本發(fā)明涉及例如放電燈等發(fā)光裝置。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有技術(shù)中，例如，已知的放電燈等發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)是在玻璃管內(nèi)填充惰性氣體。在現(xiàn)有的發(fā)光裝置中，一對(duì)放電用電極在從玻璃管的端部向放電空間內(nèi)突出的狀態(tài)下被固定在玻璃管中，放電誘發(fā)用電極設(shè)置在玻璃管的外周部。作為這樣的放電燈，例如有在特開平09-180677號(hào)公報(bào)公開的方案。

近年來，例如，為了搭載到便攜式終端等，放電燈等發(fā)光裝置被要求與小型化相關(guān)的改善。但現(xiàn)有的玻璃管所構(gòu)成的發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)存在難以小型化的問題。針對(duì)這樣的小型化的問題，已知如下結(jié)構(gòu)的發(fā)光裝置，即，由封裝件和與該封裝件接合的透光性構(gòu)件構(gòu)成，在容器構(gòu)件的內(nèi)部具有放電空間。作為這樣的發(fā)光裝置，例如有在特開2011-96562號(hào)公報(bào)公開的方案。

上述的由封裝件和與該封裝件接合的透光性構(gòu)件構(gòu)成的發(fā)光裝置隔著接合材料接合了封裝件和透光性構(gòu)件，在放電空間的內(nèi)部產(chǎn)生的光容易被接合材料吸收，存在發(fā)光量降低的問題。

本發(fā)明鑒于上述的問題而提出，其目的在于，提供能抑制因?qū)Ψ庋b件和透光性構(gòu)件進(jìn)行接合的接合材料而導(dǎo)致發(fā)光量降低的發(fā)光裝置。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的1個(gè)方式的發(fā)光裝置具備：容器構(gòu)件，具有在內(nèi)部設(shè)置作為放電空間的凹部的陶瓷封裝件以及堵塞所述凹部且隔著由接合材料構(gòu)成的接合層被安裝到該陶瓷封裝件的透光性無機(jī)構(gòu)件；惰性氣體，被封在所述放電空間內(nèi)；和一對(duì)放電用電極，在所述陶瓷封裝件的所述凹部?jī)?nèi)相互隔開間隔而配置一對(duì)所述放電用電極，所述接合材料由呈白色的玻璃構(gòu)成，包含氧化物系陶瓷粉末。

附圖說明

圖1(a)是表示除去接合材料的本發(fā)明的1個(gè)實(shí)施方式中的發(fā)光裝置的分解立體圖，(b)是為了說明(a)所示的發(fā)光裝置的放電誘發(fā)用電極而分解了陶瓷封裝件的分解立體圖。

圖2是表示圖1所示的發(fā)光裝置的下表面?zhèn)鹊臓顟B(tài)的立體圖。

圖3(a)是本發(fā)明的1個(gè)實(shí)施方式中的發(fā)光裝置的俯視圖，(b)是除去透光性構(gòu)件以及接合材料的發(fā)光裝置的俯視圖。

圖4(a)是在圖3(a)的A-A線切斷的截面圖，(b)是在圖3(a)的B-B線切斷的截面圖。

圖5(a)是圖4(a)中由標(biāo)號(hào)A表示的部分的放大圖，(b)是圖4(b)中由標(biāo)號(hào)B表示的部分的放大圖。

圖6(a)以及(b)分別是本發(fā)明的其他實(shí)施方式中的發(fā)光裝置的其他示例，是在圖3(a)的A-A線處切斷的截面圖。

圖7是表征在氧氣氛中的氧化鋁添加量與反射率及He泄漏率的關(guān)系的圖表。

圖8是表征在非氧氣氛中的氧化鋁添加量與反射率及He泄漏率的關(guān)系的圖表。

圖9是表征在非氧氣氛中的氧化鋁添加量與發(fā)光量的關(guān)系的圖表。

具體實(shí)施方式

以下，參考附圖來說明本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的發(fā)光裝置。另外，在發(fā)光裝置中，為了便于說明，定義正交坐標(biāo)系XYZ，并將Z方向的正側(cè)設(shè)為上方，適當(dāng)?shù)厥褂蒙媳砻?表面)或下表面的用語(yǔ)。

另外，在實(shí)施方式等的說明中，有時(shí)對(duì)與已說明過的構(gòu)成相同或類似的構(gòu)成標(biāo)注相同標(biāo)號(hào)，并省略說明。

<實(shí)施方式>

參考圖1至圖5，說明本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的發(fā)光裝置10。發(fā)光裝置10例如內(nèi)置在智能手機(jī)等便攜式終端或數(shù)字?jǐn)z像機(jī)等攝像裝置中。發(fā)光裝置10例如利用惰性氣體的放電作用，與LED相比，能瞬間發(fā)出大光量的閃光。

本發(fā)明的一實(shí)施方式所涉及的發(fā)光裝置10是圖1至圖5所示那樣的構(gòu)成，具備容器構(gòu)件1、惰性氣體6和一對(duì)放電用電極4。容器構(gòu)件1具有：陶瓷封裝件2，在內(nèi)部設(shè)有作為放電空間的凹部2b；和透光性構(gòu)件3，隔著由接合材料7構(gòu)成的接合層7a與陶瓷封裝件2相接合，以堵塞凹部2b，是透光性無機(jī)構(gòu)件。另外，一對(duì)放電用電極4設(shè)置在陶瓷封裝件2的對(duì)置的側(cè)壁2a上，并具有相互對(duì)置地配置的對(duì)置部4b。并且接合材料7是呈白色的玻璃，包含氧化物系陶瓷粉末。另外，發(fā)光裝置10的光射出方向是Z方向的正側(cè)。

另外，發(fā)光裝置10為了在放電空間S中使放電的啟動(dòng)變得容易，也可以在陶瓷封裝件2內(nèi)具備放電誘發(fā)用電極5。在發(fā)光裝置10中，環(huán)狀的放電誘發(fā)用電極5在陶瓷封裝件2的內(nèi)部被設(shè)置成位于一對(duì)放電用電極4的下方，且包圍凹部2b。另外，一對(duì)放電用電極4在俯視透視下，對(duì)置部4b位于比放電誘發(fā)用電極5的內(nèi)周更靠?jī)?nèi)側(cè)的位置處。

通過這樣的構(gòu)成，發(fā)光裝置10實(shí)現(xiàn)了小型化并容易在一對(duì)放電用電極4間產(chǎn)生放電。另外，在發(fā)光裝置10中，由于容器構(gòu)件1能在陶瓷封裝件2的內(nèi)部充分確保放電空間S，并能增大放電用電極4的電極面積，因此能在一對(duì)放電用電極4間有效果地產(chǎn)生放電。

另外，發(fā)光裝置10具備環(huán)狀的放電誘發(fā)用電極5，從而能使惰性氣體6整體離子化，特別是能使放電用電極4附近的惰性氣體6離子化，因此容易在一對(duì)放電用電極4間產(chǎn)生放電。如此，在發(fā)光裝置10中，放電誘發(fā)用電極5使放電的啟動(dòng)變得容易，同時(shí)一對(duì)放電用電極4能有效果地引發(fā)放電。

發(fā)光裝置10是放電燈，利用在一對(duì)放電用電極4間的惰性氣體6的放電所引起的發(fā)光。另外，容器構(gòu)件1和對(duì)置的一對(duì)放電用電極4及放電誘發(fā)用電極5構(gòu)成了發(fā)光管(放電管)，容器構(gòu)件1包括陶瓷封裝件2以及與陶瓷封裝件2的側(cè)壁2a接合的透光性構(gòu)件3。例如，智能手機(jī)等便攜式終端裝置為了拍攝被攝體而具有攝像機(jī)功能，具備在夜間等暗處攝影時(shí)的照明光源。發(fā)光裝置10構(gòu)成為使發(fā)光管(放電管)放電來產(chǎn)生閃光，能用在智能手機(jī)等便攜式終端裝置中。另外，發(fā)光裝置10的用途并不限于照明光源，例如能用在快速加熱等在短時(shí)間內(nèi)需要高輸出的能量的用途等中。

容器構(gòu)件1包括：陶瓷封裝件2；和隔著由接合材料7構(gòu)成的接合層7a而安裝在陶瓷封裝件2的側(cè)壁2a的透光性構(gòu)件3。容器構(gòu)件1具有放電空間S，由陶瓷封裝件2和透光性構(gòu)件3劃定放電空間S。

另外，放電用電極4是指，為了根據(jù)電位差使氣體產(chǎn)生絕緣擊穿使得電流流過氣體而使用的電極，有陽(yáng)極和陰極，是一對(duì)。另外，放電誘發(fā)用電極是指，為了在放電空間內(nèi)開始放電而追加設(shè)置在放電用電極4的電極，是通過使一對(duì)放電用電極4間的氣體(惰性氣體)離子化來容易啟動(dòng)放電的電極。另外，放電誘發(fā)用電極5也稱作觸發(fā)電極。

發(fā)光裝置10中，如圖1至圖5所示那樣，陶瓷封裝件2在對(duì)置的側(cè)壁2a具有一對(duì)高低差部2c，在該一對(duì)高低差部2c設(shè)置一對(duì)放電用電極4。另外，在發(fā)光裝置10中，長(zhǎng)邊方向(X方向)的長(zhǎng)度例如為3.2mm～50mm，短邊方向(Y方向)的長(zhǎng)度例如為1.2mm～30mm，高度例如為0.3mm～5mm，具備圖1至圖5所示那樣的構(gòu)成，能實(shí)現(xiàn)小型化、薄型化或低高度化。

容器構(gòu)件1的陶瓷封裝件2在對(duì)置的側(cè)壁2a具有一對(duì)高低差部2c，在該一對(duì)高低差部2c設(shè)置一對(duì)放電用電極4，以下對(duì)這樣的構(gòu)成進(jìn)行說明。另外，如后述那樣，在發(fā)光裝置10中，一對(duì)放電用電極4只要被設(shè)置成一部分在放電空間S內(nèi)露出，在一對(duì)放電用電極4之間產(chǎn)生放電即可。

如圖1所示那樣，在陶瓷封裝件2中設(shè)置被側(cè)壁2a包圍而成為放電空間S的凹部2b。關(guān)于該凹部2b的形狀，并不限于圖4(b)所示的截面視圖形狀為矩形，只要是在作為放電空間S的凹部2b中產(chǎn)生放電所引起的發(fā)光的截面視圖形狀即可。凹部2b的形狀例如可以是截面視圖形狀為V型形狀，也可以是從陶瓷封裝件2的上方側(cè)向下方側(cè)開口的寬度逐漸變窄的形狀。

容器構(gòu)件1為了在陶瓷封裝件2中設(shè)置一對(duì)放電用電極4，在對(duì)置的側(cè)壁2a(X方向的對(duì)置的側(cè)壁2a)分別設(shè)置了高低差部2c，這些高低差部2c構(gòu)成一對(duì)高低差部2c。即，陶瓷封裝件2利用周緣部的4個(gè)側(cè)壁2a包圍包含中央部的區(qū)域來設(shè)置了凹部2b，在長(zhǎng)邊方向(X方向)上，在相互對(duì)置的一對(duì)側(cè)壁2a的內(nèi)周側(cè)設(shè)置一對(duì)高低差部2c，在該一對(duì)高低差部2c設(shè)置一對(duì)放電用電極4。如此，容器構(gòu)件1通過在長(zhǎng)邊方向(X方向)上的一對(duì)高低差部2c設(shè)置一對(duì)放電用電極4，從而在放電空間S內(nèi)在距離長(zhǎng)的長(zhǎng)邊方向(X方向)上引發(fā)放電，激發(fā)更多的惰性氣體6，因此能提升發(fā)光效率。

另外，容器構(gòu)件1也可以為了在陶瓷封裝件2中設(shè)置一對(duì)放電用電極4，在短邊方向(Y方向)上，在相互對(duì)置的側(cè)壁2a(Y方向上對(duì)置的側(cè)壁2a)設(shè)置一對(duì)高低差部2c。容器構(gòu)件1由于在短邊方向(Y方向)上設(shè)置一對(duì)放電用電極4來縮短了一對(duì)放電用電極4間的距離，因此容易在放電空間S產(chǎn)生放電。

如圖4所示，放電用電極4設(shè)置在高低差部2c中，截面視圖下，與凹部2b的底面2ba(X軸)大致平行地設(shè)置高低差部2c的上表面。另外，所謂大致平行是指，高低差部2c的上表面與凹部2b的底面2ba(X軸)所成的角度在0°～±5°的范圍內(nèi)。另外，角度0°是高低差部2c的上表面與底面2ba平行的情況。

另外，高低差部2c的上表面也可以朝向凹部2b的底面2ba傾斜。即，高低差部2c可以是上表面相對(duì)于凹部2b的底面2ba(X軸)在10°～60°的范圍內(nèi)傾斜。通過在傾斜的高低差部2c的上表面設(shè)置一對(duì)放電用電極4，雖然是虛設(shè)，但一對(duì)放電用電極4增加了相互面對(duì)面的面積。若這樣一對(duì)放電用電極4的對(duì)置的面積增加，則能抑制電極壽命的降低。

另外，一對(duì)高低差部2c設(shè)置在陶瓷封裝件2的側(cè)壁2a的內(nèi)周側(cè)，距凹部2b的底面2ba的高度大致相同。一對(duì)高低差部2c距底面2ba的高度(側(cè)面2ca的高度)例如是10μm～500μm。另外，所謂大致相同是指，另一方高低差部2c距底面2ba的高度相對(duì)于一方的高低差部2c距底面2ba的高度在65％～135％的范圍內(nèi)。

另外，陶瓷封裝件2實(shí)質(zhì)上由絕緣材料構(gòu)成，俯視時(shí)具有大致矩形形狀。作為陶瓷封裝件2的絕緣材料的示例，例如能舉出陶瓷材料或環(huán)氧樹脂或聚酯樹脂等樹脂材料。另外，陶瓷封裝件2例如由陶瓷材料這樣絕緣性的呈白色的材料構(gòu)成。并且陶瓷封裝件2為了在陶瓷封裝件2的凹部2b的內(nèi)壁面有效地反射通過放電產(chǎn)生的光，例如能使用由在可見光區(qū)域(約400nm至800nm的波長(zhǎng)范圍)的全部波長(zhǎng)下反射率為70％以上的呈白色的材料構(gòu)成的封裝件。作為這樣的材料的示例，能舉出氧化鋁質(zhì)燒結(jié)體(氧化鋁陶瓷)或低溫同時(shí)燒成陶瓷等。通過陶瓷封裝件2呈白色，能提高陶瓷封裝件2的凹部2b的內(nèi)壁面的反射率，因此能抑制發(fā)光量的降低。另外，容器構(gòu)件1通過包含由陶瓷構(gòu)成的陶瓷封裝件2，使用耐性可得到改善。

如圖1以及圖2所示那樣，陶瓷封裝件2具有大致矩形形狀是指，包含例如以降低運(yùn)送時(shí)或安裝時(shí)等情況下的損傷的可能性為目的，在陶瓷封裝件2的4個(gè)角部分具有向內(nèi)側(cè)方向曲線狀凹陷的結(jié)構(gòu)的形狀，還包含4個(gè)角部分具有被C倒角或R倒角的結(jié)構(gòu)的形狀。另外，俯視是指，在圖1中，基于從上方向Z軸的負(fù)方向的視線進(jìn)行觀察。該曲線狀的凹陷在陶瓷封裝件2的角部從陶瓷封裝件2的上表面直到下表面被設(shè)置成槽狀。該凹陷的橫截面形狀具有曲面形狀。

另外，陶瓷封裝件2具有大致矩形形狀是指，為了如圖1以及圖2所示那樣在容器構(gòu)件1的下表面?zhèn)仍O(shè)置與放電用電極4連接的外部電極4a以及與放電誘發(fā)用電極5連接的外部電極5a，也可以包括在容器構(gòu)件1的側(cè)面具有朝向內(nèi)側(cè)方向曲線狀凹陷的結(jié)構(gòu)的形狀。在該情況下，在該曲線狀的凹坑的壁面分別設(shè)置外部電極4a以及外部電極5a。另外，發(fā)光裝置10能作成在容器構(gòu)件1的下表面具有外部電極4a、5a的表面安裝型。并且發(fā)光裝置10能實(shí)現(xiàn)小型化、薄型化或低高度化，例如能搭載在電子設(shè)備等中。電子設(shè)備例如是數(shù)字?jǐn)z像機(jī)、帶攝像機(jī)的移動(dòng)電話、帶攝像機(jī)的智能手機(jī)等。

另外，曲線狀的凹坑與上述的曲線狀的凹陷一樣，都是在陶瓷封裝件2的側(cè)面從陶瓷封裝件2的上表面直到下表面被設(shè)置成槽狀。該凹坑的橫截面形狀具有曲面形狀，例如是半圓形狀。另外，該凹坑的橫截面形狀并不限于半圓形，也可以是半長(zhǎng)圓形或半橢圓形等，形狀并沒有特別限定。

透光性構(gòu)件3是俯視下具有大致矩形形狀的透光性無機(jī)構(gòu)件，隔著由接合材料7構(gòu)成的接合層7a與陶瓷封裝件2的側(cè)壁2a的上表面接合，以堵塞陶瓷封裝件2的凹部2b。在透光性構(gòu)件3中，大致矩形形狀以降低例如組裝等時(shí)的損傷的可能性為目的，包含在4個(gè)角部分具有向外側(cè)方向曲線狀膨脹的結(jié)構(gòu)的形狀。

另外，在發(fā)光裝置10中，也可以如圖3至圖5所示那樣，在位于陶瓷封裝件2的上表面?zhèn)鹊膫?cè)壁2a的內(nèi)周側(cè)遍布全周設(shè)置高低差部2d，隔著由接合材料7構(gòu)成的接合層7a將透光性構(gòu)件3接合在該全周的高低差部2d，以堵塞陶瓷封裝件2的凹部2b。在該情況下，容器構(gòu)件1在內(nèi)部具有由陶瓷封裝件2和透光性構(gòu)件3形成的中空的放電空間S，其中，透光性構(gòu)件3隔著由接合材料7構(gòu)成的接合層7a與陶瓷封裝件2的側(cè)壁2a接合，以堵塞凹部2b。

在此，透光性構(gòu)件3的透光性是指，通過放電空間S內(nèi)的發(fā)光而輻射的光的至少一部分波長(zhǎng)能透過。構(gòu)成透光性構(gòu)件3的透光性無機(jī)構(gòu)件實(shí)質(zhì)上由絕緣材料構(gòu)成。作為絕緣材料的示例是玻璃，例如是硼硅酸玻璃或石英玻璃等。另外，將在后面詳細(xì)敘述隔著由接合材料7構(gòu)成的接合層7a使陶瓷封裝件2與透光性構(gòu)件3接合的情況。

放電空間S在俯視下具有大致矩形形狀。在放電空間S內(nèi)，大致矩形形狀是指，例如以降低組裝等時(shí)的損傷的可能性為目的，包含在4個(gè)角部分具有向外側(cè)方向曲線狀膨脹的結(jié)構(gòu)的形狀。另外，在容器構(gòu)件1中，由凹部2b和透光性構(gòu)件3劃定放電空間S，其中，凹部2b由在縱截面具有陶瓷封裝件2的高低差部2c的側(cè)壁2a形成。

在放電空間S內(nèi)封入惰性氣體6。惰性氣體6例如是以氙(Xe)、氪(Kr)、氬(Ar)、氖(Ne)、氦(He)為主成分的氣體或它們的混合氣體。

如圖3所示那樣，一對(duì)放電用電極4其一端部側(cè)(側(cè)面2ca側(cè))設(shè)置在高低差部2c，從而上表面的一部分在放電空間S內(nèi)露出，另一端部側(cè)的剩余的部分設(shè)置在陶瓷封裝件2的側(cè)壁2a的內(nèi)部。在圖4中，一對(duì)放電用電極4被設(shè)置成前端與高低差部2c的側(cè)面2ca成為同一面。另外，只要對(duì)置部4b位于比放電誘發(fā)用電極5的內(nèi)周更靠?jī)?nèi)側(cè)的位置處，則一對(duì)放電用電極4就可以以位于比高低差部2c的側(cè)面2ca更靠外側(cè)的位置處的方式被設(shè)置在高低差部2c的上表面。

如圖3所示那樣，一對(duì)放電用電極4設(shè)置在陶瓷封裝件2的相互對(duì)置的側(cè)壁2a的高低差部2c，具有相互對(duì)置配置的對(duì)置部4b。如此，一對(duì)放電用電極4被設(shè)置成對(duì)置部4b在放電空間S內(nèi)位于相互對(duì)置的位置處。即，一對(duì)放電用電極4為了在放電空間S內(nèi)產(chǎn)生放電，設(shè)置在陶瓷封裝件2的側(cè)壁2a的高低差部2c的上表面，至少一部分在放電空間S內(nèi)露出。

另外，如圖4所示那樣，放電用電極4被設(shè)置成覆蓋高低差部2c的上表面的全部。另外，放電用電極4設(shè)置在高低差部2c的上表面，使高低差部2c的上表面的Y方向上的兩側(cè)的一部分露出。

由于一對(duì)放電用電極4設(shè)置在高低差部2c的上表面，因此難以出現(xiàn)在放電用電極4與陶瓷封裝件2的底面2ba之間的放電，能抑制發(fā)光效率的降低。

另外，如圖3所示那樣，一對(duì)放電用電極4彼此的前端部是對(duì)置部4b，前端彼此相互對(duì)置地配置在放電空間S內(nèi)。另外，一對(duì)放電用電極4的對(duì)置部4b間的間隔例如是3mm～20mm。

另外，對(duì)置的一對(duì)高低差部2c各自的高度(側(cè)面2ca的高度)被設(shè)置成，另一方高低差部2c距底面2ba的高度相對(duì)于一方的高低差部2c距底面2ba的高度在65％～135％的范圍內(nèi)。因此，在Z方向上，一對(duì)高低差部2c各自的高度處于上述的范圍內(nèi)，在該高低差部2c設(shè)置一對(duì)放電用電極4時(shí)，一對(duì)放電用電極4具有相互對(duì)置配置的對(duì)置部4b。即，在Z方向上，一對(duì)放電用電極4的對(duì)置部4b可以在上述的范圍內(nèi)錯(cuò)開。另外，一對(duì)放電用電極4只要具有在Z方向上相互對(duì)置配置的對(duì)置部4b即可，放電用電極4可以在Y方向上錯(cuò)開。

如圖1至圖3所示那樣，一對(duì)放電用電極4在陶瓷封裝件2的長(zhǎng)邊方向(X方向)上的各個(gè)側(cè)面，從容器構(gòu)件1的放電空間S內(nèi)通過外部電極4a被引出到容器構(gòu)件1的下表面?zhèn)龋烹娪秒姌O4和外部電極4a電連接，且物理上也連接。另外，外部電極4a還包含設(shè)置在容器構(gòu)件1的下表面的電極。另外，外部電極4a的材料例如是鎢、鉬、錳、鍶、鑭或鉑等。

另外，一對(duì)放電用電極4當(dāng)中一方的放電用電極4是陽(yáng)極，另一方的放電用電極4是陰極。在放電用電極4是陽(yáng)極的情況下，放電用電極4的材料例如是含鎢等的高熔點(diǎn)金屬。另外，在放電用電極4是陰極的情況下，放電用電極4的材料例如除了作為主成分的鎢以外還可包含電子釋放特性卓越的氧化鑭、氧化釔或氧化鈰。放電用電極4的電極的厚度例如是5μm～500μm。

如圖3所示那樣，放電誘發(fā)用電極5具有環(huán)狀的形狀，位于一對(duì)放電用電極4的下方，并在俯視透視下以包圍凹部2b的方式被設(shè)置在陶瓷封裝件2的內(nèi)部。另外，如圖2所示那樣，放電誘發(fā)用電極5具有環(huán)狀的形狀，被設(shè)置成包圍凹部2b的底面2ba(底部)。在凹部2b為V型形狀的情況下，放電誘發(fā)用電極5能設(shè)置在陶瓷封裝件2的內(nèi)部，位于一對(duì)放電用電極4的下方，并且包圍凹部2b的底面2ba(底部)，或者接近凹部2b的內(nèi)壁面。另外，在圖3(b)中用點(diǎn)線表示了放電誘發(fā)用電極5。

如此，由于環(huán)狀的放電誘發(fā)用電極5設(shè)置在陶瓷封裝件2的內(nèi)部，包圍凹部2b的底面2ba且不在放電空間S露出，因此在發(fā)光裝置10中，在放電空間S內(nèi)難以出現(xiàn)放電誘發(fā)用電極5引起的發(fā)光的漫反射。另外，在發(fā)光裝置10中，由于為了不妨礙發(fā)光，環(huán)狀的放電誘發(fā)用電極5設(shè)置在一對(duì)放電用電極4的下方的陶瓷封裝件2的內(nèi)部，不在放電空間S露出，因此抑制了發(fā)光量的降低。

另外，放電誘發(fā)用電極5設(shè)置在容器構(gòu)件1的陶瓷封裝件2的內(nèi)部，位于一對(duì)放電用電極4的下方，不在放電空間S內(nèi)露出。即，由于放電誘發(fā)用電極5如圖3以及圖4所示那樣設(shè)置在陶瓷封裝件2的內(nèi)部的側(cè)壁2a的周邊部，因此能在X方向或Z方向上縮短放電用電極4與放電誘發(fā)用電極5的距離。由此，通過放電誘發(fā)用電極5容易誘發(fā)放電空間S內(nèi)的放電。另外，如圖3所示那樣，一對(duì)放電用電極4在俯視透視下，對(duì)置部4b位于比環(huán)狀的放電誘發(fā)用電極5的內(nèi)周更靠?jī)?nèi)側(cè)的位置處。

另外，放電誘發(fā)用電極5的電極的厚度例如是5μm～300μm，電極的寬度例如是30μm～500μm。

另外，在俯視透視下放電用電極4和放電誘發(fā)用電極5重合的區(qū)域內(nèi)，Z方向上的放電用電極4與放電誘發(fā)用電極5的間隔例如為25μm～300μm。只要是環(huán)狀的放電誘發(fā)用電極5不與放電用電極4接觸的范圍，就能為了容易誘發(fā)放電而縮短距離。

另外，陶瓷封裝件2的側(cè)壁2a的內(nèi)周面(側(cè)面2ca)與放電誘發(fā)用電極5的內(nèi)周的距離例如是10μm～500μm。只要是環(huán)狀的放電誘發(fā)用電極5不在側(cè)壁2a的內(nèi)周面露出的范圍，就能為了容易誘發(fā)放電而縮短該距離。

如圖1至圖3所示那樣，放電誘發(fā)用電極5在陶瓷封裝件2的短邊方向(Y方向)的各個(gè)側(cè)面，從容器構(gòu)件1的內(nèi)部通過外部電極5a被引出到容器構(gòu)件1的下表面?zhèn)龋烹娬T發(fā)用電極5和外部電極5a電連接，且物理上也連接。另外，外部電極5a還包含設(shè)置在容器構(gòu)件1的下表面的電極。另外，外部電極5a的材料例如是鎢、鉬、鍶、鑭、錳或鉑等。另外，放電誘發(fā)用電極5的材料例如是鎢、鉬、鍶、鑭、錳或鉑等高熔點(diǎn)金屬。發(fā)光裝置10通過包含放電誘發(fā)用電極5而變得能進(jìn)行預(yù)放電。因此，發(fā)光裝置10因一對(duì)放電用電極4以及放電誘發(fā)用電極5而其主放電的開始變得穩(wěn)定。

如上所述，如圖3至圖5所示那樣，透光性構(gòu)件3隔著由接合材料7構(gòu)成的接合層7a與陶瓷封裝件2的側(cè)壁2a接合。另外，如圖3至圖5所示那樣，發(fā)光裝置10中，在陶瓷封裝件2的側(cè)壁2a的內(nèi)周側(cè)遍布全周設(shè)置有高低差部2d，透光性構(gòu)件3隔著由接合材料7構(gòu)成的接合層7a與該高低差部2d接合。

接合材料7是呈白色的玻璃，由于在該玻璃中包含氧化物系陶瓷粉末，因此氧化物系陶瓷粉末的分子存在于玻璃的分子間。特別是，為了使陶瓷封裝件2與作為透光性構(gòu)件3的材料的玻璃等的接合性良好，能使用低熔點(diǎn)玻璃。低熔點(diǎn)玻璃是指熔點(diǎn)在400℃～650℃的范圍的玻璃。

接合材料7例如是在以氧化鉍、氧化鋅或氧化硅為主成分的低熔點(diǎn)玻璃中添加氧化鋁(氧化鋁、Al₂O₃)粉末或氧化鋯(二氧化鋯、ZrO₂)粉末作為氧化物系陶瓷粉末而得到。

使用3輥研磨機(jī)，將低熔點(diǎn)玻璃以及氧化物系陶瓷粉末在分別相同程度的粒徑的粉末狀態(tài)下混合并膏化。因此，添加到低熔點(diǎn)玻璃內(nèi)的氧化物系陶瓷粉末處于均勻分散在低熔點(diǎn)玻璃內(nèi)的狀態(tài)，玻璃的熔融溫度不會(huì)大幅變化。另外，由于低熔點(diǎn)玻璃以及氧化物系陶瓷粉末都是氧化物，因此兩者之間接合性良好，難以在低熔點(diǎn)玻璃與氧化物系陶瓷粉末之間出現(xiàn)空隙等。另外，關(guān)于氧化鉍系低熔點(diǎn)玻璃，能通過基于氧化鋅、氧化硅、氧化硼、堿土類金屬氧化物的微量添加的組成控制來調(diào)整熱膨脹系數(shù)、玻璃過度點(diǎn)、軟化溫度等玻璃特性，因此能進(jìn)行與接合對(duì)象物匹配的材料設(shè)計(jì)。

另外，陶瓷封裝件2與透光性構(gòu)件3的接合例如在加熱溫度500℃～700℃下進(jìn)行。在此，以氧化鉍、氧化鋅或氧化硅為主成分的低熔點(diǎn)玻璃是指，該主成分以50～90質(zhì)量％構(gòu)成，作為剩余成分而包含氧化鉍、氧化鋅、氧化硅、氧化硼、堿土類金屬氧化物中的任一種的玻璃。

另外，氧化物系陶瓷粉末例如是指，在可見光區(qū)域(約400nm至800nm的波長(zhǎng)范圍)的全部波長(zhǎng)下反射率為70％以上的呈白色的材料所構(gòu)成的粉末，作為這樣的材料，除了氧化鋁以外例如還有氧化鋯等。另外，由于氧化物系陶瓷粉末呈白色，因此能通過添加到低熔點(diǎn)玻璃中來提高反射率。

如此，發(fā)光裝置10如圖3至圖5所示那樣，陶瓷封裝件2和透光性構(gòu)件3隔著由接合材料7構(gòu)成的接合層7a被接合，接合層7a位于高低差部2d與透光性構(gòu)件3之間，接合層7a的一部分面向放電空間S內(nèi)。

具體地，接合材料7是在以氧化鉍為主成分的低熔點(diǎn)玻璃中添加氧化鋁粉末或氧化鋯粉末而得到的，例如在含Bi₂O₃/SiO₂/B₂O₃的低熔點(diǎn)玻璃中添加了氧化鋁粉末。另外，在以氧化鋅為主成分的低熔點(diǎn)玻璃中添加氧化鋁粉末或氧化鋯粉末而得到，例如在含ZnO/SiO₂/B₂O₃/R₂O(R是堿金屬，鋰、鈉或鉀)的低熔點(diǎn)玻璃中添加了氧化鋁粉末或氧化鋯粉末。另外，在以氧化硅為主成分的低熔點(diǎn)玻璃中添加氧化鋁粉末或氧化鋯粉末而得到，例如在含SiO₂/RO/R₂O(R是堿金屬，鋰、鈉或鉀)的低熔點(diǎn)玻璃中添加了氧化鋁粉末。

在此，作為接合材料7，呈白色的低熔點(diǎn)玻璃以氧化鉍為主成分，氧化物系陶瓷粉末是氧化鋁粉末，以下對(duì)這樣的情況進(jìn)行說明。

在圖7中示出了氧化鋁添加量(質(zhì)量％)與反射率的關(guān)系以及氧化鋁添加量(質(zhì)量％)與He泄漏率的關(guān)系。在圖7中示出了在氧氣氛中陶瓷封裝件2和透光性構(gòu)件3通過接合材料7被接合時(shí)的氧化鋁粉末添加量(質(zhì)量％)與反射率的關(guān)系以及氧化鋁粉末添加量(質(zhì)量％)與He泄漏率的關(guān)系。

另外，關(guān)于接合材料7，在氧化鋁粉末添加量為0質(zhì)量％的情況下，僅是低熔點(diǎn)玻璃，而在氧化鋁粉末添加量為100質(zhì)量％的情況下，僅是氧化鋁粉末。其中，在氧化鋁粉末添加量為100質(zhì)量％的情況下，起不到作為接合材料的作用。另外，表示接合材料7在例如氧化鋁粉末添加量為40質(zhì)量％的情況下低熔點(diǎn)玻璃為60質(zhì)量％。

在此，以下分別說明圖7所示的反射率和He泄漏率。

反射率表示針對(duì)以氧化鉍為主成分的低熔點(diǎn)玻璃改變氧化鋁粉末的添加量時(shí)的值。在透光性構(gòu)件3上涂布100nm程度的厚度的添加了氧化鋁粉末的低熔點(diǎn)玻璃，使用施加了與陶瓷封裝件2的制造工藝相同熱履歷而制作出的樣本，通過分光光度計(jì)在可見光區(qū)域測(cè)定了反射率。

另外，He泄漏率通過He泄漏試驗(yàn)得到，用于評(píng)價(jià)陶瓷封裝件2與透光性構(gòu)件3的接合帶來的容器構(gòu)件1的氣密性。關(guān)于測(cè)定方法，首先，將容器構(gòu)件1(接合了陶瓷封裝件2和透光性構(gòu)件3的構(gòu)件)放置在He加壓下。然后，假設(shè)在被置于He加壓下的容器構(gòu)件1中存在泄漏路徑(氣密性被破壞的部分)的情況下，He從泄漏路徑進(jìn)入到容器構(gòu)件1的內(nèi)部。因此，對(duì)進(jìn)入到容器構(gòu)件1的內(nèi)部的He進(jìn)行真空抽取，從而將其有效地從容器構(gòu)件1的內(nèi)部取出，能根據(jù)檢測(cè)到的He氣體量來求取He泄漏率。

容器構(gòu)件1中，隔著由接合材料7構(gòu)成的接合層7a，在陶瓷封裝件2上安裝透光性構(gòu)件3，接合層7a位于側(cè)壁2a的高低差部2d與透光性構(gòu)件3之間，接合層7a的一部分面向放電空間S內(nèi)。因此，在容器構(gòu)件1的放電空間S內(nèi)因一對(duì)放電用電極4間的放電而產(chǎn)生的光其一部分入射到接合層7a。例如，入射到接合層7a的光之中，一部分光被接合層7a反射，剩余的光透過接合層7a而在內(nèi)部擴(kuò)散并被反射后輻射到容器構(gòu)件1的內(nèi)部或外部，或者在接合層7a的內(nèi)部被吸收，因此容器構(gòu)件1容易在接合層7a處產(chǎn)生光的損失。如此，由于在接合層7a處的光的損失，發(fā)光裝置10中有可能會(huì)出現(xiàn)發(fā)光量的降低。

但是，在發(fā)光裝置10中，隔著由接合材料7構(gòu)成的接合層7a接合了陶瓷封裝件2和透光性構(gòu)件3，接合材料7在以氧化鉍為主成分的低熔點(diǎn)玻璃中添加氧化鋁粉末而得到，因此如圖7所示那樣，隨著氧化鋁粉末添加量的增加，反射率變高。例如在氧化鋁粉末添加量為10質(zhì)量％的情況下，反射率為50％，高于未添加氧化鋁粉末的氧化鋁粉末添加量為0質(zhì)量％時(shí)的反射率30％。發(fā)光裝置10通過在接合材料7中添加氧化鋁粉末，從而反射率得以提高，也可以為了進(jìn)一步提升反射率，使相對(duì)于低熔點(diǎn)玻璃的氧化鋁粉末添加量設(shè)為20質(zhì)量％以上。

因此，在發(fā)光裝置10中，入射到接合層7a的光之中，由于接合層7a的反射率變高，所以在放電空間S內(nèi)被反射的光量變多，能抑制發(fā)光量的降低。如此，通過提高接合層7a的反射率，在發(fā)光裝置10中，例如，被接合層7a反射的光入射到一對(duì)放電用電極4的上表面(表面)，入射的光在放電用電極4的上表面(表面)被反射，透過透光性構(gòu)件3后被輻射到外部，能抑制發(fā)光量的降低。另外，在發(fā)光裝置10中，被接合層7a反射的光入射到陶瓷封裝件2內(nèi)部的內(nèi)壁面，入射的光在內(nèi)壁面被反射，透過透光性構(gòu)件3后被輻射到外部，能抑制發(fā)光量的降低。

另一方面，如圖7所示那樣，隨著氧化鋁粉末添加量的增加，容易出現(xiàn)氣密性的降低，為了保持封入到容器構(gòu)件1內(nèi)部的惰性氣體6的氣密性，發(fā)光裝置10優(yōu)選使He泄漏率小于1.0×10^-10Pa·m³/sec。另外，在圖7的圖表中，將1.0×10^-10顯示為1.0E-10。因此，發(fā)光裝置10優(yōu)選將相對(duì)于低熔點(diǎn)玻璃的氧化鋁粉末添加量設(shè)為40質(zhì)量％以下。另外，從接合性或氣密性的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選將氧化鋁粉末添加量設(shè)為小于50質(zhì)量％。

因此，發(fā)光裝置10兼顧反射率和氣密性，將相對(duì)于低熔點(diǎn)玻璃的氧化鋁粉末添加量設(shè)為20質(zhì)量％以上且40質(zhì)量％以下的范圍。

另外，在圖8中示出在非氧氣氛中隔著接合材料7接合了陶瓷封裝件2和透光性構(gòu)件3時(shí)的氧化鋁粉末添加量(質(zhì)量％)與反射率的關(guān)系以及氧化鋁粉末添加量(質(zhì)量％)與He泄漏率的關(guān)系。在圖8中示出在非氧氣氛中隔著由接合材料7構(gòu)成的接合層7a接合了發(fā)光裝置10的陶瓷封裝件2和透光性構(gòu)件3時(shí)的氧化鋁粉末添加量與反射率及He泄漏率之間的關(guān)系。在圖8中，非氧氣氛是氮?dú)夥铡?/p>

一對(duì)放電用電極4為了耐受放電時(shí)的熱而使用鎢或鉬等高熔點(diǎn)金屬材料。其中，高熔點(diǎn)金屬材料有容易氧化的性質(zhì)。在作為一對(duì)放電用電極4而例如使用了鎢的情況下，若在氧氣氛中隔著由接合材料7構(gòu)成的接合層7a接合陶瓷封裝件2和透光性構(gòu)件3，則接合層7a被氧化，作為放電用電極的功能降低，變得容易出現(xiàn)放電效率的降低。進(jìn)而，若放電用電極4的氧化繼續(xù)，會(huì)變成不進(jìn)行放電。因此，在一對(duì)放電用電極4中使用容易氧化的金屬材料的情況下，為了抑制一對(duì)放電用電極4的氧化，在非氧氣氛下接合陶瓷封裝件2和透光性構(gòu)件3。

如上述那樣，陶瓷封裝件2與透光性構(gòu)件3的接合在非氧氣氛下進(jìn)行，非氧氣氛并不限于氮?dú)夥铡７茄鯕夥障碌奶沾煞庋b件2與透光性構(gòu)件3的接合例如可以是在真空下或合成氣體(氫與氨的混合氣體)環(huán)境下，只要是還原氣氛即可。另外，在真空中，因加熱，發(fā)生氧化鉍的分解(還原)，容易從低價(jià)氧化狀態(tài)變成金屬狀態(tài)。另外，在合成氣體中，因氫氣體的還原作用，氧化鉍容易從低價(jià)氧化狀態(tài)變成金屬狀態(tài)。

如圖8所示那樣，在氮?dú)夥障拢?dāng)氧化鋁粉末添加量為0質(zhì)量％的情況下，反射率為10％。其理由如下。即，在氮?dú)夥障?，若隔著由接合材?構(gòu)成的接合層7a將陶瓷封裝件2和透光性構(gòu)件3接合，則因環(huán)境中的氮的還原性，氧化鉍容易被奪去氧，從而變成低價(jià)氧化狀態(tài)。由此，接合材料7容易變成鉍的金屬成分的顏色，被黑色化，反射率比在氧氣氛下接合的情況低。因此，反射率低于在氧氣氛下氧化鋁粉末添加量為0質(zhì)量％時(shí)的反射率30％。

添加的氧化鋁粉末對(duì)低價(jià)氧化狀態(tài)的氧化鉍提供氧，由此，低價(jià)氧化狀態(tài)的氧化鉍從氧化鋁粉末得到氧，從而氧化得以進(jìn)展，能維持原本的氧化鉍的白色，因此能抑制反射率的降低。進(jìn)而，通過添加呈白色的氧化鋁粉末，也能提高反射率。

接合材料7在以氧化鉍為主成分的低熔點(diǎn)玻璃中添加氧化鋁粉末而得到，如圖8所示那樣，隨著相對(duì)于低熔點(diǎn)玻璃的氧化鋁粉末添加量的增加，反射率變高。例如，在氧化鋁粉末添加量為10％的情況下，反射率為25％，高于未添加氧化鋁粉末的氧化鋁粉末添加量為0質(zhì)量％時(shí)的反射率10％。

如此，氧化鋁粉末的添加提高反射率并向低價(jià)氧化狀態(tài)的氧化鉍提供氧，從而抑制氧化鉍變成低價(jià)氧化狀態(tài)，維持氧化鉍的白色，由此抑制反射率的降低。

發(fā)光裝置10通過添加氧化鋁粉末來提高反射率，為了進(jìn)一步提升反射率，可以將相對(duì)于低熔點(diǎn)玻璃的氧化鋁粉末添加量設(shè)為20質(zhì)量％以上。

因此，根據(jù)發(fā)光裝置10，入射到接合層7a的光因接合層7a的反射率提升而被反射到放電空間S內(nèi)的光量變多，能抑制發(fā)光量的降低。如此，根據(jù)發(fā)光裝置10，通過提升接合層7a的反射率，例如被接合層7a反射的光入射到一對(duì)放電用電極4的上表面(表面)，入射的光在放電用電極4的上表面(表面)被反射，透過透光性構(gòu)件3后被輻射到外部，能抑制發(fā)光量的降低。另外，在發(fā)光裝置10中，例如被接合層7a反射的光入射到陶瓷封裝件2內(nèi)部的內(nèi)壁面，入射的光在內(nèi)壁面被反射，透過透光性構(gòu)件3后被輻射到外部，能抑制發(fā)光量的降低。

另一方面，如圖8所示那樣，隨著氧化鋁粉末添加量的增加，容易出現(xiàn)氣密性的降低，為了保持封入到容器構(gòu)件1內(nèi)部的惰性氣體6的氣密性，可以將He泄漏率設(shè)為小于1.0×10^-10Pa·m³/sec。另外，在圖8的圖表中，將1.0×10^-10表示為1.0E-10。因此，在發(fā)光裝置10中，可以將相對(duì)于低熔點(diǎn)玻璃的氧化鋁粉末添加量設(shè)為40質(zhì)量％以下。

如此，發(fā)光裝置10中，若考慮兼顧反射率和氣密性的情況，則可以將相對(duì)于低熔點(diǎn)玻璃的氧化鋁粉末添加量設(shè)置在20質(zhì)量％以上且40質(zhì)量％以下的范圍內(nèi)。

另外，在圖9中示出了氧化鋁粉末添加量(質(zhì)量％)與發(fā)光量比率(％)的關(guān)系。在圖9中，在接合材料7的氧化鋁粉末添加量為0質(zhì)量％的情況下，只有低熔點(diǎn)玻璃，另外在氧化鋁粉末添加量為100質(zhì)量％的情況下，只有氧化鋁粉末。其中，在氧化鋁粉末添加量為100質(zhì)量％的情況下，起不到作為接合材料的作用。另外，關(guān)于接合材料7，例如在氧化鋁粉末添加量為40質(zhì)量％的情況下，表示低熔點(diǎn)玻璃為60質(zhì)量％。

在此說明圖9所示的發(fā)光量比率。發(fā)光量比率表示以氧化鋁粉末添加量為0質(zhì)量％的情況為基準(zhǔn)，增加氧化鋁粉末添加量時(shí)的發(fā)光量的比率?？芍粼诘腿埸c(diǎn)玻璃中不斷增加氧化鋁粉末添加量，則直到氧化鋁粉末添加量為40質(zhì)量％為止，發(fā)光裝置的發(fā)光量都有改善。進(jìn)而，在增加了氧化鋁粉末添加量的情況下，由于接合材料7的低熔點(diǎn)玻璃量變少，因此會(huì)發(fā)生發(fā)光裝置的氣密不良，因而無法進(jìn)行測(cè)定。另外，在發(fā)光量的測(cè)定中，測(cè)量?jī)x表使用“KONICA MINOLTA”制的CM-A148，測(cè)定波長(zhǎng)區(qū)域設(shè)為360nm以上且740nm以下，通過全光束測(cè)定來測(cè)定發(fā)光量。

在此，以下說明發(fā)光裝置10的制造方法。

陶瓷封裝件2由相互層疊的多個(gè)絕緣層構(gòu)成。絕緣層例如由氧化鋁質(zhì)燒結(jié)體、氮化鋁質(zhì)燒結(jié)體、碳化硅質(zhì)燒結(jié)體、氮化硅質(zhì)燒結(jié)體、莫來石質(zhì)燒結(jié)體或玻璃陶瓷等陶瓷材料等的電絕緣材料構(gòu)成。陶瓷封裝件2例如使用陶瓷生片層疊法等將多層陶瓷生片層疊來形成。

若是陶瓷封裝件2由例如氧化鋁質(zhì)燒結(jié)體構(gòu)成的情況，則首先在氧化鋁、氧化硅、氧化鈣或氧化鎂等原料粉末中添加適當(dāng)?shù)挠袡C(jī)粘合劑及溶劑等進(jìn)行混合，使之成為泥漿狀。之后，用刮片法等薄片形成方法使其成為薄片狀，得到作為絕緣層的陶瓷生片。

然后，根據(jù)陶瓷封裝件2的一對(duì)放電用電極4以及放電誘發(fā)用電極5等的構(gòu)成，例如對(duì)陶瓷生片使用絲網(wǎng)印刷等來形成作為一對(duì)放電用電極4以及放電誘發(fā)用電極5的膏層。另外，同樣地，對(duì)陶瓷生片使用絲網(wǎng)印刷等來形成作為陶瓷封裝件2的下表面的外部電極4a以及外部電極5a的膏層。

另外，關(guān)于陶瓷封裝件2的側(cè)面的外部電極4a以及外部電極5a，同樣對(duì)陶瓷生片使用絲網(wǎng)印刷等來形成作為外部電極4a以及外部電極5a的膏層。然后，使用陶瓷生片層疊法等，在外部電極4a以及外部電極5a的位置層疊經(jīng)過沖孔加工而成的多層陶瓷生片，由此形成電極。

另外，為了形成陶瓷封裝件2的凹部2b，通過對(duì)陶瓷生片利用了沖孔金屬模等的孔加工方法，形成作為凹部2b的貫通孔。

在陶瓷封裝件2由例如陶瓷材料構(gòu)成的情況下，能在各個(gè)電極中使用例如鎢(W)、鉬(Mo)、鉬-錳(Mo-Mn)、銅(Cu)、銀(Ag)或銀-鈀(Ag-Pd)等金屬材料。

在制作上述的陶瓷封裝件2用的陶瓷生片的工序中，在鎢(W)、鉬(Mo)、鉬-錳(Mo-Mn)、銅(Cu)、銀(Ag)或銀-鈀(Ag-Pd)等粉末中添加適當(dāng)?shù)挠袡C(jī)粘合劑及溶媒等進(jìn)行混合來得到作為電極的導(dǎo)體膏。預(yù)先使用絲網(wǎng)印刷法，對(duì)會(huì)成為陶瓷封裝件2的陶瓷生片印刷涂布該導(dǎo)體膏，使其成為給定的圖案，由此形成膏層。之后，通過與會(huì)成為陶瓷封裝件2的層疊的多個(gè)陶瓷生片同時(shí)燒成，在陶瓷封裝件2的給定位置處被覆形成一對(duì)放電用電極4、放電誘發(fā)用電極5、外部電極4a以及外部電極5a。

將這些陶瓷生片切斷成適當(dāng)?shù)拇笮?，層疊多個(gè)陶瓷生片來制作層疊體，作為陶瓷封裝件2的構(gòu)成。之后，通過在還原氣氛中以約1600℃的溫度對(duì)該層疊體進(jìn)行燒成，由此制作層疊了多個(gè)絕緣層的陶瓷封裝件2。另外，還原氣氛例如是氮?dú)夥铡?/p>

如上述那樣，陶瓷封裝件2設(shè)置了一對(duì)放電用電極4以及放電誘發(fā)用電極5，在側(cè)面及下表面設(shè)置了與放電用電極4連接的外部電極4a以及與放電誘發(fā)用電極5連接的外部電極5a。

與該陶瓷封裝件2隔著由接合材料7構(gòu)成的接合層7a接合透光性構(gòu)件3，以堵塞凹部2b。

在氧氣氛中進(jìn)行接合的情況下，能通過如下那樣的方法進(jìn)行。即，配合陶瓷封裝件2與透光性構(gòu)件3的接合區(qū)域的形狀來使用絲網(wǎng)印刷法，將作為接合材料7的玻璃膏(在添加了氧化鋁粉末的低熔點(diǎn)玻璃中添加適當(dāng)?shù)恼澈蟿┮约叭軇┑冗M(jìn)行混合后得到的膏)涂布在側(cè)壁2a或透光性構(gòu)件3的接合區(qū)域。接下來，使用符合透光性構(gòu)件3或陶瓷封裝件2的形狀的調(diào)準(zhǔn)夾具，使透光性構(gòu)件3落入到陶瓷封裝件2的側(cè)壁2a的高低差部2d，例如，在200℃～300℃的加熱溫度下進(jìn)行用于將接合材料7所含的溶劑成分或粘合劑成分除去的脫粘合劑。接下來，例如，在500℃～700℃的加熱溫度下，接合陶瓷封裝件2和透光性構(gòu)件3。能通過這些工序，得到容器構(gòu)件1。

另外，例如，即便放電用電極4為鎢等容易氧化的金屬材料，若加熱溫度為200℃～300℃，則很難被氧化。

另外，在非氧氣氛中進(jìn)行接合的情況下，利用與在氧氣氛中進(jìn)行接合的情況同樣的方法來進(jìn)行接合。另外，也可以在200℃～300℃的加熱溫度下，在氧氣氛中進(jìn)行將作為接合材料7的玻璃膏所含的溶劑成分或粘合劑成分除去的脫粘合劑。

另外，例如，在陶瓷封裝件2設(shè)置有用于將惰性氣體6導(dǎo)入到容器構(gòu)件1中的氣體導(dǎo)入孔(未圖示)，通過該氣體導(dǎo)入孔，將惰性氣體6(Xe氣體)導(dǎo)入到容器構(gòu)件1的內(nèi)部。另外，氣體導(dǎo)入孔在導(dǎo)入惰性氣體6后被密封。

接下來，說明在呈白色的低熔點(diǎn)玻璃中添加氧化物系陶瓷粉末來制作接合材料7的方法。

對(duì)于由粉末構(gòu)成的以氧化鉍為主成分的低熔點(diǎn)玻璃和由粉末構(gòu)成的氧化鋁，使用適當(dāng)?shù)娜軇┗蛘澈蟿醚欣從ニ榉勰┑耐瑫r(shí)進(jìn)行混合，并使用3輥研磨機(jī)等使之分散，由此得到接合材料7。

另外，以氧化鉍為主成分的低熔點(diǎn)玻璃例如是粒徑為0.5μm～10μm的粉末，氧化鋁粉末是例如粒徑為0.2μm～10μm。

本發(fā)明并不限于上述的實(shí)施方式的發(fā)光裝置10，能在不脫離本發(fā)明的宗旨的范圍內(nèi)進(jìn)行各種變更、改良等。以下說明本發(fā)明的其他實(shí)施方式。另外，對(duì)其他實(shí)施方式所涉及的發(fā)光裝置當(dāng)中與實(shí)施方式所涉及的發(fā)光裝置10同樣的部分附加相同標(biāo)號(hào)，并適當(dāng)省略說明。

如圖6(a)所示那樣，發(fā)光裝置10A可以是一對(duì)放電用電極4沿著側(cè)壁2a的內(nèi)周面朝向下方側(cè)(底面2ba側(cè))延伸的構(gòu)成。在該情況下，一對(duì)放電用電極4的朝向下方側(cè)延伸設(shè)置在內(nèi)周面的部分是對(duì)置部4b。

另外，一對(duì)放電用電極4在放電空間S內(nèi)露出，在惰性氣體6(Xe)中，從露出的一方的放電用電極4針對(duì)對(duì)置的另一方放電用電極4的電極間距離最短的部分進(jìn)行放電。此時(shí)，放電用電極4在局部放電的部分磨損而帶圓，在下一次的放電中，從一方的放電用電極4的另外部位對(duì)另一方放電用電極4進(jìn)行放電。

另外，在發(fā)光裝置10B中，也可以如圖6(b)所示那樣，一對(duì)放電用電極4設(shè)置在陶瓷封裝件2的側(cè)壁2a，從側(cè)壁2a的內(nèi)部到達(dá)內(nèi)周面，從到達(dá)內(nèi)周面的部分沿著側(cè)壁2a的內(nèi)周面(側(cè)面2ca)延伸到下方側(cè)(底面2ba側(cè))。在該情況下，設(shè)置在一對(duì)側(cè)壁2a的內(nèi)周面(側(cè)面2ca)的部位是放電用電極4的對(duì)置部4b。