本專利申請要求提交于2014年8月26日的美國臨時(shí)申請No.62/042,183的權(quán)益，該臨時(shí)申請的公開內(nèi)容全文據(jù)此以引用方式并入。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開整體涉及半導(dǎo)體器件和封裝體，更具體地講涉及使用封裝級別序列化進(jìn)行半導(dǎo)體封裝體和封裝體部件(諸如半導(dǎo)體裸芯)的標(biāo)識、跟蹤或它們二者。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體器件普遍存在于現(xiàn)代電子產(chǎn)品中。半導(dǎo)體器件在電子部件的數(shù)量和密度方面有差別。分立半導(dǎo)體器件一般包含一種類型的電子部件，例如發(fā)光二極管(LED)、小信號晶體管、電阻器、電容器、電感器以及功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。集成半導(dǎo)體器件通常包含幾百到幾百萬個(gè)電子部件。集成半導(dǎo)體器件的實(shí)例包括微控制器、微處理器、電荷耦合器件(CCD)、太陽能電池以及數(shù)字微鏡器件(DMD)。

半導(dǎo)體器件執(zhí)行寬泛范圍的功能，諸如信號處理、高速計(jì)算、發(fā)射和接收電磁信號、控制電子設(shè)備、將太陽光轉(zhuǎn)換成電力以及為電視顯示器創(chuàng)建視覺投影。半導(dǎo)體器件存在于娛樂、通信、功率變換、網(wǎng)絡(luò)、計(jì)算機(jī)和消費(fèi)品的領(lǐng)域中。半導(dǎo)體器件也存在于軍事應(yīng)用、航空、汽車、工業(yè)控制器和辦公設(shè)備中。

半導(dǎo)體器件充分利用半導(dǎo)體材料的電氣性質(zhì)。半導(dǎo)體材料的原子結(jié)構(gòu)允許通過施加電場或基極電流或者通過摻雜工藝來操縱其電導(dǎo)率。摻雜的步驟將雜質(zhì)引入到半導(dǎo)體材料中以操縱和控制半導(dǎo)體器件的電導(dǎo)率。

半導(dǎo)體器件包含有源和無源電氣結(jié)構(gòu)。包括雙極型和場效應(yīng)晶體管的有源結(jié)構(gòu)控制電流的流動(dòng)。通過改變摻雜水平和電場或基極電流的施加，晶體管促進(jìn)或限制電流的流動(dòng)。包括電阻器、電容器和電感器的無源結(jié)構(gòu)產(chǎn)生執(zhí)行各種電氣功能所必需的電壓與電流之間的關(guān)系。無源和有源結(jié)構(gòu)被電連接以形成電路，所述電路使半導(dǎo)體器件能夠執(zhí)行高速計(jì)算和其他有用功能。

半導(dǎo)體器件一般是使用兩個(gè)復(fù)雜的制造工藝(即，前端制造和后端制造)進(jìn)行制造，每個(gè)制造工藝可能涉及幾百個(gè)步驟。前端制造涉及在半導(dǎo)體晶片的表面上形成多個(gè)半導(dǎo)體裸芯。如本文所用的術(shù)語“半導(dǎo)體裸芯”指代單數(shù)和復(fù)數(shù)兩者形式的詞，并且因此可以指代單個(gè)半導(dǎo)體器件和多個(gè)半導(dǎo)體器件兩者。在前端制造、或在原生晶片上制造半導(dǎo)體裸芯期間，每個(gè)半導(dǎo)體裸芯是通常相同的，并且包含通過電連接有源和無源部件形成的電路。單個(gè)的半導(dǎo)體裸芯可用標(biāo)識符諸如半導(dǎo)體裸芯背面上的激光標(biāo)記來標(biāo)記，以標(biāo)識、跟蹤半導(dǎo)體裸芯或它們二者。半導(dǎo)體裸芯的標(biāo)記可在從原生半導(dǎo)體晶片單片化半導(dǎo)體裸芯之前。后端制造可涉及從成晶晶片單片化單個(gè)的半導(dǎo)體裸芯并封裝該裸芯，以提供結(jié)構(gòu)支撐和環(huán)境隔離。半導(dǎo)體裸芯封裝體的標(biāo)記也可發(fā)生在后端制造期間。在后端制造期間，半導(dǎo)體裸芯和半導(dǎo)體封裝體的標(biāo)記和標(biāo)識可通過使用激光標(biāo)記或油墨印刷實(shí)現(xiàn)，以通過封裝和測試來識別半導(dǎo)體封裝的晶片和帶。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

從說明書和附圖以及權(quán)利要求書來看，上述和其他方面、特征和優(yōu)點(diǎn)對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將是顯而易見的。

因此，在一個(gè)方面，制造半導(dǎo)體器件的方法可包括提供多個(gè)半導(dǎo)體裸芯，其中每個(gè)半導(dǎo)體裸芯包括有源表面和與有源表面相對的背面。該方法可包括形成在晶片中的多個(gè)半導(dǎo)體裸芯中的每個(gè)的有源表面上方延伸的堆積互連結(jié)構(gòu)。該方法可包括形成用于多個(gè)半導(dǎo)體裸芯中的每個(gè)的唯一識別標(biāo)記，作為堆積互連結(jié)構(gòu)中的層的一部分，同時(shí)形成堆積互連結(jié)構(gòu)的層。堆積互連結(jié)構(gòu)的層可包括用于多個(gè)半導(dǎo)體裸芯中的每個(gè)的唯一識別標(biāo)記和用于半導(dǎo)體器件的功能性二者。每個(gè)唯一識別標(biāo)記可傳達(dá)其相應(yīng)的半導(dǎo)體裸芯的唯一標(biāo)識。該方法可包括將多個(gè)半導(dǎo)體裸芯單片化成多個(gè)半導(dǎo)體器件。

制造半導(dǎo)體器件的方法還可包括形成堆積互連結(jié)構(gòu)的層，作為導(dǎo)電層，形成用于多個(gè)半導(dǎo)體裸芯中的每個(gè)的唯一識別標(biāo)記，作為導(dǎo)電層的第一部分，以及形成導(dǎo)電層的第二部分，作為重新分布層(RDL)。該方法還可包括形成堆積互連結(jié)構(gòu)中、并且遠(yuǎn)離半導(dǎo)體封裝體的外表面的用于多個(gè)半導(dǎo)體裸芯中的每個(gè)的唯一識別標(biāo)記，使得用于多個(gè)半導(dǎo)體裸芯中的每個(gè)的唯一識別標(biāo)記免受半導(dǎo)體封裝體的外表面處的損壞。該方法還可包括在位置處形成用于堆積互連結(jié)構(gòu)中的多個(gè)半導(dǎo)體裸芯中的每個(gè)的唯一識別標(biāo)記，該位置可從半導(dǎo)體器件的外部進(jìn)行光學(xué)檢測。該方法還可包括形成作為可機(jī)讀的二維碼或字母數(shù)字標(biāo)記的唯一識別標(biāo)記。半導(dǎo)體裸芯的唯一標(biāo)識可由相應(yīng)的唯一識別標(biāo)記中的每個(gè)傳達(dá)，該唯一識別標(biāo)記包括源晶片標(biāo)識、和源晶片中的半導(dǎo)體裸芯的x、y位置。由相應(yīng)的唯一識別標(biāo)記中的每個(gè)傳達(dá)的信息還可包括重構(gòu)的晶片或面板標(biāo)識和重構(gòu)的晶片中的半導(dǎo)體器件的x、y位置。該方法還可包括在形成堆積互連結(jié)構(gòu)之前通過在多個(gè)半導(dǎo)體裸芯周圍設(shè)置密封劑來形成重構(gòu)的晶片。

在另一個(gè)方面，制造半導(dǎo)體器件的方法可包括提供多個(gè)半導(dǎo)體裸芯，形成在多個(gè)半導(dǎo)體裸芯中的每個(gè)的有源表面上方延伸的功能層，該功能層還包括用于多個(gè)半導(dǎo)體裸芯中的每個(gè)的唯一識別標(biāo)記，以及單片化多個(gè)半導(dǎo)體裸芯。每個(gè)半導(dǎo)體裸芯可包括有源表面和與有源表面相對的背面。每個(gè)唯一識別標(biāo)記可傳達(dá)其相應(yīng)的半導(dǎo)體裸芯的唯一標(biāo)識。

制造半導(dǎo)體器件的方法還可包括形成包括堆積互連結(jié)構(gòu)的功能層，以及形成用于多個(gè)半導(dǎo)體裸芯中的每個(gè)的唯一識別標(biāo)記，同時(shí)形成堆積互連結(jié)構(gòu)。該方法還可包括形成用于多個(gè)半導(dǎo)體裸芯中的每個(gè)的唯一識別標(biāo)記，作為堆積互連結(jié)構(gòu)的第一部分，以及形成堆積互連結(jié)構(gòu)的第二部分，作為RDL。該方法還可包括在采用無掩模圖案化系統(tǒng)在堆積結(jié)構(gòu)中形成唯一識別標(biāo)記和功能層。該方法還可包括形成遠(yuǎn)離半導(dǎo)體封裝體的外表面的用于多個(gè)半導(dǎo)體裸芯中的每個(gè)的唯一識別標(biāo)記，使得用于多個(gè)半導(dǎo)體裸芯中的每個(gè)的唯一識別標(biāo)記免受半導(dǎo)體封裝的外表面處的損壞。該方法還可包括在位置處形成用于多個(gè)半導(dǎo)體裸芯中的每個(gè)的唯一識別標(biāo)記，該位置可從半導(dǎo)體器件的外部進(jìn)行光學(xué)檢測。該方法還可包括形成作為可機(jī)讀的條形碼或二維矩陣的唯一識別標(biāo)記。由相應(yīng)的唯一識別標(biāo)記中的每個(gè)傳達(dá)的半導(dǎo)體裸芯的唯一標(biāo)識可包括源晶片標(biāo)識、源晶片、重構(gòu)的晶片或面板標(biāo)識中的半導(dǎo)體裸芯的x、y位置以及重構(gòu)的晶片中的半導(dǎo)體器件的x、y位置。該方法還可包括在形成功能層之前通過在多個(gè)半導(dǎo)體裸芯周圍設(shè)置密封劑來形成重構(gòu)的晶片。

在另一個(gè)方面，識別半導(dǎo)體封裝體的唯一標(biāo)識的方法可包括提供半導(dǎo)體裸芯，形成用于半導(dǎo)體裸芯的半導(dǎo)體裸芯封裝體，以及解析半導(dǎo)體封裝體的唯一標(biāo)記，以獲得封裝體中的半導(dǎo)體裸芯的唯一標(biāo)識。半導(dǎo)體封裝體可包括封裝體的功能層中的唯一標(biāo)記。

識別半導(dǎo)體封裝體的唯一標(biāo)識的方法還可包括半導(dǎo)體裸芯的唯一標(biāo)識，該唯一標(biāo)識包括源晶片標(biāo)識、和源晶片中的半導(dǎo)體裸芯的x、y位置。該唯一標(biāo)記可為用戶提供用以查找半導(dǎo)體裸芯的唯一標(biāo)識的信息，其中該信息包括由自動(dòng)測試設(shè)備生成的數(shù)據(jù)，或在前端或后端制造工藝期間由檢測工具生成的晶片圖。唯一識別標(biāo)記也可提供半導(dǎo)體裸芯的唯一標(biāo)識，無需用戶查找另外的信息來確定半導(dǎo)體裸芯的唯一標(biāo)識。封裝體的功能層可包括在半導(dǎo)體裸芯上方形成的堆積互連結(jié)構(gòu)的層。該方法還可包括光學(xué)識別半導(dǎo)體封裝體的唯一標(biāo)記，以及從光學(xué)識別唯一標(biāo)記獲得半導(dǎo)體封裝體中的半導(dǎo)體裸芯的唯一信息。由唯一標(biāo)記傳達(dá)的信息還可包括重構(gòu)的晶片或面板標(biāo)識和重構(gòu)的晶片中的半導(dǎo)體器件的x、y位置。

附圖說明

圖1A-圖1C示出了包括多個(gè)半導(dǎo)體裸芯的半導(dǎo)體晶片。

圖2A-圖2F示出了包括唯一標(biāo)識符的半導(dǎo)體封裝體的方面及其制造方法。

圖3A-圖3C還示出了包括唯一標(biāo)識符的扇出半導(dǎo)體封裝體的方面。

圖4A和圖4B示出了包括唯一標(biāo)識符的晶片級芯片尺度半導(dǎo)體封裝體(WLCSP)的方面。

圖5A和圖5B示出了制造和識別半導(dǎo)體裸芯封裝體的系統(tǒng)或方法的流程圖。

具體實(shí)施方式

本公開的實(shí)施例公開用于改進(jìn)半導(dǎo)體封裝體的方法和系統(tǒng)。本公開、其各方面以及具體實(shí)施并不受限于本文所公開的具體封裝體類型、材料類型或者其他系統(tǒng)部件示例或者方法?？稍O(shè)想出許多本領(lǐng)域已知的與半導(dǎo)體制造和封裝體相符的附加部件、制造和組裝工序，以與本公開的特定具體實(shí)施一起使用。因此，例如，盡管已公開了特定具體實(shí)施，但是此類具體實(shí)施和實(shí)施部件可包括與預(yù)期操作一致的本領(lǐng)域已知的用于此類系統(tǒng)和實(shí)施部件的任何部件、型號、類型、材料、版本、數(shù)量和/或類似元素。在一些實(shí)例中，尚未特別詳細(xì)地描述眾所周知的工藝和制造技術(shù)，以免不必要地混淆本公開。此外，附圖中所示的各種實(shí)施例是示例性的表示，并且未必按比例繪制。

詞語“示例性”、“示例”或它們的各種形式在本文用于表示充當(dāng)例子、實(shí)例或舉例說明。本文描述為“示例性”或“示例”的任何方面或設(shè)計(jì)未必被解釋為是優(yōu)選的或優(yōu)于其他方面或設(shè)計(jì)。此外，提供例子僅是出于清楚和理解的目的，并非意在以任何方式限制或約束本公開的公開主題或相關(guān)部分。應(yīng)當(dāng)理解，本可呈現(xiàn)具有不同范圍的大量附加或替代的例子，但出于簡潔目的而省略了。

如本文所使用的術(shù)語“在。。。上方”、“在。。。之間”、“在。。。上”是指一層相對于其他層的相對位置。沉積或布置在另一層上方或下方的一層可以直接與該另一層接觸或可以具有一個(gè)或多個(gè)中間層。沉積或布置在層間的一層可直接與該層接觸或可具有一個(gè)或多個(gè)中間層。相比而言，在第二層“上”的第一層與該第二層接觸。

盡管本公開包括了不同形式的多個(gè)實(shí)施例，但是在附圖和下文具體實(shí)施例的詳細(xì)描述的書面說明中示出，應(yīng)當(dāng)理解，本公開應(yīng)視為是對所公開方法和系統(tǒng)的原理的舉例說明，而非意圖將所公開概念的廣泛內(nèi)容限定于所示的實(shí)施例。另外，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，其他制造設(shè)備及例子可與所提供的那些混用，或被所提供的那些取代。在上述說明涉及具體實(shí)施例的地方，應(yīng)當(dāng)顯而易見的是，在不脫離本發(fā)明的精神的情況下，可以進(jìn)行多種修改，并且這些實(shí)施例和具體實(shí)施也可應(yīng)用于其他技術(shù)。因此，本發(fā)明所公開的主題旨在涵蓋落入本發(fā)明的精神和范圍以及本領(lǐng)域普通技術(shù)人員知識內(nèi)的所有此類更改形式、修改形式和變型形式。

半導(dǎo)體器件一般是使用兩個(gè)復(fù)雜的制造工藝(即，前端制造和后端制造)進(jìn)行制造。前端制造涉及在半導(dǎo)體晶片的表面上形成多個(gè)裸芯。晶片上的每個(gè)裸芯包含有源和無源電子部件，這些電子部件電連接而形成功能電路。有源電子部件，諸如晶體管和二極管，具有控制電流流動(dòng)的能力。無源電子部件，諸如電容器、電感器、電阻器和變壓器，產(chǎn)生在執(zhí)行電路功能所必需的電壓和電流間的關(guān)系。

無源和有源部件在半導(dǎo)體晶片表面上通過一系列工藝步驟，包括摻雜、沉積、光刻、蝕刻和平坦化而被形成。通過諸如離子注入或熱擴(kuò)散的技術(shù)，摻雜向半導(dǎo)體材料中引入雜質(zhì)。在有源器件中，摻雜工藝修改半導(dǎo)體材料的電導(dǎo)率，從而將半導(dǎo)體材料轉(zhuǎn)換成絕緣體、導(dǎo)體或響應(yīng)于電場或基極電流來動(dòng)態(tài)改變半導(dǎo)體材料電導(dǎo)率。晶體管包含摻雜的類型和程度有所不同的區(qū)域，所述區(qū)域按需要布置以使晶體管能在施加有電場或基極電流時(shí)提升或限制電流的流動(dòng)。

由具有不同電性質(zhì)的材料的層來形成有源和無源部件?？梢酝ㄟ^部分地由被沉積材料的類型所確定的各種沉積技術(shù)來形成這些層。例如，薄膜沉積可涉及化學(xué)氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)、電解電鍍和無電鍍工藝。一般將每一層圖案化以形成有源部件、無源部件或部件間的電連接的部分。

層可使用光刻法來圖案化，其涉及光敏材料例如光致抗蝕劑沉積于待圖案化的層上方。使用光將圖案從光掩模轉(zhuǎn)移到光致抗蝕劑。在一個(gè)實(shí)施例中，使用溶劑將光致抗蝕劑圖案中受光影響的部分去除，從而暴露待圖案化的下伏層的部分。在另一個(gè)實(shí)施例中，使用溶劑將光致抗蝕劑圖案中未受光影響的部分負(fù)性光致抗蝕劑去除，從而暴露待圖案化的下伏層的部分。去除光致抗蝕劑的其余部分，留下圖案化層?；蛘?，將一些類型的材料通過直接向區(qū)域或空隙中沉積材料來圖案化，該區(qū)域或空隙由使用諸如無電鍍和電解電鍍的技術(shù)的先前的沉積/蝕刻工藝形成。

圖案化是基本的操作，通過其來去除半導(dǎo)體晶片表面上的頂層的部分?？墒褂霉饪谭?、光掩模、掩模、氧化物或金屬去除、照相和模板印制、以及顯微光刻法來去除半導(dǎo)體晶片的部分。光刻法包括在中間掩模(reticle)或光掩模中形成圖案、以及將圖案轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體晶片的表面層中。在兩步工藝中光刻法在半導(dǎo)體晶片的表面上形成有源和無源部件的水平尺寸。首先，在中間掩?；蚬庋谀Ｉ系膱D案被轉(zhuǎn)移到光致抗蝕劑層中。光致抗蝕劑是感光材料，該感光材料在暴露于光時(shí)會(huì)經(jīng)歷結(jié)構(gòu)和性質(zhì)上的改變。改變光致抗蝕劑的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)的工藝作為負(fù)性作用光致抗蝕劑或正性作用光致抗蝕劑而發(fā)生。其次，光致抗蝕劑圖案被轉(zhuǎn)移到晶片表面中。該轉(zhuǎn)移發(fā)生在蝕刻去除半導(dǎo)體晶片頂層未被光致抗蝕劑所覆蓋的部分時(shí)。光致抗蝕劑的化學(xué)性質(zhì)是使得光致抗蝕劑在半導(dǎo)體晶片頂層未被光致抗蝕劑所覆蓋的部分被去除的同時(shí)保持基本上完整且抵抗由化學(xué)蝕刻溶液進(jìn)行去除。根據(jù)使用的特定抗蝕劑和期望的結(jié)果，可以修改成形、曝光和去除光致抗蝕劑的工藝，以及去除半導(dǎo)體晶片的一部分的工藝。

在負(fù)性作用光致抗蝕劑中，光致抗蝕劑被暴露于光并且在稱為聚合作用的工藝中從可溶狀況改變?yōu)椴豢扇軤顩r。在聚合作用中，未聚合材料被暴露于光或能量源并且聚合物形成抗蝕刻的交聯(lián)材料。在大多數(shù)負(fù)性抗蝕劑中，聚合物是聚異戊二烯。用化學(xué)溶劑或顯影劑去除可溶部分(即未暴露于光的部分)在抗蝕劑層中留下與中間掩模上的不透明圖案相對應(yīng)的孔。圖案存在于不透明區(qū)域中的掩模被稱為亮場(clear-field)掩模。

在正性作用光致抗蝕劑中，光致抗蝕劑被暴露于光并且在稱為光溶液化的工藝中從相對不可溶狀況改變?yōu)楦涌扇軤顩r。在光溶液化中，相對不可溶抗蝕劑被暴露于適當(dāng)?shù)墓饽芰壳冶晦D(zhuǎn)化為更可溶狀態(tài)?？刮g劑的光溶液化部分可由顯影工藝中的溶劑所去除。基本的正性光致抗蝕劑聚合物是苯酚-甲醛聚合物，也稱為苯酚-甲醛酚醛清漆樹脂。用化學(xué)溶劑或顯影劑去除可溶部分(即暴露于光的部分)在抗蝕劑層中留下與中間掩模上的透明圖案相對應(yīng)的孔。圖案存在于透明區(qū)域中的掩模被稱為暗場(dark-field)掩模。

在去除半導(dǎo)體晶片未被光致抗蝕劑所覆蓋的頂部后，去除光致抗蝕劑的其余部分，留下圖案化的層。或者，將一些類型的材料通過直接向區(qū)域或空隙中沉積材料來圖案化，該區(qū)域或空隙由使用諸如無電鍍和電解電鍍的技術(shù)的先前的沉積/蝕刻工藝形成。

在現(xiàn)有的圖案上沉積材料的薄膜可以增大下伏圖案并建立不均勻平坦的表面。產(chǎn)生更小和更密集包裝的有源和無源部件需要均勻平坦的表面。平坦化可被用來從晶片表面去除材料和產(chǎn)生均勻平坦的表面。平坦化涉及用拋光墊來拋光晶片表面。研磨材料和腐蝕性化學(xué)品在拋光期間被添加到晶片表面。磨料的機(jī)械作用和化學(xué)品的腐蝕作用相組合，去除任何不規(guī)則的形貌，從而得到均勻平坦的表面。

后端制造涉及將成品晶片切割或單片化處理成單獨(dú)半導(dǎo)體裸芯，然后封裝半導(dǎo)體裸芯以用于結(jié)構(gòu)支撐和環(huán)境隔離。為了單片化半導(dǎo)體裸芯，沿著稱為鋸道或劃線的晶片的非功能區(qū)刻劃和破壞晶片。使用激光切割工具或鋸條來單片化處理晶片。在單片化后，將單獨(dú)半導(dǎo)體裸芯安裝到包括用于與其他系統(tǒng)部件互連的引腳或接觸焊盤的封裝基板。半導(dǎo)體裸芯上形成的接觸焊盤然后被連接到封裝體中的接觸焊盤?？捎煤噶贤箟K、柱形凸塊、導(dǎo)電漿料或絲焊實(shí)現(xiàn)電連接。將密封劑或其他模制材料沉積在封裝體上以提供物理支撐和電隔離。然后將成品封裝體插入到電學(xué)系統(tǒng)中且使半導(dǎo)體器件的功能性對于其他系統(tǒng)部件是可用的。

圖1A示出具有用于結(jié)構(gòu)支承的基底基板材料22(諸如但不限于硅、鍺、砷化鎵、磷化銦或碳化硅)的半導(dǎo)體晶片或原生晶片20。多個(gè)半導(dǎo)體裸芯或部件24可形成在晶片20上，被穩(wěn)定的、裸芯間的晶片區(qū)域或劃片街區(qū)26分開，如上所述。劃片街區(qū)26可提供切割區(qū)域以將半導(dǎo)體晶片20分割成單獨(dú)的半導(dǎo)體裸芯24。

圖1B示出半導(dǎo)體晶片20的一部分的橫截面圖。每個(gè)半導(dǎo)體裸芯24可包括背面或背表面28和與背面相反的有源表面30。有源表面30可包含模擬或數(shù)字電路，所述電路被實(shí)施為根據(jù)裸芯的電氣設(shè)計(jì)和功能形成在裸芯內(nèi)并且電互連的有源器件、無源器件、導(dǎo)電層和介電層。例如，電路可以包括一個(gè)或多個(gè)晶體管、二極管和形成在有源表面30內(nèi)的其他電路元件以實(shí)施模擬電路或數(shù)字電路，諸如DSP、ASIC、存儲器或其他信號處理電路。半導(dǎo)體裸芯24也可以包含用于RF信號處理或其他目的的集成無源器件(IPD)，諸如電感器、電容器和電阻器。在一個(gè)實(shí)施例中，半導(dǎo)體裸芯24可包括倒裝芯片型器件。

可使用PVD、CVD、電解電鍍、無電極電鍍工藝或其他合適的金屬沉積工藝在有源表面30上方形成導(dǎo)電層32。導(dǎo)電層32可以是一層或多層的Al、Cu、Sn、Ni、Au、Ag或其他合適的導(dǎo)電材料。導(dǎo)電層32可操作為電連接到有源表面30上的電路的接觸焊盤或接合焊盤。導(dǎo)電層32可形成為距半導(dǎo)體裸芯24的邊緣第一距離并排設(shè)置的接觸焊盤，如圖1B中所示?；蛘?，導(dǎo)電層32可以形成為接觸焊盤，所述接觸焊盤以多行偏移從而使得第一行接觸焊盤被布置成離裸芯的邊緣為第一距離，并且與第一行交替的第二行接觸焊盤被布置成離裸芯的邊緣為第二距離。

圖1B還示出了形成于上方、朝向或直接在半導(dǎo)體裸芯24的有源表面或正面30上的識別標(biāo)記或半導(dǎo)體裸芯識別標(biāo)記34。識別標(biāo)記34中的每個(gè)可以是對于其相應(yīng)的半導(dǎo)體裸芯唯一的，以便用作唯一識別標(biāo)記。識別標(biāo)記34可包括文本、字母、符號、字母數(shù)字序列、字母數(shù)字標(biāo)記、可機(jī)讀的二維碼、二維矩陣、條形碼、QR碼、IR碼或任何其他識別標(biāo)記或圖像。唯一識別標(biāo)記可編碼或包括用于特定半導(dǎo)體裸芯的唯一識別信息，諸如產(chǎn)品類型、產(chǎn)品性能和產(chǎn)品制造信息諸如半導(dǎo)體裸芯24在其原生半導(dǎo)體晶片20中的位置、半導(dǎo)體裸芯24的制造的時(shí)間、日期和位置或其他所需信息。在整個(gè)本公開中，討論了識別標(biāo)記34的許多變化，諸如識別標(biāo)記34a、34b、34c、34d和34e。為簡潔起見，原理通常適用于識別標(biāo)記34的所有變化，包括以識別標(biāo)記34共同討論或呈現(xiàn)時(shí)的識別標(biāo)記34a、34b、34c、34d和34e。因此，使用識別標(biāo)記34代替另一個(gè)識別標(biāo)記在任何時(shí)候都不應(yīng)理解為限制性的。

識別標(biāo)記34可由導(dǎo)電金屬層或聚合物層形成或圖案化為導(dǎo)電金屬層或聚合物層。當(dāng)由導(dǎo)電或金屬層形成時(shí)，識別標(biāo)記34可使用PVD、CVD、電解電鍍、無電鍍工藝或其他合適的金屬沉積工藝形成。由導(dǎo)電層32形成的識別標(biāo)記34可包括一層或多層的Al、Cu、Sn、Ni、Au、Ag或其他合適的材料。當(dāng)由聚合物層形成時(shí)，識別標(biāo)記34可由任何合適的聚合物形成，包括聚合物復(fù)合材料諸如具有填料的環(huán)氧樹脂、具有填料的環(huán)氧丙烯酸酯或任何合適的填料。

在一些實(shí)施例中，用于形成識別標(biāo)記34的導(dǎo)電層或聚合物層可在與封裝體的另一個(gè)結(jié)構(gòu)或部分相同的工序的同時(shí)和期間或形成用于半導(dǎo)體裸芯24的封裝時(shí)形成。例如，由金屬制成的識別標(biāo)記34可與導(dǎo)電層32同時(shí)形成。在其他情況下，識別標(biāo)記34可在半導(dǎo)體晶片的單片化之前作為另一個(gè)結(jié)構(gòu)的一部分，或形成于原生半導(dǎo)體晶片20上的導(dǎo)電零件制造。當(dāng)RDL在單片化之前形成于半導(dǎo)體晶片20上時(shí)，多個(gè)識別標(biāo)記34在形成RDL的同時(shí)也可圖案化或形成。此外，用于每個(gè)半導(dǎo)體裸芯24的識別標(biāo)記34可在相同工序的同時(shí)和期間形成。因此，直寫式系統(tǒng)、直寫式曝光系統(tǒng)或激光可用于制造唯一識別標(biāo)記34。更具體地講，在相同的工序期間制造的用于唯一識別標(biāo)記34的定制光圖案可允許加入識別標(biāo)記34，而不增加加工時(shí)間。

圖1C示出，半導(dǎo)體晶片20可經(jīng)受使用研磨機(jī)36進(jìn)行的可選研磨操作，以使半導(dǎo)體晶片20的背面或背表面28平面化并減縮半導(dǎo)體晶片的厚度。化學(xué)蝕刻也可以用于移除半導(dǎo)體晶片20以及使其平坦化。使用鋸條或激光切割工具38，通過劃片街區(qū)26，也可將半導(dǎo)體晶片20單片化成單獨(dú)的半導(dǎo)體裸芯24。在一些情況下，半導(dǎo)體裸芯24中的每個(gè)可包括記錄用于半導(dǎo)體裸芯24中的每個(gè)的源識別信息的唯一識別標(biāo)記34，諸如在單片化之前半導(dǎo)體晶片20中的位置。然而，具有唯一識別標(biāo)記34或一般識別標(biāo)記的半導(dǎo)體裸芯24通常需要另一個(gè)標(biāo)記或唯一識別標(biāo)記34來識別半導(dǎo)體器件或半導(dǎo)體裸芯24放置到其中的半導(dǎo)體封裝體。

在利用最小封裝或晶片級封裝(WLP)，使得封裝體存在于原生半導(dǎo)體晶片20而不形成重構(gòu)的晶片的情況下，唯一識別標(biāo)記34a可用于通過讀取、鑒別、掃描或識別封裝體上或封裝體中的唯一識別標(biāo)記34來獲得完整半導(dǎo)體封裝體或半導(dǎo)體器件82中的半導(dǎo)體裸芯24的唯一標(biāo)識。半導(dǎo)體裸芯24的唯一標(biāo)識可包括半導(dǎo)體晶片20的源晶片ID和半導(dǎo)體晶片20中的半導(dǎo)體裸芯24的x、y位置。

在其他情況下，半導(dǎo)體晶片或原生晶片20的一部分時(shí)，唯一識別標(biāo)記34將不置于或形成于半導(dǎo)體裸芯24中的一個(gè)或多個(gè)上。相反，每個(gè)半導(dǎo)體裸芯24可具有識別半導(dǎo)體晶片20的源晶片ID而非半導(dǎo)體晶片20中的半導(dǎo)體裸芯24的x、y位置的相同標(biāo)記。相反，半導(dǎo)體晶片20中的半導(dǎo)體裸芯24的x、y位置將包括在唯一識別標(biāo)記34中，該唯一識別標(biāo)記在從半導(dǎo)體晶片20單片化單獨(dú)半導(dǎo)體裸芯24之后將包括在內(nèi)，并且包括扇出封裝體、芯片尺度封裝體或嵌入裸芯封裝體中的單片化半導(dǎo)體裸芯24，如下文結(jié)合圖2A-圖2F和圖3A-圖3C所述。

圖2A示出包含用于結(jié)構(gòu)支承的臨時(shí)或犧牲基底材料(諸如硅、聚合物、氧化鈹或其他合適的低成本、剛性材料)的載體、基板、臨時(shí)載體或臨時(shí)基板40?？蛇x界面層或雙面膠帶42作為臨時(shí)粘接膜或蝕刻停止層形成在載體40上方。圖1C的半導(dǎo)體裸芯24可安裝到載體40和界面層42并使有源表面30朝基板取向?？筛鶕?jù)半導(dǎo)體裸芯的標(biāo)稱或預(yù)定的位置和間距定位半導(dǎo)體裸芯24。因此，圖2A示出了安裝或設(shè)置在基板40上方的第一半導(dǎo)體裸芯24a。相似地，第二半導(dǎo)體裸芯24b安裝或設(shè)置在基板40上或上方。

對于例如圖2B所示的重構(gòu)的晶片或重構(gòu)面板50，以及扇出封裝體或嵌入裸芯封裝體，半導(dǎo)體裸芯24可使用拾取和放置機(jī)器置于載體40上，該拾取和放置機(jī)器可讀取或獲得半導(dǎo)體晶片20的晶片ID數(shù)，以及半導(dǎo)體裸芯24在半導(dǎo)體晶片20中的定位或x、y位置。在半導(dǎo)體裸芯24的放置期間，隨著拾取和放置機(jī)器將半導(dǎo)體裸芯24裸芯置于載體40上，拾取和放置機(jī)器可通過計(jì)算機(jī)或其他系統(tǒng)識別、存儲或者跟蹤晶片數(shù)和半導(dǎo)體裸芯24在半導(dǎo)體晶片20上的定位。拾取和放置機(jī)器包括或與處理器相關(guān)聯(lián)，該處理器包括用以控制拾取和放置機(jī)器識別、存儲和跟蹤晶片數(shù)和半導(dǎo)體裸芯24在半導(dǎo)體晶片20上的定位的操作軟件。與處理器相關(guān)聯(lián)的局部存儲器存儲和保持相應(yīng)位置的記錄。拾取和放置機(jī)器領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將易于理解和知曉如何配置拾取和放置機(jī)器以用于執(zhí)行本公開的這些功能。

在置于載體40上之后，半導(dǎo)體裸芯24在重構(gòu)的晶片50中可具有新且唯一的標(biāo)識數(shù)24，該唯一標(biāo)識數(shù)可以被識別標(biāo)記34諸如識別標(biāo)記34b-34表示，如結(jié)合后續(xù)的附圖所示和討論。數(shù)據(jù)庫(包括電子和計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)庫)可存儲用于半導(dǎo)體晶片20和載體40二者或重構(gòu)的晶片50的半導(dǎo)體24的定位信息，以及定位信息、標(biāo)識之間的關(guān)系，或用于半導(dǎo)體晶片20和載體40二者或重構(gòu)的晶片50的半導(dǎo)體24的唯一識別標(biāo)記可被可檢索地存儲。

因此，可包括、存儲或以不同形式的唯一識別標(biāo)記34表示不同類型的數(shù)據(jù)，以查看、檢索和分析數(shù)據(jù)，從而跟蹤和理解產(chǎn)品故障。在一些情況下，包括、存儲或以唯一識別標(biāo)記34表示的數(shù)據(jù)可通過序列號或字母數(shù)字序列傳輸，該序列號或字母數(shù)字序列允許用戶查找數(shù)據(jù)庫中的信息。在其他情況下，包括、存儲或以唯一識別標(biāo)記34表示的數(shù)據(jù)實(shí)際上可以編碼所有數(shù)據(jù)，諸如條形碼QR碼或其他二維或三維碼的一部分。在其他情況下，包括、存儲或以唯一識別標(biāo)記34表示的數(shù)據(jù)可以是涉及用戶查找標(biāo)記本身中的數(shù)據(jù)和編碼數(shù)據(jù)的技術(shù)組合。

半導(dǎo)體裸芯24可在安裝在基板40上方時(shí)被空間或間隙48分開。間隙48可提供用于隨后形成的扇出互連結(jié)構(gòu)的區(qū)域。間隙48的大小是根據(jù)標(biāo)稱面板設(shè)計(jì)來加以確定，并且將圍繞每個(gè)半導(dǎo)體24形成的扇出互連結(jié)構(gòu)提供足夠的空間。間隙48也可包括用于任選地安裝其他半導(dǎo)體裸芯或半導(dǎo)體器件或部件，諸如分立器件、分布部件或無源器件(包括電感器、電容器和電阻器)的足夠區(qū)域。

圖2B示出了重構(gòu)的晶片或面板50，包括圖2A的多個(gè)半導(dǎo)體裸芯24和密封劑或設(shè)置在多個(gè)半導(dǎo)體裸芯24周圍的模塑化合物52?？墒褂酶嗔嫌∷ⅰ嚎s模塑、傳遞模塑、液體密封劑模塑、真空層壓、膜輔助模塑或其他合適的施加器來沉積密封劑52。密封劑52可以是聚合物復(fù)合材料，諸如具有填充物的環(huán)氧樹脂、具有填充物的環(huán)氧丙烯酸酯、或具有合適填充物的聚合物。密封劑52可以是非導(dǎo)電的，提供物理支撐，并且在環(huán)境上保護(hù)半導(dǎo)體器件免受外部元件和污染物的影響。

重構(gòu)的晶片50中包含的半導(dǎo)體裸芯24可包括半導(dǎo)體裸芯24a、半導(dǎo)體裸芯24b或它們二者。半導(dǎo)體裸芯24a可以是包括識別標(biāo)記34a的半導(dǎo)體裸芯24，該識別標(biāo)記在半導(dǎo)體裸芯24a包括于重構(gòu)的晶片50中之前形成于半導(dǎo)體裸芯24a之上或通過半導(dǎo)體裸芯24a形成，諸如當(dāng)半導(dǎo)體裸芯24a是半導(dǎo)體晶片20的一部分時(shí)形成的識別標(biāo)記34a。半導(dǎo)體裸芯24b可以是在半導(dǎo)體裸芯24b包括于重構(gòu)的晶片50中之前不包括識別標(biāo)記34的半導(dǎo)體裸芯24。然而，如下文更詳細(xì)地討論，識別標(biāo)記34可添加至半導(dǎo)體裸芯24b，或包括半導(dǎo)體裸芯24b、另外的半導(dǎo)體裸芯的封裝體，或在半導(dǎo)體裸芯24b包括于重構(gòu)的晶片50中之后，可包括在間隙48中的其他電子設(shè)備，如上文所討論。

密封劑52可接觸、覆蓋并且設(shè)置在半導(dǎo)體裸芯24的背面28以及在背面28和正面30之間連接或延伸的半導(dǎo)體裸芯的所有側(cè)表面之上或與其相鄰。重構(gòu)的晶片50的第一表面或底部表面56可包括可與半導(dǎo)體裸芯24的有源表面30共面或基本上共面的密封劑52的底部表面。重構(gòu)的晶片50的第二表面或頂部表面58可相對于第一表面設(shè)置，并且設(shè)置在半導(dǎo)體裸芯24的背面28之上并錯(cuò)開。在其他實(shí)施例中，重構(gòu)的晶片50的第二表面58可與半導(dǎo)體裸芯24的背面28共面或基本上共面。

在一些實(shí)施例中，密封劑52可設(shè)置在半導(dǎo)體裸芯24周圍，同時(shí)將半導(dǎo)體裸芯諸如正面向下安裝到臨時(shí)載體或基板，該臨時(shí)載體或基板可包含臨時(shí)或犧牲基底材料(諸如硅、聚合物、氧化鈹或用于結(jié)構(gòu)支撐其他合適的低成本、剛性材料)?？蛇x界面層或雙面膠帶可作為粘接膜設(shè)置在臨時(shí)載體的頂部表面之上以及多個(gè)半導(dǎo)體裸芯24和臨時(shí)載體之間?？赏ㄟ^化學(xué)蝕刻、機(jī)械剝離、CMP、機(jī)械研磨、熱烘、UV光、激光掃描或濕法脫模來移除載體和界面層。圖2B示出了在移除臨時(shí)載體和界面層以使得重構(gòu)的晶片50的底部表面56暴露并為后續(xù)加工準(zhǔn)備就緒之后重構(gòu)的晶片50的非限制性例子，如下文更詳細(xì)地描述。

可使用膏料印刷、壓縮模塑、傳遞模塑、液體密封劑模塑、真空層壓、旋涂或其他合適的施加器來將密封劑50形成和沉積在多個(gè)半導(dǎo)體裸芯24周圍。密封劑50在高溫下均勻分散和均勻分布在半導(dǎo)體裸芯24周圍，并且可選擇密封劑50的粘度以便均勻覆蓋。半導(dǎo)體裸芯24可被一起嵌入在密封劑50中，該密封劑可為不導(dǎo)電的，并且在環(huán)境上保護(hù)半導(dǎo)體器件免受外部元件和污染物的影響。設(shè)置在半導(dǎo)體裸芯24周圍的密封劑50可形成重構(gòu)的晶片50，該重構(gòu)的晶片包括任何形狀和尺寸的占位面積或波形因數(shù)，以允許和幫助形成所需半導(dǎo)體裸芯封裝體需要的后續(xù)加工。作為非限制性例子，重構(gòu)的晶片50可包括與300毫米(mm)半導(dǎo)體晶片的波形因數(shù)類似的波形因數(shù)，并且包括具有直徑為300mm的圓形占位面積。

在圖2C中，通過沉積和圖案化絕緣或鈍化層60將堆積互連結(jié)構(gòu)諸如扇出堆積互連結(jié)構(gòu)的第一部分形成在重構(gòu)的晶片50上方。在移除半導(dǎo)體裸芯24安裝到其上的臨時(shí)載體之前或之后，絕緣層60可涂覆到重構(gòu)的晶片50，諸如重構(gòu)的晶片50的底部表面56處。絕緣層60共形地涂覆到密封劑50和半導(dǎo)體裸芯24，并且具有遵循包括密封劑和半導(dǎo)體裸芯的重構(gòu)的晶片50的輪廓的第一表面。絕緣層60可包括與第一表面相反的第二平表面。絕緣層60可包含一層或多層的光敏低固化溫度介電抗蝕劑、光敏復(fù)合物抗蝕劑、層壓化合物膜、具有填充物的絕緣膏劑、焊料掩模抗蝕劑膜、液體模塑化合物、二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiON)、氧化鋁(Al2O3)或具有類似的絕緣和結(jié)構(gòu)性質(zhì)的其他材料。絕緣層60可包含不透明的、半透明的或透明的材料，以允許檢測、查看或加工存儲在識別標(biāo)記34上的光學(xué)信息?？墒褂糜∷?、旋涂、噴涂、層壓或其他合適的工藝來沉積絕緣層60?？呻S后圖案化和任選地固化絕緣層60，以形成用于后續(xù)電互連的空間，并且還形成識別標(biāo)記34。如下文更詳細(xì)地討論，識別標(biāo)記34可以是絕緣層60的一部分，或可以是另外的材料諸如絕緣層60的開口中形成的金屬的一部分。

可通過蝕刻、激光鉆孔、機(jī)械鉆孔或其他合適的工藝來移除絕緣層60的一部分以形成開口62。開口62可完全延伸穿過絕緣層60并且暴露接觸焊盤32或半導(dǎo)體裸芯24或重構(gòu)的晶片50的任何其他部分。或者，開口62可部分延伸，但不完全穿過絕緣層60。因此，在一些實(shí)施例中，開口62的第一部分可完全延伸穿過絕緣層60，而開口62的第二部分可僅部分延伸穿過絕緣層60。圖2C示出了許多不同的開口62。開口62a和62b包括用于隨后分別形成導(dǎo)電通孔和電互連件的開口。形成開口62c以用于隨后形成的識別標(biāo)記34。

在圖2D中，導(dǎo)電層66可沉積于包括開口62a和62b的開口62中，以及沉積于接觸焊盤32上并且與其電接觸，以及在絕緣層60的部分上并且延伸跨過其以形成RDL。作為非限制性例子，可使用PVD、CVD、電解電鍍、無電極電鍍或其他合適的工藝沉積導(dǎo)電層66。導(dǎo)電層66可包括一層或多層的鋁(Al)、銅(Cu)、錫(Sn)、鎳(Ni)、金(Au)、銀(Ag)、鈦(Ti)、鎢(W)、多晶硅或其他合適的導(dǎo)電材料。

如圖2D結(jié)合半導(dǎo)體裸芯24a所示，導(dǎo)電層66可形成為包括兩個(gè)不同的部件或部分，即導(dǎo)電通孔66a和RDL跡線66b。導(dǎo)電通孔66a可形成堆積互連結(jié)構(gòu)的一部分并且提供接觸焊盤32和RDL跡線66b之間的垂直電連接。導(dǎo)電通孔66a可形成于開口62a中，該開口可包括可小于開口62b的尺寸或占位面積的尺寸或占位面積。如圖2D所示，RDL跡線66b可共形地涂覆到絕緣層60的第二表面并且涂覆到與導(dǎo)電通孔66a的表面共面或基本上共面的導(dǎo)電通孔66a的表面。在一些情況下，導(dǎo)電通孔66a和RDL跡線66b可同時(shí)或在相同的工序期間形成，而在其他情況下，導(dǎo)電通孔66a和RDL跡線66b可在不同的時(shí)間或作為不同工序的一部分形成。在任一情況下，導(dǎo)電層66b可延伸跨過絕緣層60的第二表面并且跨過導(dǎo)電通孔66a，使得導(dǎo)電層66b可平行于或基本上平行于重構(gòu)的晶片50的底部表面56取向。在導(dǎo)電層60作為完全模塑面板或完全模塑封裝體的一部分形成的情況下，如結(jié)合圖3A-圖3C所示和討論，絕緣層或其對應(yīng)的層可作為密封劑52的一部分形成。參見例如圖3A-圖3C和導(dǎo)電層96。

如圖2D結(jié)合半導(dǎo)體裸芯24b所示，導(dǎo)電層66可作為共形地涂覆到絕緣層60和開口62b的RDL形成。因此，導(dǎo)電層可延伸跨過平行于或基本上平行于重構(gòu)的晶片50的底部表面56的絕緣層60的第二表面，并且還遵循開口62b的側(cè)壁的輪廓或斜率，以及在界面處沿開口62b的底部延伸，或與接觸焊盤32接觸。如圖2D結(jié)合半導(dǎo)體裸芯24b所示，導(dǎo)電層66可形成堆積互連結(jié)構(gòu)80的一部分，該堆積互連結(jié)構(gòu)可提供與接觸焊盤32的垂直和水平電連接。開口62b中形成的導(dǎo)電層66的一部分可包括大于導(dǎo)電通孔66a的尺寸或占位面積的尺寸或占位面積。或者，開口62b中形成的導(dǎo)電層66的一部分可包括小于導(dǎo)電通孔66a的尺寸或占位面積的尺寸或占位面積。

圖2D還示出了在絕緣層60的開口62c中形成的識別標(biāo)記34b。識別標(biāo)記34b如識別標(biāo)記34中的每個(gè)可以是其相應(yīng)的半導(dǎo)體裸芯唯一的，以用作唯一識別標(biāo)記。然而，識別標(biāo)記34b可提供除識別標(biāo)記諸如識別標(biāo)記34a提供的那些有益效果之外的另外有益效果。與包括于重構(gòu)的晶片或半導(dǎo)體封裝體中之前，半導(dǎo)體裸芯上形成的識別標(biāo)記34a和其他識別標(biāo)記34相比，識別標(biāo)記34b也可包括用于特定半導(dǎo)體裸芯封裝體，而不僅僅是特定半導(dǎo)體裸芯的識別信息，諸如產(chǎn)品封裝的類型、產(chǎn)品性能以及除半導(dǎo)體裸芯制造信息之外的產(chǎn)品封裝制造信息，諸如半導(dǎo)體封裝體在其重構(gòu)的晶片中的位置，半導(dǎo)體封裝體的制造時(shí)間、日期和位置以及其他所需的信息。

識別標(biāo)記34b如其他識別標(biāo)記34可由任何合適的標(biāo)記和任何合適的材料諸如金屬或聚合物形成。在一個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)電層66的一部分可圖案化，并以絕緣層60中開口62c中的識別標(biāo)記34b沉積。或者，識別標(biāo)記34b可作為與導(dǎo)電層66分開的工藝的一部分形成。因此，識別標(biāo)記34b可以任何方式、使用上文所述的任何材料或工藝形成。在任何情況下，通過在半導(dǎo)體裸芯24的正面，或在包括半導(dǎo)體裸芯24的半導(dǎo)體封裝體的正面形成識別標(biāo)記34b，在產(chǎn)品的處理期間或在產(chǎn)品壽命期間不可能損壞識別標(biāo)記或使其不可讀取，諸如出現(xiàn)在設(shè)置于半導(dǎo)體裸芯封裝體的外部或外表面諸如半導(dǎo)體封裝體的背面上的識別標(biāo)記。此外，識別標(biāo)記34諸如識別標(biāo)記34b可絲網(wǎng)印刷或激光標(biāo)記于導(dǎo)電層諸如導(dǎo)電層66之上或之中，或可標(biāo)記于絕緣層諸如絕緣層60之上或之中。識別標(biāo)記34諸如識別標(biāo)記34b也可使用可編程的直寫式曝光系統(tǒng)制造。有利地，通過將識別標(biāo)記34加入作為半導(dǎo)體封裝體的一部分的導(dǎo)電層或絕緣層，諸如或者作為半導(dǎo)體封裝體的一部分的材料層，可將識別標(biāo)記34加入半導(dǎo)體封裝體，而不增加加工時(shí)間或成本。減少時(shí)間和成本的優(yōu)點(diǎn)不可用于半導(dǎo)體封裝體或封裝體組背面的常規(guī)標(biāo)記，該常規(guī)標(biāo)記包括由激光或印刷制造的識別標(biāo)記。

圖2D還示出，識別標(biāo)記34c可形成于絕緣或鈍化層60的第二表面之上，或在其上或其中與其直接接觸。識別標(biāo)記34c如其他識別標(biāo)記34可由任何合適的標(biāo)記和任何合適的材料諸如金屬或聚合物形成。在一個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)電層66的一部分可圖案化，并以識別標(biāo)記34c沉積?；蛘撸R別標(biāo)記34c可作為與導(dǎo)電層66分開的工藝的一部分形成。因此，識別標(biāo)記34c可以任何方式、使用上文所述的任何材料或工藝形成，以實(shí)現(xiàn)本文所述的有益效果。在任何情況下，識別標(biāo)記34的定位、構(gòu)造和設(shè)計(jì)可彼此相對排列或錯(cuò)開，以允許查看、讀取或訪問識別標(biāo)記，而不被隨后添加的層或結(jié)構(gòu)阻斷。例如，圖2D示出了設(shè)置于半導(dǎo)體裸芯24a的占位面積中的識別標(biāo)記34a和34c，但彼此相對錯(cuò)開，使得可訪問或讀取每個(gè)識別標(biāo)記。相似地，圖2D還示出了設(shè)置于半導(dǎo)體裸芯24b的占位面積中的識別標(biāo)記34b和34c，但彼此相對錯(cuò)開，使得可訪問或讀取每個(gè)識別標(biāo)記。因此，在一些情況下，超過一個(gè)識別標(biāo)記34可包括在單個(gè)封裝體中。在一些實(shí)施例中，可包括第一識別標(biāo)記諸如識別標(biāo)記34a，以識別或傳輸半導(dǎo)體裸芯24a相關(guān)的信息，同時(shí)可包括第二識別標(biāo)記24c，以識別或傳輸封裝半導(dǎo)體裸芯24a相關(guān)的信息。在其他情況下，將包括包含所有所需識別信息單個(gè)識別標(biāo)記24，并且其可定位在或位于任何各種識別標(biāo)記34表示的任何定位或位置處。

在識別標(biāo)記34諸如識別標(biāo)記34a、34b或34c被另外的封裝體覆蓋的情況下，諸如絕緣層如絕緣層60，該絕緣層可包括透明或半透明材料。因此，當(dāng)包括于半導(dǎo)體封裝體中時(shí)，以及遠(yuǎn)離半導(dǎo)體封裝體的外部或暴露表面，如半導(dǎo)體裸芯或半導(dǎo)體封裝體的背面設(shè)置時(shí)，透明或半透明材料可允許光學(xué)識別和甚至讀取識別標(biāo)記34。

圖2E是圖2D的續(xù)圖，示出了絕緣或鈍化層70該絕緣或鈍化層共形地涂覆到絕緣層60和導(dǎo)電層66，并且包括遵循該絕緣層和該導(dǎo)電層的輪廓的第一表面。絕緣層70還包括與第一表面相反的第二平表面。絕緣層70可包含一層或多層的光敏低固化溫度介電抗蝕劑、光敏復(fù)合物抗蝕劑、層壓化合物膜、具有填充物的絕緣膏劑、焊料掩?？刮g劑膜、液體模塑化合物、SiO2、Si3N4、SiON、Al2O3或具有類似的絕緣和結(jié)構(gòu)性質(zhì)的其他材料?？墒褂糜∷ⅰ⑿?、噴涂、層壓或其他合適的工藝來沉積絕緣層70。絕緣層70如絕緣層60也可包括透明或半透明材料，以允許通過絕緣材料光學(xué)識別識別標(biāo)記34。絕緣層70也可隨后被圖案化和可選地固化。

可通過蝕刻、激光鉆孔、機(jī)械鉆孔或其他合適的工藝來移除絕緣層70的一部分以形成部分或完全延伸穿過絕緣層70的開口。部分延伸穿過絕緣層70的開口可用于形成識別標(biāo)記34d，該識別標(biāo)記可部分或完全設(shè)置于絕緣層70中。在其他情況下，識別標(biāo)記34e可形成于絕緣層70至少，而非部分或完全設(shè)置于絕緣層70中。當(dāng)使用超過一個(gè)導(dǎo)電層66、RDL跡線66b或其他布線層和對應(yīng)的絕緣層作為堆積互連結(jié)構(gòu)或功能層80的一部分時(shí)，堆積互連結(jié)構(gòu)80各層之上、之下或之中的其他定位也可用于識別標(biāo)記34。

完全延伸穿過絕緣層70并且暴露導(dǎo)電層66的一部分的開口可用于半導(dǎo)體裸芯24的電氣輸入/輸出(i/o)?？墒褂肞VD、CVD、電解電鍍、無電鍍或其他合適的工藝將導(dǎo)電層沉積在絕緣層70中的開口并且接觸導(dǎo)電層66，以形成凸塊下金屬化(UBM)焊盤74。UBM焊盤74可以是多個(gè)金屬疊層，包括粘合層、阻擋層、種子層和潤濕層。UBM 74的層可以是Ti、氮化鈦(TiN)、鈦鎢(TiW)、Al、Cu、鉻(Cr)、鉻銅(CrCu)、Ni、鎳釩(NiV)、鈀(Pd)、鉑(Pt)、Au和Ag。作為非限制性例子，UBM焊盤74可包括TiW種子層、Cu種子層和Cu UBM層。TiW種子層可共形地涂覆在絕緣層70和導(dǎo)電層66上方。Cu種子層可共形地涂覆在TiW種子層上方。Cu UBM層可共形地涂覆在TiW種子層和Cu種子層上方。UBM焊盤74充當(dāng)導(dǎo)電層66與隨后形成的焊料凸塊或其他I/O互連結(jié)構(gòu)之間的中間導(dǎo)電層。UBM焊盤74可提供與導(dǎo)電層66的低電阻互連、對焊料擴(kuò)散的阻擋、以及焊料潤濕性的增加。

可使用蒸發(fā)、電解電鍍、無電極電鍍、球滴、絲網(wǎng)印刷或其他合適的工藝將導(dǎo)電凸塊材料沉積在UBM焊盤74和導(dǎo)電層66上方。凸塊材料可以是Al、Sn、Ni、Au、Ag、Pb、鉍(Bi)、Cu、焊料和其組合，連同可選的焊劑溶液一起。例如，凸塊材料可以是共晶Sn/Pb、高鉛焊料或無鉛焊料。使用合適的附著或粘結(jié)工藝可將凸塊材料結(jié)合到UBM焊盤74。在一個(gè)實(shí)施例中，通過將凸塊材料加熱到其熔點(diǎn)以上可使凸塊材料回流以形成球形球或凸塊78。在一些應(yīng)用中，凸塊78被二次回流以改善到UBM焊盤74的電接觸。凸塊也可以被壓縮結(jié)合到UBM焊盤74。凸塊78表示可以形成在UBM焊盤74上方的一種類型的互連結(jié)構(gòu)?；ミB結(jié)構(gòu)也可以包括導(dǎo)電膏、柱形凸塊、微凸塊或其他電互連。根據(jù)半導(dǎo)體封裝體的構(gòu)造和設(shè)計(jì)，絕緣或鈍化層60、導(dǎo)電層66、絕緣或鈍化層70、UBM焊盤74和凸塊78合在一起可形成在整個(gè)半導(dǎo)體封裝體82中提供電連接和電信號的分布的堆積互連結(jié)構(gòu)或功能層80。因此，堆積互連結(jié)構(gòu)80不限于作為非限制性例子包括的特定數(shù)量或類型的層，但可另外包括更多層或更少層，以提供所需的互連。

堆積互連結(jié)構(gòu)80和識別標(biāo)記34的形成可使用無掩模或無掩模圖案化系統(tǒng)，諸如激光、直寫式成像系統(tǒng)、無掩模平版印刷或其他無掩模圖案化系統(tǒng)，諸如美國專利申請No.13/891,006中公開的系統(tǒng)形成，該專利申請的全部公開內(nèi)容以引用方式并入。

圖2E還示出，在形成凸塊78之后，可使用鋸條或激光切割工具80單片化重構(gòu)的晶片50，形成半導(dǎo)體封裝體82。半導(dǎo)體封裝體82可包括設(shè)置在半導(dǎo)體裸芯24的背面28上的背面或第一表面84。半導(dǎo)體封裝體82也可包括設(shè)置在半導(dǎo)體裸芯24的有源表面30上的正面或第二表面86。

圖2F示出了朝向半導(dǎo)體封裝體82的正面86的半導(dǎo)體封裝體82的平面視圖。因此，圖2F示出了使用密封劑52包封并且與堆積互連結(jié)構(gòu)80電連接的半導(dǎo)體裸芯24，該半導(dǎo)體裸芯可包括導(dǎo)電層66、導(dǎo)電通孔66a、RDL跡線66b和凸塊78。圖2F還示出了鄰近半導(dǎo)體裸芯24的有源表面30或堆積互連結(jié)構(gòu)80中包括的識別標(biāo)記34。識別標(biāo)記34可處于半導(dǎo)體封裝體82的外部或外表面，可通過光學(xué)檢測查看和讀取，用于傳輸識別標(biāo)記34存儲、連接或表示的信息?；蛘?，識別標(biāo)記34可遠(yuǎn)離半導(dǎo)體封裝體82的外部或外表面定位，并且嵌入半導(dǎo)體封裝體82中，諸如堆積互連結(jié)構(gòu)80中。當(dāng)識別標(biāo)記34嵌入半導(dǎo)體封裝體82中時(shí)，設(shè)置于識別標(biāo)記34之上的另外的層或材料可為半透明的或透明的，以允許通過光學(xué)檢測查看和讀取識別標(biāo)記，以用于傳輸由識別標(biāo)記34存儲、連接或表示的信息。

因此，如本文所述形成識別標(biāo)記34，識別標(biāo)記34不定位在常規(guī)封裝體的半導(dǎo)體封裝體82的背面84。絲網(wǎng)印刷或激光標(biāo)記在產(chǎn)品諸如半導(dǎo)體封裝體或半導(dǎo)體裸芯背面的常規(guī)識別標(biāo)記或標(biāo)識符在處理或整個(gè)產(chǎn)品壽命期間可暴露至損壞。與此相反，識別標(biāo)記34不暴露在半導(dǎo)體封裝體的外部，因此在整個(gè)半導(dǎo)體封裝體82壽命的處理或常規(guī)使用期間不暴露至損壞。

此外，在單獨(dú)或耗時(shí)工藝中，識別標(biāo)記34不經(jīng)受唯一識別單獨(dú)封裝體所需的另外的加工時(shí)間，該單獨(dú)封裝體通過封裝體背面上的絲網(wǎng)印刷或激光標(biāo)記來標(biāo)記。除產(chǎn)品標(biāo)記的常規(guī)耗時(shí)工藝之外，識別標(biāo)記34可使用可編程的直寫式曝光系統(tǒng)制造，以便同時(shí)或在相同的時(shí)間在晶片級諸如在重構(gòu)的晶片50上圖案化多個(gè)唯一識別標(biāo)記34，而不是依序等待對每個(gè)封裝體進(jìn)行印刷或激光劃片。

如上文所示，識別標(biāo)記34的形成可伴隨著或與導(dǎo)電、金屬、絕緣或聚合物層的形成或圖案化同時(shí)進(jìn)行，該導(dǎo)電、金屬、絕緣或聚合物層可另外包括在半導(dǎo)體封裝體82中，從而允許半導(dǎo)體封裝體82的產(chǎn)品標(biāo)記或識別，而很少增加或不增加加工時(shí)間或成本。因此，同時(shí)形成整個(gè)標(biāo)記，以及同時(shí)形成多個(gè)標(biāo)記，不限于標(biāo)記或多個(gè)標(biāo)記的光柵類型形成，諸如在一次或多次通過期間進(jìn)行激光或印刷劃線標(biāo)記，諸如從左至右通過包括多個(gè)封裝體或半導(dǎo)體裸芯的帶或晶片。相反，整個(gè)標(biāo)記或多個(gè)標(biāo)記可同時(shí)形成，而不發(fā)生光柵化，諸如通過圖案化、顯影、形成和沉積材料中的一者或多者。

除降低基于個(gè)體/封裝體的成本之外，將正面封裝體級別序列化用于使現(xiàn)有封裝體層包括識別標(biāo)記也可提高公司在封裝體級別執(zhí)行詳細(xì)故障分析的能力?，F(xiàn)有封裝體層中的正面封裝體級別序列化可改善整個(gè)封裝體和測試的產(chǎn)率，制造加工的接合后端測試結(jié)果，并隔離產(chǎn)品處于該范圍時(shí)出現(xiàn)的問題。封裝級的詳細(xì)故障分析可允許標(biāo)識可消除的問題，以改善設(shè)計(jì)和減少將來的問題，從而降低產(chǎn)品級而不是每個(gè)封裝級別的成本。

類似于上文結(jié)合圖1A-圖2F所進(jìn)行的討論，圖3A-圖3C示出了唯一識別標(biāo)記98的正面封裝級別序列化的另一個(gè)實(shí)施例，其與上文討論的唯一識別標(biāo)記34相同或類似。

圖3A示出了包括多個(gè)半導(dǎo)體裸芯24的半導(dǎo)體晶片或原生晶片87。半導(dǎo)體晶片87與半導(dǎo)體晶片20的不同之處在于包括或添加導(dǎo)電樁、柱、立柱、互連件或通孔94。任選的絕緣層92可在導(dǎo)電樁94形成于接觸焊盤32之上、與其連接或直接接觸之前，設(shè)置于半導(dǎo)體裸芯32的有源表面30之上。絕緣層92可共形地涂覆到半導(dǎo)體裸芯24，并且具有遵循包括半導(dǎo)體裸芯24和接觸焊盤32的半導(dǎo)體裸芯的輪廓的第一表面。絕緣層92具有與第一表面相反的第二平表面。絕緣層92可包含一層或多層的光敏低固化溫度介電抗蝕劑、光敏復(fù)合物抗蝕劑、層壓化合物膜、具有填充物的絕緣膏劑、焊料掩模抗蝕劑膜、液體模塑化合物、SiO2、Si3N4、SiON、Al2O3或具有類似的絕緣和結(jié)構(gòu)性質(zhì)的其他材料。在一些情況下，絕緣層92可作為聚合物形成。絕緣層90可包括不透明的、半透明的或透明的材料，以允許檢測、查看或加工存儲在識別標(biāo)記上的光學(xué)信息，該識別標(biāo)記形成于半導(dǎo)體裸芯24的有源表面30之上、之處或附近，類似于圖2C所示。使用印刷、旋涂、噴涂、層壓或其他合適的工藝來沉積絕緣層92?？呻S后圖案化和任選地固化絕緣層92，以形成用于后續(xù)電互連的空間，并且還形成或形成用于與識別標(biāo)記34類似的識別標(biāo)記的空間。

可通過蝕刻、激光鉆孔、機(jī)械鉆孔或其他合適的工藝來移除絕緣層92的一部分，以形成可部分或完全延伸穿過絕緣層92并暴露接觸焊盤32或半導(dǎo)體裸芯24的任何其他部分的開口。在一些情況下，接觸焊盤32和導(dǎo)電樁94之上絕緣層92中的開口可形成于接觸焊盤32之上，而半導(dǎo)體裸芯24不單片化或作為原生晶片諸如半導(dǎo)體晶片20的一部分。

導(dǎo)電樁94可形成于接觸焊盤32之上并與其連接。使用圖案化和金屬沉積工藝，諸如印刷、PVD、CVD、濺射、電解電鍍、無電極電鍍、金屬蒸鍍、金屬濺射或其他合適的金屬沉積工藝，可以將導(dǎo)電樁94直接形成在接觸焊盤32上。導(dǎo)電樁94可以是一層或多層的Al、Cu、Sn、Ni、Au、Ag或其他合適的導(dǎo)電材料。在一個(gè)實(shí)施例中，光致抗蝕劑層沉積在半導(dǎo)體裸芯24和導(dǎo)電層32上方。光致抗蝕劑層的一部分可暴露并且通過蝕刻顯影工藝來移除?？墒褂眠x擇性電鍍工藝將導(dǎo)電樁94形成為光致抗蝕劑的移除的部分中的銅樁、柱或立柱并形成在接觸焊盤32上方。光致抗蝕劑層可移除，留下導(dǎo)電樁94，以提供隨后的電互連和相對于半導(dǎo)體裸芯24的有源表面30的支座。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電樁94可包括在10-40微米(μm)、15-25μm范圍內(nèi)的高度H1，或約20μm的高度。

圖3B示出，在形成導(dǎo)電樁94之后，與密封劑52類似或相同的密封劑95可設(shè)置、形成于半導(dǎo)體裸芯24周圍，或與其接觸放置，包括半導(dǎo)體裸芯的正面30和樁94的周圍。在一些情況下，半導(dǎo)體裸芯24可單片化、置于臨時(shí)載體或臨時(shí)基板之上，形成重構(gòu)的晶片或重構(gòu)面板88，其中密封劑95可設(shè)置、形成于半導(dǎo)體裸芯24的背面28周圍，或與其接觸放置，以及在背面28和正面30之間連接或延伸的半導(dǎo)體裸芯24的所有側(cè)表面。在一些實(shí)施例中，密封劑95可設(shè)置在半導(dǎo)體裸芯24周圍，而半導(dǎo)體裸芯正面向下安裝到臨時(shí)載體或基板。或者，如結(jié)合圖4A-圖4B更詳細(xì)地討論，密封劑可置于半導(dǎo)體裸芯24之上、樁94的周圍，而半導(dǎo)體裸芯24是半導(dǎo)體晶片87的一部分，并且保持未單片化，諸如用于形成WLP或晶片級芯片尺度封裝(WLCSP)。

如圖3C所示，在形成或處理半導(dǎo)體裸芯24和導(dǎo)電樁94周圍的密封劑95之后，類似于導(dǎo)電層66的導(dǎo)電層96可形成于導(dǎo)電樁94之上，并且延伸跨過密封劑95的表面。導(dǎo)電層96可以是一層或多層的Al、Cu、Sn、Ni、Au、Ag或其他合適的導(dǎo)電材料。導(dǎo)電層96的形成可使用PVD、CVD、電解電鍍、無電極電鍍或其他合適的工藝。在一個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)電層96可以是RDL，其包括TiW種子層、Cu種子層、以及形成在TiW種子層和Cu種子層上方的Cu層。導(dǎo)電層96可在導(dǎo)電樁94和UBM 102以及凸塊104之間提供電互連。

類似于上文所述的一個(gè)或多個(gè)識別標(biāo)記34的識別標(biāo)記98可形成于半導(dǎo)體裸芯24的有源表面30、絕緣層92、密封劑95或絕緣層100之上，或在其上或其中與其直接接觸。識別標(biāo)記98如其他識別標(biāo)記34可由任何合適的標(biāo)記和任何合適的材料諸如金屬或聚合物形成。在一個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)電層96的一部分可圖案化，并以識別標(biāo)記98沉積。或者，識別標(biāo)記98可作為與導(dǎo)電層96分開的工藝的一部分形成。因此，識別標(biāo)記98可以任何方式、使用上文所述的任何材料或工藝形成，以實(shí)現(xiàn)本文所述的有益效果。在識別標(biāo)記98被另外的封裝體覆蓋的情況下，諸如絕緣層如絕緣層100，該絕緣層可包括透明或半透明材料。因此，當(dāng)包括于半導(dǎo)體封裝體中時(shí)，以及遠(yuǎn)離半導(dǎo)體封裝體的外部或暴露表面設(shè)置時(shí)，透明或半透明材料可允許光學(xué)識別和甚至讀取識別標(biāo)記98。

圖3C示出絕緣或鈍化層100，該絕緣或鈍化層可共形地涂覆到密封劑95和導(dǎo)電層96，并且包括遵循該密封劑和該導(dǎo)電層的輪廓的第一表面。絕緣層70還可包括與第一表面相反的第二平表面。絕緣層70可包含一層或多層的光敏低固化溫度介電抗蝕劑、光敏復(fù)合物抗蝕劑、層壓化合物膜、具有填充物的絕緣膏劑、焊料掩模抗蝕劑膜、液體模塑化合物、SiO2、Si3N4、SiON、Al2O3或具有類似的絕緣和結(jié)構(gòu)性質(zhì)的其他材料。可使用印刷、旋涂、噴涂、層壓或其他合適的工藝來沉積絕緣層70。絕緣層100如絕緣層70也可包括透明或半透明材料，以允許通過絕緣材料光學(xué)識別識別標(biāo)記98。絕緣層100隨后被圖案化和可選地固化。

通過蝕刻、激光鉆孔、機(jī)械鉆孔或其他合適的工藝可移除絕緣層100的一部分以形成開口，所述開口完全延伸穿過絕緣層100并且暴露導(dǎo)電層96的一部分?？墒褂肞VD、CVD、電解電鍍、無電鍍或其他合適的工藝將導(dǎo)電層沉積在絕緣層100中的開口并且接觸導(dǎo)電層96，以形成凸塊下金屬化(UBM)焊盤102。UBM焊盤74可以是多個(gè)金屬疊層，包括粘合層、阻擋層、種子層和潤濕層。UBM 102的層可以是Ti、TiN、TiW、Al、Cu、Cr、CrCu、Ni、NiV、Pd、Pt、Au和Ag。作為非限制性例子，UBM焊盤102可包括TiW種子層、Cu種子層和Cu UBM層。TiW種子層可共形地涂覆在絕緣層100和導(dǎo)電層96上方。Cu種子層可共形地涂覆在TiW種子層上方。Cu UBM層可共形地涂覆在TiW種子層和Cu種子層上方。UBM焊盤102充當(dāng)導(dǎo)電層96與隨后形成的焊料凸塊或其他I/O互連結(jié)構(gòu)之間的中間導(dǎo)電層。UBM焊盤102可提供與導(dǎo)電層96的低電阻互連、對焊料擴(kuò)散的阻擋、以及焊料潤濕性的增加。

可使用蒸發(fā)、電解電鍍、無電極電鍍、球滴、絲網(wǎng)印刷或其他合適的工藝將導(dǎo)電凸塊材料沉積在UBM焊盤102和導(dǎo)電層96上方。凸塊材料可以是Al、Sn、Ni、Au、Ag、Pb、Bi、Cu、焊料和其組合，連同可選的焊劑溶液一起。例如，凸塊材料可以是共晶Sn/Pb、高鉛焊料或無鉛焊料。使用合適的附著或粘結(jié)工藝可將凸塊材料結(jié)合到UBM焊盤102。在一個(gè)實(shí)施例中，通過將凸塊材料加熱到其熔點(diǎn)以上可使凸塊材料回流以形成球形球或凸塊104。在一些應(yīng)用中，凸塊104被二次回流以改善到UBM焊盤102的電接觸。凸塊也可以被壓縮結(jié)合到UBM焊盤102。凸塊104表示可以形成在UBM焊盤102上方的一種類型的互連結(jié)構(gòu)?；ミB結(jié)構(gòu)也可以包括導(dǎo)電膏、柱形凸塊、微凸塊或其他電互連。根據(jù)半導(dǎo)體封裝體的構(gòu)造和設(shè)計(jì)，絕緣或鈍化層100、導(dǎo)電層96、絕緣或鈍化層100、UBM焊盤102和凸塊104合在一起可形成在整個(gè)半導(dǎo)體封裝體90中提供電連接和電信號的分布的堆積互連結(jié)構(gòu)106。因此，堆積互連結(jié)構(gòu)106不限于作為非限制性例子包括的特定數(shù)量或類型的層，但可另外包括更多層或更少層，以提供所需的互連。

圖3C示出，可使用鋸條或激光切割工具89單片化面板88的重構(gòu)的晶片，形成單獨(dú)半導(dǎo)體封裝體90，該單獨(dú)半導(dǎo)體封裝體與半導(dǎo)體封裝體82的不同之處在于包括導(dǎo)電樁94和任選的絕緣層92。

因此，形成作為半導(dǎo)體封裝體的一部分的識別標(biāo)記98，可實(shí)現(xiàn)與半導(dǎo)體封裝體82中的識別標(biāo)記34提供的那些類似或相同的優(yōu)點(diǎn)。更具體地講，如本文所述形成識別標(biāo)記98，識別標(biāo)記98不定位在常規(guī)封裝體的半導(dǎo)體封裝體90的背面。絲網(wǎng)印刷或激光標(biāo)記在產(chǎn)品諸如半導(dǎo)體封裝體或半導(dǎo)體裸芯背面的常規(guī)識別標(biāo)記或標(biāo)識符在處理或整個(gè)產(chǎn)品壽命期間可暴露至損壞。與此相反，識別標(biāo)記98不暴露在半導(dǎo)體封裝體的外部，因此在整個(gè)半導(dǎo)體封裝體90壽命的處理或常規(guī)使用期間不暴露至損壞。此外，在單獨(dú)或耗時(shí)工藝中，識別標(biāo)記98不經(jīng)受唯一識別單獨(dú)封裝體所需的另外的加工時(shí)間，該單獨(dú)封裝體通過封裝體背面上的絲網(wǎng)印刷或激光標(biāo)記來標(biāo)記。除產(chǎn)品標(biāo)記的常規(guī)耗時(shí)工藝之外，識別標(biāo)記98可使用可編程的直寫式曝光系統(tǒng)制造，以便同時(shí)或在相同的時(shí)間在晶片級諸如在重構(gòu)的晶片上圖案化多個(gè)唯一識別標(biāo)記98，而不是依序等待對每個(gè)封裝體進(jìn)行印刷或激光劃片。

如上文所示，識別標(biāo)記98的形成可伴隨著或與導(dǎo)電、金屬、絕緣或聚合物層的形成或圖案化同時(shí)進(jìn)行，該導(dǎo)電、金屬、絕緣或聚合物層可另外包括在半導(dǎo)體封裝體90中，從而允許半導(dǎo)體封裝體90的產(chǎn)品標(biāo)記或識別，而很少增加或不增加加工時(shí)間或成本。因此，同時(shí)形成整個(gè)標(biāo)記，以及同時(shí)形成多個(gè)標(biāo)記，不限于標(biāo)記或多個(gè)標(biāo)記的光柵類型形成，諸如在一次或多次通過期間進(jìn)行激光或印刷劃線標(biāo)記，諸如從左至右通過包括多個(gè)封裝體或半導(dǎo)體裸芯的帶或晶片。相反，整個(gè)標(biāo)記或多個(gè)標(biāo)記可同時(shí)形成，而不發(fā)生光柵化，諸如通過圖案化、顯影、形成和沉積材料中的一者或多者。除降低基于個(gè)體/封裝體的成本之外，將正面封裝級別序列化用于使現(xiàn)有封裝層包括識別標(biāo)記也可提高公司在封裝級別執(zhí)行詳細(xì)故障分析的能力?，F(xiàn)有封裝層中的正面封裝級別序列化可改善整個(gè)封裝體和測試的產(chǎn)率，制造加工的接合后端測試結(jié)果，并隔離產(chǎn)品處于該范圍時(shí)出現(xiàn)的問題。封裝級的詳細(xì)故障分析可允許標(biāo)識可消除的問題，以改善設(shè)計(jì)和減少將來的問題，從而降低產(chǎn)品級而不是每個(gè)封裝級別的成本。

此外，半導(dǎo)體封裝體，諸如半導(dǎo)體封裝體82和半導(dǎo)體封裝體90的詳細(xì)故障分析可通過半導(dǎo)體裸芯24的完全可追溯性以及用于半導(dǎo)體裸芯的封裝體的加工賦予。完全可追溯性可包括前端和后端制造批號的標(biāo)識，以及制造的時(shí)間和地點(diǎn)。按照慣例，由于標(biāo)記半導(dǎo)體單元的方法局限性，完全可追溯性通常難以提供。然而，如本文結(jié)合關(guān)于半導(dǎo)體裸芯24在半導(dǎo)體晶片20、重構(gòu)的晶片50、半導(dǎo)體封裝體82、半導(dǎo)體晶片或原生晶片87、重構(gòu)的晶片或重構(gòu)面板88和半導(dǎo)體封裝體90中的起源、定位和標(biāo)識的信息描述的改善標(biāo)記允許改善可追溯性，以及提供完全可追溯性的更高效和有效方式，而不存在常規(guī)經(jīng)歷的時(shí)間和成本限制。

圖4A是圖3A的續(xù)圖，示出了在形成導(dǎo)電樁94之后，與密封劑52或85類似或相同的密封劑115可設(shè)置、形成于半導(dǎo)體裸芯24周圍，或與其接觸放置，包括半導(dǎo)體裸芯的正面30，和樁94周圍，而半導(dǎo)體裸芯24是半導(dǎo)體晶片87的一部分，并且保持未單片化，諸如用于形成WLP或WLCSP。

圖4B是圖4A的續(xù)圖，示出了在形成或處理半導(dǎo)體裸芯24和導(dǎo)電樁94周圍的密封劑95之后，類似于導(dǎo)電層66或96的導(dǎo)電層116可形成于導(dǎo)電樁94之上，并且延伸跨過密封劑115的表面。導(dǎo)電層116可以是一層或多層的Al、Cu、Sn、Ni、Au、Ag或其他合適的導(dǎo)電材料。導(dǎo)電層96的形成可使用PVD、CVD、電解電鍍、無電極電鍍或其他合適的工藝。在一個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)電層96可以是RDL，其包括TiW種子層、Cu種子層、以及形成在TiW種子層和Cu種子層上方的Cu層。導(dǎo)電層96可在導(dǎo)電樁94和UBM102以及凸塊104之間提供電互連。

類似于上文所述的一個(gè)或多個(gè)識別標(biāo)記34或98的識別標(biāo)記或唯一識別標(biāo)記118可形成于密封劑115或絕緣層120之上，或在其上或其中與其直接接觸。識別標(biāo)記118如其他識別標(biāo)記34可由任何合適的標(biāo)記和任何合適的材料諸如金屬或聚合物形成。在一個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)電層116的一部分可圖案化，并以識別標(biāo)記118沉積?；蛘?，識別標(biāo)記118可作為與導(dǎo)電層116分開的工藝的一部分形成。因此，識別標(biāo)記118可以任何方式、使用上文所述的任何材料或工藝形成，以實(shí)現(xiàn)本文所述的有益效果。在識別標(biāo)記118被另外的封裝體覆蓋的情況下，諸如絕緣層如絕緣層120，該絕緣層可包括透明或半透明材料。因此，當(dāng)包括于半導(dǎo)體封裝體中時(shí)，以及遠(yuǎn)離半導(dǎo)體封裝體的外部或暴露表面設(shè)置時(shí)，透明或半透明材料可允許光學(xué)識別和甚至讀取識別標(biāo)記118。

圖4B還示出絕緣或鈍化層120，該絕緣或鈍化層可共形地涂覆到密封劑115和導(dǎo)電層116以及一個(gè)或多個(gè)識別標(biāo)記118，并且包括遵循該密封劑和該導(dǎo)電層以及識別標(biāo)記的輪廓的第一表面。絕緣層120可包括一個(gè)或多個(gè)絕緣或鈍化層，該絕緣或鈍化層中的至少一者可包括與第一表面相對的第二平表面。絕緣層120可包含一層或多層的光敏低固化溫度介電抗蝕劑、光敏復(fù)合物抗蝕劑、層壓化合物膜、具有填充物的絕緣膏劑、焊料掩?？刮g劑膜、液體模塑化合物、SiO2、Si3N4、SiON、Al2O3或具有類似的絕緣和結(jié)構(gòu)性質(zhì)的其他材料?？墒褂糜∷ⅰ⑿?、噴涂、層壓或其他合適的工藝來沉積絕緣層120。絕緣層120如絕緣層70或絕緣層100也可包括透明或半透明材料，以允許通過絕緣材料120光學(xué)識別識別標(biāo)記118的標(biāo)識。絕緣層120隨后被圖案化和可選地固化。

通過蝕刻、激光鉆孔、機(jī)械鉆孔或其他合適的工藝可移除絕緣層120的一部分以形成開口，所述開口完全延伸穿過絕緣層120并且暴露導(dǎo)電層116的一部分?？墒褂肞VD、CVD、電解電鍍、無電鍍或其他合適的工藝將導(dǎo)電層沉積在絕緣層100中的開口并且接觸導(dǎo)電層116，以形成凸塊下金屬化(UBM)焊盤122。UBM焊盤122可以是多個(gè)金屬疊層，包括粘合層、阻擋層、種子層和潤濕層。UBM 122的層可以是Ti、TiN、TiW、Al、Cu、Cr、CrCu、Ni、NiV、Pd、Pt、Au和Ag。作為非限制性例子，UBM焊盤122可包括TiW種子層、Cu種子層和Cu UBM層。TiW種子層可共形地涂覆在絕緣層120和導(dǎo)電層116上方。Cu種子層可共形地涂覆在TiW種子層上方。Cu UBM層可共形地涂覆在TiW種子層和Cu種子層上方。UBM焊盤122充當(dāng)導(dǎo)電層116或?qū)щ姌?4與隨后形成的焊料凸塊或其他I/O互連結(jié)構(gòu)之間的中間導(dǎo)電層。UBM焊盤122可提供與導(dǎo)電層6的低電阻互連、對焊料擴(kuò)散的阻擋、以及焊料潤濕性的增加。

可使用蒸發(fā)、電解電鍍、無電極電鍍、球滴、絲網(wǎng)印刷或其他合適的工藝將導(dǎo)電凸塊材料沉積在UBM焊盤122和導(dǎo)電層116上方。凸塊材料可以是Al、Sn、Ni、Au、Ag、Pb、Bi、Cu、焊料和其組合，連同可選的焊劑溶液一起。例如，凸塊材料可以是共晶Sn/Pb、高鉛焊料或無鉛焊料。使用合適的附著或粘結(jié)工藝可將凸塊材料結(jié)合到UBM焊盤122。在一個(gè)實(shí)施例中，通過將凸塊材料加熱到其熔點(diǎn)以上可使凸塊材料回流以形成球形球或凸塊124。在一些應(yīng)用中，凸塊124被二次回流以改善到UBM焊盤122的電接觸。凸塊也可以被壓縮結(jié)合到UBM焊盤122。凸塊124表示可以形成在UBM焊盤122上方的一種類型的互連結(jié)構(gòu)?；ミB結(jié)構(gòu)也可以包括導(dǎo)電膏、柱形凸塊、微凸塊或其他電互連。根據(jù)半導(dǎo)體封裝體的構(gòu)造和設(shè)計(jì)，導(dǎo)電層116、識別標(biāo)記118、絕緣或鈍化層120、UBM焊盤122和凸塊124合在一起可形成或包括在堆積互連結(jié)構(gòu)126中，以提供在整個(gè)半導(dǎo)體封裝體110中的電連接和電信號的分布。因此，堆積互連結(jié)構(gòu)126不限于作為非限制性例子包括的特定數(shù)量或類型的層，但可另外包括更多層或更少層，以提供所需的互連。

圖4B示出了晶片或面板112可使用鋸條或激光切割工具89單片化，以形成單獨(dú)半導(dǎo)體封裝體110。半導(dǎo)體封裝體110與半導(dǎo)體封裝體82的不同之處在于包括導(dǎo)電樁94和任選的絕緣層92。半導(dǎo)體封裝體110與半導(dǎo)體封裝體90的不同之處在于形成WLCSP而非扇出WLCSP。因此，形成作為半導(dǎo)體封裝體的一部分的識別標(biāo)記98，也可提供與半導(dǎo)體封裝體82中的識別標(biāo)記34和半導(dǎo)體封裝體90中的識別標(biāo)記98提供的優(yōu)點(diǎn)類似或相同的優(yōu)點(diǎn)。

圖4C示出了通過鋸條或激光切割工具89從面板132的晶片單片化的半導(dǎo)體封裝體或WLCSP 130。半導(dǎo)體封裝體或WLCSP 130與圖2E的半導(dǎo)體封裝體或扇出WLP 82的不同之處在于在單片化半導(dǎo)體裸芯24之前，形成于原生晶片20上，而非形成為重構(gòu)的晶片或重構(gòu)面板50的扇出WLP。如圖4B所示，半導(dǎo)體封裝體或WLCSP 130與半導(dǎo)體封裝體或WLCSP 110的不同之處在于缺少導(dǎo)電樁94。另外，半導(dǎo)體封裝體130可使用相同或類似的工藝、方法或步驟，利用半導(dǎo)體封裝體110的相同或類似特征結(jié)構(gòu)、層、結(jié)構(gòu)或元件形成。如圖所示，半導(dǎo)體封裝體130可包括密封劑115、導(dǎo)電層116、識別標(biāo)記或唯一識別標(biāo)記118、絕緣層120、UBM或UBM焊盤122、凸塊124和堆積互連結(jié)構(gòu)126。因此，形成作為半導(dǎo)體封裝體130的一部分的識別標(biāo)記118，也可提供與半導(dǎo)體封裝體82中的識別標(biāo)記34、半導(dǎo)體封裝體90中的識別標(biāo)記98和半導(dǎo)體封裝體110中的識別標(biāo)記118提供的優(yōu)點(diǎn)類似或相同的優(yōu)點(diǎn)。

圖5A是用于制造半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)或方法200的流程圖。該方法可包括提供多個(gè)半導(dǎo)體裸芯，其中每個(gè)半導(dǎo)體裸芯包括有源表面和與有源表面相對的背面，如框202所示。該方法還可包括形成在晶片中的多個(gè)半導(dǎo)體裸芯中的每個(gè)的有源表面上方延伸的堆積互連結(jié)構(gòu)，如框204所示。該方法還可包括形成作為堆積互連結(jié)構(gòu)中的層的一部分，用于多個(gè)半導(dǎo)體裸芯中的每個(gè)的唯一識別標(biāo)記，同時(shí)形成堆積互連結(jié)構(gòu)的層，其中堆積互連結(jié)構(gòu)的層包括用于多個(gè)半導(dǎo)體裸芯中的每個(gè)的唯一識別標(biāo)記和用于半導(dǎo)體器件的功能性二者，并且其中每個(gè)唯一識別標(biāo)記傳達(dá)其相應(yīng)的半導(dǎo)體裸芯的唯一標(biāo)識，如框206所示。該方法還可包括將多個(gè)半導(dǎo)體裸芯單片化成多個(gè)半導(dǎo)體器件，如框208所示。

圖5B是識別半導(dǎo)體封裝體的唯一標(biāo)識的系統(tǒng)或方法220的流程圖。該方法可包括提供半導(dǎo)體裸芯，如框222所示。該方法還可包括形成用于半導(dǎo)體裸芯的半導(dǎo)體裸芯封裝體，其中該半導(dǎo)體封裝體包括封裝體的功能層中的唯一標(biāo)記，如框24所示。該方法還可包括解析半導(dǎo)體封裝體的唯一標(biāo)記，以獲得封裝體中的半導(dǎo)體裸芯的唯一標(biāo)識，如框226所示。

該方法的形成、識別、存儲和其他部分在本專利申請的其他各種部分所述。解析唯一標(biāo)記可使用運(yùn)行操作軟件的處理器進(jìn)行，該操作軟件被構(gòu)造為獲得每個(gè)封裝體中的半導(dǎo)體裸芯的唯一標(biāo)識。該處理器可與唯一標(biāo)記讀取器，諸如適用于讀取用于創(chuàng)建唯一標(biāo)記的代碼的光學(xué)或其他代碼讀取器，以及唯一標(biāo)記的數(shù)據(jù)庫相關(guān)聯(lián)，以使唯一標(biāo)記與用于各種封裝體的半導(dǎo)體裸芯的特定唯一標(biāo)識相互引用，從而可發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體裸芯的唯一標(biāo)識包括在特定的封裝體中。

在特定實(shí)施例中，半導(dǎo)體裸芯的唯一標(biāo)識可包括源晶片標(biāo)識、和源晶片中的半導(dǎo)體裸芯的x、y位置。在一些實(shí)施例中，唯一標(biāo)記可包括用戶可查找半導(dǎo)體裸芯的唯一標(biāo)識的信息，其中該信息通過前端或后端制造工藝期間檢測工具生成的自動(dòng)測試設(shè)備或晶片圖生成。在其他實(shí)施例中，唯一標(biāo)記包括標(biāo)記本身中半導(dǎo)體裸芯的唯一標(biāo)識，使得用戶不需要查找任何另外的信息來確定半導(dǎo)體裸芯的唯一標(biāo)識。當(dāng)標(biāo)記本身包括半導(dǎo)體裸芯的唯一標(biāo)識時(shí)，用戶可光學(xué)識別半導(dǎo)體封裝體的唯一標(biāo)記，并從光學(xué)識別的唯一標(biāo)記獲得半導(dǎo)體封裝體中半導(dǎo)體裸芯的唯一信息。該唯一標(biāo)記可包括在封裝體的功能層中，包括形成于半導(dǎo)體裸芯上方的堆積互連結(jié)構(gòu)的層。

在前述說明書中，已描述了本公開的各種實(shí)施例。然而，將明顯的是，在不脫離如所附權(quán)利要求書中所陳述的本發(fā)明的較寬精神和范圍的前提下，可對本發(fā)明進(jìn)行各種修改和改變。因此，本說明書和附圖應(yīng)被視為說明性意義而非限制性意義。