焊盤414、第二通孔416、第三焊盤418、第三通孔420、以及第四焊盤422包括金屬層(例如，銅層)。

第一互連424在第一介電層404的第一表面上。在一些實現(xiàn)中，第一互連424是第一介電層404的第一表面上的跡線。不同實現(xiàn)可以將不同材料用于第一互連424。在一些實現(xiàn)中，第一互連424包括金屬層(例如，銅層)。

圖4還解說了空腔430穿過第一介電層404的第一表面。不同實現(xiàn)可將不同工藝用于在第一介電層404中制造空腔430。在一些實現(xiàn)中，空腔430通過第一介電層404的第一表面來部分地穿過第一介電層404。在一些實現(xiàn)中，至少部分地用第二互連432來填充空腔430。在一些實現(xiàn)中，第二互連432是由無電鍍填充物制成的跡線。在一些實現(xiàn)中，無電鍍填充物是無電鍍金屬層(例如，無電鍍銅層)。

在一些實現(xiàn)中，第二互連432是電耦合封裝基板上的兩個管芯的高密度和/或細(xì)節(jié)距互連。在圖7中進(jìn)一步描述可電耦合兩個管芯的互連的示例。在一些實現(xiàn)中，兩個毗鄰互連432(例如，跡線、溝槽中的無電鍍填充互連)之間的間隔為約5微米(μm)或更小。在一些實現(xiàn)中，兩個毗鄰互連(例如，跡線)之間的間隔為約3微米(μm)或更小。

在一些實現(xiàn)中，第二互連432由不同于第一互連424的材料制成。例如，第二互連432包括無電鍍金屬層，并且第一互連424包括金屬層。

圖3-4解說了一些實現(xiàn)的示例性高級封裝基板。圖5-6以更多細(xì)節(jié)來解說示例性封裝基板。在一些實現(xiàn)中，除了圖5-6具有更多細(xì)節(jié)之外，圖5-6的封裝基板類似于圖3-4的封裝基板。

圖5概念地解說了包括表面互連和空腔的封裝基板的示例，該空腔包括無電鍍填充物。具體地，圖5解說了封裝基板500，其包括第一介電層502、第一焊盤504、通孔506、第二焊盤508、第一互連510、第二互連512、第一空腔520、以及第三互連522。第一介電層502具有第一表面(例如，頂表面)和第二表面(例如，底表面)。第一表面與第二表面對向。不同的實現(xiàn)可以將不同的材料用于第一介電層502。在一些實現(xiàn)中，第一介電層502可以是基板。

第一焊盤504位于第一介電層502的第一表面上。在一些實現(xiàn)中，第一焊盤504包括第一金屬層503和第二金屬層505。在一些實現(xiàn)中，第一金屬層503是晶種層。在一些實現(xiàn)中，第一金屬層503是無電鍍填充層(例如，無電鍍金屬層)。通孔506穿過第一介電層502。在一些實現(xiàn)中，通孔506包括第一金屬層507和第二金屬層509。在一些實現(xiàn)中，第一金屬層507是晶種層。在一些實現(xiàn)中，第一金屬層507是無電鍍填充層(例如，無電鍍金屬層)。在一些實現(xiàn)中，第一金屬層507還可在通孔506的側(cè)壁上形成。

第一焊盤504耦合至通孔506的第一部分(例如，頂部、頂表面)。第二焊盤508嵌入在第一介電層502的第二表面中。第二焊盤508耦合至通孔506的第二部分(例如，底部、底表面)。不同的實現(xiàn)可以對第一焊盤504、通孔506、和第二焊盤508使用不同的材料。在一些實現(xiàn)中，第一焊盤504、通孔506、以及第二焊盤508包括金屬層(例如，銅層)。

第一互連510在第一介電層502的第一表面上。在一些實現(xiàn)中，第一互連510是第一介電層502的第一表面上的跡線。在一些實現(xiàn)中，第一互連510包括第一金屬層511和第二金屬層513。在一些實現(xiàn)中，第一金屬層511是晶種層。在一些實現(xiàn)中，第一金屬層511是無電鍍填充層(例如，無電鍍金屬層)。

第二互連512嵌入在第一介電層502的第二表面中。在一些實現(xiàn)中，第二互連512是嵌入在第一介電層502的第二表面中的跡線。不同實現(xiàn)可以將不同材料用于第一和第二互連510和512。在一些實現(xiàn)中，第一和第二互連510和512包括金屬層(例如，銅層)。

圖5還解說了空腔520穿過第一介電層502的第一表面。不同實現(xiàn)可將不同工藝用于在第一介電層502中制造空腔520。在一些實現(xiàn)中，空腔520通過第一介電層502的第一表面來部分地穿過第一介電層502。在一些實現(xiàn)中，至少部分地用第三互連522來填充空腔520。在一些實現(xiàn)中，第三互連522是由無電鍍填充物制成的跡線。在一些實現(xiàn)中，無電鍍填充物是無電鍍金屬層(例如，無電鍍銅層)。

在一些實現(xiàn)中，第三互連522是電耦合封裝基板上的兩個管芯的高密度和/或細(xì)節(jié)距互連。在圖7中進(jìn)一步描述可電耦合兩個管芯的互連的示例。在一些實現(xiàn)中，兩個毗鄰互連522(例如，跡線)之間的間隔為約5微米(μm)或更小。在一些實現(xiàn)中，兩個毗鄰互連(例如，跡線)之間的間隔為約3微米(μm)或更小。

在一些實現(xiàn)中，第三互連522由不同于第一互連510和/或第二互連512的材料制成。例如，第三互連522包括無電鍍金屬層，并且第一互連510和/或第二互連512包括金屬層。

圖5解說了不具有核心層的封裝基板(例如，無核封裝基板)。然而，在一些實現(xiàn)中，封裝基板可包括核心層(例如，有核封裝基板)。

圖6概念地解說了包括核心層、表面互連和空腔的封裝基板的示例，該空腔包括無電鍍填充物。具體地，圖6解說了封裝基板600，其包括核心層602、第一介電層604、第二介電層606、第一焊盤610、第一通孔612、第二焊盤614、第二通孔616、第三焊盤618、第三通孔620、以及第四焊盤622。封裝基板600還包括第一互連624、空腔630、以及第二互連632。

核心層602具有第一表面(例如，頂表面)和第二表面(例如，底表面)。第一表面與第二表面對向。不同實現(xiàn)可將不同材料用于核心層602。在一些實現(xiàn)中，核心層602可由至少一個介電層制成。第一介電層604耦合至核心層602的第一表面。第二介電層606耦合至核心層602的第二表面。在一些實現(xiàn)中，第一介電層604和第二介電層606是預(yù)浸介電層。

第一焊盤610位于第一介電層604的第一表面(例如，頂表面)上。在一些實現(xiàn)中，第一焊盤610包括第一金屬層611和第二金屬層613。在一些實現(xiàn)中，第一金屬層611是晶種層。在一些實現(xiàn)中，第一金屬層611是無電鍍填充層(例如，無電鍍金屬層)。第一通孔612穿過第一介電層604。第一焊盤610耦合至第一通孔612的第一部分(例如，頂部、頂表面)。在一些實現(xiàn)中，第一通孔612包括第一金屬層615和第二金屬層617。在一些實現(xiàn)中，第一金屬層615還可在通孔612的側(cè)壁上形成。在一些實現(xiàn)中，第一金屬層615是晶種層。在一些實現(xiàn)中，第一金屬層615是無電鍍填充層(例如，無電鍍金屬層)。第二焊盤614嵌入在第一介電層604的第二表面(例如，底表面)中。第二焊盤614耦合至第一通孔612的第二部分(例如，底部、底表面)。

第二通孔616穿過核心層602。第二焊盤614耦合至第二通孔616的第一部分(例如，頂部、頂表面)。第二焊盤614在核心層602的第一表面上。第三焊盤618耦合至第二通孔616的第二部分(例如，底部、底表面)。

第三焊盤618在核心層602的第二表面(例如，底表面)上。第三焊盤618嵌入在第二介電層606的第一表面中。第三通孔620穿過第二介電層606。第三焊盤618耦合至第三通孔620的第一部分(例如，頂部、頂表面)。第四焊盤622在第二介電層606的第二表面(例如，底表面)上。第四焊盤622耦合至第三通孔620的第二部分(例如，底部、底表面)。在一些實現(xiàn)中，第三通孔620包括第一金屬層621和第二金屬層623。在一些實現(xiàn)中，第一金屬層621還可在通孔620的側(cè)壁上形成。在一些實現(xiàn)中，第一金屬層621是晶種層。在一些實現(xiàn)中，第一金屬層621是無電鍍填充層(例如，無電鍍金屬層)。

不同實現(xiàn)可將不同材料用于第一焊盤610、第一通孔612、第二焊盤614、第二通孔616、第三焊盤618、第三通孔620、以及第四焊盤622。在一些實現(xiàn)中，第一焊盤610、第一通孔612、第二焊盤614、第二通孔616、第三焊盤618、第三通孔620、以及第四焊盤622包括金屬層(例如，銅層)。

第一互連624在第一介電層604的第一表面上。在一些實現(xiàn)中，第一互連624是第一介電層604的第一表面上的跡線。不同實現(xiàn)可以將不同材料用于第一互連624。在一些實現(xiàn)中，第一互連624包括金屬層(例如，銅層)。在一些實現(xiàn)中，第一互連624包括第一金屬層625和第二金屬層627。在一些實現(xiàn)中，第一金屬層625是晶種層。在一些實現(xiàn)中，第一金屬層625是無電鍍填充層(例如，無電鍍金屬層)。

圖6還解說了空腔630穿過第一介電層604的第一表面。不同實現(xiàn)可將不同工藝用于在第一介電層604中制造空腔630。在一些實現(xiàn)中，空腔630通過第一介電層604的第一表面部分地穿過第一介電層604。在一些實現(xiàn)中，至少部分地用第二互連630來填充空腔632。在一些實現(xiàn)中，第二互連632是由無電鍍填充物制成的跡線。在一些實現(xiàn)中，無電鍍填充物是無電鍍金屬層(例如，無電鍍銅層)。

在一些實現(xiàn)中，第二互連632是電耦合封裝基板上的兩個管芯的高密度和/或細(xì)節(jié)距互連。在圖7中進(jìn)一步描述可電耦合兩個管芯的互連的示例。在一些實現(xiàn)中，兩個毗鄰互連632(例如，跡線)之間的間隔為約5微米(μm)或更小。在一些實現(xiàn)中，兩個毗鄰互連(例如，跡線)之間的間隔為約3微米(μm)或更小。

在一些實現(xiàn)中，第二互連632由不同于第一互連624的材料制成。例如，第二互連632包括無電鍍金屬層，并且第一互連624包括金屬層。

圖3-6解說了不具有阻焊層的封裝。然而，在一些實現(xiàn)中，可以在封裝的第一表面(例如，頂表面)和/或第二表面(例如，底表面)上選擇性地形成一個或多個阻焊層。在圖14-15中描述具有一個或多個阻焊層的封裝的若干示例。

包括無電鍍金屬層的示例性封裝基板

圖7解說了耦合至兩個管芯的封裝基板的平面視圖的示例。具體地，圖7解說了封裝基板702、第一管芯704、第二管芯706、一組互連710、第一組焊盤714、第二組焊盤716、第三焊盤724、以及第四焊盤726。在一些實現(xiàn)中，封裝基板702表示圖3、4、5和/或6的封裝基板300、400、500和/或600中的至少一者。然而，封裝基板702可表示本公開中的其他封裝基板。

該組互連710是封裝基板702的表面上的嵌入式跡線。在一些實現(xiàn)中，該組互連710是由無電鍍填充物制成的跡線。在一些實現(xiàn)中，無電鍍填充物是無電鍍金屬層(例如，無電鍍銅層)。在一些實現(xiàn)中，該組互連710可包括來自圖3、4、5和/或6的互連322、432、522和/或632中的至少一者。在一些實現(xiàn)中，該組互連710位于封裝基板702中的一組空腔中。在一些實現(xiàn)中，該組互連710的至少一部分覆蓋有阻焊層。在一些實現(xiàn)中，封裝基板702的至少一部分覆蓋有阻焊層。在圖14-15中進(jìn)一步描述覆蓋有一個或多個阻焊層的封裝基板的示例。

在一些實現(xiàn)中，該組互連710是電耦合第一管芯704和第二管芯706的高密度和/或細(xì)節(jié)距互連。在一些實現(xiàn)中，來自該組互連710的兩個毗鄰互連(例如，跡線)之間的間隔為約5微米(μm)或更小。在一些實現(xiàn)中，來自該組互連710的兩個毗鄰互連(例如，跡線)之間的間隔為約3微米(μm)或更小。

該組互連710耦合至第一組焊盤714。第一組焊盤714可耦合至第一管芯704。該組互連710耦合至第二組焊盤716。第二組焊盤716可耦合至第二管芯706。第三焊盤724可以是通孔焊盤。第三焊盤724可耦合至第一管芯704。第四焊盤726可以是通孔焊盤。第四焊盤726可耦合至第二管芯706。

用于提供包括無電鍍金屬層的封裝基板的示例性序列

在一些實現(xiàn)中，提供包括包含無電鍍填充物的空腔的封裝基板包括若干工藝。圖8(其包括圖8A-8C)解說了用于提供封裝基板的示例性序列。在一些實現(xiàn)中，圖8A-8C的序列可被用于提供/制造圖3和/或5的封裝基板、和/或本公開中所描述的其他封裝基板。

應(yīng)當(dāng)注意，圖8A-8C的序列可以組合一個或多個階段以簡化和/或闡明用于提供封裝基板的序列。

如圖8A的階段1中所示，提供核心層800。在一些實現(xiàn)中，核心層800是臨時核心層。在一些實現(xiàn)中，提供核心層800可包括從供應(yīng)商接收核心層或者制造核心層。不同實現(xiàn)可將不同材料用于核心層。在一些實現(xiàn)中，核心層800是介電層。核心層800包括第一金屬層802和第二金屬層804。第一金屬層802耦合至核心層800的第一表面(例如，頂表面)。第二金屬層804耦合至核心層800的第二表面(例如，底表面)。在一些實現(xiàn)中，提供核心層包括提供第一金屬層802和/或第二金屬層804。在一些實現(xiàn)中，提供第一金屬層802和/或第二金屬層804包括從供應(yīng)商接收第一金屬層802和/或第二金屬層804連同核心層800或者在核心層800上制造第一金屬層802和/或第二金屬層804。

在階段2，在第一金屬層802上提供干膜抗蝕劑(DFR)806。在一些實現(xiàn)中，提供DFR 806包括在第一金屬層802上形成(例如，層壓)DFR 806以及選擇性地移除DFR 806以定義第一金屬層802上的圖案。在一些實現(xiàn)中，這些圖案包括DFR 806中的一個或多個空腔(例如，空腔807)。在一些實現(xiàn)中，選擇性地移除DFR 806包括使DRF 806暴光，以及使DFR 806顯影以形成包括一個或多個空腔的圖案。

在階段3，在DFR 806的空腔(例如，空腔807)中提供第三金屬層808。不同的實現(xiàn)可不同地提供第三金屬層808。在一些實現(xiàn)中，在一個或多個空腔中以及在第一金屬層802上形成第三金屬層808。在一些實現(xiàn)中，第三金屬層808是使用金屬鍍敷工藝來提供的。

在階段4，移除DFR 806。在一些實現(xiàn)中，移除DFR 806包括剝離DFR 806，而留下第三金屬層808。不同實現(xiàn)可將不同工藝用于移除DFR 806。

在如圖8B中所示的階段5，在第一金屬層802(例如，核心層800的第一表面)上提供第一介電層810。在一些實現(xiàn)中，提供第一介電層810包括在核心層800的第一金屬層802上形成(例如，層壓)第一介電層810。在一些實現(xiàn)中，在第三金屬層808周圍形成第一介電層810。

在階段6，在第一介電層810中形成若干空腔(例如，第一空腔811、第二組空腔813)。如階段6所示，第一空腔811形成在第三金屬層808的一部分周圍并且穿過第一介電層810。在一些實現(xiàn)中，第一空腔811是配置成定義第一介電層810中的通孔的空腔。第二組空腔813部分地穿過第一介電層810。在一些實現(xiàn)中，第二組空腔813是配置成定義嵌入在第一介電層810中的一組互連(例如，跡線)的一組空腔。不同實現(xiàn)可將不同工藝用于在第一介電層810中形成空腔。在一些實現(xiàn)中，激光工藝被用于在第一介電層810中形成空腔。在一些實現(xiàn)中，激光工藝允許第二組空腔具有約5微米(μm)或更小的間隔。在一些實現(xiàn)中，激光工藝允許第二組空腔具有約3微米(μm)或更小的間隔。

在階段7，提供第四金屬層814。如階段7所示，提供第四金屬層814，以使得在第一介電層810的第一表面上形成金屬層。另外，提供第四金屬層814，以使得至少一些空腔(例如，第一空腔811、第二組空腔813)至少部分地填充有第四金屬層814。在一些實現(xiàn)中，第四金屬層814可在空腔的側(cè)壁上形成。階段7解說了不在空腔811的側(cè)面部分(例如，側(cè)壁)上形成第四金屬層814。然而，在一些實現(xiàn)中，在空腔811的整個側(cè)面部分(例如，側(cè)壁)上形成第四金屬層814。在一些實現(xiàn)中，第四金屬層814是無電鍍金屬層(例如，無電鍍填充物、無電鍍銅層)。在一些實現(xiàn)中，第四金屬層814是晶種層。在一些實現(xiàn)中，提供第四金屬層814包括使用無電鍍鍍敷工藝。在一些實現(xiàn)中，定義第四金屬層814可定義第一介電層810中的一個或多個跡線。

在如圖8C中所示的階段8，在第四金屬層814上提供干膜抗蝕劑(DFR)816。在一些實現(xiàn)中，提供DFR 816包括在第四金屬層814上形成(例如，層壓)DFR 816以及選擇性地移除DFR 816以定義第四金屬層814上的圖案。在一些實現(xiàn)中，這些圖案包括DFR 816中的一個或多個空腔(例如，空腔817)。在一些實現(xiàn)中，選擇性地移除DFR 816包括使DRF 816暴光，以及使DFR 816顯影以形成包括一個或多個空腔的圖案。

在階段9，在DFR 816的空腔(例如，空腔817)中提供第五金屬層818。不同的實現(xiàn)可不同地提供第五金屬層818。在一些實現(xiàn)中，在一個或多個空腔中以及在第四金屬層814上形成第五金屬層818。在一些實現(xiàn)中，第五金屬層818是使用金屬鍍敷工藝來提供的。在一些實現(xiàn)中，提供第五金屬層818可定義第一介電層810中的一個或多個通孔和/或一個或多個跡線。

在階段10，移除DFR 816。在一些實現(xiàn)中，移除DFR 816包括剝離DFR816，而留下第五金屬層818。不同實現(xiàn)可將不同工藝用于移除DFR 816。

在階段11，移除核心層800和第二金屬層804，從而留下封裝基板830。在一些實現(xiàn)中，還可移除第一金屬層802的至少一些。因此，在一些實現(xiàn)中，封裝基板830可以包括或者可以不包括第一金屬層802。在一些實現(xiàn)中，封裝基板830類似于圖3和5的封裝基板300和/或500。在一些實現(xiàn)中，一個或多個阻焊層可被選擇性地添加(例如，形成)至封裝基板830的第一表面(例如，頂表面)和/或第二表面(例如，底表面)。

用于提供封裝基板的示例性方法

在一些實現(xiàn)中，提供包括無電鍍嵌入式互連的封裝基板包括若干工藝。圖9解說了用于提供封裝基板的方法的示例性流程圖。在一些實現(xiàn)中，圖9的方法可被用于提供/制造圖3和/或5的封裝基板、和/或本公開中所描述的其他封裝基板。

應(yīng)當(dāng)注意，圖9的方法可以組合一個或多個工藝以簡化和/或闡明用于提供封裝基板的方法。在一些實現(xiàn)中，圖9的方法可被用于提供圖8A-8C中解說的序列。

該方法提供核心層(在905)。在一些實現(xiàn)中，提供核心層可包括從供應(yīng)商接收核心層或者制造(例如，形成)核心層。不同實現(xiàn)可將不同材料用于核心層。圖8A的階段1解說了提供核心層的示例。

該方法在核心層上提供至少一個介電層(在910)。在一些實現(xiàn)中，提供至少一個介電層包括形成至少一個介電層。

該方法在介電層中提供至少一個空腔(在915)。該空腔可穿過介電層的一部分或者它可穿過整個介電層。在一些實現(xiàn)中，該空腔是通孔空腔。在一些實現(xiàn)中，該空腔是用于互連的溝槽。

該方法在介電層中提供至少一個嵌入式無電鍍互連(在920)。在一些實現(xiàn)中，提供(例如，形成)至少一個嵌入式無電鍍互連包括用金屬層至少部分地填充空腔以定義互連。在一些實現(xiàn)中，金屬層是無電鍍敷金屬填充物。圖8B的階段5-7解說了在介電層中提供至少一個無電鍍互連的示例。

該方法在介電層上提供至少一個互連(在925)。在一些實現(xiàn)中，提供(例如，形成)至少一個互連包括在介電層的表面上提供互連(例如，跡線、焊盤)和/或在介電層中提供通孔。圖8C的階段8-10解說了提供至少一個互連的示例。在一些實現(xiàn)中，在介電層上提供至少一個互連包括半加成圖案化(SAP)工藝。在圖12-13中詳細(xì)描述了SAP工藝的示例。

該方法移除核心層(在930)。圖8C的階段10-11解說了移除核心層的示例。

該方法在介電層上提供阻焊層(例如，焊料掩模層)(在935)。該方法進(jìn)一步在阻焊層和/或介電層上提供表面拋光(在940)。

用于提供包括無電鍍金屬層的封裝基板的示例性序列

在一些實現(xiàn)中，提供包括包含無電鍍填充物的空腔的封裝基板包括若干工藝。圖10(其包括圖10A-10B)解說了用于提供封裝基板的示例性序列。在一些實現(xiàn)中，圖10A-10B的序列可被用于提供/制造圖4和/或6的封裝基板、和/或本公開中所描述的其他封裝基板。

應(yīng)當(dāng)注意，圖10A-10B的序列可以組合一個或多個階段以簡化和/或闡明用于提供封裝基板的序列。

如圖10A的階段1中所示，提供核心層1002。不同實現(xiàn)可將不同材料用于核心層1002。在一些實現(xiàn)中，核心層1002是介電層。核心層1002包括第一通孔1004、第一焊盤1006、以及第二焊盤1008。第一通孔1004穿過核心層1002。第一焊盤1006在核心層1002的第一表面(例如，頂表面)上。第一焊盤1006耦合至第一通孔1004的第一部分。第二焊盤1008在核心層1002的第二表面(例如，頂表面)上。第二焊盤10008耦合至第一通孔1008的第二部分。

在一些實現(xiàn)中，提供核心層1002可包括從供應(yīng)商接收核心層或者制造核心層。在一些實現(xiàn)中，在接收到核心層1002之后提供(例如，形成)第一通孔1004、第一焊盤1006、和/或第二焊盤1008。

在階段2，在核心層1002的第一表面(例如，頂表面)上形成第一介電層1010(例如，第一預(yù)浸層)，并且在核心層1002的第二表面(例如，底表面)上形成第二介電層1012(例如，第二預(yù)浸層)。

在階段3，在第一介電層1010和第二介電層1012中形成若干空腔。例如，第一空腔1011被形成在第一焊盤1006的一部分周圍并且穿過第一介電層1010。在一些實現(xiàn)中，第一空腔1011是配置成定義第一介電層1010中的通孔的空腔。第二組空腔1113部分地穿過第一介電層1010。在一些實現(xiàn)中，第二組空腔1013是配置成定義嵌入在第一介電層1010中的一組互連(例如，跡線)的一組空腔。第三空腔1015被形成在第二焊盤1008周圍并且穿過第二介電層1012。在一些實現(xiàn)中，第三空腔1015是配置成定義第二介電層1012中的通孔的空腔。

不同實現(xiàn)可將不同工藝用于在第一介電層1010和第二介電層1012中形成空腔。在一些實現(xiàn)中，激光工藝被用于在第一和第二介電層1010和1012中形成空腔。在一些實現(xiàn)中，激光工藝允許第二組空腔具有約5微米(μm)或更小的間隔。在一些實現(xiàn)中，激光工藝允許第二組空腔具有約3微米(μm)或更小的間隔。

在階段4，提供第一金屬層1014。如階段4所示，提供第一金屬層1014，以使得在第一介電層1010的第一表面上形成金屬層。另外，提供第一金屬層1014，以使得至少一些空腔(例如，第一空腔1011、第二組空腔1013)至少部分地填充有第一金屬層1014。在一些實現(xiàn)中，第一金屬層1014是無電鍍金屬層(例如，無電鍍填充物、無電鍍銅層)。

在一些實現(xiàn)中，第一金屬層1014可在空腔的側(cè)壁上形成。階段4解說了不在空腔1011的側(cè)面部分(例如，側(cè)壁)上形成第一金屬層1014。然而，在一些實現(xiàn)中，在空腔1011的整個側(cè)面部分(例如，側(cè)壁)上形成第一金屬層1014。在一些實現(xiàn)中，第一金屬層1014是晶種層。在一些實現(xiàn)中，提供第一金屬層1014包括使用無電鍍鍍敷工藝。在一些實現(xiàn)中，定義第一金屬層1014可定義第一介電層1010中的一個或多個跡線。

另外，在階段4，提供第二金屬層1016。如階段4所示，提供第二金屬層1016，以使得在第二介電層1012的第一表面上形成金屬層。此外，提供第二金屬層1016，以使得至少一些空腔(例如，第三空腔1015)至少部分地填充有第二金屬層1016。在一些實現(xiàn)中，第二金屬層1016可在空腔的側(cè)壁上形成。在一些實現(xiàn)中，第二金屬層1016是無電鍍金屬層(例如，無電鍍填充物、無電鍍銅層)。

在一些實現(xiàn)中，第二金屬層1016可在空腔的側(cè)壁上形成。階段4解說了不在空腔1015的側(cè)面部分(例如，側(cè)壁)上形成第二金屬層1016。然而，在一些實現(xiàn)中，在空腔1015的整個側(cè)面部分(例如，側(cè)壁)上形成第二金屬層1016。在一些實現(xiàn)中，第二屬層1016是晶種層。在一些實現(xiàn)中，提供第二金屬層1016包括使用無電鍍鍍敷工藝。

在如圖10B中所示的階段5，在第一金屬層1014上提供干膜抗蝕劑(DFR)1020。在一些實現(xiàn)中，提供第一DFR 1020包括在第一金屬層1014上形成(例如，層壓)DFR 1020以及選擇性地移除DFR 1020以定義第一金屬層1014上的圖案。在一些實現(xiàn)中，這些圖案包括第一DFR 1020中的一個或多個空腔(例如，空腔1021)。在一些實現(xiàn)中，選擇性地移除第一DFR 1020包括使第一DRF 1020暴光，以及使第一DFR 1020顯影以形成包括一個或多個空腔的圖案。

此外，在階段5，在第二金屬層1016上提供第二干膜抗蝕劑(DFR)1022。在一些實現(xiàn)中，提供第二DFR 1022包括在第二金屬層1016上形成(例如，層壓)第二DFR 1022以及選擇性地移除第二DFR 1022以定義第二金屬層1016上的圖案。在一些實現(xiàn)中，這些圖案包括第二DFR 1022中的一個或多個空腔(例如，空腔1023)。在一些實現(xiàn)中，選擇性地移除第二DFR 1022包括使第二DRF 1022暴光，以及使第二DFR 1022顯影以形成包括一個或多個空腔的圖案。

在階段6，在第一DFR 1020的空腔(例如，空腔1021)中提供第三金屬層1024。不同的實現(xiàn)可不同地提供第三金屬層1024。在一些實現(xiàn)中，在一個或多個空腔中以及在第一金屬層1014上形成第三金屬層1024。在一些實現(xiàn)中，第三金屬層1024是使用金屬鍍敷工藝來提供的。在一些實現(xiàn)中，提供第三金屬層1024可定義第一介電層1010中的一個或多個通孔和/或一個或多個跡線。

另外，在階段6，在第二DFR 1022的空腔(例如，空腔1023)中提供第四金屬層1026。不同的實現(xiàn)可不同地提供第四金屬層1026。在一些實現(xiàn)中，在一個或多個空腔中以及在第二金屬層1016上形成第四金屬層1032。在一些實現(xiàn)中，第四金屬層1026是使用金屬鍍敷工藝來提供的。在一些實現(xiàn)中，提供第四金屬層1026可定義第二介電層1012中的一個或多個通孔和/或一個或多個跡線。

在階段7，移除第一DFR 1020和第二DFR 1022。在一些實現(xiàn)中，移除第一和第二DRF 1020和1022包括剝離第一和第二DFR 1020和1022，而留下第三和第四金屬層1024和1026。不同實現(xiàn)可使用不同工藝來移除第一和第二DFR 1020和1022。一旦移除第一和第二DFR 1020和1022，就可提供封裝基板1030。在一些實現(xiàn)中，封裝基板1030類似于圖4和6的封裝基板400和/或600。在一些實現(xiàn)中，一個或多個阻焊層可被選擇性地添加(例如，形成)至封裝基板1030的第一表面(例如，頂表面)和/或第二表面(例如，底表面)。

用于提供封裝基板的示例性方法

在一些實現(xiàn)中，提供包括無電鍍嵌入式互連的封裝基板包括若干工藝。圖11解說了用于提供封裝基板的方法的示例性流程圖。在一些實現(xiàn)中，圖11的方法可被用于提供/制造圖4和/或6的封裝基板、和/或本公開中所描述的其他封裝基板。

應(yīng)當(dāng)注意，圖11的方法可以組合一個或多個工藝以簡化和/或闡明用于提供封裝基板的序列。在一些實現(xiàn)中，圖11的方法可被用于提供圖10A-10B中解說的序列。

該方法提供核心層(在1105)。在一些實現(xiàn)中，提供核心層可包括從供應(yīng)商接收核心層或者制造(例如，形成)核心層。不同實現(xiàn)可將不同材料用于核心層。在一些實現(xiàn)中，核心層可包括至少一個通孔和至少一個焊盤。圖10A的階段1解說了提供包括通孔和焊盤的核心層的示例。

該方法在核心層上提供至少一個介電層(在1110)。在一些實現(xiàn)中，提供至少一個介電層包括形成至少一個介電層。

該方法在介電層中提供至少一個空腔(在1115)。該空腔可穿過介電層的一部分或者可穿過整個介電層。在一些實現(xiàn)中，該空腔是通孔空腔。在一些實現(xiàn)中，該空腔是用于互連的溝槽。

該方法在介電層中提供至少一個嵌入式無電鍍互連(在1120)。在一些實現(xiàn)中，提供(例如，形成)至少一個嵌入式無電鍍互連包括用金屬層至少部分地填充空腔以定義互連。在一些實現(xiàn)中，該金屬層是無電鍍敷金屬填充物。圖10A的階段2-4解說了在介電層中提供至少一個無電鍍互連的示例。

該方法在介電層上提供至少一個互連(在1125)。在一些實現(xiàn)中，提供(例如，形成)至少一個互連包括在介電層的表面上提供互連(例如，跡線、焊盤)和/或在介電層中提供通孔。圖10A-10B的階段4-6解說了提供至少一個互連的示例。在一些實現(xiàn)中，在介電層上提供至少一個互連包括半加成圖案化(SAP)工藝。在圖12-13中詳細(xì)描述了SAP工藝的示例。

該方法在介電層上提供焊料掩模層(在1130)。該方法進(jìn)一步在焊料掩模層和/或介電層上提供表面拋光(在1135)。

用于使用半加成圖案化(SAP)工藝來提供基板的示例性方法和序列

在本公開中，描述了用于提供和/或制造基板的眾多方法和序列。在一些實現(xiàn)中，半加成圖案化(SAP)工藝被用于在基板中/上提供和/或制造一個或多個互連(例如，跡線、通孔、焊盤)。

圖12解說了用于制造包括互連的基板的半加成處理(SAP)圖案化工藝的詳細(xì)示例性流程圖。圖12將參考圖13來描述，圖13解說了在一些實現(xiàn)的SAP工藝期間基板的層(例如，核心層、預(yù)浸層)的示例性序列。

如圖12所示，工藝1200可以通過(在1205)提供包括銅層和底料層(例如，涂覆有底料的銅箔)的介電層來開始。在一些實現(xiàn)中，銅箔涂覆以底料，并且接著被按壓在未固化的核心上以形成該結(jié)構(gòu)。涂覆有底料的銅箔可以是銅箔。介電層可以是基板的核心層或預(yù)浸層。如圖13的階段1中所示，底料1304位于銅箔1306與電介質(zhì)1302之間。在一些實現(xiàn)中，銅箔1306可以是銅合成物箔。

接著，該工藝(在1210)對介電層(例如，核心層、預(yù)浸層)鉆孔以創(chuàng)建一個或多個開口/圖案特征(例如，通孔圖案特征)。這可以被完成以形成將電介質(zhì)的前側(cè)與背側(cè)相連接的一個或多個通孔/通孔特征。在一些實現(xiàn)中，鉆孔可以由激光鉆孔操作來執(zhí)行。此外，在一些實現(xiàn)中，鉆孔可橫穿一個或多個金屬層(例如，涂覆有底料的銅箔)。在一些實現(xiàn)中，該工藝還可例如通過(在1212)對層(例如，核心層)上鉆出的通孔/開口除鉆污來清理鉆孔操作所創(chuàng)建的開口/圖案特征(例如，通孔圖案)。

該工藝接著(在1215)蝕刻掉銅箔，從而在介電層上留下底料(圖13的階段2中示出)。接著，在一些實現(xiàn)中，該工藝(在1220)在底料上無電涂覆銅晶種層(例如，銅材料)。在一些實現(xiàn)中，銅晶種層的厚度在大約0.1-1微米(μm)。圖13的階段3解說了底料1304上的銅晶種層1308。

接著，該工藝(在1225)應(yīng)用干膜抗蝕劑(DFR)并且(在1230)在DFR上創(chuàng)建圖案。圖13的階段4解說了DFR 1310被應(yīng)用于銅晶種層1308的頂部，而圖13的階段5解說了DFR 1310的圖案化。如階段5中所示，圖案化在DFR1310中創(chuàng)建開口1312。

在(在1230)圖案化DFR之后，該工藝隨后(在1235)通過DFR的圖案來電解地鍍敷銅材料(例如，銅合成物材料)。在一些實現(xiàn)中，電解地鍍敷包括將電介質(zhì)和金屬層浸在槽液中。參照圖13，階段6解說了銅材料1320(例如，銅合成材料)被鍍敷在DFR 1310的開口1312中。

回頭參考圖12，該工藝(在1240)移除DFR，(在1245)選擇性地蝕刻銅晶種層以隔離各特征(例如，創(chuàng)建通孔，跡線，焊盤)并且結(jié)束。參考圖13，階段7解說了DFR 1310的移除，而階段8解說了蝕刻工藝之后所定義的特征(例如，合成導(dǎo)電跡線)。

圖12的以上工藝可以針對基板的每一核心層或預(yù)浸層(介電層)重復(fù)。

在一些實現(xiàn)中，SAP工藝可允許更精細(xì)/更小的特征(例如，跡線、通孔、焊盤)形成，因為SAP工藝不要求那么多的蝕刻來隔離特征。在一些實現(xiàn)中，以上工藝可被用于在基板中產(chǎn)生間質(zhì)通孔(IVH)和/或在基板中產(chǎn)生盲通孔。

包括無電鍍金屬層的示例性封裝基板

在一些實現(xiàn)中，封裝基板可包括至少一個阻焊層(例如，阻焊掩模)。圖14概念地解說了包括表面互連和空腔的封裝基板的示例，該空腔包括無電鍍填充物和阻焊層。具體地，圖14解說了封裝基板1400，其包括第一介電層1402、第一焊盤1404、通孔1406、第二焊盤1408、第一互連1410、第二互連1412、第一空腔1420、第三互連1422、第一阻焊層1440、以及第二阻焊層1442。第一介電層1402具有第一表面(例如，頂表面)和第二表面(例如，底表面)。第一表面與第二表面對向。不同的實現(xiàn)可以將不同的材料用于第一介電層1402。在一些實現(xiàn)中，第一介電層1402可以是基板。

第一焊盤1404位于第一介電層1402的第一表面上。在一些實現(xiàn)中，第一焊盤1404包括第一金屬層1403和第二金屬層1405。在一些實現(xiàn)中，第一金屬層1403是晶種層。在一些實現(xiàn)中，第一金屬層1403是無電鍍填充層(例如，無電鍍金屬層)。通孔1406穿過第一介電層1402。在一些實現(xiàn)中，通孔1406包括第一金屬層1407和第二金屬層1409。在一些實現(xiàn)中，第一金屬層1407是晶種層。在一些實現(xiàn)中，第一金屬層1407是無電鍍填充層(例如，無電鍍金屬層)。

第一焊盤1404耦合至通孔1406的第一部分(例如，頂部、頂表面)。第二焊盤1408嵌入在第一介電層1402的第二表面中。第二焊盤1408耦合至通孔1406的第二部分(例如，底部、底表面)。不同的實現(xiàn)可以對第一焊盤1404、通孔1406、和第二焊盤1408使用不同的材料。在一些實現(xiàn)中，第一焊盤1404、通孔1406、以及第二焊盤1408包括金屬層(例如，銅層)。

第一互連1410在第一介電層1402的第一表面上。在一些實現(xiàn)中，第一互連1410是第一介電層1402的第一表面上的跡線。在一些實現(xiàn)中，第一互連1410包括第一金屬層1411和第二金屬層1413。在一些實現(xiàn)中，第一金屬層1411是晶種層。在一些實現(xiàn)中，第一金屬層1411是無電鍍填充層(例如，無電鍍金屬層)。

第二互連1412嵌入在第一介電層1402的第二表面中。在一些實現(xiàn)中，第二互連1412是嵌入在第一介電層1402的第二表面中的跡線。不同實現(xiàn)可以將不同材料用于第一和第二互連1410和1412。在一些實現(xiàn)中，第一和第二互連1410和1412包括金屬層(例如，銅層)。

圖14還解說了空腔1420穿過第一介電層1402的第一表面。不同實現(xiàn)可將不同工藝用于在第一介電層1402中制造空腔1420。在一些實現(xiàn)中，空腔1420通過第一介電層1402的第一表面部分地穿過第一介電層1402。在一些實現(xiàn)中，至少部分地用第三互連1422來填充空腔1420。在一些實現(xiàn)中，第三互連1422是由無電鍍填充物制成的跡線。在一些實現(xiàn)中，無電鍍填充物是無電鍍金屬層(例如，無電鍍銅層)。

在一些實現(xiàn)中，第三互連1422是電耦合封裝基板上的兩個管芯的高密度和/或細(xì)節(jié)距互連。在圖7中進(jìn)一步描述了可電耦合兩個管芯的互連的示例。在一些實現(xiàn)中，兩個毗鄰互連(例如，跡線)之間的間隔為約5微米(μm)或更小。在一些實現(xiàn)中，兩個毗鄰互連(例如，跡線)之間的間隔為約3微米(μm)或更小。

在一些實現(xiàn)中，第三互連1422由不同于第一互連1410和/或第二互連1412的材料制成。例如，第三互連1422包括無電鍍金屬層，并且第一互連1410和/或第二互連1412包括金屬層。

如圖14中所示，第一阻焊層1440位于第一介電層1402的第一表面(例如，頂表面)上。在一些實現(xiàn)中，第一阻焊層1440也可在空腔1420中。第二阻焊層1442位于第一電介質(zhì)1402的第二表面(例如，底表面)上。圖14解說了不具有核心層的封裝基板。然而，在一些實現(xiàn)中，封裝基板可包括核心層。

圖15概念地解說了包括核心層、表面互連和空腔的封裝基板的示例，該空腔包括無電鍍填充物和阻焊層。具體地，圖15解說了封裝基板1500，其包括核心層1502、第一介電層1504、第二介電層1506、第一焊盤1510、第一通孔1512、第二焊盤1514、第二通孔1516、第三焊盤1518、第三通孔1520、以及第四焊盤1522。封裝基板1500還包括第一互連1524、空腔1530、第二互連1532、第一阻焊層1540、以及第二阻焊層1542。

核心層1502具有第一表面(例如，頂表面)和第二表面(例如，底表面)。第一表面與第二表面對向。不同實現(xiàn)可將不同材料用于核心層1502。在一些實現(xiàn)中，核心層1502可由至少一個介電層制成。第一介電層1504耦合至核心層1502的第一表面。第二介電層1506耦合至核心層1502的第二表面。在一些實現(xiàn)中，第一介電層1504和第二介電層1506是預(yù)浸介電層。

第一焊盤1510位于第一介電層1504的第一表面(例如，頂表面)上。在一些實現(xiàn)中，第一焊盤1510包括第一金屬層1511和第二金屬層1513。在一些實現(xiàn)中，第一金屬層1511是晶種層。在一些實現(xiàn)中，第一金屬層1511是無電鍍填充層(例如，無電鍍金屬層)。第一通孔1512穿過第一介電層1504。第一焊盤1510耦合至第一通孔1512的第一部分(例如，頂部、頂表面)。在一些實現(xiàn)中，第一通孔1512包括第一金屬層1515和第二金屬層1517。在一些實現(xiàn)中，第一金屬層1515是晶種層。在一些實現(xiàn)中，第一金屬層1515是無電鍍填充層(例如，無電鍍金屬層)。第二焊盤1514嵌入在第一介電層1504的第二表面(例如，底表面)中。第二焊盤1514耦合至第一通孔1512的第二部分(例如，底部、底表面)。

第二通孔1516穿過核心層1502。第二焊盤1514耦合至第二通孔1516的第一部分(例如，頂部、頂表面)。第二焊盤1514在核心層1502的第一表面上。第三焊盤1518耦合至第二通孔1516的第二部分(例如，底部、底表面)。

第三焊盤1518在核心層1502的第二表面(例如，底表面)上。第三焊盤1518嵌入在第二介電層1506的第一表面中。第三通孔1520穿過第二介電層1506。第三焊盤1518耦合至第三通孔1520的第一部分(例如，頂部、頂表面)。第四焊盤1522在第二介電層1506的第二表面(例如，底表面)上。第四焊盤1522耦合至第三通孔1520的第二部分(例如，底部、底表面)。在一些實現(xiàn)中，第三通孔1520包括第一金屬層1521和第二金屬層1523。在一些實現(xiàn)中，第一金屬層1521是晶種層。在一些實現(xiàn)中，第一金屬層1521是無電鍍填充層(例如，無電鍍金屬層)。

不同實現(xiàn)可將不同材料用于第一焊盤1510、第一通孔1512、第二焊盤1514、第二通孔1516、第三焊盤1518、第三通孔1520、以及第四焊盤1522。在一些實現(xiàn)中，第一焊盤1510、第一通孔1512、第二焊盤1514、第二通孔1516、第三焊盤1518、第三通孔1520、以及第四焊盤1522包括金屬層(例如，銅層)。

第一互連1524在第一介電層1504的第一表面上。在一些實現(xiàn)中，第一互連1524是第一介電層1504的第一表面上的跡線。不同實現(xiàn)可以將不同材料用于第一互連1524。在一些實現(xiàn)中，第一互連1524包括金屬層(例如，銅層)。在一些實現(xiàn)中，第一互連1524包括第一金屬層1525和第二金屬層1527。在一些實現(xiàn)中，第一金屬層1525是晶種層。在一些實現(xiàn)中，第一金屬層1525是無電鍍填充層(例如，無電鍍金屬層)。

圖15還解說了空腔1530穿過第一介電層1504的第一表面。不同實現(xiàn)可將不同工藝用于在第一介電層1504中制造空腔1530。在一些實現(xiàn)中，空腔1530通過第一介電層1504的第一表面部分地穿過第一介電層1504。在一些實現(xiàn)中，至少部分地用第二互連1532來填充空腔1530。在一些實現(xiàn)中，第二互連1532是由無電鍍填充物制成的跡線。在一些實現(xiàn)中，無電鍍填充物是無電鍍金屬層(例如，無電鍍銅層)。

如圖15中所示，第一阻焊層1540位于第一介電層1504的第一表面(例如，頂表面)上。在一些實現(xiàn)中，第一阻焊層1540也可在空腔1530中。第二阻焊層1542位于第二介電層1506的第一表面(例如，底表面)上。

在一些實現(xiàn)中，第二互連1532是電耦合封裝基板上的兩個管芯的高密度和/或細(xì)節(jié)距互連。在圖7中進(jìn)一步描述了可電耦合兩個管芯的互連的示例。在一些實現(xiàn)中，兩個毗鄰互連1532(例如，跡線)之間的間隔為約5微米(μm)或更小。在一些實現(xiàn)中，兩個毗鄰互連(例如，跡線)之間的間隔為約3微米(μm)或更小。

在一些實現(xiàn)中，第二互連1532由不同于第一互連1524的材料制成。例如，第二互連1532包括無電鍍金屬層，并且第一互連1524包括金屬層。

示例性電子設(shè)備

圖16解說了可集成有前述集成器件、半導(dǎo)體器件、基板、封裝基板、集成電路、管芯、中介體或封裝中的任一者的各種電子設(shè)備。例如，移動電話1602、膝上型計算機(jī)1604以及固定位置終端1606可包括如本文所述的集成電路(IC)1600。IC 1600可以是例如本文描述的集成電路、集成器件、管芯、基板或封裝中的任何一者。圖16中所解說的設(shè)備1602、1604、1606僅是示例性的。其它電子設(shè)備也可以IC 1600為特征，包括但不限于移動設(shè)備、手持式個人通信系統(tǒng)(PCS)單元、便攜式數(shù)據(jù)單元(諸如個人數(shù)字助理)、啟用GPS的設(shè)備、導(dǎo)航設(shè)備、機(jī)頂盒、音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、固定位置數(shù)據(jù)單位(諸如儀表讀取裝備)、通信設(shè)備、智能電話、平板計算機(jī)、或者存儲或檢索數(shù)據(jù)或計算機(jī)指令的任何其它設(shè)備，或者其任何組合。

圖3、4、5、6、7、8A-8C、9、10A-10B、11、12、13、14、15和/或16中解說的組件、步驟、特征和/或功能之中的一個或多個可以被重新安排和/或組合成單個組件、步驟、特征或功能，或可以實施在數(shù)個組件、步驟、或功能中。也可添加額外的元件、組件、步驟、和/或功能而不會脫離本公開。還應(yīng)當(dāng)注意，本公開中的圖3、4、5、6、7、8A-8C、9、10A-10B、11、12、13、14、15和/或16及其相應(yīng)描述不限于管芯和/或IC。在一些實現(xiàn)中，圖3、4、5、6、7、8A-8C、9、10A-10B、11、12、13、14、15和/或16及其相應(yīng)描述可被用于制造、創(chuàng)建、提供、和/或生產(chǎn)集成器件。在一些實現(xiàn)中，集成器件可以包括管芯封裝、基板、封裝基板、集成電路(IC)、晶片、半導(dǎo)體器件、和/或中介體。

措辭“示例性”在本文中用于表示“用作示例、實例或解說”。本文中描述為“示例性”的任何實現(xiàn)或方面不必被解釋為優(yōu)于或勝過本公開的其他方面。同樣，術(shù)語“方面”不要求本公開的所有方面都包括所討論的特征、優(yōu)點或操作模式。術(shù)語“耦合”在本文中被用于指兩個對象之間的直接或間接耦合。例如，如果對象A物理地接觸對象B，且對象B接觸對象C，則對象A和C可仍被認(rèn)為是彼此耦合的——即便它們并非彼此直接物理接觸。

還應(yīng)注意，這些實施例可能是作為被描繪為流程圖、流圖、結(jié)構(gòu)圖、或框圖的過程來描述的。盡管流程圖可能會把諸操作描述為順序過程，但是這些操作中有許多操作能夠并行或并發(fā)地執(zhí)行。另外，這些操作的次序可被重新安排。過程在其操作完成時終止。

本文中所描述的本公開的各種方面可實現(xiàn)于不同系統(tǒng)中而不會脫離本公開。應(yīng)注意，本公開的以上各方面僅是示例，且不應(yīng)被解釋成限定本公開。對本公開的各方面的描述旨在是解說性的，而非限定所附權(quán)利要求的范圍。由此，本發(fā)明的教導(dǎo)可以現(xiàn)成地應(yīng)用于其他類型的裝置，并且許多替換、修改和變形對于本領(lǐng)域技術(shù)人員將是顯而易見的。