優(yōu)先權(quán)要求

本申請(qǐng)要求于2014年7月3日提交的題為“High Quality Factor Filter Implemented in Wafer Level Packaging(WLP)Integrated Device(在晶片級(jí)封裝(WLP)集成器件中實(shí)現(xiàn)的高品質(zhì)因數(shù)濾波器”的美國(guó)專利申請(qǐng)No.14/323,907的優(yōu)先權(quán)，該申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容通過援引納入于此。

領(lǐng)域

各種特征涉及在晶片級(jí)封裝(WLP)集成器件中實(shí)現(xiàn)的高品質(zhì)因數(shù)濾波器。

背景技術(shù)：

位于集成電路(IC)封裝中的電感器由于在IC封裝中有限的基板面的原因而在其支持高電流的能力方面受到限制。具體來說，由于這些電感器位于IC封裝的封裝基板中，因此這些電感器的大小受到IC封裝的封裝基板的大小的限制。作為IC封裝的封裝基板的受限空間的結(jié)果，這些電感器通常具有高電阻和低品質(zhì)(Q)因數(shù)。圖1概念性地解說了包括電感器的半導(dǎo)體器件。具體來說，圖1解說了管芯100、封裝基板102、一組焊球104、印刷電路板(PCB)106、以及電感器108。如圖1所示，管芯100耦合至封裝基板102。封裝基板102通過該組焊球104耦合至PCB 106。電感器108被界定并位于管芯100中。

圖1還解說了在電感器108附近的區(qū)域中一些焊球被省略/移除。這是因?yàn)楹盖蚰軌蛴绊?破壞電感器的性能。更具體地，電感器附近的焊球會(huì)破壞電感器的磁通，這導(dǎo)致電感器的低電感和低Q因數(shù)，這也是為什么在電感器附近的區(qū)域中移除了焊球。然而，移除封裝基板和PCB之間的焊球會(huì)影響封裝基板和PCB的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。因此，當(dāng)前的IC設(shè)計(jì)在確定將管芯與封裝基板耦合至PCB時(shí)要使用多少個(gè)焊球以及在哪里放置焊球時(shí)，必須衡量移除焊球的益處(例如，得到具有更好電感和Q因數(shù)的電感器)和移除焊球的缺點(diǎn)(例如，穩(wěn)定性較低的封裝基板/PCB結(jié)構(gòu))。

因此，對(duì)于集成器件而言，需要改進(jìn)的電感器設(shè)計(jì)。理想地，這樣的電感器將具有更好的電感性能、更低的電阻以及更好的品質(zhì)因數(shù)值，而無需犧牲半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。此外，此類電感器可被用作具有高品質(zhì)因數(shù)值的濾波器的一部分。

概述

各種特征涉及在晶片級(jí)封裝(WLP)集成器件中實(shí)現(xiàn)的高品質(zhì)濾波器電感器。

第一示例提供了一種包括電容器和電感器的集成器件。該電感器被電耦合至該電容器。該電感器和電容器被配置成作為該集成器件中用于電信號(hào)的濾波器來操作。該電感器包括印刷電路板(PCB)的第一金屬層、耦合至該P(yáng)CB的一組焊球、以及在管芯中的第二金屬層。

根據(jù)一方面，該電容器位于該管芯中。

根據(jù)一個(gè)方面，該電容器是至少金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器、和/或金屬上金屬(MOM)電容器中的一者。

根據(jù)一方面，該電容器是該P(yáng)CB上的表面安裝無源器件。

根據(jù)一個(gè)方面，第一金屬層是該P(yáng)CB上的跡線。

根據(jù)一方面，第二金屬層是該管芯的凸塊下金屬化(UBM)層。

根據(jù)一個(gè)方面，該電感器進(jìn)一步包括在該管芯中的第三金屬層。

根據(jù)一方面，第二金屬層是該管芯的凸塊下金屬化(UBM)層，并且第三金屬層是該管芯的重分布層。

根據(jù)一個(gè)方面，該集成器件被納入到以下至少一者中：音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導(dǎo)航設(shè)備、通信設(shè)備、移動(dòng)設(shè)備、移動(dòng)電話、智能電話、個(gè)人數(shù)字助理、固定位置終端、平板計(jì)算機(jī)、和/或膝上型計(jì)算機(jī)。

第二示例提供了一種包括無源裝置和電感器的裝備。該無源裝置被配置成儲(chǔ)存能量。該電感器被電耦合至該無源裝置。該電感器和該無源裝置被配置成作為集成器件中用于電信號(hào)的濾波器來操作。該電感器包括印刷電路板(PCB)的第一金屬層、耦合至該P(yáng)CB的一組焊球、在管芯中的第二金屬層。

根據(jù)一方面，該無源裝置位于該管芯中。

根據(jù)一個(gè)方面，該無源裝置是至少金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器、和/或金屬上金屬(MOM)電容器中的一者。

根據(jù)一方面，該無源裝置是該P(yáng)CB上的表面安裝無源器件。

根據(jù)一個(gè)方面，第一金屬層是該P(yáng)CB上的跡線。

根據(jù)一方面，第二金屬層是該管芯的凸塊下金屬化(UBM)層。

根據(jù)一個(gè)方面，該電感器包括在該管芯中的第三金屬層。

根據(jù)一方面，第二金屬層是該管芯的凸塊下金屬化(UBM)層，并且第三金屬層是該管芯的重分布層。

根據(jù)一個(gè)方面，該裝備被納入到以下至少一者中：音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導(dǎo)航設(shè)備、通信設(shè)備、移動(dòng)設(shè)備、移動(dòng)電話、智能電話、個(gè)人數(shù)字助理、固定位置終端、平板計(jì)算機(jī)、和/或膝上型計(jì)算機(jī)。

第三示例提供了一種用于制造集成器件的方法。該方法提供電容器。該方法提供電感器，以使得該電感器被電耦合至該電容器。該電感器和該電容器被配置成作為該集成器件中用于電信號(hào)的濾波器來操作。提供該電感器的方法包括形成印刷電路板(PCB)的第一金屬層。提供該電感器的方法包括提供耦合至該P(yáng)CB的一組焊球。提供該電感器的方法包括形成在管芯中的第二金屬層。

根據(jù)一方面，該電容器位于該管芯中。

根據(jù)一個(gè)方面，該電容器是至少金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器、和/或金屬上金屬(MOM)電容器中的一者。

根據(jù)一方面，該電容器是該P(yáng)CB上的表面安裝無源器件。

根據(jù)一個(gè)方面，第一金屬層是該P(yáng)CB上的跡線。

根據(jù)一方面，第二金屬層是該管芯的凸塊下金屬化(UBM)層。

根據(jù)一個(gè)方面，提供該電感器進(jìn)一步包括形成在該管芯中的第三金屬層。

根據(jù)一方面，第二金屬層是該管芯的凸塊下金屬化(UBM)層，并且第三金屬層是該管芯的重分布層。

根據(jù)一個(gè)方面，該集成器件被納入到以下至少一者中：音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導(dǎo)航設(shè)備、通信設(shè)備、移動(dòng)設(shè)備、移動(dòng)電話、智能電話、個(gè)人數(shù)字助理、固定位置終端、平板計(jì)算機(jī)、和/或膝上型計(jì)算機(jī)。

第四示例提供了包括電容器和電感器的集成器件。該電感器被電耦合至該電容器。該電感器和電容器被配置成作為該集成器件中用于電信號(hào)的濾波器來操作。該電感器包括基板的第一金屬層、耦合至該基板的一組焊球、以及在管芯中的第二金屬層。

根據(jù)一方面，該電容器位于該管芯中。

根據(jù)一個(gè)方面，該電容器是至少金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器、和/或金屬上金屬(MOM)電容器中的一者。

根據(jù)一方面，該電容器是該基板上的表面安裝無源器件。

根據(jù)一個(gè)方面，第一金屬層是該基板上的跡線。

根據(jù)一方面，該基板是至少封裝基板和/或中介體中的一者。

根據(jù)一個(gè)方面，該集成器件被納入到以下至少一者中：音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導(dǎo)航設(shè)備、通信設(shè)備、移動(dòng)設(shè)備、移動(dòng)電話、智能電話、個(gè)人數(shù)字助理、固定位置終端、平板計(jì)算機(jī)、和/或膝上型計(jì)算機(jī)。

第五示例提供了一種包括無源裝置和電感器的裝備。該無源裝置被配置成儲(chǔ)存能量。該電感器被電耦合至該無源裝置。該電感器和無源裝置被配置成作為集成器件中用于電信號(hào)的濾波器來操作。該電感器包括基板的第一金屬層、耦合至該基板的一組焊球、在管芯中的第二金屬層。

根據(jù)一方面，該無源裝置位于該管芯中。

根據(jù)一個(gè)方面，該無源裝置是至少金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器、和/或金屬上金屬(MOM)電容器中的一者。

根據(jù)一方面，該無源裝置是該基板上的表面安裝無源器件。

根據(jù)一個(gè)方面，該基板是至少封裝基板和/或中介體中的一者。

根據(jù)一個(gè)方面，該裝備被納入到以下至少一者中：音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導(dǎo)航設(shè)備、通信設(shè)備、移動(dòng)設(shè)備、移動(dòng)電話、智能電話、個(gè)人數(shù)字助理、固定位置終端、平板計(jì)算機(jī)、和/或膝上型計(jì)算機(jī)。

第六示例提供了一種用于制造集成器件的方法。該方法提供電容器。該方法提供電感器，以使得該電感器被電耦合至該電容器。該電感器和該電容器被配置成作為集成器件中用于電信號(hào)的濾波器來操作。提供該電感器的方法包括形成基板的第一金屬層。提供該電感器的方法包括提供耦合至該基板的一組焊球。提供該電感器的方法包括形成在管芯中的第二金屬層。

根據(jù)一方面，該電容器位于該管芯中。

根據(jù)一個(gè)方面，該電容器是至少金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器、和/或金屬上金屬(MOM)電容器中的一者。

根據(jù)一方面，該電容器是該基板上的表面安裝無源器件。

根據(jù)一個(gè)方面，該集成器件被納入到以下至少一者中：音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導(dǎo)航設(shè)備、通信設(shè)備、移動(dòng)設(shè)備、移動(dòng)電話、智能電話、個(gè)人數(shù)字助理、固定位置終端、平板計(jì)算機(jī)、和/或膝上型計(jì)算機(jī)。

附圖

在結(jié)合附圖理解下面闡述的詳細(xì)描述時(shí)，各種特征、本質(zhì)和優(yōu)點(diǎn)會(huì)變得明顯，在附圖中，相像的附圖標(biāo)記貫穿始終作相應(yīng)標(biāo)識(shí)。

圖1解說了已知的集成在管芯中的電感器。

圖2解說了在管芯和印刷電路板(PCB)之間界定的電感器，其中該管芯包括電容器。

圖3解說了在管芯和印刷電路板(PCB)之間界定的電感器，其中電容器耦合至該P(yáng)CB。

圖4解說了在管芯和印刷電路板(PCB)之間界定的具有2匝的概念性電感器。

圖5解說了在管芯和印刷電路板(PCB)之間界定的具有3匝的概念性電感器。

圖6解說了在管芯和印刷電路板(PCB)之間界定的電感器的成角度視圖。

圖7解說了在管芯和印刷電路板(PCB)之間界定的電感器的側(cè)視圖。

圖8解說了在管芯和印刷電路板(PCB)之間界定的電感器的仰視圖。

圖9解說了在管芯和印刷電路板(PCB)之間界定的電感器的俯視圖。

圖10解說了在管芯和印刷電路板(PCB)之間界定的電感器的成角度視圖。

圖11解說了在管芯和印刷電路板(PCB)之間界定的電感器的平面視圖。

圖12解說了在管芯和印刷電路板(PCB)之間界定的電感器的剖視圖。

圖13解說了用于制造/提供電感器的流程圖。

圖14解說了在第一管芯和第二管芯之間界定的電感器。

圖15解說了層疊封裝結(jié)構(gòu)中的電感器。

圖16解說了用于制造/提供電感器的流程圖。

圖17解說了用于制造/提供電感器的流程圖。

圖18解說了包括電容器和部分電感器的集成器件的剖視圖。

圖19解說了包括另一電容器和部分電感器的集成器件的剖視圖。

圖20(包括圖20A-20D)解說了用于制造包括電容器的集成器件的工序的示例。

圖21解說了用于制造包括電容器的集成器件的方法的流程圖。

圖22解說了半加成圖案化(SAP)工藝的示例。

圖23解說了半加成圖案化(SAP)工藝的流程圖的示例。

圖24解說了鑲嵌工藝的示例。

圖25解說了鑲嵌工藝的流程圖的示例。

圖26解說了可集成本文描述的集成器件、管芯、集成電路和/或PCB的各種電子設(shè)備。

詳細(xì)描述

在以下描述中，給出了具體細(xì)節(jié)以提供對(duì)本公開的各方面的透徹理解。然而，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解，沒有這些具體細(xì)節(jié)也可實(shí)踐這些方面。例如，電路可能用框圖示出以避免使這些方面湮沒在不必要的細(xì)節(jié)中。在其他實(shí)例中，公知的電路、結(jié)構(gòu)和技術(shù)可能不被詳細(xì)示出以免模糊本公開的這些方面。

概覽

一些實(shí)現(xiàn)提供了包括電容器和電感器的集成器件。該電感器被電耦合至該電容器。該電感器和電容器被配置成作為集成器件中用于電信號(hào)的濾波器來操作。該電感器包括印刷電路板(PCB)的第一金屬層、耦合至該P(yáng)CB的一組焊球、以及在管芯中的第二金屬層。在一些實(shí)現(xiàn)中，電容器是配置成儲(chǔ)存能量(例如，在電場(chǎng)中靜電地儲(chǔ)存能量)的無源裝置。在一些實(shí)現(xiàn)中，該電容器位于該管芯中。在一些實(shí)現(xiàn)中，該電容器是至少金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器、和/或金屬上金屬(MOM)電容器中的一者。在一些實(shí)現(xiàn)中，該電容器是該P(yáng)CB上的表面安裝無源器件。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一金屬層是該P(yáng)CB上的跡線。在一些實(shí)現(xiàn)中，第二金屬層是該管芯的凸塊下金屬化(UBM)層。在一些實(shí)現(xiàn)中，該電感器包括在該管芯中的第三金屬層。在一些實(shí)現(xiàn)中，第二金屬層是該管芯的凸塊下金屬化(UBM)層，并且第三金屬層是該管芯的重分布層。

一些實(shí)現(xiàn)提供了包括電容器和電感器的集成器件。該電感器被電耦合至該電容器。該電感器和該電容器被配置成作為集成器件中用于電信號(hào)的濾波器來操作。該電感器包括基板的第一金屬層、耦合至該基板的一組焊球、以及在管芯中的第二金屬層。

術(shù)語(yǔ)和定義

互連是允許或者促成兩個(gè)點(diǎn)、元件和/或組件之間的電連接的元件或組件。在一些實(shí)現(xiàn)中，互連可以包括跡線、通孔、焊盤、柱、重分布層、凸塊下金屬化(UBM)層、和/或焊料(例如，焊球)。在一些實(shí)現(xiàn)中，互連是為信號(hào)(例如，數(shù)據(jù)信號(hào)、接地信號(hào)、功率信號(hào))提供電路徑的導(dǎo)電材料?；ミB可以包括為信號(hào)提供電路徑的一個(gè)元件/組件或者若干元件/組件。

包括電感器和電容器的示例性集成器件

圖2概念性地解說了一種新穎的用于集成器件的電感器。具體來說，圖2解說了通過一組焊球204耦合至印刷電路板(PCB)202的管芯200。在一些實(shí)現(xiàn)中，管芯200是晶片級(jí)封裝管芯(例如，使用晶片級(jí)封裝工藝制造的)。圖2解說了位于管芯200中的電容器203。具體地，電容器203位于管芯200的諸下級(jí)金屬層中。圖18-19中進(jìn)一步描述了管芯的諸下級(jí)金屬層中的電容器的更具體示例。在一些實(shí)現(xiàn)中，電容器是配置成儲(chǔ)存能量(例如，在電場(chǎng)中靜電地儲(chǔ)存能量)的無源裝置(例如，無源電容性裝置)。

圖2還概念性地解說了由管芯200上的組件、PCB 202上的組件、以及至少一個(gè)焊球204界定的電感器206。在一些實(shí)現(xiàn)中，電感器206被配置成與電容器203一起作為用于電信號(hào)的濾波器來操作。在一些實(shí)現(xiàn)中，該濾波器是至少陷波濾波器和/或槽式濾波器之一。在一些實(shí)現(xiàn)中，該濾波器是高品質(zhì)因數(shù)(Q)濾波器。

在一些實(shí)現(xiàn)中，可替代或協(xié)同焊球204使用其它材料。例如，在一些實(shí)現(xiàn)中，可使用金屬互聯(lián)(例如，銅)。如圖2中所示，管芯200包括第一組金屬層210、通孔212、鈍化層214、第一聚酰亞胺層216、第二金屬層218、第二聚酰亞胺層220、以及凸塊下金屬化(UBM)層222。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一組金屬層210是堆疊式金屬層。在一些實(shí)現(xiàn)中，可在第一組金屬層210中的各金屬層之間放置介電層。通孔212將來自第一組金屬層210中的至少一個(gè)金屬層耦合至第二金屬層218。在一些實(shí)現(xiàn)中，第二金屬層218是后鈍化層。后鈍化層可被稱為后鈍化互聯(lián)(PPI)層。在一些實(shí)現(xiàn)中，第二金屬層218可以是銅層。UBM層222耦合至第二金屬層218(例如，銅層)。UBM層222耦合至焊球204。在一些實(shí)現(xiàn)中，聚酰亞胺層(例如，第一聚酰亞胺層216)可以是絕緣層。

如圖2中進(jìn)一步所示，PCB 202包括第一PCB層202a(例如，PCB L1)、第二PCB層202b(例如，PCB L2)、以及第三PCB層202c(例如，PCB L3)。PCB層200a–200c中的一個(gè)或多個(gè)PCB層可包括一根或多根跡線。如圖2中所示，第一PCB層202a包括跡線224，跡線224耦合至焊球204。

在一些實(shí)現(xiàn)中，電感器206可包括繞組。電感器206的繞組可由來自第一組金屬層210中的至少一個(gè)金屬層、通孔212、第二金屬層218、焊球204以及跡線224來界定。電感器206的繞組可具有數(shù)匝(例如，2匝)。在一些實(shí)現(xiàn)中，電感器206利用PCB 202中的一根或多根跡線以及焊球204來提供具有更好的電感(L)、更低的電阻以及更好的品質(zhì)(Q)因數(shù)值的電感器。更具體地，由跡線和焊球的高度產(chǎn)生的電感、以及PCB與管芯200的金屬層(例如，金屬層210、第二金屬層218)之間的磁通有助于提高電感器206的電感。在一個(gè)示例中，在給定面積/空間(例如，管芯的面積、封裝的面積、PCB的面積)中，集成了焊球作為其一部分的電感器能夠比不包括焊球的電感器有更多匝。有更多匝的電感器比有較少匝的電感器具有更好的電感(L)。因此，包括焊球因而能夠被配置成具有更多匝的電感器與不包括焊球的電感器相比將具有更好的電感(L)。以下將描述包括/集成了焊球的電感器的這一技術(shù)優(yōu)點(diǎn)以及其它技術(shù)優(yōu)點(diǎn)。另外，在一些實(shí)現(xiàn)中，焊球204不僅有助于提高電感器206的電感，焊球204還有助于提供管芯200和PCB 202的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。

圖3概念性地解說了另一種新穎的用于集成器件的電感器。具體來說，圖3解說了通過一組焊球204耦合至印刷電路板(PCB)202的管芯200。在一些實(shí)現(xiàn)中，管芯200是晶片級(jí)封裝管芯(例如，使用晶片級(jí)封裝工藝制造的)。圖3類似于圖2，不同之處在于電容器位于不同位置。圖3解說了位于印刷電路板202上的電容器303。在一些實(shí)現(xiàn)中，電容器303是耦合至印刷電路板(PCB)202上的焊盤和/或跡線的表面安裝無源器件。

應(yīng)注意，在一些實(shí)現(xiàn)中，圖2的電感器可由基板(例如，封裝基板、中介體)(而非PCB)的組件來界定。即，在一些實(shí)現(xiàn)中，電感器可由管芯的組件、基板、以及焊球來定義。

圖3還概念性地解說了由管芯200上的組件、PCB 202上的組件、以及至少一個(gè)焊球204界定的電感器206。在一些實(shí)現(xiàn)中，電感器206被配置成與電容器303一起作為用于電信號(hào)的濾波器來操作。在一些實(shí)現(xiàn)中，該濾波器是至少陷波濾波器和/或槽式濾波器之一。在一些實(shí)現(xiàn)中，該濾波器是高品質(zhì)因數(shù)(Q)濾波器。

應(yīng)注意，在一些實(shí)現(xiàn)中，圖3的電感器可由基板(例如，封裝基板、中介體)(而非PCB)的組件來界定。即，在一些實(shí)現(xiàn)中，電感器可由管芯的組件、基板、以及焊球來定義。

圖4-5解說了一些實(shí)現(xiàn)中由來自管芯的組件、焊球、以及印刷電路板(PCB)界定的電感器。圖4解說了包括具有2匝的繞組的電感器400。在一些實(shí)現(xiàn)中，電感器400的繞組是由第一金屬層402、第二金屬層404、一組通孔406、一組焊球408、以及一組跡線410界定的。在一些實(shí)現(xiàn)中，可替代或協(xié)同焊球204使用其它材料。例如，在一些實(shí)現(xiàn)中，可使用金屬互聯(lián)(例如，銅)和/或互聯(lián)的金屬層。第一金屬層402可以是管芯(例如，管芯200)的堆疊式金屬層(例如，堆疊式金屬層210)中的一金屬層。第二金屬層404可以是管芯的銅層(例如，第二金屬層218)。第二金屬層404通過該組通孔406耦合至第一金屬層402。第二金屬層404也耦合至該組焊球408。在一些實(shí)現(xiàn)中，第二金屬層404位于該組焊球408以及管芯的鈍化層(未示出)之間。在一些實(shí)現(xiàn)中，管芯是晶片級(jí)封裝管芯(例如，使用晶片級(jí)封裝工藝制造的)。在一些實(shí)現(xiàn)中，該組跡線410可以是印刷電路板(PCB)的第一層上的一根或多根跡線。

圖5解說了包括繞組的另一電感器500。電感器500與圖3的電感器300類似，不同之處在于電感器500具有一有3匝的繞組。在一些實(shí)現(xiàn)中，電感器500的繞組是由第一金屬層502、第二金屬層504、一組通孔(不可見)、一組焊球506、以及一組跡線508界定的。第一金屬層502可以是來自管芯(例如，管芯200)的堆疊式金屬層(例如，堆疊式金屬層210)中的一金屬層。第二金屬層504可以是管芯的銅層(例如，第二金屬層218)。第二金屬層504通過該組通孔(不可見)耦合至第一金屬層502。第二金屬層504也耦合至該組焊球506。在一些實(shí)現(xiàn)中，第二金屬層504位于該組焊球506以及管芯的鈍化層(未示出)之間。在一些實(shí)現(xiàn)中，管芯是晶片級(jí)封裝管芯(例如，使用晶片級(jí)封裝工藝制造的)。在一些實(shí)現(xiàn)中，該組跡線508可以是印刷電路板(PCB)的第一層上的一根或多根跡線。

以上的包括/集成了焊球作為其一部分的示例性電感器提供了超越已知電感器(例如，不集成焊球的電感器)的數(shù)個(gè)技術(shù)優(yōu)點(diǎn)。例如，以上的示例性電感器提供比已知電感器更好的性能/屬性。電感器的相關(guān)屬性中的一些包括電感器的有效電感、Q因數(shù)和/或耦合效力。電感器的效力可由其Q因數(shù)來定義。Q因數(shù)是定義電感器的效率的品質(zhì)因數(shù)/值。電感器的Q因數(shù)可被定義為電感器的電感與該電感器的電阻之間的比率(例如，Q＝L/R)。Q因數(shù)越高，電感器就越逼近理想電感器的行為，理想電感器是無損電感器。因此，一般而言，較高的Q因數(shù)比較低的Q因數(shù)更為可取。在一些實(shí)現(xiàn)中，以上的示例性電感器具有更好的電感(L)(例如，更高的電感)、更好的Q因數(shù)(例如，更高的Q因數(shù))以及更好的電阻(R)(例如，更低的電阻)。

在一些實(shí)現(xiàn)中，這些更好的屬性可通過使磁通最大化來獲得，其中使磁通量最大化是通過增加該電感器在給定面積(例如，管芯的面積、封裝的面積、PCB的面積)中的匝數(shù)/繞組數(shù)、并因此增進(jìn)層間耦合來實(shí)現(xiàn)的。如以上所描述的，集成焊球作為電感器的一部分允許該電感器中在給定面積/空間(例如，管芯的面積、封裝的面積、PCB的面積)中有更多匝數(shù)。因此，在電感器中集成焊球提高了電感(L)，這提高了該電感器的Q因數(shù)。

這些電感器具有更好的屬性(例如，更好的電感)的另一個(gè)原因是它們利用了焊球的高度來提高電感。使用集成了焊球的電感器的一個(gè)益處是這樣的電感器能夠支持用于高功率應(yīng)用的高電流。另外，焊球的(與管芯的作為電感器的一部分的金屬層相比)相對(duì)大的尺寸降低了電感器的電阻，這有效地提高了電感器的Q因數(shù)。類似地，PCB上的作為電感器一部分的跡線通常比在管芯中的作為電感器一部分的金屬層大。在一些實(shí)現(xiàn)中，PCB的(作為電感器一部分的)這些跡線可以比管芯上的(作為電感器一部分的)金屬互聯(lián)/線寬約2倍。這些較寬的跡線具有比較窄的金屬互聯(lián)低的電阻。因此，這些較寬的跡線降低了電感器的總有效電阻。結(jié)果，集成了PCB上的跡線作為其一部分的電感器與單純位于管芯中的電感器相比具有更好的Q因數(shù)(因?yàn)橛懈偷碾娮?。

此外，使用和保留焊球有助于提供/維持半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)耦合、穩(wěn)定性、和/或剛性，而與此同時(shí)，最小化、避免了由于焊球效應(yīng)導(dǎo)致的磁通降級(jí)。例如，保留焊球有助于減少半導(dǎo)體器件(例如，封裝)中的機(jī)械應(yīng)力。

應(yīng)注意，在一些實(shí)現(xiàn)中，圖4-5的電感器可由基板(例如，封裝基板、中介體)(而非PCB)的組件來界定。即，在一些實(shí)現(xiàn)中，電感器可由管芯的組件、基板、以及焊球來定義。

圖6-9解說了在一些實(shí)現(xiàn)中的新穎電感器的另一示例。圖6解說了從成角度視點(diǎn)來看的電感器600。如圖6中所示，電感器600包括第一金屬層602、第二金屬層604、一組通孔605、第三金屬層606、一組焊球608(例如，第一焊球608a、第二焊球608b、第三焊球608c、第四焊球608d、第五焊球608e)、第四金屬層610、通孔612以及第五金屬層614。

在一些實(shí)現(xiàn)中，第一金屬層602、第二金屬層604以及第三金屬層606是管芯的金屬層。例如，第一、第二以及第三金屬層602-606可以是圖2的管芯200的這些金屬層之一。具體地，在一些實(shí)現(xiàn)中，第一和第二金屬層602-604可對(duì)應(yīng)于圖2的金屬層210，并且第三金屬層606可對(duì)應(yīng)于圖2的第二金屬層218(例如，后鈍化互聯(lián)(PPI)層)。在一些實(shí)現(xiàn)中，管芯是晶片級(jí)封裝管芯(例如，使用晶片級(jí)封裝工藝制造的)。在一些實(shí)現(xiàn)中，該組通孔605可以是管芯中的通孔。例如，來自該組通孔605中的通孔之一可對(duì)應(yīng)于圖2的通孔212。在一些實(shí)現(xiàn)中，該組通孔605被放置并配置成降低該電感的電阻，藉此提高電感器的Q因數(shù)。

該組焊球608提供管芯和印刷電路板(PCB)之間的互聯(lián)路徑/互聯(lián)裝置。然而，其它材料也可被用于提供管芯和PCB之間的互聯(lián)路徑/互聯(lián)裝置。

在一些實(shí)現(xiàn)中，第四金屬層610、通孔612以及第五金屬層614位于印刷電路板(PCB)中。例如，第四金屬層610和第五金屬層614可以是PCB的金屬層。在一個(gè)示例中，第四金屬層在一些實(shí)現(xiàn)中可以是圖2的PCB 202的跡線224(例如，金屬層)。

圖7解說了圖6的電感器600的側(cè)視圖。具體地，圖7解說了由管芯的金屬層、焊球以及印刷電路板的金屬層界定的電感器的側(cè)視圖。如圖7中所示，電感器600包括第一金屬層602、第二金屬層604、一組通孔605、第三金屬層606、一組焊球608(例如，第一焊球608a、第二焊球608b、第三焊球608c)、第四金屬層610、通孔612以及第五金屬層614。

在一些實(shí)現(xiàn)中，第一金屬層602、第二金屬層604以及第三金屬層606是管芯的金屬層。例如，第一、第二以及第三金屬層602-606可以是圖2的管芯200的這些金屬層之一。具體地，在一些實(shí)現(xiàn)中，第一和第二金屬層602-604可對(duì)應(yīng)于圖2的金屬層210，并且第三金屬層606可對(duì)應(yīng)于圖2的第二金屬層218(例如，后鈍化互聯(lián)(PPI)層)。在一些實(shí)現(xiàn)中，管芯是晶片級(jí)封裝管芯(例如，使用晶片級(jí)封裝工藝制造的)。在一些實(shí)現(xiàn)中，該組通孔605可以是管芯中的通孔。例如，來自該組通孔605中的通孔之一可對(duì)應(yīng)于圖2的通孔212。該組焊球608提供管芯和印刷電路板(PCB)之間的互聯(lián)路徑/互聯(lián)裝置。然而，其它材料也可被用于提供管芯和PCB之間的互聯(lián)路徑/互聯(lián)裝置。

在一些實(shí)現(xiàn)中，第四金屬層610、通孔612以及第五金屬層614位于印刷電路板(PCB)中。例如，第四金屬層610和第五金屬層614可以是PCB的金屬層。在一個(gè)示例中，第四金屬層在一些實(shí)現(xiàn)中可以是圖2的PCB 202的跡線224(例如，金屬層)。

圖8解說了從管芯視角看的圖6的電感器600的視圖(例如，仰視圖)。具體地，圖8解說了由管芯的金屬層、焊球以及印刷電路板的金屬層界定的電感器的仰視圖。應(yīng)當(dāng)注意的是，圖8的視圖可以是俯視圖，這取決于電感器、管芯、和/或PCB是如何放置的。如圖8中所示，電感器600包括第一金屬層602、第二金屬層604、一組通孔605、第三金屬層606、一組焊球608(例如，第一焊球608a、第二焊球608b、第三焊球608c)、第四金屬層610、通孔612以及第五金屬層614。

在一些實(shí)現(xiàn)中，第一金屬層602、第二金屬層604以及第三金屬層606是管芯的金屬層。例如，第一、第二以及第三金屬層602-606可以是圖2的管芯200的這些金屬層之一。具體地，在一些實(shí)現(xiàn)中，第一和第二金屬層602-604可對(duì)應(yīng)于圖2的金屬層210，并且第三金屬層606可對(duì)應(yīng)于圖2的第二金屬層218(例如，后鈍化互聯(lián)(PPI)層)。在一些實(shí)現(xiàn)中，管芯是晶片級(jí)封裝管芯(例如，使用晶片級(jí)封裝工藝制造的)。在一些實(shí)現(xiàn)中，該組通孔605可以是管芯中的通孔。例如，該組通孔605中的通孔之一可對(duì)應(yīng)于圖2的通孔212。該組焊球608提供管芯和印刷電路板(PCB)之間的互聯(lián)路徑/互聯(lián)裝置。然而，其它材料也可被用于提供管芯和PCB之間的互聯(lián)路徑/互聯(lián)裝置。

在一些實(shí)現(xiàn)中，第四金屬層610、通孔612以及第五金屬層614位于印刷電路板(PCB)中。例如，第四金屬層610和第五金屬層614可以是PCB的金屬層。在一個(gè)示例中，第四金屬層在一些實(shí)現(xiàn)中可以是圖2的PCB 202的跡線224(例如，金屬層)。

圖9解說了從印刷電路板(PCB)的視角看的圖6的電感器600的視圖(例如，俯視圖)。具體地，圖9解說了由管芯的金屬層、焊球以及印刷電路板的金屬層界定的電感器的俯視圖。應(yīng)當(dāng)注意的是，圖9的視圖可以是仰視圖，這取決于電感器、管芯、和/或PCB是如何放置的。如圖9中所示，電感器600包括第一金屬層602、第二金屬層604、一組通孔605、第三金屬層606、一組焊球608(例如，第一焊球608a、第二焊球608b、第三焊球608c)、第四金屬層610、通孔612以及第五金屬層614。

在一些實(shí)現(xiàn)中，第一金屬層602、第二金屬層604以及第三金屬層606是管芯的金屬層。例如，第一、第二以及第三金屬層602-606可以是圖2的管芯200的這些金屬層之一。具體地，在一些實(shí)現(xiàn)中，第一和第二金屬層602-604可對(duì)應(yīng)于圖2的金屬層210，并且第三金屬層606可對(duì)應(yīng)于圖2的第二金屬層218(例如，后鈍化互聯(lián)(PPI)層)。在一些實(shí)現(xiàn)中，管芯是晶片級(jí)封裝管芯(例如，使用晶片級(jí)封裝工藝制造的)。在一些實(shí)現(xiàn)中，該組通孔605可以是管芯中的通孔。例如，來自該組通孔605中的通孔之一可對(duì)應(yīng)于圖2的通孔212。該組焊球608提供管芯和印刷電路板(PCB)之間的互聯(lián)路徑/互聯(lián)裝置。然而，其它材料也可被用于提供管芯和PCB之間的互聯(lián)路徑/互聯(lián)裝置。

在一些實(shí)現(xiàn)中，第四金屬層610、通孔612以及第五金屬層614位于印刷電路板(PCB)中。例如，第四金屬層610和第五金屬層614可以是PCB的金屬層。在一個(gè)示例中，第四金屬層在一些實(shí)現(xiàn)中可以是圖2的PCB 202的跡線224(例如，金屬層)。

圖2-9解說了由管芯上的組件、印刷電路板(PCB)以及焊球界定的電感器的示例。如圖2-9中所示，這些電感器避開了封裝基板的使用。換言之，這些電感器不含封裝基板。避開封裝基板的使用的優(yōu)點(diǎn)是更低的成本(因?yàn)槭褂昧烁俚牟牧?以及更小的尺寸。在一些實(shí)現(xiàn)中，電感器還可由第一管芯上的組件、第二管芯上的部件、以及焊球來界定。以下將進(jìn)一步描述這些其它類型的電感器。然而，在一些實(shí)現(xiàn)中，電感器可由基板(例如，封裝基板、中介體)(而非PCB)的組件來界定。即，在一些實(shí)現(xiàn)中，電感器可由管芯的組件、基板、以及焊球來界定。

圖10-12解說了在一些實(shí)現(xiàn)中的另一新穎電感器。圖10解說了由印刷電路板(PCB)中的跡線、至少一個(gè)焊球、以及集成器件中的金屬層形成的電感器1000的成角度視圖。具體地，圖10解說了包括第一互連1002、焊球1004、凸塊下金屬化(UBM)層1006、以及第一重分布層1010的電感器1000。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一互連1002是印刷電路板(PCB)中/上的跡線。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一互連1002是基板(例如，封裝基板、中介體)上的互連。圖10解說了在UBM層1006與第一重分布層1010之間的介電層1006。圖11解說了圖10的電感器1000的平面視圖。圖12解說了圖10的電感器1000的剖視圖。

應(yīng)注意，在一些實(shí)現(xiàn)中，圖10-12的電感器可由基板(例如，封裝基板、中介體)(而非PCB)的組件來界定。即，在一些實(shí)現(xiàn)中，電感器可由管芯的組件、基板、以及焊球來界定。

已描述了各種新穎電感器(例如，由兩個(gè)管芯界定的電感器、由兩個(gè)封裝基板界定的電感器)，以下將描述用于制造/提供這樣的電感器的方法。

用于制造/提供電感器和電容器的示例性方法

圖13解說了用于制造/提供電感器和/或電容器的方法的流程圖。在一些實(shí)現(xiàn)中，圖13的方法可被實(shí)現(xiàn)為用于制造/提供如圖2-12中所描述的電感器。

如圖13中所示，該方法(在1305)提供包括第一金屬層、第二金屬層和電容器的管芯。第二金屬層可以是后鈍化層。管芯可包括鈍化層。鈍化層可以是介電材料，并且可位于管芯的第一金屬層和第二金屬層(例如，后鈍化層)之間。管芯還可包括凸塊下金屬化(UBM)層，其耦合至管芯的第二金屬層。在一些實(shí)現(xiàn)中，使用晶片級(jí)封裝來制造管芯。電容器可位于管芯的諸下級(jí)金屬層中。圖18-19中進(jìn)一步描述了帶有電容器的管芯的示例。該方法(在1310)將一組焊球耦合到管芯。在一些實(shí)現(xiàn)中，將一組焊球耦合至管芯包括將焊球耦合至管芯的UBM層。圖2解說了被耦合至管芯的UBM層的焊球的示例。具體來說，圖2解說了被耦合至管芯200的UBM 222的焊球204。

該方法進(jìn)一步(在1315)將包括該組焊球的管芯耦合到印刷電路板(PCB)。PCB包括第三金屬層。在一些實(shí)現(xiàn)中，PCB可包括附加的金屬層(例如，第四金屬層、第五金屬層)。一旦管芯被耦合至PCB，管芯的第一和第二金屬層、該組焊球以及PCB的第三金屬層就被配置成作為電感器工作。在一些實(shí)現(xiàn)中，PCB的附加金屬層(例如，第四金屬層、第五金屬層)連同管芯的第一和第二金屬層、該組焊球以及PCB的第三金屬層一起被配置成作為電感器工作。在一些實(shí)現(xiàn)中，電感器和電容器的該組合提供具有高Q值的電信號(hào)濾波器。在一些實(shí)現(xiàn)中，該濾波器是至少陷波濾波器和/或槽式濾波器之一。

本公開描述的電感器的另一優(yōu)點(diǎn)是它不要求特殊的附加制造工藝。

包括電感器和電容器的示例性集成器件

圖2-12解說了新穎電感器和電容器的一些示例。然而，一些實(shí)現(xiàn)也可使用不同的設(shè)計(jì)和配置。圖14-15解說了新穎電感器和電容器的其他示例。

圖14概念性地解說了一種新穎的用于包括電容器的集成器件的電感器。具體來說，圖14解說了通過一組焊球1404耦合至第二管芯1402的第一管芯1400。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一管芯和/或第二管芯是晶片級(jí)封裝管芯(例如，使用晶片級(jí)封裝工藝制造的)。圖14解說了位于第一管芯1400中的電容器1403。具體地，電容器1403位于管芯1400的諸下級(jí)金屬層中。圖18-19中進(jìn)一步描述了在管芯的諸下級(jí)金屬層中的電容器的更具體示例。在一些實(shí)現(xiàn)中，電容器是配置成儲(chǔ)存能量(例如，在電場(chǎng)中靜電地儲(chǔ)存能量)的無源裝置(例如，無源電容性裝置)。

圖14還概念性地解說了由第一管芯1400上的組件、第二管芯1402上的組件、以及至少一個(gè)焊球1404界定的電感器1406。在一些實(shí)現(xiàn)中，電感器1406被配置成與電容器1403一起作為用于電信號(hào)的濾波器來操作。在一些實(shí)現(xiàn)中，該濾波器是至少陷波濾波器和/或槽式濾波器之一。在一些實(shí)現(xiàn)中，該濾波器是高品質(zhì)因數(shù)(Q)濾波器。

如圖14中所示，第一管芯1400包括第一組金屬層1410、通孔1412、鈍化層1414、第一聚酰亞胺層1416、第二金屬層1418、第二聚酰亞胺層1420、以及凸塊下金屬化(UBM)層1422。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一組金屬層1410是堆疊式金屬層。在一些實(shí)現(xiàn)中，可在第一組金屬層210中的各金屬層之間放置介電層。通孔1412將來自第一組金屬層1410中的至少一個(gè)金屬層耦合至第二金屬層1418。在一些實(shí)現(xiàn)中，第二金屬層1418是后鈍化層。后鈍化層可被稱為后鈍化互聯(lián)(PPI)層。在一些實(shí)現(xiàn)中，第二金屬層1418可以是銅層。UBM層1422耦合至第二金屬層1418(例如，銅層)。UBM層1422耦合至焊料1404。

如圖14中進(jìn)一步所示，第二管芯1402包括第一組金屬層1430、通孔1432、鈍化層1434、第一聚酰亞胺層1436、第二金屬層1438、第二聚酰亞胺層1440、以及凸塊下金屬化(UBM)層1442。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一組金屬層1430是堆疊式金屬層。通孔1432將來自第一組金屬層1430中的至少一個(gè)金屬層耦合至第二金屬層1438。在一些實(shí)現(xiàn)中，第二金屬層1438可以是銅層。UBM層1442耦合至第二金屬層1438(例如，銅層)。UBM層1442耦合至焊料1404。

在一些實(shí)現(xiàn)中，電感器1406可包括繞組。電感器1406的繞組可由來自第一組金屬層1410中的至少一個(gè)金屬層、通孔1412、第二金屬層1418、焊料1404、第二金屬層1438、通孔1432、以及來自第一組金屬層1430中的至少一個(gè)金屬層限定。電感器1406的繞組可具有數(shù)匝(例如，2匝)。

在一些實(shí)現(xiàn)中，管芯可以是在管芯封裝(其包括封裝基板)中。管芯封裝可被稱為晶片級(jí)封裝。相應(yīng)地，在一些實(shí)現(xiàn)中，電感器可由第一管芯封裝的組件、第二管芯封裝的組件、以及一組焊球來界定。

圖15中示出了新穎電感器和電容器的另一示例。具體來說，圖15解說了在包括電容器的層疊封裝(PoP)結(jié)構(gòu)中界定的電感器。如圖15中解說的，PoP結(jié)構(gòu)1500包括第一封裝基板1502、電容器1503、第一管芯1504、第一組焊球1506、第二封裝基板1508、第二管芯1510、第三管芯1512、第二組焊球1514。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一管芯1504可以是邏輯管芯。在一些實(shí)現(xiàn)中，第二和第三管芯1510-1512可以是堆疊式存儲(chǔ)器管芯。

在一些實(shí)現(xiàn)中，PoP結(jié)構(gòu)1500的第一封裝可包括第一封裝基板1502、電容器1503、第一管芯1504、以及第一組焊球1506。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一管芯1504可以是專用集成電路(ASIC)管芯。在一些實(shí)現(xiàn)中，PoP結(jié)構(gòu)1500的第二封裝可包括第二封裝基板1508、第二管芯1510、第三管芯1512、以及第二組焊球1514。在一些實(shí)現(xiàn)中，電容器1503是耦合至第一封裝基板1502的表面安裝無源器件。在一些實(shí)現(xiàn)中，電容器是配置成儲(chǔ)存能量(例如，在電場(chǎng)中靜電地儲(chǔ)存能量)的無源裝置(例如，無源電容性裝置)。

在一些實(shí)現(xiàn)中，PoP結(jié)構(gòu)1500中的電感器1516可由第二組焊球1514(例如，焊球1514a、焊球1514b)以及第一和第二封裝基板1502和1508中的至少一個(gè)金屬層來界定。具體來說，在一些實(shí)現(xiàn)中，第一封裝基板1502的金屬層1518、焊球1514a、焊球1514b、以及第二封裝基板1508的金屬層1520被配置成作為PoP結(jié)構(gòu)1500中的電感器1516來工作。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一封裝基板1502可包括附加的金屬層。類似地，第二封裝基板1508可包括附加的金屬層。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一封裝基板1502和/或第二封裝基板1508的一個(gè)或多個(gè)附加的金屬層可以是電感器1516的一部分。即，在一些實(shí)現(xiàn)中，第一封裝基板1502和/或第二封裝基板1508的一個(gè)或多個(gè)附加的金屬層可以被配置成作為電感器1516來工作。例如，在一些實(shí)現(xiàn)中，第一封裝基板1502的第一和第二金屬層、第二封裝基板1508的第二和第三金屬層、以及焊球1514a-b可被配置成作為電感器來工作。在圖15中，焊球1514a-b被集成到電感器1516中。然而，在一些實(shí)現(xiàn)中，可代替或協(xié)同焊球來使用其它互聯(lián)裝置。

在一些實(shí)現(xiàn)中，電感器1516被配置成與電容器1503一起作為用于電信號(hào)的濾波器來操作。在一些實(shí)現(xiàn)中，該濾波器是至少陷波濾波器和/或槽式濾波器之一。在一些實(shí)現(xiàn)中，該濾波器是高品質(zhì)因數(shù)(Q)濾波器。

已描述了各種新穎電感器(例如，由兩個(gè)管芯界定的電感器、由兩個(gè)封裝基板界定的電感器)，以下將描述用于制造/提供這樣的電感器的方法。

用于制造/提供電感器和電容器的示例性方法

圖16解說了用于制造/提供由兩個(gè)管芯和一組焊球界定的電感器的方法的流程圖。在一些實(shí)現(xiàn)中，圖16的方法可被實(shí)現(xiàn)以制造/提供如圖14中所描述的電感器。

如圖16中所示，該方法(在1605)提供包括第一金屬層和電容器的第一管芯。在一些實(shí)現(xiàn)中，該電容器位于第一管芯的諸下級(jí)金屬層中。圖18-19中進(jìn)一步描述了管芯的諸下級(jí)金屬層中的電容器的示例。在一些實(shí)現(xiàn)中，使用晶片級(jí)封裝來制造第一管芯。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一管芯可包括附加的金屬層(例如，第三金屬層)。此外，在一些實(shí)現(xiàn)中，第一管芯的金屬層之一(例如，第一金屬層)可以是后鈍化層。第一管芯可包括鈍化層。鈍化層可以是介電材料，并且可位于第一管芯的第一金屬層和另一金屬層之間。第一管芯還可包括凸塊下金屬化(UBM)層，其耦合至管芯的第一金屬層。該方法(在1610)將一組焊球耦合到第一管芯。在一些實(shí)現(xiàn)中，將一組焊球耦合至第一管芯包括將焊球耦合至第一管芯的UBM層。圖14解說了被耦合至管芯的UBM層的焊球的示例。具體來說，圖14解說了被耦合至管芯1400的UBM 1422的焊球1404。

該方法進(jìn)一步(在1615)將包括該組焊球的第一管芯耦合到第二管芯。在一些實(shí)現(xiàn)中，使用晶片級(jí)封裝來制造第二管芯。第二管芯包括第二金屬層。在一些實(shí)現(xiàn)中，第二管芯可包括附加的金屬層(例如，第四金屬層、第五金屬層)。一旦第一管芯被耦合至第二管芯，第一管芯的第一金屬層、該組焊球以及第二管芯的第二金屬層被配置成作為電感器來工作。在一些實(shí)現(xiàn)中，第二管芯的附加金屬層(例如，第四金屬層、第五金屬層)連同第一管芯的第一和第三金屬層、該組焊球以及第二管芯的第二金屬層可被配置成作為電感器工作。

在一些實(shí)現(xiàn)中，電感器被配置成與電容器一起作為用于電信號(hào)的濾波器來操作。在一些實(shí)現(xiàn)中，該濾波器是至少陷波濾波器和/或槽式濾波器之一。在一些實(shí)現(xiàn)中，該濾波器是高品質(zhì)因數(shù)(Q)濾波器。

圖17解說了用于制造/提供由兩個(gè)封裝基板和一組焊球界定的電感器的方法的流程圖，其中至少一個(gè)基板包括電容器。在一些實(shí)現(xiàn)中，圖17的方法可被實(shí)現(xiàn)以制造/提供如圖15中所描述的電感器。

如圖17中所示，該方法(在1705)提供包括第一金屬層和電容器的第一封裝基板。在一些實(shí)現(xiàn)中，電容器是表面安裝無源器件。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一封裝基板可包括附加的金屬層(例如，第三金屬層)。在一些實(shí)現(xiàn)中封裝基板可包括一個(gè)或多個(gè)管芯。該方法(在1710)將一組焊球耦合到第一封裝基板。

該方法進(jìn)一步(在1715)將包括該組焊球的第一封裝基板耦合到第二封裝基板。第二封裝基板包括第二金屬層。在一些實(shí)現(xiàn)中，第二封裝基板可包括附加的金屬層(例如，第四金屬層、第五金屬層)。在一些實(shí)現(xiàn)中，第二封裝基板還可包括一個(gè)或多個(gè)管芯。一旦第一封裝基板被耦合至第二封裝基板，第一封裝基板的第一金屬層、該組焊球以及第二封裝基板的第二金屬層就被配置成作為電感器來工作。在一些實(shí)現(xiàn)中，第二封裝基板的附加金屬層(例如，第四金屬層、第五金屬層)連同第一封裝基板的第一和第三金屬層、該組焊球以及第二封裝基板的第二金屬層一起可被配置成作為電感器工作。在一些實(shí)現(xiàn)中，該電感器被配置成與電容器一起作為用于電信號(hào)的濾波器來操作。在一些實(shí)現(xiàn)中，該濾波器是至少陷波濾波器和/或槽式濾波器之一。在一些實(shí)現(xiàn)中，該濾波器是高品質(zhì)因數(shù)(Q)濾波器。

包括電容器和部分電感器的示例性集成器件

圖18解說了包括電容器和部分電感器的集成器件1800的剖視圖的示例。集成器件1800包括基板1801、若干下級(jí)金屬層和介電層1802、焊盤1804、鈍化層1806、第一絕緣層1808、第一金屬重分布層1810、第二絕緣層1812、和凸塊下金屬化(UBM)層1814。集成器件1800還包括焊球1816。具體地，集成器件1800的焊球1816耦合至印刷電路板(PCB)(未示出)的跡線。在一些實(shí)現(xiàn)中，焊球1816、UBM層1814、和/或第一金屬重分布層1810是集成器件1800的電感器的一部分。

下級(jí)金屬層和介電層1802包括電容器。在一些實(shí)現(xiàn)中，該電容器是配置成儲(chǔ)存能量(例如，在電場(chǎng)中靜電地儲(chǔ)存能量)的無源電容性裝置。在一些實(shí)現(xiàn)中，該電容器是金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器。該電容器包括第一互連1820、第二互連1821、第三互連1823、第四互連1824、和第五互連1825。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一互連1820是第一通孔。在一些實(shí)現(xiàn)中，第二互連1821是第一跡線。在一些實(shí)現(xiàn)中，第三互連1823是第二跡線。在一些實(shí)現(xiàn)中，第四互連1824是第二通孔。在一些實(shí)現(xiàn)中，第五互連1825是第三跡線。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一互連1820、第二互連1821、第三互連1823、第四互連1824、和/或第五互連1825是集成器件1800(例如，管芯)中的下級(jí)金屬層。

圖19解說了包括電容器和部分電感器的集成器件1900的剖視圖的示例。集成器件1900包括基板1901、若干下級(jí)金屬層和介電層1902、焊盤1904、鈍化層1906、第一絕緣層1908、第一金屬重分布層1910、第二絕緣層1912、和凸塊下金屬化(UBM)層1914。集成器件1900還包括焊球1916。具體地，集成器件1900的焊球1916耦合至印刷電路板(PCB)(未示出)的跡線。在一些實(shí)現(xiàn)中，焊球1916、UBM層1914、和/或第一金屬重分布層1910是集成器件1900的電感器的一部分。

下級(jí)金屬層和介電層1902包括電容器。在一些實(shí)現(xiàn)中，電容器是配置成儲(chǔ)存能量(例如，在電場(chǎng)中靜電地儲(chǔ)存能量)的無源電容性裝置。在一些實(shí)現(xiàn)中，電容器是金屬上金屬(MOM)電容器。電容器包括第一互連1920、第二互連1921、第三組互連1922、第四互連1923、第五組互連1924、和第六互連1925。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一互連1920是第一通孔。在一些實(shí)現(xiàn)中，第二互連1921是第一跡線。在一些實(shí)現(xiàn)中，第三組互連1922是第二組通孔。在一些實(shí)現(xiàn)中，第四互連1923是第二跡線。在一些實(shí)現(xiàn)中，第五組互連1924是第三組通孔。在一些實(shí)現(xiàn)中，第六互連1925是第三跡線。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一互連1920、第二互連1921、第三組互連1922、第四互連1923、第五組互連1924、和/或第六互連1925是集成器件1900(例如，管芯)中的下級(jí)金屬層。

用于提供/制造包括電容器的管芯的示例性工序

圖20(其包括圖20A-20D)解說了用于提供和/或制造包括電容器和至少部分電感器的集成器件的示例性工序。在一些實(shí)現(xiàn)中，圖20A-20D的工序可被用于提供和/或制造圖2-12、18-19的集成器件和/或本公開中描述的其他集成器件。

圖20A的階段1解說了在提供(例如，形成、制造)基板(例如，基板2001)之后的階段。在一些實(shí)現(xiàn)中，基板是晶片。不同實(shí)現(xiàn)可以將不同材料用于該基板(例如，硅基板、玻璃基板)。

階段2解說了在基板2001上提供(例如，形成、制造)若干下級(jí)金屬層和介電層(例如，下級(jí)金屬層和介電層2002)之后的狀態(tài)。不同實(shí)現(xiàn)可以提供不同數(shù)目的下級(jí)金屬層和介電層(例如，M1金屬層、M2金屬層、M3金屬層、M4金屬層、M5金屬層、M6金屬層、M7金屬層)。在一些實(shí)現(xiàn)中，還在基板2001和/或下級(jí)金屬層和介電層2002中提供電路、布線和/或互連。如階段2中所示，電容器2003設(shè)在下級(jí)金屬層和介電層2002中。在一些實(shí)現(xiàn)中，電容器2003是金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器，如圖18中所示。然而，在一些實(shí)現(xiàn)中，電容器2003可以是其他類型的電容器，諸如圖19的金屬上金屬(MOM)電容器。

階段3解說了在下級(jí)金屬層和介電層2002上提供(例如，形成、制造)至少一個(gè)焊盤(例如，焊盤2004)之后的狀態(tài)。在一些實(shí)現(xiàn)中，該焊盤被耦合至這些下級(jí)金屬層之一(例如，頂部的下級(jí)金屬層，即M7金屬層)。在一些實(shí)現(xiàn)中，焊盤2004是鋁焊盤。然而，不同實(shí)現(xiàn)可以將不同材料用于焊盤2004。不同實(shí)現(xiàn)可以使用不同工藝來在下級(jí)金屬層和介電層2002上提供焊盤。例如，在一些實(shí)現(xiàn)中，光刻和/或蝕刻工藝可被用于在下級(jí)金屬層和介電層2002上提供焊盤2004。

階段4解說了在下級(jí)金屬層和介電層2002上提供(例如，形成、制造)鈍化層(例如，鈍化層2006)之后的狀態(tài)。不同實(shí)現(xiàn)可為鈍化層使用不同材料。如階段4中所示，在下級(jí)金屬層和介電層2002上提供鈍化層2006，從而暴露焊盤2004的至少一部分。

圖20B的階段5解說了在鈍化層2006和焊盤2004上提供(例如，形成、制造)第一絕緣層(例如，第一絕緣層2008)之后的狀態(tài)。不同實(shí)現(xiàn)可以將不同材料用于第一絕緣層2008。例如，第一絕緣層2008可以是聚苯并惡唑(PbO)層或聚合物層。

階段6解說了在第一絕緣層2008中提供(例如，形成、制造)腔(例如，腔2009)之后的狀態(tài)。如進(jìn)一步在階段6中所示，在焊盤2004之上創(chuàng)建腔2009。不同的實(shí)現(xiàn)可不同地創(chuàng)建腔2009。例如，可通過蝕刻第一絕緣層2008來提供/創(chuàng)建腔2009。

階段7解說了在提供(例如，形成、制造)第一金屬重分布層之后的狀態(tài)。具體而言，在焊盤2004和第一絕緣層2008之上提供第一金屬重分布層2010。如階段20中所示，第一金屬重分布層2010被耦合至焊盤2004。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一金屬重分布層2010是銅層。

圖20C的階段8解說了在第一絕緣層2008和第一金屬重分布層2010上提供(例如，形成、制造)第二絕緣層(例如，第二絕緣層2012)之后的狀態(tài)。不同實(shí)現(xiàn)可為第二絕緣層2012使用不同材料。例如，第二絕緣層2012可以是聚苯并噁唑(PbO)層或者聚合物層。

階段9解說了在第二絕緣層2012中提供(例如，形成、制造)腔(例如，腔2013)之后的狀態(tài)。不同的實(shí)現(xiàn)可不同地創(chuàng)建腔2013。例如，可以通過蝕刻第二絕緣層2012來提供/創(chuàng)建腔2013。

階段10解說了在提供(例如，形成、制造)凸塊下金屬化(UBM)層之后的狀態(tài)。具體而言，在第二絕緣層2012的腔2013中提供凸塊下金屬化(UBM)層2014。如階段21所示，UBM層2014耦合至第一金屬重分布層2010。在一些實(shí)現(xiàn)中，UBM層2014是銅層。

階段11解說了在UBM層上提供焊球之后的狀態(tài)。具體而言，焊球2016耦合至UBM層2014。在一些實(shí)現(xiàn)中，焊球2016、UBM層2014、和/或第一金屬重分布層2010是集成器件中的電感器的一部分。

用于提供/制造包括電容器的管芯的方法的示例性流程圖

圖21解說了用于提供和/或制造包括電容器的集成器件的方法的示例性流程圖。在一些實(shí)現(xiàn)中，圖21的流程圖可被用于提供和/或制造圖2、6的集成器件和/或本公開中描述的其他集成器件。

該方法(在2105處)提供基板。在一些實(shí)現(xiàn)中，(在2105)提供基板包括提供晶片(例如，硅晶片)。然而，不同實(shí)現(xiàn)可以將不同材料用于基板(例如，玻璃基板)。該方法隨后可任選地(在2110)在下級(jí)金屬層中提供電容器(例如，MIM電容器、MOM電容器)。

該方法進(jìn)一步(在2115)在下級(jí)金屬層和介電層之一(例如，M7金屬層)上提供至少一個(gè)焊盤。在一些實(shí)現(xiàn)中，(在2115)提供焊盤包括將焊盤耦合至這些下級(jí)金屬層之一(例如，頂部的下級(jí)金屬層，即M7金屬層)。在一些實(shí)現(xiàn)中，該焊盤是鋁焊盤。然而，不同實(shí)現(xiàn)可以將不同材料用于該焊盤。此外，不同實(shí)現(xiàn)可以使用不同工藝來在下級(jí)金屬層和介電層上提供焊盤。例如，在一些實(shí)現(xiàn)中，光刻和/或蝕刻工藝可被用于(在2115)在下級(jí)金屬層和介電層上提供焊盤。

該方法(在2120)提供鈍化層(例如，鈍化層2306)、第一絕緣層(例如，第一絕緣層2308)、重分布層(例如，重分布層2310)、和第二絕緣層(例如，第二絕緣層2312)。不同實(shí)現(xiàn)可為鈍化層使用不同材料。在一些實(shí)現(xiàn)中，在下級(jí)金屬層和介電層上提供鈍化層，從而暴露焊盤的至少一部分。在一些實(shí)現(xiàn)中，金屬重分布層設(shè)在焊盤和第一絕緣層之上。在一些實(shí)現(xiàn)中，金屬重分布層被耦合至焊盤。在一些實(shí)現(xiàn)中，金屬重分布層是銅層。

不同實(shí)現(xiàn)可以將不同材料用于第一和第二絕緣層。例如，第一和第二絕緣層可以是聚苯并噁唑(PbO)層和/或聚合物層。

該方法隨后(在2125)提供凸塊下金屬化(UBM)層。在一些實(shí)現(xiàn)中，(在2125)提供UBM層包括將UBM層耦合至金屬重分布層。在一些實(shí)現(xiàn)中，UBM層是銅層。該方法進(jìn)一步(在2135)在UBM層上提供焊球。

不同實(shí)現(xiàn)可使用不同工藝來形成和/或制造金屬層(例如，重分布層、凸塊下金屬化層、突起)。在一些實(shí)現(xiàn)中，這些工藝包括半加成圖案化(SAP)工藝和鑲嵌工藝。這些各種不同工藝在下文進(jìn)一步描述。

示例性半加成圖案化(SAP)工藝

圖22解說了用于使用半加成圖案化(SAP)工藝來形成互連以在一個(gè)或多個(gè)介電層中提供和/或形成互連(例如，重分布層、凸塊下金屬化層、突起)的工序。如圖22中所示，階段1解說了在提供(例如，形成)介電層2202之后的集成器件(例如，基板)的狀態(tài)。在一些實(shí)現(xiàn)中，階段1解說了介電層2202包括第一金屬層2204。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一金屬層2204是晶種層。在一些實(shí)現(xiàn)中，可以在提供(例如，接收或形成)介電層2202之后在介電層2202上提供(例如，形成)第一金屬層2204。階段1解說了在介電層2202的第一表面上提供(例如，形成)第一金屬層2204。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一金屬層2204是通過使用沉積工藝(例如，PVD、CVD、鍍敷工藝)來提供的。

階段2解說了在第一金屬層2204上選擇性地提供(例如，形成)光致抗蝕層2206(例如，光顯影抗蝕層)之后的集成器件的狀態(tài)。在一些實(shí)現(xiàn)中，選擇性地提供抗蝕層2206包括在第一金屬層2204上提供抗蝕層2206并且通過顯影(例如，使用顯影工藝)來選擇性地移除抗蝕層2206的諸部分。階段2解說了提供抗蝕層2206，從而形成腔2208。

階段3解說了在腔2208中形成第二金屬層2210之后的集成器件的狀態(tài)。在一些實(shí)現(xiàn)中，在第一金屬層2204的暴露部分上方形成第二金屬層2210。在一些實(shí)現(xiàn)中，第二金屬層2210是通過使用沉積工藝(例如，鍍敷工藝)來提供的。

階段4解說了在移除抗蝕層2206之后的集成器件的狀態(tài)。不同實(shí)現(xiàn)可將不同工藝用于移除抗蝕層2206。

階段5解說了在選擇性地移除第一金屬層2204的諸部分之后的集成器件的狀態(tài)。在一些實(shí)現(xiàn)中，移除第一金屬層2204的未被第二金屬層2210覆蓋的一個(gè)或多個(gè)部分。如階段5中所示，剩余的第一金屬層2204和第二金屬層2210可以在集成器件和/或基板中形成和/或界定互連2212(例如，跡線、通孔、焊盤)。在一些實(shí)現(xiàn)中，移除第一金屬層2206，以使得位于第二金屬層2210下方的第一金屬層2204的尺寸(例如，長(zhǎng)度、寬度)小于第二金屬層2210的尺寸(例如，長(zhǎng)度、寬度)，這可導(dǎo)致底切，如圖22的階段5所示。在一些實(shí)現(xiàn)中，以上提及的過程可被迭代若干次以在集成器件和/或基板的一個(gè)或多個(gè)介電層中提供和/或形成若干互連。

圖23解說了用于使用(SAP)工藝在一個(gè)或多個(gè)介電層中提供和/或形成互連(例如，重分布層、凸塊下金屬化層、突起)的方法的流程圖。該方法(在2305)提供介電層(例如，介電層2202)。在一些實(shí)現(xiàn)中，提供介電層包括形成介電層。在一些實(shí)現(xiàn)中，提供介電層包括形成第一金屬層(例如，第一金屬層2204)。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一金屬層是晶種層。在一些實(shí)現(xiàn)中，可以在提供(例如，接收或形成)介電層之后在該介電層上提供(例如，形成)第一金屬層。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一金屬層是通過使用沉積工藝(例如，物理氣相沉積(PVD)或鍍敷工藝)來提供的。

該方法(在2310)選擇性地在第一金屬層上提供光致抗蝕層(例如，光顯影抗蝕層2206)。在一些實(shí)現(xiàn)中，選擇性地提供抗蝕層包括在第一金屬層上提供第一抗蝕層并且選擇性地移除抗蝕層的諸部分(這提供一個(gè)或多個(gè)腔)。

該方法隨后(在2315)在光致抗蝕層的腔中提供第二金屬層(例如，第二金屬層2210)。在一些實(shí)現(xiàn)中，在第一金屬層的暴露部分上方形成第二金屬層。在一些實(shí)現(xiàn)中，第二金屬層是通過使用沉積工藝(例如，鍍敷工藝)來提供的。

該方法進(jìn)一步(在2320)移除抗蝕層。不同實(shí)現(xiàn)可將不同工藝用于移除抗蝕層。該方法還(在2325)選擇性地移除第一金屬層的諸部分。在一些實(shí)現(xiàn)中，移除第一金屬層的未被第二金屬層覆蓋的一個(gè)或多個(gè)部分。在一些實(shí)現(xiàn)中，任何剩余的第一金屬層和第二金屬層可以在集成器件和/或基板中形成和/或界定一個(gè)或多個(gè)互連(例如，跡線、通孔、焊盤)。在一些實(shí)現(xiàn)中，以上提及的方法可被迭代若干次以在集成器件和/或基板的一個(gè)或多個(gè)介電層中提供和/或形成若干互連。

示例性鑲嵌工藝

圖24解說了用于使用鑲嵌工藝來形成互連以在介電層中提供和/或形成互連(例如，重分布層、凸塊下金屬化層、突起)的工序。如圖24中所示，階段1解說了在提供(例如，形成)介電層2402之后的集成器件的狀態(tài)。在一些實(shí)現(xiàn)中，介電層2402是無機(jī)層(例如，無機(jī)膜)。

階段2解說了在介電層2402中形成腔2404之后的集成器件的狀態(tài)。不同實(shí)現(xiàn)可將不同工藝用于在介電層2402中提供腔2404。

階段3解說了在介電層2402上提供第一金屬層2406之后的集成器件的狀態(tài)。如階段3中所示，在介電層2402的第一表面上提供第一金屬層2406。在介電層2402上提供第一金屬層2406，以使得第一金屬層2406占據(jù)介電層2402的輪廓，包括腔2404的輪廓在內(nèi)。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一金屬層2406是晶種層。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一金屬層2406是通過使用沉積工藝(例如，物理氣相沉積(PVD)、化學(xué)氣相沉積(CVP)、或鍍敷工藝)來提供的。

階段4解說了在腔2404中和介電層2402的表面中形成第二金屬層2408之后的集成器件的狀態(tài)。在一些實(shí)現(xiàn)中，在第一金屬層2406的暴露部分上方形成第二金屬層2408。在一些實(shí)現(xiàn)中，第二金屬層2408是通過使用沉積工藝(例如，鍍敷工藝)來提供的。

階段5解說了在移除第二金屬層2408的諸部分和第一金屬層2406的諸部分之后的集成器件的狀態(tài)。不同實(shí)現(xiàn)可使用不同工藝來移除第二金屬層2408和第一金屬層2406。在一些實(shí)現(xiàn)中，化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝被用于移除第二金屬層2408的諸部分和第一金屬層2406的諸部分。如階段5中所示，剩余的第一金屬層2406和第二金屬層2408可以在集成器件和/或基板中形成和/或界定互連2412(例如，跡線、通孔、焊盤)。如階段5中所示，以在第二金屬層2410的基底部分和(諸)側(cè)面部分上形成第一金屬層2406的方式來形成互連2412。在一些實(shí)現(xiàn)中，腔2404可以包括兩級(jí)電介質(zhì)中的溝和/或孔的組合，以使得可以在單個(gè)沉積步驟中形成通孔和互連(例如，金屬跡線)。在一些實(shí)現(xiàn)中，以上提及的過程可被迭代若干次以在集成器件和/或基板的一個(gè)或多個(gè)介電層中提供和/或形成若干互連。

圖25解說了用于使用鑲嵌工藝來形成互連以在介電層中提供和/或形成互連(例如，重分布層、凸塊下金屬化層、突起)的方法的流程圖。該方法(在2505)提供介電層(例如，介電層2402)。在一些實(shí)現(xiàn)中，提供介電層包括形成介電層。在一些實(shí)現(xiàn)中，提供介電層包括從供應(yīng)商接收介電層。在一些實(shí)現(xiàn)中，介電層是無機(jī)層(例如，無機(jī)膜)。

該方法(在2510)在介電層中形成至少一個(gè)腔(例如，腔2404)。不同實(shí)現(xiàn)可將不同工藝用于在介電層中提供腔。

該方法(在2515)在介電層上提供第一金屬層(例如，第一金屬層2406)。在一些實(shí)現(xiàn)中，在介電層的第一表面上提供(例如，形成)第一金屬層。在一些實(shí)現(xiàn)中，在介電層上提供第一金屬層，以使得第一金屬層占據(jù)介電層的輪廓，包括腔的輪廓在內(nèi)。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一金屬層是晶種層。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一金屬層2406是通過使用沉積工藝(例如，PVD、CVD或鍍敷工藝)來提供的。

該方法(在2520)在腔中和介電層的表面中提供第二金屬層(例如，第二金屬層2408)。在一些實(shí)現(xiàn)中，在第一金屬層的暴露部分上方形成第二金屬層。在一些實(shí)現(xiàn)中，第二金屬層是通過使用沉積工藝(例如，鍍敷工藝)來提供的。在一些實(shí)現(xiàn)中，第二金屬層與第一金屬層相似或相同。在一些實(shí)現(xiàn)中，第二金屬層不同于第一金屬層。

該方法隨后(在2525)移除第二金屬層的諸部分和第一金屬層的諸部分。不同實(shí)現(xiàn)可使用不同工藝來移除第二金屬層和第一金屬層。在一些實(shí)現(xiàn)中，化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝被用于移除第二金屬層的諸部分和第一金屬層的諸部分。在一些實(shí)現(xiàn)中，剩余的第一金屬層和第二金屬層可以形成和/或界定互連(例如，互連2412)。在一些實(shí)現(xiàn)中，互連可以包括集成器件和/或基板中的至少跡線、通孔、和/或焊盤中的一者。在一些實(shí)現(xiàn)中，以在第二金屬層的基底部分和(諸)側(cè)面部分上形成第一金屬層的方式來形成互連。在一些實(shí)現(xiàn)中，以上提及的方法可被迭代若干次以在集成器件和/或基板的一個(gè)或多個(gè)介電層中提供和/或形成若干互連。

示例性電子設(shè)備

圖26解說了可集成有前述集成器件、半導(dǎo)體器件、集成電路、管芯、中介體或封裝中的任何一者的各種電子設(shè)備。例如，移動(dòng)電話2602、膝上型計(jì)算機(jī)2604、以及固定位置終端2606可包括如本文所述的集成器件2600。集成器件2600可以是例如本文所述的集成電路、基板、管芯、封裝或?qū)盈B封裝(PoP)器件中的任一者。圖26中所解說的設(shè)備2602、2604、2606僅是示例性的。其它電子設(shè)備也能以集成器件2600為其特征，此類電子設(shè)備包括但不限于移動(dòng)設(shè)備、手持式個(gè)人通信系統(tǒng)(PCS)單元、便攜式數(shù)據(jù)單元(諸如個(gè)人數(shù)字助理)、啟用GPS的設(shè)備、導(dǎo)航設(shè)備、機(jī)頂盒、音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、固定位置數(shù)據(jù)單位(諸如儀表讀取設(shè)備)、通信設(shè)備、智能電話、平板計(jì)算機(jī)或者存儲(chǔ)或檢索數(shù)據(jù)或計(jì)算機(jī)指令的任何其它設(shè)備，或者其任何組合。

圖2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20A-20D、21、22、23、24、25和/或26中解說的組件、步驟、特征和/或功能中的一者或多者可以被重新編排和/或組合成單個(gè)組件、步驟、特征或功能，或?qū)嵤┰跀?shù)個(gè)組件、步驟、或功能中。也可添加額外的元件、組件、步驟、和/或功能而不會(huì)脫離本公開。還應(yīng)注意，本公開中的圖2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20A-20D、21、22、23、24、25和/或26及其相應(yīng)描述不限于管芯和/或IC。在一些實(shí)現(xiàn)中，圖2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20A-20D、21、22、23、24、25和/或26及其相應(yīng)描述可被用于制造、創(chuàng)建、提供、和/或生產(chǎn)集成器件。在一些實(shí)現(xiàn)中，集成器件可以包括管芯封裝、集成電路(IC)、晶片、半導(dǎo)體器件、基板和/或中介體。

措辭“示例性”在本文中用于意指“用作示例、實(shí)例或解說”。本文中描述為“示例性”的任何實(shí)現(xiàn)或方面不必被解釋為優(yōu)于或勝過本公開的其他方面。同樣，術(shù)語(yǔ)“方面”不要求本公開的所有方面都包括所討論的特征、優(yōu)點(diǎn)或操作模式。術(shù)語(yǔ)“耦合”在本文中被用于指兩個(gè)對(duì)象之間的直接或間接耦合。例如，如果對(duì)象A物理地接觸對(duì)象B，且對(duì)象B接觸對(duì)象C，則對(duì)象A和C可仍被認(rèn)為是彼此耦合的——即便它們并非彼此直接物理接觸。

還應(yīng)注意，這些實(shí)施例可能是作為被描繪為流程圖、流圖、結(jié)構(gòu)圖、或框圖的過程來描述的。盡管流程圖可能會(huì)把諸操作描述為順序過程，但是這些操作中有許多操作能夠并行或并發(fā)地執(zhí)行。另外，這些操作的次序可被重新安排。過程在其操作完成時(shí)終止。

本文中所描述的本公開的各種特征可實(shí)現(xiàn)于不同系統(tǒng)中而不會(huì)脫離本公開。應(yīng)注意，本公開的以上各方面僅是示例，且不應(yīng)被解釋成限定本公開。對(duì)本公開的各方面的描述旨在是解說性的，而非限定所附權(quán)利要求的范圍。由此，本發(fā)明的教導(dǎo)可以現(xiàn)成地應(yīng)用于其他類型的裝置，并且許多替換、修改和變形對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員將是顯而易見的。