技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種IGBT的導(dǎo)通電壓較低且二極管的反向恢復(fù)電流較小的半導(dǎo)體裝置。所述半導(dǎo)體裝置具有半導(dǎo)體基板，所述半導(dǎo)體基板具有被形成在表面上的柵極溝槽和虛設(shè)溝槽。半導(dǎo)體基板在柵極溝槽與虛設(shè)溝槽之間具有發(fā)射區(qū)、體區(qū)、勢壘區(qū)和柱區(qū)。發(fā)射區(qū)為與柵極絕緣膜相接且露出于表面的n型區(qū)域。體區(qū)為在發(fā)射區(qū)的背面?zhèn)扰c柵極絕緣膜相接的p型區(qū)域。勢壘區(qū)為在體區(qū)的背面?zhèn)扰c柵極絕緣膜相接且與虛設(shè)絕緣膜相接的n型區(qū)域。柱區(qū)為與表面電極連接且與勢壘區(qū)相連的n型區(qū)域。

技術(shù)研發(fā)人員：妹尾賢;平林康弘
受保護的技術(shù)使用者：豐田自動車株式會社
技術(shù)研發(fā)日：2015.09.04
技術(shù)公布日：2017.09.08