1.一種化合物-半導體光伏電池，包括：
第一光電轉(zhuǎn)換電池，該第一光電轉(zhuǎn)換電池由晶格匹配于砷化鎵(GaAs)或鍺(Ge)的第一化合物-半導體材料制成；
第一隧道結(jié)層，該第一隧道結(jié)層被布置在光入射方向上比所述第一光電轉(zhuǎn)換電池更遠的深側(cè)上并包括第一正型(p-型)鋁鎵銦砷化物((Alx1Ga1-x1)y1In1-y1As(0≦x1<1,0<y1≦1))層以及第一負型(n-型)鋁鎵銦磷化物((Alx2Ga1-x2)y2In1-y2P(0≦x2<1,0<y2<1))層；以及
第二光電轉(zhuǎn)換電池，該第二光電轉(zhuǎn)換電池被布置在光入射方向上比第一隧道結(jié)層更遠的深側(cè)上，并且由基于GaAs的半導體材料的第二化合物-半導體材料制成，其中第一光電轉(zhuǎn)換電池和第二光電轉(zhuǎn)換電池經(jīng)由第一隧道結(jié)層被結(jié)合，以及第一n-型(Alx2Ga1-x2)y2In1-y2P層的晶格常數(shù)大于第一光電轉(zhuǎn)換電池的晶格常數(shù)。
2.如權利要求1中所述的化合物-半導體光伏電池，其中第一光電轉(zhuǎn)換電池的第一化合物-半導體材料是鋁鎵銦磷化物((Alx3Ga1-x3)y3In1-y3P(0≦x3<1,0<y3<1))。
3.如權利要求1或2所述的化合物-半導體光伏電池，其中第一光電轉(zhuǎn)換電池帶隙大于1.9eV(電子伏特)。
4.如權利要求1到3中的任一項所述的化合物-半導體光伏電池，其中第一隧道結(jié)層進一步包括第二n-型鋁鎵銦磷化物((Alx4Ga1-x4)y4In1-y4P)層，其形成在第一n-型(Alx2Ga1-x2)y2In1-y2P層的第二光電轉(zhuǎn)換電池的側(cè)面上并且晶格匹配于砷化鎵或鍺。
5.如權利要求4所述的化合物-半導體光伏電池，其中第二n-型(Alx4Ga1-x4)y4In1-y4P層的鋁(Al)的構成大于第一n-型(Alx2Ga1-x2)y2In1-y2P層的Al的構成。
6.如權利要求4所述的化合物-半導體光伏電池，其中第一n-型((Alx2Ga1-x2)y2In1-y2P層是不包括Al的n-型鎵銦磷化物(GaInP)層。
7.如權利要求1-6中的任一項所述的化合物-半導體光伏電池，其中第一隧道結(jié)層進一步包括第二p-型鋁鎵銦砷化物((Alx5Ga1-x5)y5In1-y5As(0<x5<1,0<y5≦1))層，其形成在第一p-型(Alx1Ga1-x1)y1In1-y1As層的第一光電轉(zhuǎn)換電池的側(cè)面上，以及其中第二p-型(Alx5Ga1-x5)y5In1-y5As層的鋁(Al)的構成大于第一p-型(Alx1Ga1-x1)y1In1-y1A層的鋁的構成。
8.如權利要求1到7中的任一項所述的化合物-半導體光伏電池，進一步包括：
第一結(jié)層，該第一結(jié)層由第三化合物-半導體材料制成并且形成在光入射方向上的第二光電轉(zhuǎn)換電池的深側(cè)上；
化合物-半導體基板；
一個或更多個第三光電轉(zhuǎn)換電池，每個都由第四化合物-半導體材料制成并層疊在化合物-半導體基板上；以及
第二結(jié)層，該第二結(jié)層由第五化合物-半導體材料制成并且被層疊在一個或更多個第三光電轉(zhuǎn)換電池上，其中與連接到第二光電轉(zhuǎn)換電池的表面相反的第一結(jié)層的表面和與連接到第三光電轉(zhuǎn)換電池的表面相反的第二結(jié)層的表面被結(jié)合。
9.如權利要求1-7中的任一項所述的化合物-半導體光伏電池，進一步包括：
第二隧道結(jié)層，該第二隧道結(jié)層被布置在光入射方向上比第二光電轉(zhuǎn)換電池更遠的深側(cè)上并且包括第二p-型(Alx6Ga1-x6)y6In1-y6As(0≦x6<1,0<y6≦1)層和第二n-型(Alx7Ga1-x7)y7In1-y7P(1≦x7<1,0<y7<1)層；以及
第三光電轉(zhuǎn)換電池，該第三光電轉(zhuǎn)換電池被布置在光入射方向上比第二隧道結(jié)層更遠的深側(cè)上并且由基于砷化鎵的半導體材料或基于鍺的半導體材料制成，其中第二光電轉(zhuǎn)換電池和第三光電轉(zhuǎn)換電池經(jīng)由第二隧道結(jié)層被結(jié)合，第三光電轉(zhuǎn)換電池的帶隙小于第二光電轉(zhuǎn)換電池的帶隙，以及第二n-型(Alx7Ga1-x7)y7In1-y7P層的晶格常數(shù)大于第二光電轉(zhuǎn)換電池的晶格常數(shù)。
10.如權利要求9所述的化合物-半導體光伏電池，進一步包括：
第一結(jié)層，該第一結(jié)層由第三化合物-半導體材料制成并且形成在光入射方向上的第三光電轉(zhuǎn)換電池的深側(cè)上；
化合物-半導體基板；
一個或更多個第四光電轉(zhuǎn)換電池，每個都由第四化合物-半導體材料制成并且層疊在所述化合物-半導體基板上；
第二結(jié)層，該第二結(jié)層由第五化合物-半導體材料制成并且層疊在一個或更多個第四光電轉(zhuǎn)換電池上，其中與連接到第三光電轉(zhuǎn)換電池的表面相反的第一結(jié)層的表面和與連接到第四光電轉(zhuǎn)換電池的表面相反的第二結(jié)層的表面被結(jié)合。
11.如權利要求8或10所述的化合物-半導體光伏電池，其中所述化合物-半導體基板是磷化銦(InP)基板。
12.如權利要求10或11所述的化合物-半導體光伏電池，其中至少五個光電轉(zhuǎn)換電池在層疊方向上通過第一光電轉(zhuǎn)換電池、第二光電轉(zhuǎn)換電池、第三光電轉(zhuǎn)換電池以及包括兩個電池的第四光電轉(zhuǎn)換電池連接以形成多-結(jié)電池。
13.一種化合物-半導體光伏電池的制造方法，所述化合物-半導體光伏電池包括由第一化合物-半導體材料制成的第一光電轉(zhuǎn)換電池和由第二化合物-半導體材料制成的第二光電轉(zhuǎn)換電池，所述方法包括：
層疊所述第二光電轉(zhuǎn)換電池在化合物-半導體基板上的步驟；
層疊一隧道結(jié)層在第二光電轉(zhuǎn)換電池上的步驟，所述隧道結(jié)層包括p-型(Alx1Ga1-x1)y1In1-y1As(0≦x1<1,0<y1≦1)層和n-型(Alx2Ga1-x2)y2In1-y2P(0≦x2<1,0<y2<1)層；以及
層疊所述第一光電轉(zhuǎn)換電池在隧道結(jié)層上的步驟，其中第一化合物-半導體材料是晶格匹配于砷化鎵或鍺的化合物-半導體材料，所述第二化合物-半導體材料是基于砷化鎵的化合物-半導體材料，以及n-型(Alx2Ga1-x2)y2In1-y2P層的晶格常數(shù)大于第一光電轉(zhuǎn)換電池的晶格常數(shù)。
14.一種化合物半導體光伏電池的制造方法，包括：
在第一化合物-半導體基板上層疊第一光電轉(zhuǎn)換電池的步驟，所述第一光電轉(zhuǎn)換電池由晶格匹配于砷化鎵或鍺的第一化合物-半導體材料制成；
在第一光電轉(zhuǎn)換電池上層疊第一隧道結(jié)層的步驟，所述第一隧道結(jié)層包括第一p-型(Alx1Ga1-x1)y1In1-y1As(0≦x1<1,0<y1≦1)層和第一n-型(Alx2Ga1-x2)y2In1-y2P(0≦x2<1,0<y2<1)層；
在第一隧道結(jié)層上層疊第二光電轉(zhuǎn)換電池的步驟，所述第二光電轉(zhuǎn)換電池由基于砷化鎵的半導體材料的第二化合物-半導體材料制成；
在第二光電轉(zhuǎn)換電池上層疊第一結(jié)層的步驟，所述第一結(jié)層由第三化合物-半導體材料制成；
在第二化合物-半導體基板上層疊一個或更多個第三光電轉(zhuǎn)換電池的步驟，每個第三光電轉(zhuǎn)換電池都由第四化合物-半導體材料制成；
在一個或更多個第三光電轉(zhuǎn)換電池上層疊第二結(jié)層的步驟，所述第二結(jié)層由第五化合物-半導體材料制成；
將與連接到第二光電轉(zhuǎn)換電池的表面相反的第一結(jié)層的表面和與連接到第三光電轉(zhuǎn)換電池的表面相反的第二結(jié)層的表面結(jié)合的步驟；以及
移除第一化合物-半導體基板的步驟，其中第一n-型(Alx2Ga1-x2)y2In1-y2P層的晶格常數(shù)大于第一光電轉(zhuǎn)換電池的晶格常數(shù)。