本發(fā)明涉及一種有機電致發(fā)光裝置。

背景技術：

電致發(fā)光(EL)裝置是一種自發(fā)光裝置，其優(yōu)點在于其提供較寬的視角、較大的對比率以及較快的響應時間。有機EL裝置最初由伊士曼柯達(Eastman Kodak)通過使用芳香族二胺小分子和鋁絡合物作為用于形成發(fā)光層的材料而開發(fā)[《應用物理學快報(Appl.Phys.Lett.)》51,913,1987]。

當將電力施加到一種或多種有機發(fā)光材料時，有機EL裝置將電能轉(zhuǎn)化成光。一般來說，有機EL裝置具有包含陽極、陰極以及安置于陽極與陰極之間的有機層的結構。有機EL裝置的有機層包含空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、發(fā)光層(包含主體材料和摻雜劑材料)、電子緩沖層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層等。取決于其功能，用于形成有機層的材料可分類為空穴注入材料、空穴傳輸材料、電子阻擋材料、發(fā)光材料、電子緩沖材料、空穴阻擋材料、電子傳輸材料、電子注入材料等。當將電壓施加到有機EL裝置時，空穴和電子分別從陽極和陰極注入到發(fā)光層。具有高能量的激子通過空穴與電子之間的重組形成。激子的能量將有機發(fā)光化合物置于激發(fā)態(tài)中，并且激發(fā)態(tài)的衰減導致使得能級弛豫到基態(tài)中，伴隨著發(fā)射光。

決定有機EL裝置的發(fā)光效率的最重要因素是發(fā)光材料。發(fā)光材料需要具有較量子效率、高電子遷移率和高空穴遷移率。此外，由發(fā)光材料形成的發(fā)光層需要為均勻并且穩(wěn)定的。取決于光發(fā)射觀測到的顏色，發(fā)光材料可以分類為藍光、綠光或紅光發(fā)射材料，并且其中可以另外包括黃光或橙光發(fā)射材料。取決于其功能，發(fā)光材料可以分類為主體材料和摻雜劑材料。近來，開發(fā)具有高效率和長壽命的有機EL裝置是一緊迫問題。具體來說，考慮OLED的中等或大尺寸面板的EL特征需求，必須迫切地開發(fā)特征比常規(guī)材料好的材料。主體材料以固態(tài)充當溶劑并且傳遞能量，并且因此需要具有高純度和適于真空沉積的分子量。此外，主體材料需要具有實現(xiàn)熱穩(wěn)定性的高玻璃轉(zhuǎn)移溫度和高熱分解溫度；實現(xiàn)長壽命的高電-化學穩(wěn)定性；容易形成非晶形薄膜；與相鄰層的材料良好粘合以及不電子遷移到其它層。

為了增強色彩純度、發(fā)光效率以及穩(wěn)定性，發(fā)光材料可以用作主體和摻雜劑的混合物。一般來說，顯示良好的電致發(fā)光特征的裝置包含摻雜劑摻雜于主體中的發(fā)光層。在摻雜劑/主體材料系統(tǒng)中，裝置的效率和壽命非常受主體材料影響，并且因此對主體材料的選擇是重要的。

WO 2013/168688 A1、WO 2009/060757 A1以及日本專利申請?zhí)卦S公開號2013-183036 A1公開了一種采用雙咔唑衍生物作為主體材料的有機電致發(fā)光裝置。但是，所述文獻未專門公開一種采用以下化合物的有機電致發(fā)光裝置：咔唑的氮原子分別連接到芳基的雙咔唑衍生物和咔唑的氮原子連接到含氮雜芳基的咔唑衍生物作為多種主體；并且連接到二芳基氨基的芴或螺聯(lián)芴衍生物作為空穴傳輸化合物。

技術實現(xiàn)要素：

技術問題

本發(fā)明的目標是提供一種具有高效率和長壽命的有機電致發(fā)光裝置。

問題的解決方案

本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)以上目標可以通過一種包含陽極、陰極以及陽極與陰極之間的有機層的有機電致發(fā)光裝置來實現(xiàn)，其中有機層包含一個或多個發(fā)光層和一個或多個空穴傳輸層；一個或多個發(fā)光層中的至少一個包含一種或多種摻雜劑化合物和兩種或更多種主體化合物；兩種或更多種主體化合物的第一主體化合物由下式1表示；第二主體化合物由下式2表示；并且一個或多個空穴傳輸層中的至少一個包含由下式3表示的化合物：

其中

A₁和A₂各自獨立地表示被取代或未被取代的(C6-C30)芳基，前提是含氮雜芳基不是A₁和A₂的取代基；

L₁表示單鍵或被取代或未被取代的(C6-C30)亞芳基；

X₁到X₁₆各自獨立地表示氫、氘、鹵素、氰基、被取代或未被取代的(C1-C30)烷基、被取代或未被取代的(C2-C30)烯基、被取代或未被取代的(C2-C30)炔基、被取代或未被取代的(C3-C30)環(huán)烷基、被取代或未被取代的(C6-C60)芳基、被取代或未被取代的3到30元雜芳基、被取代或未被取代的三(C1-C30)烷基硅烷基、被取代或未被取代的三(C6-C30)芳基硅烷基、被取代或未被取代的二(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基硅烷基、被取代或未被取代的(C1-C30)烷基二(C6-C30)芳基硅烷基或被取代或未被取代的單或二(C6-C30)芳基氨基；或可以連接到相鄰的一個或多個取代基以形成被取代或未被取代的(C3-C30)單環(huán)或多環(huán)的脂環(huán)族或芳香族環(huán)，其一個或多個碳原子可以被至少一個選自氮、氧以及硫的雜原子置換；

其中

Ma表示被取代或未被取代的含氮5到11元雜芳基；

La表示單鍵或被取代或未被取代的(C6-C30)亞芳基；

Xa到Xh各自獨立地表示氫、氘、鹵素、氰基、被取代或未被取代的(C1-C30)烷基、被取代或未被取代的(C2-C30)烯基、被取代或未被取代的(C2-C30)炔基、被取代或未被取代的(C3-C30)環(huán)烷基、被取代或未被取代的(C6-C60)芳基、被取代或未被取代的3到30元雜芳基、被取代或未被取代的三(C1-C30)烷基硅烷基、被取代或未被取代的三(C6-C30)芳基硅烷基、被取代或未被取代的二(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基硅烷基、被取代或未被取代的(C1-C30)烷基二(C6-C30)芳基硅烷基或被取代或未被取代的單或二(C6-C30)芳基氨基；或可以連接到相鄰的一個或多個取代基以形成被取代或未被取代的(C3-C30)單環(huán)或多環(huán)的脂環(huán)族或芳香族環(huán)，其一個或多個碳原子可以被至少一個選自氮、氧以及硫的雜原子置換；

其中

A₄和A₅各自獨立地表示被取代或未被取代的(C6-C30)芳基；

L₃表示單鍵或被取代或未被取代的(C6-C30)亞芳基；

Z₁到Z₉各自獨立地表示氫、氘、鹵素、氰基、被取代或未被取代的(C1-C30)烷基、被取代或未被取代的(C2-C30)烯基、被取代或未被取代的(C2-C30)炔基、被取代或未被取代的(C3-C30)環(huán)烷基、被取代或未被取代的(C6-C60)芳基、被取代或未被取代的3到30元雜芳基、被取代或未被取代的三(C1-C30)烷基硅烷基、被取代或未被取代的三(C6-C30)芳基硅烷基、被取代或未被取代的二(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基硅烷基、被取代或未被取代的(C1-C30)烷基二(C6-C30)芳基硅烷基或被取代或未被取代的單或二(C6-C30)芳基氨基；或可以連接到相鄰的一個或多個取代基以形成被取代或未被取代的(C3-C30)單環(huán)或多環(huán)的脂環(huán)族或芳香族環(huán)，其一個或多個碳原子可以被至少一個選自氮、氧以及硫的雜原子置換；

n表示0或1的整數(shù)；

t表示0、1或2的整數(shù)；并且

所述雜芳基含有至少一個選自B、N、O、S、Si以及P的雜原子。

本發(fā)明的有利效應

本發(fā)明的有機電致發(fā)光裝置具有高效率和長壽命?？梢灾圃焓褂糜袡C電致發(fā)光裝置的顯示系統(tǒng)或照明系統(tǒng)。

本發(fā)明的模式

在下文中，將對本發(fā)明進行詳細描述。但是，以下描述旨在解釋本發(fā)明，并且不以任何方式意味著限制本發(fā)明的范圍。

本發(fā)明的有機電致發(fā)光裝置的詳情如下。

根據(jù)本發(fā)明的有機電致發(fā)光裝置的一個實施例，式1化合物可以由下式5、6、7或8表示。

其中A₁、A₂、L₁和X₁到X₁₆如式1中所定義。

在式1中，A₁和A₂各自獨立地表示被取代或未被取代的(C6-C30)芳基。A₁和A₂可以各自獨立地優(yōu)選地表示被取代或未被取代的(C6-C18)芳基；并且更優(yōu)選地表示未被取代或被氰基、鹵素、(C1-C6)烷基、(C6-C12)芳基或三(C6-C12)芳基硅烷基取代的(C6-C18)芳基。具體來說，A₁和A₂可以各自獨立地選自由以下各者組成的群組：被取代或未被取代的苯基、被取代或未被取代的聯(lián)二苯、被取代或未被取代的聯(lián)三苯、被取代或未被取代的萘基、被取代或未被取代的芴基、被取代或未被取代的苯并芴基、被取代或未被取代的菲基、被取代或未被取代的蒽基、被取代或未被取代的茚基、被取代或未被取代的三亞苯基、被取代或未被取代的芘基、被取代或未被取代的并四苯基、被取代或未被取代的苝基、被取代或未被取代的屈基、被取代或未被取代的苯基萘基、被取代或未被取代的萘基苯基以及被取代或未被取代的熒蒽基。本文中，被取代的苯基等的取代基可以是氰基、鹵素、(C1-C6)烷基、(C6-C12)芳基或三(C6-C12)芳基硅烷基。A₁和A₂可以相同或不同。

在式1中，X₁到X₁₆各自獨立地表示氫、氘、鹵素、氰基、被取代或未被取代的(C1-C30)烷基、被取代或未被取代的(C2-C30)烯基、被取代或未被取代的(C2-C30)炔基、被取代或未被取代的(C3-C30)環(huán)烷基、被取代或未被取代的(C6-C60)芳基、被取代或未被取代的3到30元雜芳基、被取代或未被取代的三(C1-C30)烷基硅烷基、被取代或未被取代的三(C6-C30)芳基硅烷基、被取代或未被取代的二(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基硅烷基、被取代或未被取代的(C1-C30)烷基二(C6-C30)芳基硅烷基或被取代或未被取代的單或二(C6-C30)芳基氨基；或可以連接到相鄰的一個或多個取代基以形成被取代或未被取代的(C3-C30)單環(huán)或多環(huán)的脂環(huán)族或芳香族環(huán)，其一個或多個碳原子可以被至少一個選自氮、氧以及硫的雜原子置換。X₁到X₁₆可以各自獨立地優(yōu)選地表示氫、氰基、被取代或未被取代的(C1-C10)烷基、被取代或未被取代的(C6-C20)芳基、被取代或未被取代的5到20元雜芳基或被取代或未被取代的三(C6-C12)芳基硅烷基；并且更優(yōu)選地氫；氰基；(C1-C10)烷基；未被取代或被氰基、(C1-C10)烷基或三(C6-C12)芳基硅烷基取代的(C6-C20)芳基；未被取代或被(C1-C10)烷基、(C6-C15)芳基或三(C6-C12)芳基硅烷基取代的5到20元雜芳基；或未被取代或被(C1-C10)烷基取代的三(C6-C12)芳基硅烷基。具體地說，X₁到X₁₆可以各自獨立地表示氫；氰基；(C1-C6)烷基；未被取代或被氰基、(C1-C6)烷基或三苯基硅烷基取代的苯基、聯(lián)二苯、聯(lián)三苯或萘基；未被取代或被(C1-C6)烷基、苯基、聯(lián)二苯、萘基或三苯基硅烷基取代的二苯并噻吩或二苯并呋喃；或未被取代或被(C1-C6)烷基取代的三苯基硅烷基。

在式1中，L₁表示單鍵或被取代或未被取代的(C6-C30)亞芳基。優(yōu)選地，L₁可以表示單鍵或被取代或未被取代的(C6-C15)亞芳基。

L₁可以表示單鍵或選自下式9到21的基團。

其中

Xi到Xp各自獨立地表示氫、氘、鹵素、氰基、被取代或未被取代的(C1-C30)烷基、被取代或未被取代的(C2-C30)烯基、被取代或未被取代的(C2-C30)炔基、被取代或未被取代的(C3-C30)環(huán)烷基、被取代或未被取代的(C6-C60)芳基、被取代或未被取代的3到30元雜芳基、被取代或未被取代的三(C1-C30)烷基硅烷基、被取代或未被取代的三(C6-C30)芳基硅烷基、被取代或未被取代的二(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基硅烷基、被取代或未被取代的(C1-C30)烷基二(C6-C30)芳基硅烷基或被取代或未被取代的單或二(C6-C30)芳基氨基；或可以連接到相鄰的一個或多個取代基以形成被取代或未被取代的(C3-C30)單環(huán)或多環(huán)的脂環(huán)族或芳香族環(huán)，其一個或多個碳原子可以被至少一個選自氮、氧以及硫的雜原子置換；并且表示結合位點。

Xi到Xp可以各自獨立地優(yōu)選地表示氫、鹵素、氰基、(C1-C10)烷基、(C3-C20)環(huán)烷基、(C6-C12)芳基、(C1-C6)烷基二(C6-C12)芳基硅烷基或三(C6-C12)芳基硅烷基；并且更優(yōu)選地表示氫、氰基、(C1-C6)烷基或三(C6-C12)芳基硅烷基。

在式2中，Ma表示被取代或未被取代的含氮5到11元雜芳基。Ma可以優(yōu)選地表示被取代或未被取代的含氮6到10元雜芳基。更優(yōu)選地，Ma可以表示被以下各者取代的含氮6到10元雜芳基：未被取代的(C6-C18)芳基；被氰基取代的(C6-C12)芳基；被(C1-C6)烷基取代的(C6-C12)芳基；被三(C6-C12)芳基硅烷基取代的(C6-C12)芳基或6到15元雜芳基。

具體地說，Ma可以表示選自由以下各者組成的群組的被取代或未被取代的單環(huán)型雜芳基：被取代或未被取代的吡咯基、被取代或未被取代的咪唑基、被取代或未被取代的吡唑基、被取代或未被取代的三嗪基、被取代或未被取代的四嗪基、被取代或未被取代的三唑基、被取代或未被取代的四唑基、被取代或未被取代的吡啶基、被取代或未被取代的吡嗪基、被取代或未被取代的嘧啶基以及被取代或未被取代的噠嗪基；或選自由以下各者組成的群組的被取代或未被取代的稠環(huán)型雜芳基：被取代或未被取代的苯并咪唑基、被取代或未被取代的異吲哚基、被取代或未被取代的吲哚基、被取代或未被取代的吲唑基、被取代或未被取代的苯并噻二唑基、被取代或未被取代的喹啉基、被取代或未被取代的異喹啉基、被取代或未被取代的噌啉基、被取代或未被取代的喹唑啉基、被取代或未被取代的萘啶基以及被取代或未被取代的喹喔啉基。優(yōu)選地，Ma可以表示被取代或未被取代的三嗪基、被取代或未被取代的嘧啶基、被取代或未被取代的吡啶基、被取代或未被取代的喹啉基、被取代或未被取代的異喹啉基、被取代或未被取代的喹唑啉基、被取代或未被取代的萘啶基或被取代或未被取代的喹喔啉基。用于Ma的經(jīng)取代吡咯基等的取代基可以選自(C6-C18)芳基、被氰基取代的(C6-C12)芳基、被(C1-C6)烷基取代的(C6-C12)芳基、被三(C6-C12)芳基硅烷基、氰基、(C1-C6)烷基、三(C6-C12)芳基硅烷基或6到15元雜芳基取代的(C6-C12)芳基。具體地說，取代基可以選自苯基、聯(lián)二苯、聯(lián)三苯、萘基、苯基萘基、萘基苯基、菲基、蒽基、二苯并噻吩基或二苯并呋喃基，以上者未被取代或被氰基、(C1-C6)烷基或三苯基硅烷基取代。

在式2中，La表示單鍵或被取代或未被取代的(C6-C30)亞芳基。優(yōu)選地，La可以表示表示單鍵或被取代或未被取代的(C6-C12)亞芳基。具體地說，La可以表示單鍵或式9到21中的一個。

在式2中，Xa到Xh各自獨立地表示氫、氘、鹵素、氰基、被取代或未被取代的(C1-C30)烷基、被取代或未被取代的(C2-C30)烯基、被取代或未被取代的(C2-C30)炔基、被取代或未被取代的(C3-C30)環(huán)烷基、被取代或未被取代的(C6-C60)芳基、被取代或未被取代的3到30元雜芳基、被取代或未被取代的三(C1-C30)烷基硅烷基、被取代或未被取代的三(C6-C30)芳基硅烷基、被取代或未被取代的二(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基硅烷基、被取代或未被取代的(C1-C30)烷基二(C6-C30)芳基硅烷基或被取代或未被取代的單或二(C6-C30)芳基氨基；或可以連接到相鄰的一個或多個取代基以形成被取代或未被取代的(C3-C30)單環(huán)或多環(huán)的脂環(huán)族或芳香族環(huán)，其一個或多個碳原子可以被至少一個選自氮、氧以及硫的雜原子置換。優(yōu)選地，Xa到Xh可以各自獨立地表示氫、氰基、被取代或未被取代的(C6-C15)芳基、被取代或未被取代的10到20元雜芳基或被取代或未被取代的三(C6-C10)芳基硅烷基，或可以連接到相鄰的一個或多個取代基以形成被取代或未被取代的(C6-C20)單環(huán)或多環(huán)的芳環(huán)，其一個或多個碳原子可以被至少一個選自氮、氧以及硫的雜原子置換。更優(yōu)選地，Xa到Xh可以各自獨立地表示氫、氰基、未被取代或被三(C6-C10)芳基硅烷基取代的(C6-C15)芳基，或未被取代或被(C6-C12)芳基取代的10到20元雜芳基；或可以連接到相鄰的一個或多個取代基以形成被取代或未被取代的苯、被取代或未被取代的吲哚、被取代或未被取代的苯并吲哚、被取代或未被取代的茚、被取代或未被取代的苯并呋喃或被取代或未被取代的苯并噻吩。

在式3中，A₄和A₅各自獨立地表示被取代或未被取代的(C6-C30)芳基。具體地說，A₄和A₅可以各自獨立地選自由以下各者組成的群組：被取代或未被取代的苯基、被取代或未被取代的聯(lián)二苯、被取代或未被取代的聯(lián)三苯、被取代或未被取代的萘基、被取代或未被取代的菲基、被取代或未被取代的蒽基、被取代或未被取代的芘基、被取代或未被取代的并四苯基、被取代或未被取代的屈基、被取代或未被取代的芴基、被取代或未被取代的苯并芴基、被取代或未被取代的熒蒽基、被取代或未被取代的三亞苯基以及被取代或未被取代的螺聯(lián)芴基。具體地說，A₄和A₅的經(jīng)取代芳基(如經(jīng)取代苯基)的取代基可以選自(C1-C10)烷基、氰基、鹵素、(C6-C18)芳基或6到18元雜芳基；并且更具體地說，(C1-C6)烷基、氰基、鹵素、苯基、聯(lián)二苯、聯(lián)三苯、萘基、菲基、蒽基、芘基、并四苯基、屈基、芴基、被兩個(2)甲基取代的芴基、被兩個(2)苯基取代的芴基、被甲基和苯基取代的芴基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基或咔唑基。A₄和A₅可以相同或不同。

在式3中，L₃表示單鍵或被取代或未被取代的(C6-C30)亞芳基；優(yōu)選地單鍵或被取代或未被取代的(C6-C18)亞芳基；并且更優(yōu)選地單鍵，或未被取代或被(C1-C6)烷基或苯基取代的(C6-C18)亞芳基。具體地說，L₃可以表示單鍵或苯基。

在式3中，Z₁到Z₉各自獨立地表示氫、氘、鹵素、氰基、被取代或未被取代的(C1-C30)烷基、被取代或未被取代的(C2-C30)烯基、被取代或未被取代的(C2-C30)炔基、被取代或未被取代的(C3-C30)環(huán)烷基、被取代或未被取代的(C6-C60)芳基、被取代或未被取代的3到30元雜芳基、被取代或未被取代的三(C1-C30)烷基硅烷基、被取代或未被取代的三(C6-C30)芳基硅烷基、被取代或未被取代的二(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基硅烷基、被取代或未被取代的(C1-C30)烷基二(C6-C30)芳基硅烷基或被取代或未被取代的單或二(C6-C30)芳基氨基；或可以連接到相鄰的一個或多個取代基以形成被取代或未被取代的(C3-C30)單環(huán)或多環(huán)的脂環(huán)族或芳香族環(huán)，其一個或多個碳原子可以被至少一個選自氮、氧以及硫的雜原子置換。優(yōu)選地，Z₁到Z₉可以各自獨立地表示氫、氘、鹵素、氰基、被取代或未被取代的(C1-C30)烷基、被取代或未被取代的(C6-C30)芳基、被取代或未被取代的6到30元雜芳基或被取代或未被取代的單或二(C6-C30)芳基氨基；或選自作為一對相鄰取代基的Z₁與Z₂、Z₂與Z₃、Z₄與Z₅、Z₅與Z₆、Z₇與Z₈以及Z₈與Z₉的一到三個對可以形成被取代或未被取代的(C3-C30)單環(huán)或多環(huán)的芳環(huán)，其一個或多個碳原子可以被一到三個選自氮、氧以及硫的雜原子置換。具體地說，Z₁到Z₉可以各自獨立地表示氫、(C1-C6)烷基或單或二(C6-C18)芳基氨基；或選自作為一對相鄰取代基的Z₁與Z₂、Z₂與Z₃、Z₄與Z₅、Z₅與Z₆、Z₇與Z₈以及Z₈與Z₉的一到兩個對可以形成被取代或未被取代的苯、被取代或未被取代的茚、被取代或未被取代的環(huán)戊萘、被取代或未被取代的苯并噻吩或被取代或未被取代的苯并呋喃。本文中，針對Z₁到Z₉，經(jīng)取代烷基、經(jīng)取代芳基等的取代基可以具體地選自氘、鹵素、氰基、(C1-C6)烷基、(C6-C18)芳基、6到18元雜芳基或單或二(C6-C18)芳基氨基；并且更具體地選自(C1-C6)烷基或單或二(C6-C18)芳基氨基。

在式3中，n表示0或1的整數(shù)。

在式3中，t表示0、1或2的整數(shù)。優(yōu)選地，t是0時，Z₁到Z₉中的至少一個是被取代或未被取代的單或二(C6-C30)芳基氨基。更優(yōu)選地，t是1或2的整數(shù)。

本文中，“(C1-C30)烷基”指示具有1到30個、優(yōu)選1到20個并且更優(yōu)選1到10個碳原子的直鏈或分支鏈烷基，并且包括甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、叔丁基等。“(C2-C30)烯基”指示具有2到30個、優(yōu)選2到20個并且更優(yōu)選2到10個碳原子的直鏈或分支鏈烯基，并且包括乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、2-甲基丁-2-烯基等?！?C2-C30)炔基”指示具有2到30個、優(yōu)選2到20個并且更優(yōu)選2到10個碳原子的直鏈或分支鏈炔基，并且包括乙炔基、1-丙炔基、2-丙炔基、1-丁炔基、2-丁炔基、3-丁炔基、1-甲基戊-2-炔基等。“(C3-C30)環(huán)烷基”指示具有3到30個、優(yōu)選3到20個并且更優(yōu)選3到7個碳原子的單環(huán)或多環(huán)烴，并且包括環(huán)丙基、環(huán)丁基、環(huán)戊基、環(huán)己基等?！?到7元雜環(huán)烷基”指示具有3到7個、優(yōu)選5到7個環(huán)主鏈原子(包括至少一個選自由B、N、O、S、Si以及P，優(yōu)選O、S以及N組成的群組的雜原子)的環(huán)烷基，并且包括四氫呋喃、吡咯烷、硫雜環(huán)戊烷、四氫吡喃等。此外，“(C6-C30)芳基(亞)”指示來源于芳香族烴并且具有6到30個、優(yōu)選6到20個并且更優(yōu)選6到15個環(huán)主鏈碳原子的單環(huán)或稠環(huán)基團，并且包括苯基、聯(lián)二苯、聯(lián)三苯、萘基、聯(lián)萘、苯基萘基、萘基苯基、芴基、苯基芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、苯基菲基、蒽基、茚基、三亞苯基、芘基、并四苯基、苝基、屈基、稠四苯基、熒蒽基等。“3到30元雜芳基”指示具有3到30個環(huán)主鏈原子(包括至少一個、優(yōu)選1到4個選自由B、N、O、S、Si以及P組成的群組的雜原子)的芳基；可以是單環(huán)或與至少一個苯環(huán)稠合的稠環(huán)；可以是部分飽和的；可以是通過使至少一個雜芳基或芳基經(jīng)由一個或多個單鍵連接到雜芳基所形成的基團；并且包括單環(huán)型雜芳基，如呋喃基、噻吩基、吡咯基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、噻二唑基、異噻唑基、異噁唑基、噁唑基、噁二唑基、三嗪基、四嗪基、三唑基、四唑基、呋吖基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基等，和稠環(huán)型雜芳基，如苯并呋喃基、苯并噻吩基、異苯并呋喃基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并異噻唑基、苯并異噁唑基、苯并噁唑基、異吲哚基、吲哚基、苯并吲哚基、吲唑基、苯并噻二唑基、喹啉基、異喹啉基、噌啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、咔唑基、啡噁嗪基、啡啶基、苯并間二氧雜環(huán)戊烯基等?！昂?到30元雜芳基”指示具有5到30個、優(yōu)選5到20個并且更優(yōu)選5到15個環(huán)主鏈原子(包括至少一個、優(yōu)選1到4個氮)的芳基；可以是單環(huán)或與至少一個苯環(huán)稠和的稠環(huán)；可以是部分飽和的；可以是通過使至少一個雜芳基或芳基經(jīng)由一個或多個單鍵連接到雜芳基所形成的基團；并且包括單環(huán)型雜芳基，如吡咯基、咪唑基、吡唑基、三嗪基、四嗪基、三唑基、四唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基等，和稠環(huán)型雜芳基，如苯并咪唑基、異吲哚基、吲哚基、吲唑基、苯并噻二唑基、喹啉基、異喹啉基、噌啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、咔唑基、啡啶基等。此外，“鹵素”包括F、Cl、Br以及I。

本文中，表述“被取代或未被取代的”中的“被取代的”意味著某一官能團中的氫原子被另一個原子或基團(即取代基)置換。在本發(fā)明的式子中，在式1和2的A₁、A₂、L₁、X₁到X₁₆、Ma、La以及Xa到Xh中，被取代的烷基、被取代的烯基、被取代的炔基、被取代的環(huán)烷基、被取代的芳基(亞)、被取代的雜芳基、被取代的三烷基硅烷基、被取代的芳基硅烷基、被取代的二烷基芳基硅烷基、被取代的單或二芳基氨基、被取代的含氮雜芳基的每個取代基可以各自獨立地是選自由以下各者組成的群組的至少一者：氘；鹵素；氰基；羧基；硝基；羥基；(C1-C30)烷基；鹵基(C1-C30)烷基；(C2-C30)烯基；(C2-C30)炔基；(C1-C30)烷氧基；(C1-C30)烷基硫基；(C3-C30)環(huán)烷基；(C3-C30)環(huán)烯基；3到7元雜環(huán)烷基；(C6-C30)芳氧基；(C6-C30)芳基硫基；未被取代或被(C6-C30)芳基取代的3到30元雜芳基；未被取代或被氰基、3到30元雜芳基或三(C6-C30)芳基硅烷基取代的(C6-C30)芳基；三(C1-C30)烷基硅烷基；三(C6-C30)芳基硅烷基；二(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基硅烷基；(C1-C30)烷基二(C6-C30)芳基硅烷基；氨基；單或二(C1-C30)烷基氨基；單或二(C6-C30)芳基氨基；(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基氨基；(C1-C30)烷基羰基；(C1-C30)烷氧基羰基；(C6-C30)芳基羰基；二(C6-C30)芳基硼基；二(C1-C30)烷基硼基；(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基硼基；(C6-C30)芳基(C1-C30)烷基以及(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基，并且優(yōu)選是氰基；(C1-C6)烷基；5到15元雜芳基；未被取代或被氰基或三(C6-C12)芳基硅烷基取代的(C6-C18)芳基；三(C6-C12)芳基硅烷基以及(C1-C6)烷基(C6-C12)芳基。

在式1中，X₁到X₁₆的三芳基硅烷基優(yōu)選是三苯基硅烷基。

由式1表示的第一主體化合物包括以下各項，但不限于此。

由式2表示的第二主體化合物包括以下各項，但不限于此。

由式3表示的空穴傳輸化合物包括以下各項，但不限于此。

本發(fā)明的有機電致發(fā)光裝置包含陽極、陰極以及陽極與陰極之間的有機層，其中有機層包含一個或多個發(fā)光層和一個或多個空穴傳輸層；一個或多個發(fā)光層中的至少一個包含一種或多種摻雜劑化合物和兩種或更多種主體化合物；兩種或更多種主體化合物的第一主體化合物由式1表示；第二主體化合物由式2表示；并且一個或多個空穴傳輸層中的至少一個包含由式3表示的化合物。

發(fā)光層指示發(fā)出光的層。優(yōu)選的是，按主體化合物和摻雜劑化合物的總量計，摻雜劑化合物的摻雜量小于20wt％。在本發(fā)明的有機電致發(fā)光裝置中，第一主體材料與第二主體材料之間的重量比可以在1:99到99:1并且具體地30:70到70:30的范圍內(nèi)。

除發(fā)光層和空穴傳輸層以外，有機層可以進一步包含至少一個選自空穴注入層、電子傳輸層、電子注入層、電子緩沖層、夾層、空穴阻擋層以及電子阻擋層的層。

本發(fā)明的有機電致發(fā)光裝置中包含的摻雜劑優(yōu)選是至少一種磷光摻雜劑。用于本發(fā)明的有機電致發(fā)光裝置的磷光摻雜劑材料不受限制，但可以優(yōu)選地選自銥(Ir)、鋨(Os)、銅(Cu)或鉑(Pt)的金屬化絡合化合物，更優(yōu)選地選自銥(Ir)、鋨(Os)、銅(Cu)或鉑(Pt)的鄰位金屬化絡合化合物，并且甚至更優(yōu)選地是鄰位金屬化銥絡合化合物。

磷光摻雜劑可以優(yōu)選地選自由下式101到103表示的化合物組成的群組。

其中L選自以下結構：

R₁₀₀表示氫、被取代或未被取代的(C1-C30)烷基或被取代或未被取代的(C3-C30)環(huán)烷基；R₁₀₁到R₁₀₉和R₁₁₁到R₁₂₃各自獨立地表示氫、氘、鹵素、未被取代或被鹵素取代的(C1-C30)烷基、氰基、被取代或未被取代的(C1-C30)烷氧基、或被取代或未被取代的(C3-C30)環(huán)烷基；R₁₀₆到R₁₀₉可以各自獨立地連接到相鄰的一個或多個取代基以形成被取代或未被取代的3到30元單環(huán)或多環(huán)的脂環(huán)族或芳香族環(huán)(例如，被取代或未被取代的芴、被取代或未被取代的二苯并噻吩或被取代或未被取代的二苯并呋喃)；R₁₂₀到R₁₂₃可以各自獨立地連接到相鄰的一個或多個取代基以形成被取代或未被取代的3到30元單環(huán)或多環(huán)的脂環(huán)族或芳香族環(huán)(例如，被取代或未被取代的喹啉)；R₁₂₄到R₁₂₇各自獨立地表示氫、氘、鹵素、被取代或未被取代的(C1-C30)烷基或被取代或未被取代的(C6-C30)芳基；在R₁₂₄、R₁₂₅、R₁₂₆或R₁₂₇是芳基時，其可以連接到相鄰的一個或多個取代基以形成被取代或未被取代的3到30元單環(huán)或多環(huán)的脂環(huán)族或芳香族環(huán)(例如，被取代或未被取代的芴、被取代或未被取代的二苯并噻吩或被取代或未被取代的二苯并呋喃)；R₂₀₁到R₂₁₁各自獨立地表示氫、氘、鹵素、未被取代或被鹵素取代的(C1-C30)烷基、被取代或未被取代的(C3-C30)環(huán)烷基或被取代或未被取代的(C6-C30)芳基；R₂₀₈、R₂₀₉、R₂₁₀或R₂₁₁可以連接到相鄰的一個或多個取代基以形成被取代或未被取代的3到30元單環(huán)或多環(huán)的脂環(huán)族或芳香族環(huán)(例如，被取代或未被取代的芴、被取代或未被取代的二苯并噻吩或被取代或未被取代的二苯并呋喃)；r和s各自獨立地表示1到3的整數(shù)；當r或s是2或更大的整數(shù)時，R₁₀₀中的每一個可以相同或不同；并且e表示1到3的整數(shù)。

具體來說，磷光摻雜劑材料包括以下各項：

在本發(fā)明的有機電致發(fā)光裝置中，有機層可以進一步包含至少一種選自由芳胺類化合物和苯乙烯基芳基胺類化合物組成的群組的化合物。

在本發(fā)明的有機電致發(fā)光裝置中，有機層可進一步包含至少一種選自由以下各者組成的群組的金屬：周期表的第1族金屬、第2族金屬、第4周期的過渡金屬、第5周期的過渡金屬、鑭系元素和d-過渡元素的有機金屬，或至少一種包含所述金屬的絡合化合物。

在本發(fā)明的有機電致發(fā)光裝置中，至少一個層(在下文中“表面層”)優(yōu)選地可以置于一個或兩個電極的內(nèi)表面(一個或兩個)上，選自硫族化物層、金屬鹵化物層以及金屬氧化物層。具體來說，硅或鋁的硫族化合物(包括氧化物)層優(yōu)選地置于電致發(fā)光中間層的陽極表面上，并且金屬鹵化物層或金屬氧化物層優(yōu)選地置于電致發(fā)光中間層的陰極表面上。這類表面層為有機電致發(fā)光裝置提供操作穩(wěn)定性。優(yōu)選地，硫族化物包括SiO_X(1≤X≤2)、AlO_X(1≤X≤1.5)、SiON、SiAlON等；金屬鹵化物包括LiF、MgF₂、CaF₂、稀土金屬氟化物等；并且金屬氧化物包括Cs₂O、Li₂O、MgO、SrO、BaO、CaO等。

除空穴傳輸層以外，空穴注入層、電子阻擋層或其組合可以安置于陽極與發(fā)光層之間?？昭ㄗ⑷雽涌梢杂蓛蓪踊蚋鄬咏M成，以便降低從陽極向空穴傳輸層或電子阻擋層注入空穴的能壘(或注入空穴的電壓)。所述層中的每一層可以包含兩種或更多種化合物。電子阻擋層可以由兩層或更多層組成。

電子緩沖層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層或其組合可以安置于發(fā)光層與陰極之間。電子緩沖層可以由兩層或更多層組成，以便控制電子注入并且改進發(fā)光層與電子注入層之間的界面特征。所述層中的每一層可以包含兩種或更多種化合物。空穴阻擋層或電子傳輸層可以由兩層或更多層組成，并且所述層中的每一層可以包含兩種或更多種化合物。

在本發(fā)明的有機電致發(fā)光裝置中，電子傳輸化合物和還原性摻雜劑的混合區(qū)、或空穴傳輸化合物和氧化性摻雜劑的混合區(qū)可以置于一對電極的至少一個表面上。在這種情況下，電子傳輸化合物被還原為陰離子，并且因此變得更容易從混合區(qū)注入并且傳輸電子到電致發(fā)光媒介。此外，空穴傳輸化合物被氧化為陽離子，并且因此變得更容易從混合區(qū)注入并且傳輸空穴到電致發(fā)光媒介。優(yōu)選地，氧化性摻雜劑包括各種路易斯酸(Lewis acid)和受體化合物；并且還原性摻雜劑包括堿金屬、堿金屬化合物、堿土金屬、稀土金屬以及其混合物。還原性摻雜劑層可以用作電荷產(chǎn)生層以制備具有兩個或更多個發(fā)光層并且發(fā)射白光的電致發(fā)光裝置。

為了形成本發(fā)明的有機電致發(fā)光裝置的每一層，可以使用干式成膜方法，如真空蒸發(fā)、濺鍍、等離子體以及離子電鍍方法；或濕式成膜方法，如噴墨印刷、噴嘴印刷、狹縫涂布、旋轉(zhuǎn)涂布、浸漬涂布以及流動涂布方法。在用本發(fā)明的第一主體化合物和第二主體化合物形成層時，可以將其共蒸發(fā)或混合蒸發(fā)。

當使用濕式成膜方法時，薄膜可以通過將形成每一層的材料溶解或擴散到任何合適的溶劑中來形成，所述溶劑如乙醇、氯仿、四氫呋喃、二噁烷等。所述溶劑可以是形成每一層的材料可以溶解或擴散于其中并且不存在成膜能力問題的任何溶劑。

在本發(fā)明的有機電致發(fā)光裝置中，用于發(fā)光層的兩種或更多種主體化合物可以共蒸發(fā)或混合蒸發(fā)。在本文中，共蒸發(fā)指示用于使兩種或更多種材料以混合物形式沉積的方法，通過將所述兩種或更多種材料中的每一種引入相應坩堝單元中，并且向所述單元施加電流以便所述材料中的每一種蒸發(fā)來進行。在本文中，混合蒸發(fā)指示用于使兩種或更多種材料以混合物形式沉積的方法，通過將所述兩種或更多種材料在一個坩堝單元中混合，隨后沉積，并且向所述單元施加電流以便使所述混合物蒸發(fā)來進行。

本發(fā)明的有機電致發(fā)光裝置可以用于制造顯示系統(tǒng)或照明系統(tǒng)。

在下文中，包含本發(fā)明的主體化合物和空穴傳輸化合物的裝置的制備方法以及所述裝置的發(fā)光特性將參照以下實例詳細闡述。

[裝置實例1-1到1-8]通過蒸發(fā)本發(fā)明的空穴傳輸化合物并且共蒸發(fā)本發(fā)明的第一主體化合物和第二主體化合物而制備的OLED

如下使用本發(fā)明的發(fā)光材料制備有機電致發(fā)光裝置(OLED)。將OLED(吉奧馬(Geomatec))的玻璃襯底上的透明電極氧化銦錫(ITO)薄膜(10Ω/sq)依序用丙酮、乙醇以及蒸餾水進行超聲洗滌，并且接著儲存于異丙醇中。接著將ITO襯底安裝在真空氣相沉積設備的襯底固持器上。將N⁴,N⁴'-聯(lián)二苯-N⁴,N⁴'-雙(9-苯基-9H-咔唑-3-基)-[1,1'-聯(lián)二苯]-4,4'-二胺(HI-1)引入真空氣相沉積設備的一單元中，并且接著將設備腔室中的壓力控制到10-⁶托。此后，向所述單元施加電流以蒸發(fā)HI-1，從而在ITO襯底上形成厚度是80nm的第一空穴注入層。接著，將1,4,5,8,9,12-六氮雜苯并菲-六甲腈(HI-2)引入真空氣相沉積設備的另一個單元中，并且通過向所述單元施加電流來蒸發(fā)，從而在第一空穴注入層上形成厚度是3nm的第二空穴注入層。將N-([1,1'-聯(lián)二苯]-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺引入真空氣相沉積設備的一個單元中，并且通過向所述單元施加電流來蒸發(fā)，從而在第二空穴注入層上形成厚度是10nm的第一空穴傳輸層。接著將展示于下表1中的第二空穴傳輸化合物引入真空氣相沉積設備的另一個單元中，并且通過向所述單元施加電流來蒸發(fā)，從而在第一空穴傳輸層上形成厚度是30nm的第二空穴傳輸層。分別將作為主體材料的H1-34或H1-35和H2-31引入真空氣相沉積設備的兩個單元中。將摻雜劑化合物D-25引入另一個單元中。兩種主體化合物以1:1的相同速率蒸發(fā)，而摻雜劑以與主體化合物不同的速率蒸發(fā)，使得摻雜劑以按主體和摻雜劑的總量計15wt％的摻雜量沉積，以在空穴傳輸層上形成厚度是40nm的發(fā)光層。分別將2,4-雙(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)-6-(萘-2-基)-1,3,5-三嗪(ET-1)和喹啉鋰(EI-1)引入真空氣相沉積設備的兩個單元中，并且以4:6的速率蒸發(fā)，從而在發(fā)光層上形成厚度是35nm的電子傳輸層。在電子傳輸層上沉積喹啉鋰(EI-1)作為厚度為2nm的電子注入層后，接著通過另一個真空氣相沉積設備在所述電子注入層上沉積厚度是80nm的Al陰極。

[比較實例1-1和1-2]使用HTL-A作為第二空穴傳輸化合物的OLED

以與裝置實例1-1到1-8中相同的方式制備OLED，例外為將下文展示的HTL-A用作第二空穴傳輸化合物。

測量以上所制備OLED的發(fā)光效率、CIE顏色座標、1,000nit下的驅(qū)動電壓、以及15,000nit和恒定電流(T85壽命)下亮度從100％降低到85％所耗的時間。

裝置實例1-1到1-8以及比較實例1-1到1-2中所制備的有機電致發(fā)光裝置的發(fā)光特征展示于下表1中。

[表1]

如裝置實例中所確認，本發(fā)明的有機電致發(fā)光裝置通過包含特定空穴傳輸化合物和多種主體具有比常規(guī)裝置更好的壽命。