技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
提供在薄膜形成時可以對對象基板等目標(biāo)物有效地進行精密加工，且可通過無等離子體蝕刻有效地去除沉積或附著于除該對象基板等目標(biāo)物以外的硅系化合物的蝕刻氣體組合物及蝕刻方法。一種蝕刻氣體組合物，其特征在于，包含(1)XF(X為Cl、Br或I)所示的氟化鹵素化合物作為主要成分，還包含：(2)F2、(3)XFn(X為Cl、Br或I，n為3以上的整數(shù))所示的氟化鹵素化合物、(4)HF、(5)O2以及(6)選自Cl2、Br2和I2中的1種以上的鹵素氣體單質(zhì)。

技術(shù)研發(fā)人員：高橋至直;加藤惟人
受保護的技術(shù)使用者：關(guān)東電化工業(yè)株式會社
技術(shù)研發(fā)日：2015.08.12
技術(shù)公布日：2017.08.29