技術(shù)總結(jié)
外延硅晶片的制造方法，其包括：預(yù)熱處理步驟，對(duì)氧濃度處于9×1017原子/cm3~16×1017原子/cm3的范圍、且包含氧析出抑制區(qū)域而不含位錯(cuò)簇和COP的硅晶片，實(shí)施用于提高氧析出物密度的熱處理；以及，外延層形成步驟，在預(yù)熱處理步驟之后，在硅晶片的表面上形成外延層。該制造方法還包括：熱處理?xiàng)l件確定步驟，基于實(shí)施預(yù)熱處理步驟之前的硅晶片中的氧析出抑制區(qū)域的比例，確定預(yù)熱處理步驟中的熱處理?xiàng)l件。通過該制造方法，能夠制造外延缺陷的密度少、且遍及晶片的徑向的整個(gè)區(qū)域的吸雜能力優(yōu)異的外延硅晶片。

技術(shù)研發(fā)人員：藤瀨淳;小野敏昭
受保護(hù)的技術(shù)使用者：勝高股份有限公司
文檔號(hào)碼：201580036994
技術(shù)研發(fā)日：2015.04.21
技術(shù)公布日：2017.05.10