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      碳化硅半導(dǎo)體裝置的制造方法與流程

      文檔序號:12288875閱讀:來源:國知局

      技術(shù)特征:

      1.一種碳化硅半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征在于,包括:

      雜質(zhì)導(dǎo)入工序,從由碳化硅構(gòu)成的n型半導(dǎo)體基板的一個主表面導(dǎo)入p型的雜質(zhì)或n型的雜質(zhì);

      第一形成工序,使所述雜質(zhì)活化,并在所述n型半導(dǎo)體基板的內(nèi)部形成p型的擴散層或n型的擴散層;

      質(zhì)子注入工序,從所述n型半導(dǎo)體基板的一個主表面將質(zhì)子注入到比所述雜質(zhì)的導(dǎo)入位置深的位置;

      第二形成工序,通過將所述質(zhì)子施主化來形成氫致施主,并在與所述擴散層相比距所述n型半導(dǎo)體基板的一個主表面更深的位置形成n型場截止層;以及

      第三形成工序,使在從所述n型半導(dǎo)體基板的一個主表面起到所述質(zhì)子的射程為止的質(zhì)子通過區(qū)生成的晶體缺陷減少而形成n型晶體缺陷減少區(qū),

      其中,通過同一個加熱工序來進行所述第二形成工序和所述第三形成工序。

      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征在于,

      通過依次進行所述雜質(zhì)導(dǎo)入工序、所述第一形成工序、所述質(zhì)子注入工序和所述加熱工序來制造碳化硅半導(dǎo)體裝置。

      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征在于,

      在所述加熱工序中,對所述n型半導(dǎo)體基板整體進行加熱。

      4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的碳化硅半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征在于,

      在所述加熱工序中,通過爐退火對所述n型半導(dǎo)體基板整體進行加熱。

      5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征在于,

      通過同一個所述加熱工序來進行所述第一形成工序、所述第二形成工序和所述第三形成工序。

      6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的碳化硅半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征在于,

      通過依次進行所述雜質(zhì)導(dǎo)入工序、所述質(zhì)子注入工序和所述加熱工序來制造碳化硅半導(dǎo)體裝置。

      7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的碳化硅半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征在于,

      在所述加熱工序中,對所述質(zhì)子通過區(qū)進行加熱。

      8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的碳化硅半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征在于,

      在所述加熱工序中,通過從所述n型半導(dǎo)體基板的一個主表面照射激光的激光退火來對所述質(zhì)子通過區(qū)進行加熱。

      9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的碳化硅半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征在于,還包括:第四形成工序,在所述n型半導(dǎo)體基板的一個主表面形成金屬膜,所述金屬膜與所述n型半導(dǎo)體基板形成歐姆接觸,

      在所述第一形成工序中,通過從所述n型半導(dǎo)體基板的一個主表面照射激光的激光退火來使所述雜質(zhì)活化,

      在所述第一形成工序之后進行所述第四形成工序。

      10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的碳化硅半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征在于,

      在所述加熱工序之后進行所述第四形成工序。

      11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的碳化硅半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征在于,還包括:第四形成工序,在所述n型半導(dǎo)體基板的一個主表面形成金屬膜,所述金屬膜與所述n型半導(dǎo)體基板形成歐姆接觸,

      在所述加熱工序之后進行所述第四形成工序。

      12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的碳化硅半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征在于,

      所述加熱工序的溫度比用于形成所述歐姆接觸的熱處理溫度高。

      13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征在于,

      所述加熱工序的溫度為900℃以上且1300℃以下。

      14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的碳化硅半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征在于,

      所述加熱工序的溫度為1000℃以上且1200℃以下。

      15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的碳化硅半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征在于,

      所述加熱工序的溫度為1100℃以上。

      16.根據(jù)權(quán)利要求1~15中任一項所述的碳化硅半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征在于,在所述雜質(zhì)導(dǎo)入工序之前,還包括:在所述n型半導(dǎo)體基板的另一個主表面?zhèn)刃纬山^緣柵雙極型晶體管的正面元件結(jié)構(gòu)的工序,

      在所述雜質(zhì)導(dǎo)入工序中導(dǎo)入p型的所述雜質(zhì),

      在所述第一形成工序中,形成成為p型集電層的p型的所述擴散層。

      17.根據(jù)權(quán)利要求1~15中任一項所述的碳化硅半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征在于,在所述雜質(zhì)導(dǎo)入工序之前,還包括:在所述n型半導(dǎo)體基板的另一個主表面?zhèn)刃纬啥O管的正面元件結(jié)構(gòu)的工序,

      在所述雜質(zhì)導(dǎo)入工序中導(dǎo)入n型的所述雜質(zhì),

      在所述第一形成工序中,形成成為n型陰極層的n型的所述擴散層。

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