技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種單晶硅晶圓的熱處理方法，對(duì)于單晶硅晶圓施加RTA處理，將全平面為Nv區(qū)域的單晶硅晶圓，或是全平面為包含有OSF區(qū)域的Nv區(qū)域的單晶硅晶圓予以配置于RTA爐內(nèi)，在將含有NH3的氣體供給至該RTA爐內(nèi)的同時(shí)，以未達(dá)硅與NH3的反應(yīng)溫度的溫度進(jìn)行預(yù)備加熱，之后停止供給該含有NH3的氣體并且開(kāi)始供給Ar氣體，于殘留有該NH3氣體的Ar氣體氛圍下開(kāi)始RTA處理。因此，即使是處理全平面為Nv區(qū)域的單晶硅晶圓，或是全平面為包含有OSF區(qū)域的Nv區(qū)域的單晶硅晶圓，亦能不使TDDB特性惡化而賦予吸除能力。

技術(shù)研發(fā)人員：曲偉峰;田原史夫;櫻田昌弘;高橋修治
受保護(hù)的技術(shù)使用者：信越半導(dǎo)體株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：2015.09.17
技術(shù)公布日：2017.08.18