本發(fā)明涉及一種如專(zhuān)利權(quán)利要求1所述的光電子部件并且涉及一種如專(zhuān)利權(quán)利要求14所述的用于制造光電子部件的方法。

本專(zhuān)利申請(qǐng)要求德國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)102014116079.7的優(yōu)先權(quán)，德國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)102014116079.7的公開(kāi)內(nèi)容以參考的方式據(jù)此合并入本文中。

背景技術(shù)：

從現(xiàn)有技術(shù)中已知具有不同殼體變體的光電子部件，例如發(fā)光二極管部件。舉例來(lái)說(shuō)，已知如下的光電子部件，在所述光電子部件中，光電子半導(dǎo)體芯片嵌入到形成支撐殼體元件的模制主體中。此類(lèi)光電子部件包括非常緊湊的外部尺寸。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種光電子部件。該目的借助于包括權(quán)利要求1的特征的光電子部件來(lái)實(shí)現(xiàn)。本發(fā)明的另一目的是具體說(shuō)明一種用于制造光電子部件的方法。該目的借助于包括權(quán)利要求14的特征的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)。在從屬權(quán)利要求中具體說(shuō)明了各種改進(jìn)方案。

一種光電子部件包括復(fù)合主體，復(fù)合主體包括模制主體和光電子半導(dǎo)體芯片，光電子半導(dǎo)體芯片嵌入到模制主體中。導(dǎo)電貫通接觸件從復(fù)合主體的頂側(cè)延伸穿過(guò)模制主體至復(fù)合主體的底側(cè)。光電子半導(dǎo)體芯片的頂側(cè)至少部分地不被模制主體覆蓋。光電子半導(dǎo)體芯片包括在其頂側(cè)上的第一電接觸件。第一頂側(cè)金屬化物被布置在復(fù)合主體的頂側(cè)上，并且將第一電接觸件導(dǎo)電地連接到貫通接觸件。光電子部件包括上絕緣層，上絕緣層延伸跨過(guò)第一頂側(cè)金屬化物。另外，光電子部件包括第二頂側(cè)金屬化物，第二頂側(cè)金屬化物被布置在上絕緣層的上方并且由上絕緣層而相對(duì)于第一頂側(cè)金屬化物電絕緣。

布置在該光電子部件的復(fù)合主體的頂側(cè)上的第二頂側(cè)金屬化物可以形成反射鏡層，該反射鏡層提高光電子部件的復(fù)合主體的頂側(cè)的反射性。因此，有利地降低了復(fù)合主體頂側(cè)上的吸收損耗，由此，光電子部件可以包括高效率。

布置在該光電子部件的復(fù)合主體的頂側(cè)上的第二頂側(cè)金屬化物另外可以保護(hù)該光電子部件的復(fù)合主體的材料的以防過(guò)度老化，這可以導(dǎo)致該光電子部件的壽命的有利提高。由第二頂側(cè)金屬化物也可以保護(hù)該光電子部件的其它有機(jī)組成部分（例如上絕緣層）以防過(guò)度老化。

在光電子部件的一個(gè)實(shí)施例中，上絕緣層還延伸跨過(guò)光電子半導(dǎo)體芯片的頂側(cè)。這有利地簡(jiǎn)化了上絕緣層的制造。

在光電子部件的一個(gè)實(shí)施例中，上絕緣層延伸跨過(guò)復(fù)合主體的整個(gè)頂側(cè)。因此，有利的是可以特別簡(jiǎn)單地制造光電子部件。

在光電子部件的一個(gè)實(shí)施例中，第二頂側(cè)金屬化物延伸跨過(guò)光電子半導(dǎo)體芯片的頂側(cè)的一部分。舉例來(lái)說(shuō)，第二頂側(cè)金屬化物還可以延伸跨過(guò)光電子半導(dǎo)體芯片的頂側(cè)的邊緣。因此，有利地提高了光電子部件的光電子半導(dǎo)體芯片的頂側(cè)的邊緣區(qū)域的反射性，由此可降低吸收損耗，這導(dǎo)致光電子部件的效率的提高。因?yàn)楣怆娮硬考牡诙攤?cè)金屬化物由上絕緣層而相對(duì)于光電子部件的第一頂側(cè)金屬化物電絕緣，所以如下情況是無(wú)害的：如果第二頂側(cè)金屬化物例如經(jīng)由布置在光電子半導(dǎo)體芯片的頂側(cè)的邊緣區(qū)域中的渣屑毛刺（slagburr）導(dǎo)電地連接到光電子半導(dǎo)體芯片的第二電接觸件。

在光電子部件的一個(gè)實(shí)施例中，第二頂側(cè)金屬化物不延伸跨過(guò)電子半導(dǎo)體芯片的頂側(cè)上的發(fā)射區(qū)域。因此，有利地，由光電子部件的光電子半導(dǎo)體芯片所發(fā)射的電磁輻射沒(méi)有被第二頂側(cè)金屬化物削弱。

在光電子部件的一個(gè)實(shí)施例中，波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料被布置在復(fù)合主體的頂側(cè)上的第二頂側(cè)金屬化物所完全地界定的區(qū)域中。波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料可以用于例如將光電子部件的光電子半導(dǎo)體芯片所發(fā)射的電磁輻射至少部分地轉(zhuǎn)換成不同波長(zhǎng)的電磁輻射。布置在光電子部件的復(fù)合主體的頂側(cè)上的第二頂側(cè)金屬化物可以在第二頂側(cè)金屬化物所界定的區(qū)域中形成空腔，所述空腔容納波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料。這有利地導(dǎo)致光電子部件的簡(jiǎn)單且緊湊的構(gòu)造。

在光電子部件的一個(gè)實(shí)施例中，在光電子半導(dǎo)體芯片的頂側(cè)的邊緣區(qū)域的上方，下絕緣層被布置在光電子半導(dǎo)體芯片的頂側(cè)與第一頂側(cè)金屬化物之間。所述下絕緣層防止在光電子部件的光電子半導(dǎo)體芯片的第二電接觸件與第一頂側(cè)金屬化物之間形成導(dǎo)電連接，這例如由于布置在光電子半導(dǎo)體芯片的頂側(cè)的邊緣區(qū)域中的渣屑毛刺。因此，防止了在光電子半導(dǎo)體芯片的第一電接觸件與第二電接觸件之間發(fā)生短路。

在光電子部件的一個(gè)實(shí)施例中，第一底側(cè)金屬化物被布置在復(fù)合主體的底側(cè)上并且導(dǎo)電地連接到貫通接觸件。因此，第一底側(cè)金屬化物經(jīng)由貫通接觸件和第一頂側(cè)金屬化物而導(dǎo)電地連接到光電子部件的光電子半導(dǎo)體芯片的第一電接觸件。第一底側(cè)金屬化物可以用于例如光電子部件的電接觸。

在光電子部件的一個(gè)實(shí)施例中，光電子半導(dǎo)體芯片的底側(cè)至少部分地暴露在復(fù)合主體的底側(cè)上。在這種情況下，光電子半導(dǎo)體芯片包括在其底側(cè)上的第二電接觸件。因此，光電子半導(dǎo)體芯片的在光電子部件的復(fù)合主體的底側(cè)上的第二電接觸件同樣被暴露，這使得光電子部件的光電子半導(dǎo)體芯片的第一電接觸成為可能。

在光電子部件的一個(gè)實(shí)施例中，第二頂側(cè)金屬化物導(dǎo)電連接到第二電接觸件。舉例來(lái)說(shuō)，第二頂側(cè)金屬化物可以經(jīng)由布置在光電子半導(dǎo)體芯片的頂側(cè)的邊緣區(qū)域中的渣屑毛刺而導(dǎo)電地連接到光電子半導(dǎo)體芯片的第二電接觸件。因?yàn)榈诙攤?cè)金屬化物由上絕緣層而相對(duì)于第一頂側(cè)金屬化物電絕緣，所以有利地，甚至在這種情況下，光電子半導(dǎo)體芯片的第一電接觸件與第二電接觸件之間不存在短路。

在光電子部件的一個(gè)實(shí)施例中，第二底側(cè)金屬化物被布置在復(fù)合主體的底側(cè)上并且導(dǎo)電地連接到第二電接觸件。第二底側(cè)金屬化物連同第一底側(cè)金屬化物使得光電子部件的電接觸成為可能。光電子部件可以被設(shè)置為例如smt部件以便進(jìn)行表面安裝，例如以便通過(guò)回流焊接來(lái)進(jìn)行表面安裝。

在光電子部件的一個(gè)實(shí)施例中，保護(hù)二極管嵌入到模制主體中。在這種情況下，第一頂側(cè)金屬化物導(dǎo)電地連接到保護(hù)二極管。保護(hù)二極管可以導(dǎo)致對(duì)光電子部件的光電子半導(dǎo)體芯片進(jìn)行保護(hù)以防由于靜電放電而損壞。由于將保護(hù)二極管嵌入到光電子部件的模制主體中，所以有利地不必將光電子部件連接到外部保護(hù)二極管。

在光電子部件的一個(gè)實(shí)施例中，第二底側(cè)金屬化物導(dǎo)電地連接到保護(hù)二極管。因此，保護(hù)二極管反向平行地與光電子部件的光電子半導(dǎo)體芯片電連接。

一種用于制造光電子部件的方法包括以下步驟：提供光電子半導(dǎo)體芯片，光電子半導(dǎo)體芯片包括在頂側(cè)上的第一電接觸件；以及，將光電子半導(dǎo)體芯片嵌入到模制主體中，從而形成復(fù)合主體。在這種情況下，光電子半導(dǎo)體芯片的頂側(cè)至少部分地不被模制主體覆蓋。所述方法還包括以下步驟：建立導(dǎo)電貫通接觸件，導(dǎo)電貫通接觸件從復(fù)合主體的頂側(cè)延伸穿過(guò)模制主體至復(fù)合主體的底側(cè)；在復(fù)合主體的頂側(cè)上建立第一頂側(cè)金屬化物，所述第一頂側(cè)金屬化物將第一電接觸件導(dǎo)電地連接到貫通接觸件；建立上絕緣層，上絕緣層延伸跨過(guò)第一頂側(cè)金屬化物；以及，在上絕緣層上方建立第二頂側(cè)金屬化物，所述第二頂側(cè)金屬化物由上絕緣層而相對(duì)于第一頂側(cè)金屬化物電絕緣。

該方法使得能夠制造具有緊湊外部尺寸的光電子部件。建立在光電子部件的復(fù)合主體的頂側(cè)上的第二頂側(cè)金屬化物可以用作鏡層以提高復(fù)合主體的頂側(cè)的反射性。因此，降低了光電子部件的復(fù)合主體的頂側(cè)上的吸收損耗，由此能夠由所述方法獲得的光電子部件可以包括高效率。

建立在復(fù)合主體的頂側(cè)上的第二頂側(cè)金屬化物可以另外地覆蓋光電子部件的有機(jī)組成部分（例如復(fù)合主體），并由此保護(hù)它們以防過(guò)度老化。因此，能夠由所述方法獲得的光電子部件可以有利地包括長(zhǎng)壽命。

在所述方法的一個(gè)實(shí)施例中，上絕緣層被建立成如下形式：延伸跨過(guò)復(fù)合主體的整個(gè)頂側(cè)。因此，有利地，所述方法能夠特別簡(jiǎn)單地實(shí)施。

在所述方法的一個(gè)實(shí)施例中，第二頂側(cè)金屬化物被建立成第二頂側(cè)金屬化物不延伸跨過(guò)光電子半導(dǎo)體芯片的頂側(cè)上的發(fā)射區(qū)域。因此，有利地，第二頂側(cè)金屬化物不阻礙能夠由所述方法獲得的光電子部件的光電子半導(dǎo)體芯片所發(fā)射的電磁輻射。

在所述方法的一個(gè)實(shí)施例中，執(zhí)行以下步驟來(lái)建立第二頂側(cè)金屬化物：將光阻劑（photoresist）層布置在上絕緣層上；操作光電子半導(dǎo)體芯片從而使光阻劑層的一部分受到照射；去除光阻劑的一部分從而不覆蓋上絕緣層的一部分，其中，光阻劑層的受到照射部分保持在上絕緣層上；在光阻劑層以及上絕緣層的未覆蓋部分上建立金屬層；以及，去除光阻劑層以及金屬層的布置在光阻劑層上的部分。該方法使得能夠建立如下的第二頂側(cè)金屬化物：具有與光電子半導(dǎo)體芯片的頂側(cè)上的發(fā)射區(qū)域精確對(duì)準(zhǔn)的開(kāi)孔（cutout）。在這種情況下，有利地通過(guò)使用光電子半導(dǎo)體芯片來(lái)使光阻劑層受到照射而自動(dòng)地實(shí)現(xiàn)精確對(duì)準(zhǔn)。因此，有利地，不需要另外的復(fù)雜測(cè)量以便對(duì)準(zhǔn)。

在所述方法的一個(gè)實(shí)施例中，所述方法包括另一步驟：將波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料布置在復(fù)合主體頂側(cè)上的第二頂側(cè)金屬化物所完全界定的區(qū)域中。在這種情況下，波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料可以用于將能夠由所述方法獲得的光電子部件的光電子半導(dǎo)體芯片所發(fā)射的電磁輻射至少部分地轉(zhuǎn)換成不同波長(zhǎng)的電磁輻射。這可以用于例如產(chǎn)生包括白色效果（whitecolorimpression）的光。將波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料布置在第二頂側(cè)金屬化物所完全界定的區(qū)域中有利地能夠簡(jiǎn)單地且有成本效益地實(shí)施，并且使得能夠制造包括緊湊外部尺寸的光電子部件。因?yàn)槟軌蚴箯?fù)合主體頂側(cè)上的第二頂側(cè)金屬化物所完全界定的區(qū)域與光電子半導(dǎo)體芯片頂側(cè)上的輻射發(fā)射面精確地對(duì)準(zhǔn)，所以在此方法中，布置在界定區(qū)域中的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料也與光電子半導(dǎo)體芯片的頂側(cè)上的輻射發(fā)射區(qū)域精確地對(duì)準(zhǔn)。

在所述方法的一個(gè)實(shí)施例中，在建立第一頂側(cè)金屬化物之前，執(zhí)行另一步驟：將下絕緣層布置在光電子半導(dǎo)體芯片的頂側(cè)的邊緣區(qū)域的上方。在這種情況下，下絕緣層可以覆蓋可能存在于光電子半導(dǎo)體芯片的頂側(cè)的邊緣區(qū)域中并且電連接到光電子半導(dǎo)體芯片的第二電接觸件的渣屑毛刺。通過(guò)布置下絕緣層，這使得能夠防止在光電子半導(dǎo)體芯片的第二電接觸件與第一頂側(cè)金屬化物之間形成導(dǎo)電連接，由此也避免在光電子半導(dǎo)體芯片的第一電接觸件與第二電接觸件之間發(fā)生短路。

在所述方法的一個(gè)實(shí)施例中，貫通接觸件與光電子半導(dǎo)體芯片一起被共同地嵌入到模制主體中。在這種情況下，可以使模制主體的材料同時(shí)地模制在貫通接觸件和光電子半導(dǎo)體芯片周?chē)?。有利地，這使得能夠簡(jiǎn)單且有成本效益地實(shí)施所述方法。

附圖說(shuō)明

聯(lián)系下面對(duì)示例性實(shí)施例的描述，本發(fā)明的上面所描述的特性、特征和優(yōu)點(diǎn)以及實(shí)現(xiàn)它們的方式將變得更清晰并且被更清楚地理解，聯(lián)系附圖，更詳細(xì)地說(shuō)明所述示例性實(shí)施例。這里，在各示意性示圖中：

圖1示出了第一光電子部件的平面圖；

圖2示出了第一光電子部件的截面?zhèn)纫晥D；

圖3示出了第二光電子部件的平面圖；

圖4示出了第三光電子部件的截面?zhèn)纫晥D。

具體實(shí)施方式

圖1示出了第一光電子部件10的示意性的且部分透明顯示的平面圖。圖2示出了第一光電子部件10的示意性截面?zhèn)纫晥D，其中，沿圖1中所示的截面i-i剖切第一光電子部件10。第一光電子部件10可以例如是提供發(fā)射電磁輻射（例如可見(jiàn)光）的發(fā)光二極管部件（led部件）。

第一光電子部件10包括復(fù)合主體100。復(fù)合主體100由模制主體200形成，光電子半導(dǎo)體芯片300、貫通接觸件400、以及保護(hù)二極管500嵌入到模制主體200中。

模制主體200包括電絕緣模制材料。模制材料可以包括例如環(huán)氧樹(shù)脂和/或硅酮（silicone）。模制主體200也可以被稱(chēng)為模具主體，并且優(yōu)選地借助于模制法（模具法）來(lái)制造，例如借助于壓縮模制（compressionmolding）或借助于傳遞模制（transfermolding）來(lái)制造，具體地例如借助于箔輔助傳遞模制（foil-assistedtransfermolding）來(lái)制造。優(yōu)選地，已經(jīng)在模制主體200的制造期間借助于被模制在光電子半導(dǎo)體芯片300、貫通接觸件400以及保護(hù)二極管500周?chē)哪Ｖ浦黧w200的材料來(lái)將光電子半導(dǎo)體芯片300、貫通接觸件400以及保護(hù)二極管500嵌入到模制主體200中。

光電子半導(dǎo)體芯片300的頂側(cè)301、貫通接觸件400的頂側(cè)401以及保護(hù)二極管500的頂側(cè)501各自至少部分地不被模制主體200的材料覆蓋，而是至少部分地暴露在模制主體200的頂側(cè)201上。優(yōu)選地，光電子半導(dǎo)體芯片300的頂側(cè)301、貫通接觸件400的頂側(cè)401以及保護(hù)二極管500的頂側(cè)501以與模制主體200的頂側(cè)201大體上齊平的方式而終止。模制主體200的頂側(cè)201、光電子半導(dǎo)體芯片300的頂側(cè)301、貫通接觸件400的頂側(cè)401以及保護(hù)二極管500的頂側(cè)501共同地形成復(fù)合主體100的頂側(cè)101。

光電子半導(dǎo)體芯片300的位于光電子半導(dǎo)體芯片300的頂側(cè)301的相對(duì)側(cè)的底側(cè)302、貫通接觸件400的位于貫通接觸件400的頂側(cè)401的相對(duì)側(cè)的底側(cè)402以及保護(hù)二極管500的位于保護(hù)二極管500的頂側(cè)501的相對(duì)層的底側(cè)也至少部分地不被模制主體200的材料覆蓋。因此，光電子半導(dǎo)體芯片300的底側(cè)302、貫通接觸件400的底側(cè)402以及保護(hù)二極管500的底側(cè)至少部分地暴露在模制主體200的位于模制主體200的頂側(cè)201的相對(duì)側(cè)的底側(cè)202上。優(yōu)選地，光電子半導(dǎo)體芯片300的底側(cè)302、貫通接觸件400的底側(cè)402以及保護(hù)二極管500的底側(cè)以與模制主體200的底側(cè)202大體上齊平的方式而終止。模制主體200的底側(cè)202、光電子半導(dǎo)體芯片300的底側(cè)302、貫通接觸件400的底側(cè)402以及保護(hù)二極管500的底側(cè)共同地形成復(fù)合主體100的底側(cè)102。

光電子半導(dǎo)體芯片300可以例如是發(fā)光二極管芯片（led芯片）并且被構(gòu)造成發(fā)射電磁輻射（例如可見(jiàn)光）。光電子半導(dǎo)體芯片300包括在其頂側(cè)301上的臺(tái)面（mesa）330，在光電子半導(dǎo)體芯片300的操作期間在所述臺(tái)面處發(fā)射電磁輻射。因此，光電子半導(dǎo)體芯片300的頂側(cè)301上的臺(tái)面的區(qū)域形成光電子半導(dǎo)體芯片300的輻射發(fā)射面。

在光電子半導(dǎo)體芯片300的頂側(cè)301上，光電子半導(dǎo)體芯片300包括第一電接觸件310。在光電子半導(dǎo)體芯片300的底側(cè)302上，光電子半導(dǎo)體芯片300包括第二電接觸件320。經(jīng)由第一電接觸件310和第二電接觸件320，可以將電壓施加到光電子半導(dǎo)體芯片300并且可以使電流傳導(dǎo)通過(guò)光電子半導(dǎo)體芯片300，從而導(dǎo)致光電子半導(dǎo)體芯片300發(fā)射電磁輻射。

光電子半導(dǎo)體芯片300包括側(cè)壁，側(cè)壁從光電子半導(dǎo)體芯片300的頂側(cè)301延伸至底側(cè)302。在光電子半導(dǎo)體芯片300的頂側(cè)301與側(cè)壁之間的邊緣區(qū)域340中，光電子半導(dǎo)體芯片300可以包括制造決定的渣屑毛刺（slagburr）350，渣屑毛刺350導(dǎo)電地連接到光電子半導(dǎo)體芯片300的底側(cè)302上的第二電接觸件320并且可以在光電子半導(dǎo)體芯片300的頂側(cè)301的上方隆起，例如沿垂直于頂側(cè)301的方向隆起多達(dá)20μm。在這種情況下，必須避免在光電子半導(dǎo)體芯片300的第一電接觸件310與渣屑毛刺350之間形成導(dǎo)電連接，從而避免在光電子半導(dǎo)體芯片300的第一電接觸件310與第二電接觸件320之間發(fā)生短路。

貫通接觸件400包含導(dǎo)電材料，例如金屬或摻雜半導(dǎo)體材料。在貫通接觸件400的頂側(cè)401與底側(cè)402之間存在導(dǎo)電連接。因此，貫通接觸件400形成復(fù)合主體100的頂側(cè)101與復(fù)合主體100的底側(cè)102之間的延伸穿過(guò)模制主體200的導(dǎo)電連接。

代替在形成模制主體200期間已將貫通接觸件400與光電子半導(dǎo)體芯片300和保護(hù)二極管500共同地嵌入到模制主體200中，也可以?xún)H在形成模制主體200之后通過(guò)如下方式來(lái)建立開(kāi)口：首先建立從模制主體200的頂側(cè)201延伸穿過(guò)模制主體200至模制主體200的底側(cè)202的開(kāi)口，并隨后使用導(dǎo)電材料填充所述開(kāi)口。

提供保護(hù)二極管500來(lái)保護(hù)光電子部件10的光電子半導(dǎo)體芯片300以防由于靜電放電而損壞。為了這個(gè)目的，以在下面得到更加詳細(xì)說(shuō)明的方式將保護(hù)二極管500反向平行地與第一光電子部件10中的光電子半導(dǎo)體芯片300連接。在簡(jiǎn)化的實(shí)施例中，可以將保護(hù)二極管500省略。

下絕緣層150被布置在復(fù)合主體100的頂側(cè)101上。下絕緣層150包括電絕緣材料。下絕緣層150在頂側(cè)301的邊緣區(qū)域340中延伸跨過(guò)光電子半導(dǎo)體芯片300的頂側(cè)301的一部分并且延伸跨過(guò)模制主體200的頂側(cè)201的鄰接前述部分的一部分。在這種情況下，下絕緣層150被布置在復(fù)合主體100的頂側(cè)101的如下的部分中，所述部分位于光電子半導(dǎo)體芯片300的第一電接觸件310與貫通接觸件400的頂側(cè)401之間。沿維度垂直于復(fù)合主體100的頂側(cè)101的方向，下絕緣層150包括大到足以確保下絕緣層150所覆蓋的渣屑毛刺350被下絕緣層150完全地覆蓋的厚度。

在復(fù)合主體100的頂側(cè)101上建立和摹制（pattern）下絕緣層150可以例如借助于掩膜光刻法（mask-lithographicmethod）來(lái)實(shí)施。

第一頂側(cè)金屬化物110被布置在第一光電子部件10的復(fù)合主體100的頂側(cè)101的部分區(qū)域上。第一頂側(cè)金屬化物110包括導(dǎo)電材料，并且在光電子半導(dǎo)體芯片300的頂側(cè)301上的第一電接觸件310、貫通接觸件400的頂側(cè)401以及保護(hù)二極管500的頂側(cè)501之間形成導(dǎo)電連接。在這種情況下，第一頂側(cè)金屬化物110在光電子半導(dǎo)體芯片300的第一電接觸件310與貫通接觸件400的頂側(cè)401之間的區(qū)域中延伸跨過(guò)下絕緣層150。因此，下絕緣層150使第一頂側(cè)金屬化物110相對(duì)于光電子半導(dǎo)體芯片300的頂側(cè)301的邊緣區(qū)域340中的可能的渣屑毛刺350電絕緣，并因此也相對(duì)于光電子半導(dǎo)體芯片300的第二電接觸件320電絕緣。

建立和摹制第一頂側(cè)金屬化物110可以例如借助于掩膜光刻法而實(shí)施。在下絕緣層150已被建立之后，建立第一頂側(cè)金屬化物110。

第一光電子部件10包括上絕緣層160，絕緣層160延伸跨過(guò)第一頂側(cè)金屬化物110，并且在圖示的示例中，也延伸跨過(guò)下絕緣層150的不被第一頂側(cè)金屬化物110覆蓋的部分，并且延伸跨過(guò)復(fù)合主體100的頂側(cè)101的不被下絕緣層150或第一頂側(cè)金屬化物110覆蓋的所有部分。具體地，上絕緣層160也可以延伸跨過(guò)光電子半導(dǎo)體芯片300的頂側(cè)301上的臺(tái)面330的區(qū)域中的輻射發(fā)射面。然而，這不是絕對(duì)必須的。必要的是僅在于，上絕緣層160完全地覆蓋第一頂側(cè)金屬化物110。復(fù)合主體100的頂側(cè)101的一些部分可任選地保持暴露。

上絕緣層160包括電絕緣材料。如果上絕緣層160覆蓋光電子半導(dǎo)體芯片300的頂側(cè)301上的臺(tái)面330的區(qū)域中的光電子半導(dǎo)體芯片300的輻射發(fā)射面，那么上絕緣層160對(duì)于光電子半導(dǎo)體芯片300所發(fā)射的電磁輻射是光學(xué)透明的。上絕緣層160可以包括例如siox、al2o3、ta2o5、有機(jī)改性陶瓷（ormocer）或硅酮。

在第一光電子部件10的制造中已建立第一頂側(cè)金屬化物110之后，建立上絕緣層160。

第二頂側(cè)金屬化物120被布置在第一光電子部件10的上絕緣層160的上方。第二頂側(cè)金屬化物120包含導(dǎo)電材料，該導(dǎo)電材料優(yōu)選地是高度光學(xué)反射的。

第二頂側(cè)金屬化物120延伸跨過(guò)上絕緣層160的大部分。在這種情況下，第二頂側(cè)金屬化物120也可以延伸跨過(guò)布置在光電子半導(dǎo)體芯片300的頂側(cè)301的邊緣區(qū)域340的上方的區(qū)域。然而，第二頂側(cè)金屬化物120不延伸跨過(guò)光電子半導(dǎo)體芯片300的頂側(cè)301上的臺(tái)面330的區(qū)域中的輻射發(fā)射面。優(yōu)選地，第二頂側(cè)金屬化物120完全地界定光電子半導(dǎo)體芯片300的頂側(cè)301上的輻射發(fā)射區(qū)域。

由上絕緣層160使第二頂側(cè)金屬化物120相對(duì)于第一頂側(cè)金屬化物110電絕緣。第二頂側(cè)金屬化物120可以經(jīng)由布置在光電子半導(dǎo)體芯片300的頂側(cè)301的邊緣區(qū)域160中的渣屑毛刺350而導(dǎo)電地連接到光電子半導(dǎo)體芯片300的第二電接觸件320。然而，也可以由上絕緣層160使光電子半導(dǎo)體芯片300的頂側(cè)301的邊緣區(qū)域340中的渣屑毛刺350相對(duì)于第二頂側(cè)金屬化物120絕緣。

第二頂側(cè)金屬化物120可以被布置在上絕緣層160的上方，并且例如借助于光刻法來(lái)摹制。具體地，可以例如借助于掩膜光刻法來(lái)建立第二頂側(cè)金屬化物120。替代地，可以由光刻法來(lái)建立第二頂側(cè)金屬化物120，在光刻法中，借助于激光來(lái)使光阻劑受到直接照射。替代地或另外地，可以借助于電解法來(lái)使第二頂側(cè)金屬化物120加厚或施加第二頂側(cè)金屬化物120。在這種情況下，可以額外地使用包括良好光學(xué)反射特性的另外的金屬來(lái)封裝第二頂側(cè)金屬化物120。該封裝可以例如借助于對(duì)封裝金屬的無(wú)電沉積（electrolessdeposition）來(lái)實(shí)施。

第二頂側(cè)金屬化物形成鏡，鏡提高第一光電子部件10的頂側(cè)的反射性。第一光電子部件10的光電子半導(dǎo)體芯片300所發(fā)射的且沿著朝第一光電子部件10的復(fù)合主體100的頂側(cè)101的方向反向散射的電磁輻射可以在第二頂側(cè)金屬化物120處被反射而不是在復(fù)合主體100的頂側(cè)101上被吸收。因此，可以提高第一光電子部件10的效率。

第二頂側(cè)金屬化物120覆蓋復(fù)合主體100的頂側(cè)101（具體地模制主體200的頂側(cè)201）上的有機(jī)材料的大部分。因此，第二頂側(cè)金屬化物120可以防止第一光電子部件10的復(fù)合主體100的有機(jī)材料的過(guò)度老化，這可以提高第一光電子部件10的壽命。

第一底側(cè)金屬化物130被布置在第一光電子部件10的復(fù)合主體100的底側(cè)102上。第一底側(cè)金屬化物130延伸跨過(guò)貫通接觸件400的底側(cè)402并且導(dǎo)電地連接到貫通接觸件400。因此，經(jīng)由貫通接觸件400和第一頂側(cè)金屬化物110，在第一底側(cè)金屬化物130與光電子半導(dǎo)體芯片300的第一電接觸件310之間存在導(dǎo)電地連接。

另外，第二底側(cè)金屬化物140被布置在光電子部件10的復(fù)合主體100的底側(cè)102上。第二底側(cè)金屬化物140延伸跨過(guò)光電子半導(dǎo)體芯片300的底側(cè)302并且導(dǎo)電地連接到在光電子半導(dǎo)體芯片300的底側(cè)302上的第二電接觸件320。另外，第二底側(cè)金屬化物140延伸跨過(guò)保護(hù)二極管500的底側(cè)并且導(dǎo)電地連接到保護(hù)二極管500的底側(cè)。因此，保護(hù)二極管500反向平行地與光電子半導(dǎo)體芯片300電連接。

可以例如借助于掩膜光刻法來(lái)建立第一底側(cè)金屬化物130和第二底側(cè)金屬化物140。在這種情況下，可以共同地建立或以任意順序依次地建立第一底側(cè)金屬化物130和第二底側(cè)金屬化物140?？梢栽诮⑾陆^緣層150、第一頂側(cè)金屬化物110、上絕緣層160以及第二頂側(cè)金屬化物120之前或之后，建立第一底側(cè)金屬化物130和第二底側(cè)金屬化物140。

第一底側(cè)金屬化物130和第二底側(cè)金屬化物140可以用作第一光電子部件10的電接觸件。第一光電子部件10可以被設(shè)置為例如smt部件以便進(jìn)行表面安裝，例如以便通過(guò)回流焊接來(lái)進(jìn)行表面安裝。

第一光電子部件10可以在常規(guī)工作過(guò)程中與相同類(lèi)型的多個(gè)第一光電子部件10以板件裝配體的形式共同地制造。為了這個(gè)目的，將多個(gè)光電子半導(dǎo)體芯片300、貫通接觸件400以及保護(hù)二極管500嵌入到共同的大的模制主體中。對(duì)于光電子半導(dǎo)體芯片300、貫通接觸件400以及保護(hù)二極管500的各個(gè)組，布置下絕緣層150、第一頂側(cè)金屬化物110、上絕緣層160、第二頂側(cè)金屬化物120以及底側(cè)金屬化物130、140在共同的處理步驟中被并行地實(shí)施。只有在處理結(jié)束時(shí)，才對(duì)板件裝配體進(jìn)行分割從而分離出單個(gè)第一光電子部件10的復(fù)合主體100。

圖3示出了第二光電子部件20的示意性平面圖。除了下面所描述的差異之外，第二光電子部件20對(duì)應(yīng)于圖1和2中的第一光電子部件10。因此，對(duì)應(yīng)的零部件在圖3中被設(shè)置有與在圖1和2中相同的附圖標(biāo)記。第二光電子部件20可以參照?qǐng)D1和2由上面所說(shuō)明的制造方法來(lái)制造，只要考慮到下面所描述的差異和特殊的特征。

第二光電子部件20與第一光電子部件10的不同之處在于第二光電子部件20中的第二頂側(cè)金屬化物120徑直延伸直到臺(tái)面330，臺(tái)面330形成光電子半導(dǎo)體芯片300的在光電子半導(dǎo)體芯片300的頂側(cè)301上的輻射發(fā)射面。因此，第二光電子部件20包括在其頂側(cè)上的特別少的表面區(qū)域，所述特別少的表面區(qū)域被構(gòu)造成使得它們既不發(fā)射光也不反射光。因此，在第二光電子部件20的情況下，由于在第二光電子部件20的頂側(cè)上吸收電磁輻射，所以在操作期間僅發(fā)生特別低的吸收損耗。

在第二光電子部件20的制造中，布置第二頂側(cè)金屬化物120可以在建立上絕緣層160之后以下面所說(shuō)明的方式來(lái)實(shí)施：

首先，將光阻劑層布置在上絕緣層160上。第二光電子部件20的光電子半導(dǎo)體芯片300隨后被操作成使得光電子半導(dǎo)體芯片300在其輻射發(fā)射面處發(fā)射電磁輻射，輻射發(fā)射面在頂側(cè)301上的臺(tái)面330的區(qū)域中。使光阻劑層的布置在光電子半導(dǎo)體芯片300的輻射發(fā)射面上方的一部分受到所述電磁輻射的照射。相反，光阻劑層的布置在上絕緣層160上的其它區(qū)域保持未受到照射。

在隨后的處理步驟中，將光阻劑層的未受到照射部分去除，同時(shí)使光阻劑層的在光電子半導(dǎo)體芯片300的輻射發(fā)射面上方的受到照射部分保持在上絕緣層160上。

然后，使金屬層沉積在光阻劑層的剩余殘余物上并且沉積在上絕緣層160的未覆蓋部分上。最后，在剝離過(guò)程（lift-offprocess）中，將光阻劑層的剩余部分和金屬層布置在其上的部分去除。于是，金屬層保持在上絕緣層160上的部分形成第二頂側(cè)金屬化物120。

因?yàn)樵谒枋龅姆椒ㄖ?，借助于光電子半?dǎo)體芯片300在其輻射發(fā)射面處所發(fā)射的電磁輻射來(lái)實(shí)施對(duì)光阻劑層的照射，所述所描述的方法導(dǎo)致第二頂側(cè)金屬化物120中的開(kāi)孔與光電子半導(dǎo)體芯片300的輻射發(fā)射面自動(dòng)精確地對(duì)準(zhǔn)。

圖4示出了第三光電子部件30的示意性截面?zhèn)纫晥D。第三光電子部件30大部分對(duì)應(yīng)于圖1和2中的第一光電子部件10并且大部分對(duì)應(yīng)于圖3中的第二光電子部件20。對(duì)應(yīng)的零部件在圖4中被設(shè)置有與在圖1-3中相同的附圖標(biāo)記。第三光電子部件30可以根據(jù)參考圖1和2所說(shuō)明的用于制造第一光電子部件10的方法或者根據(jù)參照?qǐng)D3所說(shuō)明的用于制造第二光電子部件20的方法來(lái)制造，其中，應(yīng)考慮到下面所說(shuō)明的特殊特征。

在第三光電子部件30的情況下，第二頂側(cè)金屬化物120形成為沿垂直于復(fù)合主體100的頂側(cè)101的方向具有大的厚度。這可以例如通過(guò)對(duì)第二頂側(cè)金屬化物120的加厚或電解制造來(lái)實(shí)現(xiàn)。

第二頂側(cè)金屬化物120包括在光電子半導(dǎo)體芯片300的輻射發(fā)射面的區(qū)域中的開(kāi)孔。在這種情況下，第二頂側(cè)金屬化物120完全地界定光電子半導(dǎo)體芯片300的輻射發(fā)射面。因此，第二頂側(cè)金屬化物120完全地圍住界定區(qū)域170，在界定區(qū)域170中，輻射發(fā)射面被布置在光電子半導(dǎo)體芯片300的頂側(cè)301上的臺(tái)面330的區(qū)域中。第二頂側(cè)金屬化物120形成反射器，其圍住界定區(qū)域170并且其可以導(dǎo)致對(duì)光電子半導(dǎo)體芯片300所發(fā)射的電磁輻射的聚焦。

波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料600被布置在復(fù)合主體100的頂側(cè)101上的第二頂側(cè)金屬化物120所完全界定的區(qū)域170中。波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料600可以包括例如基質(zhì)材料以及嵌入到該基質(zhì)材料中的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換顆粒?；|(zhì)材料可以包括例如硅酮。波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料600可以例如借助于計(jì)量法（meteringmethod）已經(jīng)被布置在界定區(qū)域170中。

提供波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料600來(lái)將光電子半導(dǎo)體芯片300所發(fā)射的電磁輻射至少部分地轉(zhuǎn)換成不同波長(zhǎng)的電磁輻射。舉例來(lái)說(shuō)，波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料600可以被構(gòu)造成將包括藍(lán)或紫外光譜范圍的波長(zhǎng)的電磁輻射轉(zhuǎn)換成包括黃色光譜范圍的波長(zhǎng)的電磁輻射。經(jīng)轉(zhuǎn)換和未經(jīng)轉(zhuǎn)換的電磁輻射的混合可以包括例如白色效果。

已經(jīng)基于優(yōu)選的示例性實(shí)施例更詳細(xì)地說(shuō)明并描述了本發(fā)明。然而，本發(fā)明并不局限于所公開(kāi)的示例。更確切地說(shuō)，在不偏離本發(fā)明的保護(hù)范圍的情況下，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以從所公開(kāi)的示例中導(dǎo)出其它變體。

附圖標(biāo)記的列表

10第一光電子部件

20第二光電子部件

30第三光電子部件

100復(fù)合主體

101頂側(cè)

102底側(cè)

110第一頂側(cè)金屬化物

120第二頂側(cè)金屬化物

130第一底側(cè)金屬化物

140第二底側(cè)金屬化物

150下絕緣層

160上絕緣層

170界定區(qū)域

200模制主體

201頂側(cè)

202底側(cè)

300光電子半導(dǎo)體芯片

301頂側(cè)

302底側(cè)

310第一電接觸件

320第二電接觸件

330臺(tái)面

340邊緣區(qū)域

350渣屑毛刺

400貫通接觸件

401頂側(cè)

402底側(cè)

500保護(hù)二極管

501頂側(cè)

600波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料