本公開(disclosure)在整體上涉及半導(dǎo)體元件用支承基板、包括該基板的半導(dǎo)體裝置及其制造方法(supportingsubstrateforsemiconductordevice，semiconductorapparatuswiththesameandmethodofmanufacturingthesame)，特別地，涉及能夠防止半導(dǎo)體元件的裂開或破碎的半導(dǎo)體元件用支承基板、包括該基板的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。在此，半導(dǎo)體元件表示利用pn結(jié)的半導(dǎo)體元件，可例舉半導(dǎo)體光元件(例如：半導(dǎo)體發(fā)光元件，半導(dǎo)體受光元件)。另外，半導(dǎo)體發(fā)光元件表示通過電子和空穴的復(fù)合而生成光的半導(dǎo)體光元件，可例舉iii族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件。iii族氮化物半導(dǎo)體由以al(x)ga(y)in(1-x-y)n(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)構(gòu)成的化合物構(gòu)成。此外，還可例舉用于發(fā)出紅色光的gaas類半導(dǎo)體發(fā)光元件等。

背景技術(shù)：

在此，提供關(guān)于本公開的背景技術(shù)，但它并不一定表示公知技術(shù)(thissectionprovidesbackgroundinformationrelatedtothepresentdisclosurewhichisnotnecessarilypriorart)。

圖1是示出美國注冊專利公報(bào)第7,262,436號中所公開的半導(dǎo)體發(fā)光元件芯片的一例的圖，半導(dǎo)體發(fā)光元件芯片包括：襯底(100)；在襯底(100)上生長的n型半導(dǎo)體層(300)；在n型半導(dǎo)體層(300)上生長的有源層(400)；在有源層(400)上生長的p型半導(dǎo)體層(500)；在p型半導(dǎo)體層(500)上形成且用于向襯底(100)側(cè)反射光的由3層構(gòu)成的電極(901，902，903)；及在通過蝕刻而露出的第一半導(dǎo)體層(300)上實(shí)現(xiàn)焊盤的功能的電極(800)。電極(901)實(shí)現(xiàn)反射膜的功能，電極(902)實(shí)現(xiàn)阻擋層(barrier)的功能，電極(903)執(zhí)行順利實(shí)現(xiàn)與外部電極接合的功能。這樣的形態(tài)的半導(dǎo)體發(fā)光元件芯片是電極(800)及電極(903)直接連接于smd型封裝體、pcb(printedcircuitboard：印刷電路板)、cob(chip-onboard：板上芯片)、次黏著基臺等(不通過引線接合)的形態(tài)，將此稱為倒裝芯片(flipchip)。

圖2是示出日本公開專利公報(bào)第2006-120913號中所公開的半導(dǎo)體發(fā)光元件芯片的一例的圖，半導(dǎo)體發(fā)光元件芯片包括：襯底(100)；在襯底(100)上生長的緩沖層(200)；在緩沖層(200)上生長的n型半導(dǎo)體層(300)；在n型半導(dǎo)體層(300)上生長的有源層(400)；在有源層(400)上生長的p型半導(dǎo)體層(500)；在p型半導(dǎo)體層(500)上形成且實(shí)現(xiàn)電流擴(kuò)散功能的透光性導(dǎo)電膜(600)；在透光性導(dǎo)電膜(600)上形成的p側(cè)焊盤(700)；及形成在通過蝕刻而露出的n型半導(dǎo)體層(300)上的n側(cè)焊盤(800)。并且，在透光性導(dǎo)電膜(600)上具備分布布拉格反射器(900；dbr：distributedbraggreflector)和金屬反射膜(904)。n型半導(dǎo)體層(300)和p型半導(dǎo)體層(500)分別由多個(gè)層構(gòu)成，雖然不優(yōu)選，但是緩沖層(200)和透光性導(dǎo)電膜(600)可被省略，n型半導(dǎo)體層(300)和p型半導(dǎo)體層(500)的位置可互換。

圖3是示出國際公開專利公報(bào)wo2014/014298號中所公開的半導(dǎo)體發(fā)光元件芯片的一例的圖，半導(dǎo)體發(fā)光元件芯片包括：襯底(100)；在襯底(100)上生長的緩沖層(200)；在緩沖層(200)上生長的n型半導(dǎo)體層(300)；在n型半導(dǎo)體層(300)上生長的有源層(400)；在有源層(400)上生長的p型半導(dǎo)體層(500)；在p型半導(dǎo)體層(500)上形成且實(shí)現(xiàn)電流擴(kuò)散功能的透光性導(dǎo)電膜(600)；在透光性導(dǎo)電膜(600)上形成且反射從有源層(400)生成的光的非導(dǎo)電性反射膜(900；例如：dbr)；及在非導(dǎo)電性反射膜(900)上形成的電極(700)和電極(800)。電極(700)和電極(800)分別通過導(dǎo)通部(710)和導(dǎo)通部(810)而與n型半導(dǎo)體層(300)和p型半導(dǎo)體層(500)電連通(electricalcommunication)。

圖4是示出日本公開專利公報(bào)第2001-358371號中圖示的半導(dǎo)體發(fā)光元件的一例的圖，半導(dǎo)體發(fā)光元件芯片包括：襯底(100)；在襯底(100)上生長的n型半導(dǎo)體層(300)；在n型半導(dǎo)體層(300)上生長的有源層(400)；在有源層(400)上生長的p型半導(dǎo)體層(500)；在p型半導(dǎo)體層(500)上形成的p側(cè)電極(700)；及形成在通過蝕刻而露出的n型半導(dǎo)體層(300)上的n側(cè)電極(800)。在電極(700)與電極(800)之間具備絕緣膜(9)。半導(dǎo)體發(fā)光元件除了半導(dǎo)體發(fā)光元件芯片之外，還包括：主體(1)；形成于主體(1)的引線框架(2，3)；在引線框架(2，3)上形成空洞(4)的模具部(5)；及包圍半導(dǎo)體發(fā)光元件芯片的密封劑(1000)。密封劑(1000)中包括熒光體、光散射劑等。電極(700，800)通過接合層(7)而固定到引線框架(2，3)。關(guān)于電極(700，800)與引線框架(2，3)的電連接，可使用利用釘頭凸點(diǎn)(studbump)的接合、利用導(dǎo)電粘結(jié)劑的接合、利用釬焊(soldering)的接合、共晶鍵合等方法，但不作特別限定。

圖5是示出以往的半導(dǎo)體發(fā)光元件的另一例的圖，該圖示出了在半導(dǎo)體發(fā)光元件芯片的襯底(100)固定在引線框架(2)的狀態(tài)下利用引線(8)而與引線框架(2，3)電連接的形態(tài)的半導(dǎo)體發(fā)光元件。在利用引線接合的情況下，即便在元件內(nèi)發(fā)生熱，但由于在多個(gè)半導(dǎo)體層(300，400，500)與引線框架(2，3)之間存在襯底(100)，因此即便由半導(dǎo)體構(gòu)成的多個(gè)半導(dǎo)體層(300，400，500)與由金屬構(gòu)成的引線框架(2，3)之間存在熱膨脹的差異，也能夠防止多個(gè)半導(dǎo)體層(300，400，500)的裂開或破碎。通常，將這樣的形態(tài)的芯片稱為橫向芯片(lateralchip)。例如，在iii族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件的情況下，通常多個(gè)半導(dǎo)體層(300，400，500)的總厚度為10μm以下，基板(100；例如：藍(lán)寶石)的厚度為80μm～150μm。

返回到圖4，在半導(dǎo)體發(fā)光元件芯片以倒裝芯片方式接合的情況下，多個(gè)半導(dǎo)體層(300，400，500)與引線框架(2，3)直接相對，當(dāng)因發(fā)熱而導(dǎo)致由金屬構(gòu)成的引線框架(2，3)膨脹時(shí)，在多個(gè)半導(dǎo)體層(300，400，500)發(fā)生裂開或破碎的可能性變高。另外，最近大量使用與橫向芯片相比能夠以高電流驅(qū)動(dòng)的倒裝芯片，在使用高電流即高功率(highpower)的芯片的情況下，元件內(nèi)的發(fā)熱量變多，發(fā)生多個(gè)半導(dǎo)體層(300，400，500)的裂開或破碎的可能性進(jìn)一步變高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

技術(shù)課題

對此，將在‘具體實(shí)施方式’的后端進(jìn)行記述。

解決課題的手段

在此，提供本公開的整體概要(summary)，對此不應(yīng)理解為本公開的范圍僅限于此(thissectionprovidesageneralsummaryofthedisclosureandisnotacomprehensivedisclosureofitsfullscopeorallofitsfeatures)。

根據(jù)本公開的一個(gè)方式(accordingtooneaspectofthepresentdisclosure)，提供一種半導(dǎo)體元件用支承基板的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：準(zhǔn)備第一基板，其中所述第一基板具備第一面及與第一面相對的第二面；在第一基板形成從第一面?zhèn)瘸虻诙鎮(zhèn)鹊牟?；在槽形成?dǎo)電部；在第一面?zhèn)?，將第二基板結(jié)合到第一基板；及在第二面?zhèn)?，以與導(dǎo)電部導(dǎo)通的方式形成第一導(dǎo)電焊盤。

根據(jù)本公開的另一形態(tài)(accordingtoanotheraspectofthepresentdisclosure)，提供一種半導(dǎo)體元件用支承基板的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：準(zhǔn)備第一基板，其中所述第一基板具備第一面及與第一面相對的第二面；在第一基板形成從第一面?zhèn)瘸虻诙鎮(zhèn)鹊牟?；在槽形成?dǎo)電部；在導(dǎo)電部形成至少一個(gè)導(dǎo)電焊盤；及在第一面?zhèn)龋瑢⒌诙褰Y(jié)合到第一基板。

根據(jù)本公開的又一形態(tài)(accordingtoanotheraspectofthepresentdisclosure)，提供一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該半導(dǎo)體裝置包括：半導(dǎo)體元件，其以具備第一熱膨脹系數(shù)的iii族氮化物半導(dǎo)體為生長基板而生長；及第一基板，其具備與第一熱膨脹系數(shù)之間存在2ppm以內(nèi)之差的第二熱膨脹系數(shù)，并結(jié)合到半導(dǎo)體元件，且具備導(dǎo)電部，所述導(dǎo)電部貫穿第一基板而形成，以向半導(dǎo)體元件提供電通道。

根據(jù)本公開的又一方式(accordingtoanotheraspectofthepresentdisclosure)，提供一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該半導(dǎo)體裝置包括：半導(dǎo)體元件，其利用由gan構(gòu)成的生長基板而生長；及第一基板，其由aln構(gòu)成，并結(jié)合到半導(dǎo)體元件，且具備導(dǎo)電部，所述導(dǎo)電部貫穿第一基板而形成，以向半導(dǎo)體元件提供電通道。

根據(jù)本公開的又一方式(accordingtoanotheraspectofthepresentdisclosure)，提供一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該半導(dǎo)體裝置包括：半導(dǎo)體元件，其利用由iii族氮化物半導(dǎo)體構(gòu)成的生長基板而生長；及第一基板，其結(jié)合到半導(dǎo)體元件，并具備導(dǎo)電部，所述導(dǎo)電部貫穿第一基板而形成，以向半導(dǎo)體元件提供電通道，第一基板具備第一面、與第一面相對的第二面及將第一面與第二面連接的側(cè)面，在第二面?zhèn)冉Y(jié)合有半導(dǎo)體元件，在側(cè)面形成有與第一面及第二面分開且因通過激光照射所產(chǎn)生的裂紋(crack)而形成的粗糙表面。

根據(jù)本公開的又一方式(accordingtoanotheraspectofthepresentdisclosure)，提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：準(zhǔn)備第一基板，其中所述第一基板具備第一面及與第一面相對的第二面；在第一基板形成從第一面?zhèn)瘸虻诙鎮(zhèn)鹊牟?；在槽形成?dǎo)電部；在第一面?zhèn)?，將第二基板結(jié)合到第一基板；及以與導(dǎo)電部導(dǎo)通的方式將利用由iii族氮化物半導(dǎo)體構(gòu)成的生長基板而生長的半導(dǎo)體元件結(jié)合到第一基板。

根據(jù)本公開的又一方式(accordingtoanotheraspectofthepresentdisclosure)，提供一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該半導(dǎo)體裝置包括：半導(dǎo)體元件，其利用由具備第一熱膨脹系數(shù)的iii族氮化物半導(dǎo)體構(gòu)成的生長基板而生長；及第一基板，其具備小于第一熱膨脹系數(shù)的第二熱膨脹系數(shù)，并結(jié)合到半導(dǎo)體元件，且具備導(dǎo)電部，所述導(dǎo)電部貫穿第一基板而形成，以向半導(dǎo)體元件提供電通道。

發(fā)明效果

對此，將在‘具體實(shí)施方式’的后端進(jìn)行記述。

附圖說明

圖1是示出美國注冊專利公報(bào)第7,262,436號中所公開的半導(dǎo)體發(fā)光元件芯片的一例的圖。

圖2是示出日本公開專利公報(bào)第2006-120913號中所公開的半導(dǎo)體發(fā)光元件芯片的一例的圖。

圖3是示出國際公開專利公報(bào)wo2014/014298號中所公開的半導(dǎo)體發(fā)光元件芯片的一例的圖。

圖4是示出日本公開專利公報(bào)第2001-358371號中圖示的半導(dǎo)體發(fā)光元件的一例的圖。

圖5是示出以往的半導(dǎo)體發(fā)光元件的另一例的圖。

圖6及圖7是示出根據(jù)本公開而制造半導(dǎo)體元件用支承基板的方法的一例的圖。

圖8及圖9是示出根據(jù)本公開而制造半導(dǎo)體裝置的方法的一例的圖。

圖10是示出根據(jù)本公開而制造半導(dǎo)體元件用支承基板的方法的另一例的圖。

圖11及圖12是示出根據(jù)本公開而制造半導(dǎo)體裝置的方法的又一例的圖。

圖13是示出根據(jù)本公開而制造半導(dǎo)體裝置的方法的又一例的圖。

圖14是示出根據(jù)本公開而制造半導(dǎo)體裝置的方法的又一例的圖。

圖15是示出本公開的半導(dǎo)體裝置的又一例的圖。

圖16是示出根據(jù)本公開而制造半導(dǎo)體裝置的方法的又一例的圖。

圖17是示出根據(jù)本公開而制造半導(dǎo)體裝置的方法的又一例的圖。

圖18是示出根據(jù)本公開而制造半導(dǎo)體裝置的方法的又一例的圖。

具體實(shí)施方式

下面，參照附圖，對本公開進(jìn)行詳細(xì)的說明(thepresentdisclosurewillnowbedescribedindetailwithreferencetotheaccompanyingdrawing(s))。

圖6及圖7是示出根據(jù)本公開而制造半導(dǎo)體元件用支承基板的方法的一例的圖，如圖6所示，準(zhǔn)備第一基板(10)。第一基板(10)具備第一面(11)、第二面(12)及將第一面(11)與第二面(12)連接的側(cè)面(13)。接著，在第一面(11)側(cè)形成槽(14)。對槽(14)的形狀不作特別的限定，可具備圓形、多邊形、縫隙、溝槽(trench)等形態(tài)。即，可具備長長地延伸的形態(tài)或獨(dú)立的凹部的形態(tài)。接著，在槽(14)形成導(dǎo)電部(15)。優(yōu)選為，在導(dǎo)電部(15)形成導(dǎo)電焊盤(16)。導(dǎo)電部(15)和導(dǎo)電焊盤(16)既可以通過獨(dú)立的工藝而形成，也可以通過一個(gè)工藝而形成。

接著，如圖7所示，利用結(jié)合層(18)而將第二基板(17)結(jié)合到第一基板(10)。接著，在第二面(12)側(cè)通過研磨等而減小第一基板(10)的厚度。優(yōu)選為，在導(dǎo)電部(15)形成導(dǎo)電焊盤(19)。如果第二基板(17)具備可直接粘結(jié)到第一基板(10)的物性，則可省略結(jié)合層(18)。根據(jù)需要，在形成導(dǎo)電焊盤(19)之前或之后，在第一基板(10)形成反射層或絕緣層(12a)。

圖8及圖9是示出根據(jù)本公開而制造半導(dǎo)體裝置的方法的一例的圖，以半導(dǎo)體發(fā)光元件為例進(jìn)行說明。如圖8所示，將半導(dǎo)體發(fā)光元件芯片(20)固定到第一基板(10)。半導(dǎo)體發(fā)光元件芯片(20)具備：生長基板(21；例如：al2o3)；具備第一導(dǎo)電性的第一半導(dǎo)體層(22；例如：n型gan)；具備與第一導(dǎo)電性不同的第二導(dǎo)電性的第二半導(dǎo)體層(23；例如：p型gan)；介于第一半導(dǎo)體層(22)與第二半導(dǎo)體層(23)之間且通過電子和空穴的復(fù)合而生成光的有源層(24；例如：ingan/(in)(al)gan多量子阱結(jié)構(gòu))；及分別與第一半導(dǎo)體層(22)和第二半導(dǎo)體層(23)電連接的第一電極(25)及第二電極(26)。半導(dǎo)體發(fā)光元件芯片(20)可以是圖1至圖3中所示的半導(dǎo)體發(fā)光元件芯片中的一個(gè)，如果是倒裝芯片的形態(tài)，則不作特別限定。第一電極(25)和第二電極(26)被固定到對應(yīng)的導(dǎo)電部(15)。導(dǎo)電部(15)實(shí)現(xiàn)電通道及熱通道的功能。優(yōu)選為，以覆蓋半導(dǎo)體發(fā)光元件芯片(20)的方式形成密封劑(27)。當(dāng)然，密封劑(27)可包括熒光體及/或光散射劑。優(yōu)選為，去除密封劑(27)的一部分而使密封劑(27)的側(cè)面露出。這是為了對后續(xù)的切斷工藝提供幫助或使密封劑(27)按照半導(dǎo)體發(fā)光元件芯片(20)的形狀而形成等。在密封劑(27)的去除中，可使用切削(cutting)、鋸切(sawing)等方法。另外，也可以使用在用密封劑(27)覆蓋半導(dǎo)體發(fā)光元件芯片(20)之前，沿著要去除的密封劑(27)的形態(tài)而預(yù)先將模型放在第一基板(10)之后形成密封劑(27)的方法。既可以是每一個(gè)導(dǎo)電部(15)對應(yīng)各個(gè)電極(25，26)，也可以是一個(gè)電極與多個(gè)導(dǎo)電部(15)結(jié)合。將電極(25，26)與導(dǎo)電部(15)或電極(25，26)與導(dǎo)電焊盤(19)排列之后，通過熱壓接而接合。

接著，如圖9所示，將第二基板(17)從第一基板(10)分離。接著，以包括半導(dǎo)體發(fā)光元件芯片(20)的方式切斷第一基板(10)。優(yōu)選為，在將激光(28)照射到第一基板(10)的內(nèi)部而形成裂紋(29)之后，通過破斷工藝而切斷第一基板(10)，從而對半導(dǎo)體發(fā)光元件芯片(20)及密封劑(27)減少機(jī)械性、化學(xué)性及/或熱性損傷，由此切斷第一基板(10)。在使用鋸切這樣的機(jī)械性切斷方法的情況下，也可以不將第二基板(17)從第一基板(10)分離而切斷第一基板(10)。雖然可以將第二基板(17)一起切斷，但在僅切斷第一基板(10)之后將第二基板(17)去除的情況下，在工藝上具有優(yōu)點(diǎn)。在將第二基板(17)從第一基板(10)分離的過程中，通過蝕刻等方法來去除結(jié)合層(18)，從而將兩者分離。在圖9所示的例子所示中，第一基板(10)的第二面(12)的一部分被露出，包括導(dǎo)電焊盤(19)的導(dǎo)電部(15)被密封劑(27)而覆蓋。

圖10是示出通過本公開而制造半導(dǎo)體元件用支承基板的方法的另一例的圖，在將第二基板(17)結(jié)合到第一基板(10)之前，首先以貫穿第一基板(10)的方式形成槽(14)，接著形成導(dǎo)電部(15)，然后利用結(jié)合層(18)而在第一基板(10)結(jié)合第二基板(17)。之后的過程相同。優(yōu)選為，在導(dǎo)電部(15)的至少一側(cè)形成有導(dǎo)電焊盤(16，19)。也可以在以不貫穿第一基板(10)的方式形成槽(14)之后，形成導(dǎo)電部(15)，并通過研磨，從而使槽(14)具備貫穿第一基板(10)的形態(tài)。

圖11及圖12是示出根據(jù)本公開而制造半導(dǎo)體裝置的方法的又一例的圖，以半導(dǎo)體發(fā)光元件為例進(jìn)行說明。如圖11所示，在第一基板(10)固定半導(dǎo)體發(fā)光元件芯片(20)，接著在形成密封劑(27)之前，在半導(dǎo)體發(fā)光元件芯片(20)的旁邊首先形成圍堰(30)。接著，用密封劑(27)覆蓋半導(dǎo)體發(fā)光元件芯片(20)。圍堰(30)實(shí)現(xiàn)反射膜等的功能。

接著，如圖12所示，去除圍堰(30)的全部或圍堰(30)的一部分。通過用光致抗蝕劑(psr)這樣的物質(zhì)來形成圍堰(30)，從而在容易實(shí)現(xiàn)圖案化的同時(shí)，可容易去除。可通過鋸切工藝而保留圍堰(30)的一部分。另外，可由具備反射膜功能的白色有機(jī)物(包括tio2，sio2成分)來形成圍堰(30)。

圖13是示出根據(jù)本公開而制造半導(dǎo)體裝置的方法的又一例的圖，以半導(dǎo)體發(fā)光元件為例進(jìn)行說明。在將第二基板(17)從第一基板(10)分離之前，將生長基板(10)從多個(gè)半導(dǎo)體層(22，23，24)分離。優(yōu)選為，由絕緣體(31)來填充第一電極(25)與第二電極(26)之間的空間。更優(yōu)選為，填充第二半導(dǎo)體層(23)與第一基板(10)彼此相對的整個(gè)空間。填充該空間的過程在制造半導(dǎo)體發(fā)光元件芯片(20)的過程中執(zhí)行或在將半導(dǎo)體發(fā)光元件芯片(20)固定到第一電極(10)之前進(jìn)行。另外，也可以在第一半導(dǎo)體層(22)的上部利用透明的粘結(jié)劑而直接或間接地形成包括熒光體及/或光散射劑的結(jié)構(gòu)物(省略圖示)。

圖14是示出根據(jù)本公開而制造半導(dǎo)體裝置的方法的又一例的圖，以半導(dǎo)體發(fā)光元件為例進(jìn)行說明。如圖8所示，在第一基板(10)并不是固定單個(gè)的半導(dǎo)體發(fā)光元件芯片(20)，而是多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光元件芯片(20a，20b，20c，20d)通過一個(gè)生長基板(21)而固定到第一基板(10)。當(dāng)然，多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光元件芯片(20a，20b，20c，20d)彼此通過布線而并聯(lián)、串聯(lián)或并串聯(lián)地連接。

圖15是示出本公開的半導(dǎo)體裝置的又一例的圖，以半導(dǎo)體發(fā)光元件為例進(jìn)行說明。圖15所示的半導(dǎo)體發(fā)光元件在按照圖6至圖9所公開的方法而制造的半導(dǎo)體發(fā)光元件(a)的基礎(chǔ)上，還選擇性地包括：結(jié)合有導(dǎo)電部(15，15)的引線框架(2，3)；包圍半導(dǎo)體發(fā)光元件(a)的密封劑(1000)；及收納密封劑(1000)的模具部(5)。

圖16是示出根據(jù)本公開而制造半導(dǎo)體裝置的方法的又一例的圖，以半導(dǎo)體發(fā)光元件為例進(jìn)行說明。與圖8所公開的半導(dǎo)體元件不同地，示出了作為生長基板，使用由iii族氮化物半導(dǎo)體即al(x)ga(y)in(1-x-y)n(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)構(gòu)成的生長基板(21a；例如：gan)的例子。在利用gan基板的半導(dǎo)體元件的情況下，以高輸出、低動(dòng)作電壓、低發(fā)熱等為特征，但是與藍(lán)寶石基板相比仍然昂貴，因此為了節(jié)約成本，有必要減小尺寸，且有可能導(dǎo)致芯片的裂開、因電極尺寸所產(chǎn)生的縮小芯片尺寸受限、由電流密度上升所產(chǎn)生的高發(fā)熱等問題。另外，gan的熱膨脹系數(shù)為5.56ppm，因此在搭載于以往的由金屬(cu，al)構(gòu)成的引線框架的情況下(例如，由cu構(gòu)成的引線框架的熱膨脹系數(shù)為16ppm)，在使用由iii族氮化物半導(dǎo)體構(gòu)成的生長基板的半導(dǎo)體芯片與支承基板之間因熱膨脹系數(shù)之差而引發(fā)各種機(jī)械性問題的可能性較高。通過使用圖6至圖15所示的本公開的半導(dǎo)體元件用支承基板，能夠解決這樣的問題點(diǎn)。另外，在把持半導(dǎo)體芯片時(shí)，通過利用支承基板來防止所發(fā)生的半導(dǎo)體芯片的損傷。優(yōu)選為，將第一基板(10)的材質(zhì)選定為與生長基板(21a)的材質(zhì)之間熱膨脹系數(shù)之差小的材質(zhì)(優(yōu)選為，2ppm)，從而能夠解除因熱膨脹系數(shù)之差而可能發(fā)生的各種機(jī)械性及熱性缺陷。例如，在生長基板(21a)為gan(5.56ppm)的情況下，將陶瓷aln(4.8ppm)選定為第一基板(10)，從而能夠?qū)烧咧g的熱膨脹系數(shù)之差控制在2ppm以內(nèi)，進(jìn)一步優(yōu)選地控制在1ppm以內(nèi)。因?yàn)閍l2o3陶瓷的熱膨脹系數(shù)為6.9ppm～7.5ppm，因此可適用為第一基板(10)。省略對于相同附圖標(biāo)記的說明，如圖7所示，反射層或絕緣層(12a)可設(shè)于兩個(gè)電極(25，26)之間。

圖17是示出根據(jù)本公開而制造半導(dǎo)體裝置的方法的又一例的圖，以半導(dǎo)體發(fā)光元件為例進(jìn)行說明。利用生長基板(21a)的垂直型芯片搭載于第一基板(10)。第二電極(26)與第二半導(dǎo)體層(23)電連接，第二電極(26)通過引線而與導(dǎo)電焊盤(19-1)及導(dǎo)電部(15-1)電連接，第一半導(dǎo)體層(22)通過生長基板(21a)而與導(dǎo)電焊盤(19-2)及導(dǎo)電部(15-2)電連接。在生長基板(21a)的下部可具備另外的電極(相當(dāng)于第一電極(25))，生長基板(21a)和垂直型芯片通過通常的方法而固定。省略對相同的附圖標(biāo)記的說明。

圖18是示出根據(jù)本公開而制造半導(dǎo)體裝置的方法的又一例的圖，以半導(dǎo)體發(fā)光元件為例進(jìn)行說明。利用生長基板(21a)的橫向芯片搭載于第一基板(10)。第一電極(25)與第一半導(dǎo)體層(22)電連接，第二電極(26)與第二半導(dǎo)體層(23)電連接。第一電極(25)通過引線而與導(dǎo)電焊盤(19-2)及導(dǎo)電部(15-2)電連接，第二電極(26)通過引線而與導(dǎo)電焊盤(19-1)及導(dǎo)電部(15-1)電連接。優(yōu)選為，追加地具備導(dǎo)電焊盤(19-3)及導(dǎo)電部(15-3)，實(shí)現(xiàn)來自半導(dǎo)體芯片的散熱通道的功能。在生長基板(21a)可導(dǎo)通的情況下，在導(dǎo)電焊盤(19-3)與生長基板(21a)之間具備另外的絕緣層，也可由非導(dǎo)電性物質(zhì)來代替導(dǎo)電焊盤(19-3)。

對本公開的各種實(shí)施形態(tài)進(jìn)行說明。

(1)一種半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：準(zhǔn)備第一基板，其中該第一基板具備第一面及與第一面相對的第二面，并具備從第一面?zhèn)瘸虻诙鎮(zhèn)鹊牡谝徊奂暗诙?，并且在第一槽及第二槽分別形成有導(dǎo)電部，在熱膨脹時(shí)第一槽及第二槽能夠限制各個(gè)導(dǎo)電部的熱膨脹；在第一面?zhèn)龋ㄟ^結(jié)合層而將第二基板結(jié)合到第一基板；及在第二面?zhèn)龋瑢雽?dǎo)體發(fā)光元件芯片固定到第一基板，其中將第一電極及第二電極分別固定到第一槽的導(dǎo)電部和第二槽的導(dǎo)電部，該半導(dǎo)體發(fā)光元件芯片具備生長基板、在生長基板上生長的多個(gè)半導(dǎo)體層、及與第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層分別電連接的第一電極及第二電極，所述多個(gè)半導(dǎo)體層包括：具備第一導(dǎo)電性的第一半導(dǎo)體層、具備與第一導(dǎo)電性不同的第二導(dǎo)電性的第二半導(dǎo)體層、及介于第一半導(dǎo)體層與第二半導(dǎo)體層之間且通過電子和空穴的復(fù)合而生成光的有源層。

第一基板(10)由陶瓷基板、al2o3結(jié)晶基板、aln結(jié)晶基板、htcc、ltcc、al2o3混合物或陶瓷、al2o3-zro2混合物或陶瓷、aln混合物或陶瓷等構(gòu)成。

通過使導(dǎo)電部(15)位于槽(14)，能夠抑制主要由金屬材質(zhì)構(gòu)成的導(dǎo)電部(15)的熱膨脹。

第一基板(10)的厚度優(yōu)選為10μm以上2000μm。因?yàn)槿绻^于薄，則不容易實(shí)現(xiàn)支承基板的功能。優(yōu)選為，具備30μm～500μm的厚度。如果過于厚，則在之后的研磨工藝等中導(dǎo)致無謂的工藝時(shí)間。

例如，槽(14)可具備30μm的寬度，其長度可根據(jù)電極(25，26)的長度而變化。當(dāng)然，一個(gè)電極(25)可對應(yīng)多個(gè)槽(14)。在具備孔(hole)形態(tài)的情況下，一邊的長度適合為200μm以下。槽(14)優(yōu)選具備30μm以上200μm以下的寬度。如果寬度過于小，則有可能導(dǎo)致散熱特性不好，如果寬度過于大，有可能導(dǎo)致第一基板(10)的破碎。基本上，槽(14)的大小根據(jù)電極(25，26)的形狀而不同。例如，槽(14)的深度形成為比研磨之后的第一基板(10)的厚度大10％程度。

關(guān)于包括導(dǎo)電焊盤(16)的導(dǎo)電部(15)，例如在利用電子束(e-beam)、濺射(sputter)而形成晶種層(seedlayer)之后通過金屬鍍覆而形成。作為金屬鍍覆物質(zhì)，可例舉cu、ni、au、ag、in、sn等。也可利用ag、cu類導(dǎo)電性漿料(paste)。此外，還可利用包括石墨(graphite)、cnt、aln、sic的導(dǎo)電性漿料(paste)。導(dǎo)電焊盤(16)由au、ag、pt、pd、cu、ni、cr、sn、in、zn、ti、tiw中的任一個(gè)或它們的組合來形成，可利用這些物質(zhì)而形成為多個(gè)層，既可與導(dǎo)電部(15)一起形成，也可單獨(dú)地形成。另外，可由ag、cu類導(dǎo)電性漿料來形成導(dǎo)電焊盤(16)。當(dāng)然，可以在將第一基板(10)和第二基板(17)結(jié)合之后形成導(dǎo)電部(15)及/或?qū)щ姾副P(16)。另外，可選擇通過金屬鍍覆而一次性形成導(dǎo)電部(15)的一部分，然后由導(dǎo)電性漿料來填充剩余部分的方法。其目的如下：雖然在鍍覆金屬的情況下具有具備小電阻的優(yōu)點(diǎn)，但由于鍍覆金屬本身存在熱膨脹的問題，因此通過與導(dǎo)電性漿料一起使用，同時(shí)考慮了高導(dǎo)電率與對熱膨脹的抑制。

第二基板(17)由電絕緣性物質(zhì)形成，例如可利用玻璃、藍(lán)寶石、al2o3混合物、al2o3-zro2混合物、aln混合物、硅、氧化物陶瓷等。雖然可通過結(jié)合層(18)而將第二基板(17)結(jié)合到第一基板(10)，但也有通過沉積來將第二基板(17)形成于第一基板(10)的方法?？赏ㄟ^蝕刻來去除這樣形成的第二基板(17)。通過與第一基板(10)相同的物質(zhì)來形成第二基板(17)，從而能夠調(diào)節(jié)兩者之間的熱膨脹系數(shù)。例如，第一基板(10)和第二基板(17)均可由藍(lán)寶石形成。

優(yōu)選為，半導(dǎo)體發(fā)光元件芯片(20)隔著相同的間隔而被固定。

在第一電極(25)與第二電極(26)之間具備絕緣體，可包括熱固性(thermo-set)或熱可塑性(thermo-plastic)樹脂，可由酚醛樹脂(phenolresin)、環(huán)氧樹脂(epoxyresin)、bt樹脂(btresin)、ppa、硅樹脂(siliconresin)等構(gòu)成。

(2)半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法的特征在于，在執(zhí)行固定的步驟之前，還包括如下步驟：在將第一基板固定到第二基板的狀態(tài)下減少第一基板的厚度。

(3)半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法的特征在于，所減少的第一基板的厚度為30μm以上500μm以下。如果過于薄，則難以執(zhí)行支承功能，如果過于厚，則難以進(jìn)行切斷工藝等，而且如圖15所示地難以收納到封裝體。

(4)半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法的特征在于，在執(zhí)行固定的步驟之前，還包括如下步驟：在第二面?zhèn)?，在?dǎo)電部形成導(dǎo)電焊盤。

導(dǎo)電焊盤(19)通過金屬鍍覆或沉積而形成。導(dǎo)電焊盤(19)由au、ag、pt、pd、cu、ni、cr、sn、in、zn、ti、tiw中的任一個(gè)或它們的組合而形成，并利用這些物質(zhì)而可為多個(gè)層。另外，也可由ag、cu類導(dǎo)電性漿料來形成導(dǎo)電焊盤(16)。在導(dǎo)電焊盤(19)之間的第一基板(10)具備反射層或絕緣層(12a)。在實(shí)現(xiàn)反射層(12a)的功能的情況下，由反射率高的ag、al、rh、cr、ti、tiw、au、dbr、obr來形成。在實(shí)現(xiàn)絕緣層(12a)的功能的情況下，可由sio2、tio2、zro2、al2o3、dbr、sog(spinongel)、epoxy、resin等形成。在反射層或絕緣層(12a)對位于兩側(cè)的導(dǎo)電焊盤(19)實(shí)現(xiàn)絕緣層的功能的情況下，優(yōu)選為絕緣層(12a)的高度高于導(dǎo)電焊盤(19)的高度。

(5)半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法的特征在于，還包括如下步驟：在第二面?zhèn)纫愿采w半導(dǎo)體發(fā)光元件芯片的方式形成密封劑。

密封劑可包括熒光體及/或光散射劑，可由單層或多層構(gòu)成，各個(gè)層可包括透明或不同種類的熒光體等。

(6)半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法的特征在于，形成密封劑的步驟包括使密封劑的側(cè)面露出的過程。

例如，可通過激光、切割(dicing)、切削工藝等而去除密封劑(27)的一部分。

(7)半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法的特征在于，還包括如下步驟：將第二基板從第一基板分離。

也可以利用拋光、濕式蝕刻等而去除第二基板(17)，在結(jié)合層(18)或第二基板(17)由對光反應(yīng)的物質(zhì)構(gòu)成的情況下，也可通過光學(xué)方法(光)來去除。

(8)半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法的特征在于，分離的步驟包括去除結(jié)合層的過程。

作為結(jié)合層(18)，可利用帶(tape)。另外，可以在使金屬、氧化物、氮化物等沉積之后，通過蝕刻而將其去除的方式來構(gòu)成結(jié)合層(18)。也可由可進(jìn)行熱剝離、熱-化學(xué)分解、光-化學(xué)分解、光-熱-化合分解的物質(zhì)來形成結(jié)合層(18)。

(9)半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法的特征在于，還包括如下步驟：以包括半導(dǎo)體發(fā)光元件芯片的方式切斷第一基板。

無需在密封劑(27)內(nèi)必須放置一個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光元件芯片(20)，在密封劑(27)內(nèi)可具備多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光元件芯片(20)。多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光元件芯片(20)無需必須發(fā)出相同的顏色，可發(fā)出藍(lán)色、綠色、紫外線等各種顏色的光。另外，也可一并具備esd保護(hù)元件。

在切斷時(shí)可利用激光消融(laserablation)、切割鋸(dicingsaw)等。

(10)半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法的特征在于，在執(zhí)行切割的步驟之前，還包括如下步驟：在第一基板內(nèi)部產(chǎn)生裂紋。

可利用所謂隱形激光(stealthlaser)來形成裂紋。

(11)半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法的特征在于，在導(dǎo)電部的第一面?zhèn)燃皩?dǎo)電部的第二面?zhèn)戎械闹辽僖粋€(gè)面?zhèn)刃纬蓪?dǎo)電焊盤。

(12)半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法的特征在于，在第一電極或第二電極固定多個(gè)導(dǎo)電部。

(13)半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法的特征在于，還包括如下步驟：在第二面?zhèn)纫愿采w半導(dǎo)體發(fā)光元件芯片的方式形成密封劑；及以包括半導(dǎo)體發(fā)光元件芯片的方式切斷第一基板，在切斷之后，第一基板的第二面的一部分沒有密封劑而露出。

露出的區(qū)域的長度優(yōu)選不超過100μm。如果過于長，則材料的損失變大，在利用隱形激光(stealthlaser)的情況下，如果芯片之間的距離為30μm程度，則可執(zhí)行工藝。

(14)半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法的特征在于，在準(zhǔn)備第一基板的步驟中，在導(dǎo)電部的第一面?zhèn)燃皩?dǎo)電部的第二面?zhèn)戎械闹辽僖粋€(gè)面?zhèn)刃纬蓪?dǎo)電焊盤。

(15)半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法的特征在于，還包括如下步驟：在第二面?zhèn)?，以覆蓋半導(dǎo)體發(fā)光元件芯片的方式形成密封劑，在形成密封劑的步驟之前，還包括如下步驟：在第二面?zhèn)?，在第一基板在半?dǎo)體發(fā)光元件芯片的旁邊形成圍堰。

圍堰(30)可適用pr及干膜(dryfilm)。圍堰(30)可實(shí)現(xiàn)反射膜的功能，可有效利用含有emc、白色硅膠(whitesilicone)、tio2的有機(jī)硅(silicone)等。

(16)半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法的特征在于，還包括如下步驟：以包括半導(dǎo)體發(fā)光元件芯片的方式切斷第一基板，在切斷的步驟之前，還包括如下步驟：去除圍堰的至少一部分。

(17)半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法的特征在于，還包括如下步驟：將第二基板從第一基板分離，在分離第二基板的步驟之前，還包括如下步驟：將生長基板從多個(gè)半導(dǎo)體層分離。

(18)半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法的特征在于，固定的步驟包括用絕緣體來填充第一電極與第二電極之間的空間的過程。

(19)半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法的特征在于，在固定的步驟之前，還包括如下步驟：用絕緣體來填充第一電極與第二電極之間的空間。

(20)半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法的特征在于，在固定的步驟中，將包括所述半導(dǎo)體發(fā)光元件芯片的多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光元件芯片固定到第一基板。

(21)半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法的特征在于，第一基板和生長基板由相同的材料構(gòu)成。

雖然優(yōu)選由相同的材料構(gòu)成，但也可使用熱膨脹系數(shù)之差不大的材質(zhì)。(例如：al2o3和aln)

(22)半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法的特征在于，第一基板由透光性材料構(gòu)成。在該情況下，可執(zhí)行隱形激光(stealthlaser)加工。

(23)一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，該半導(dǎo)體發(fā)光元件包括：半導(dǎo)體發(fā)光元件芯片，所述半導(dǎo)體發(fā)光元件芯片包括生長基板、在生長基板上生長的多個(gè)半導(dǎo)體層、及與第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層分別電連接的第一電極及第二電極，所述多個(gè)半導(dǎo)體層包括：具備第一導(dǎo)電性的第一半導(dǎo)體層、具備與第一導(dǎo)電性不同的第二導(dǎo)電性的第二半導(dǎo)體層、介于第一半導(dǎo)體層與第二半導(dǎo)體層之間且通過電子和空穴的復(fù)合而生成光的有源層；及第一基板，其具備第一面及與第一面相對的第二面，并具備從第一面?zhèn)瘸虻诙鎮(zhèn)鹊牡谝徊奂暗诙?，在第一槽及第二槽分別形成有導(dǎo)電部，在熱膨脹時(shí)，第一槽及第二槽能夠限制各個(gè)導(dǎo)電部的熱膨脹，并且所述第一基板具備透光性，第一電極固定在第一槽的導(dǎo)電部，第二電極固定到第二槽的導(dǎo)電部。

(24)半導(dǎo)體發(fā)光元件的特征在于，第一基板和生長基板由相同的物質(zhì)構(gòu)成。

(25)半導(dǎo)體發(fā)光元件的特征在于，半導(dǎo)體發(fā)光元件芯片具備將第一面與第二面連接的側(cè)面，在側(cè)面形成有與第一面及第二面分開且因通過激光照射所產(chǎn)生的裂紋而形成的粗糙面。

(26)一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，該半導(dǎo)體發(fā)光元件包括：半導(dǎo)體發(fā)光元件芯片，其具備利用生長基板而生長的多個(gè)半導(dǎo)體層、與第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層分別電連接的第一電極及第二電極，該多個(gè)半導(dǎo)體層包括：具備第一導(dǎo)電性的第一半導(dǎo)體層、具備與第一導(dǎo)電性不同的第二導(dǎo)電性的第二半導(dǎo)體層、介于第一半導(dǎo)體層與第二半導(dǎo)體層之間且通過電子和空穴的復(fù)合而生成光的有源層；及第一基板，其具備第一面、與第一面相對的第二面及將第一面與第二面連接的側(cè)面，并具備從第一面?zhèn)瘸虻诙鎮(zhèn)鹊牡谝徊奂暗诙?，在?cè)面形成有與第一面及第二面分開且因通過激光照射所產(chǎn)生的裂紋而形成的粗糙面，第一電極固定到第一槽的導(dǎo)電部，第二電極固定到第二槽的導(dǎo)電部。

(27)半導(dǎo)體發(fā)光元件的特征在于，還包括：第一引線框架，第一槽的導(dǎo)電部固定在該第一引線框架；第二引線框架，第二槽的導(dǎo)電部固定在該第二引線框架；及追加的密封劑，其包圍半導(dǎo)體發(fā)光元件芯片及第一基板。

(28)一種半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：將第二基板結(jié)合到第一基板；將具備通過電子和空穴的復(fù)合而生成光的有源層的半導(dǎo)體發(fā)光元件芯片固定到第一基板；將第二基板從第一基板分離；在第一基板內(nèi)部形成裂紋；及以包括半導(dǎo)體發(fā)光元件芯片的方式切斷第一基板。

(29)半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法的特征在于，包括如下步驟：準(zhǔn)備第一基板，該第一基板結(jié)合到第二基板且在內(nèi)部形成有裂紋；將具備通過電子和空穴的復(fù)合而生成光的有源層的半導(dǎo)體發(fā)光元件芯片固定到第一基板；將第二基板從第一基板分離；對第一基板施壓，沿著裂紋而切斷第一基板。

(30)半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法的特征在于，在固定的步驟之前，還包括如下步驟：在第一基板的第二面?zhèn)刃纬煞瓷鋵?。在由?dǎo)電性物質(zhì)構(gòu)成反射層的情況下，在與導(dǎo)電部(15)或?qū)щ姾副P(19)之間隔著距離而形成。

(31)一種半導(dǎo)體元件用支承基板的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：準(zhǔn)備具備第一面及與第一面相對的第二面的第一基板；在第一基板形成從第一面?zhèn)瘸虻诙鎮(zhèn)鹊牟?；在槽形成?dǎo)電部；在第一面?zhèn)?，將第二基板結(jié)合到第一基板；及在第二面?zhèn)?，以與導(dǎo)電部導(dǎo)通的方式形成第一導(dǎo)電焊盤。

(32)一種半導(dǎo)體元件用支承基板的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：準(zhǔn)備第一基板，該第一基板具備第一面及與第一面相對的第二面；在第一基板形成從第一面?zhèn)瘸虻诙鎮(zhèn)鹊牟?；在槽形成?dǎo)電部；在導(dǎo)電部形成至少一個(gè)導(dǎo)電焊盤；及在第一面?zhèn)?，將第二基板結(jié)合到第一基板。

(33)一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該半導(dǎo)體裝置包括：半導(dǎo)體元件，其以具備第一熱膨脹系數(shù)的iii族氮化物半導(dǎo)體為生長基板而生長；及第一基板，其具備與第一熱膨脹系數(shù)之間存在2ppm以內(nèi)之差的第二熱膨脹系數(shù)，并與半導(dǎo)體元件結(jié)合，且具備導(dǎo)電部，所述導(dǎo)電部貫穿第一基板而形成，以向半導(dǎo)體元件提供電通道。

(34)一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該半導(dǎo)體裝置包括：半導(dǎo)體元件，其利用由gan構(gòu)成的生長基板而生長；及第一基板，其包括aln，并與半導(dǎo)體元件結(jié)合，且具備導(dǎo)電部，所述導(dǎo)電部貫穿第一基板而形成，以向半導(dǎo)體元件提供電通道。第一基板由aln混合物、aln單結(jié)晶或它們的結(jié)合來構(gòu)成。

(35)一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該半導(dǎo)體裝置包括：半導(dǎo)體元件，其利用由iii族氮化物半導(dǎo)體構(gòu)成的生長基板而生長；及第一基板，其結(jié)合到半導(dǎo)體元件，并具備導(dǎo)電部，所述導(dǎo)電部貫穿第一基板而形成，以向半導(dǎo)體元件提供電通道，第一基板具備第一面、與第一面相對的第二面及將第一面與第二面連接的側(cè)面，在第二面?zhèn)冉Y(jié)合有半導(dǎo)體元件，在側(cè)面形成有與第一面及第二面分開且因通過激光照射所產(chǎn)生的裂紋而形成的粗糙表面。

(36)一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：準(zhǔn)備第一基板，該第一基板具備第一面及與第一面相對的第二面；在第一基板形成從第一面?zhèn)瘸虻诙鎮(zhèn)鹊牟郏辉诓坌纬蓪?dǎo)電部；在第一面?zhèn)?，將第二基板結(jié)合到第一基板；及以與導(dǎo)電部導(dǎo)通的方式，將利用由iii族氮化物半導(dǎo)體構(gòu)成的生長基板而生長的半導(dǎo)體元件結(jié)合到第一基板。

(37)一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該半導(dǎo)體裝置包括：半導(dǎo)體元件，其利用生長基板而生長，所述生長基板由具備第一熱膨脹系數(shù)的iii族氮化物半導(dǎo)體構(gòu)成；及第一基板，其具備小于第一熱膨脹系數(shù)的第二熱膨脹系數(shù)(例如：aln混合物)，并結(jié)合到半導(dǎo)體元件，且具備導(dǎo)電部，所述導(dǎo)電部貫穿第一基板而形成，以向半導(dǎo)體元件提供電通道。

(38)一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該半導(dǎo)體裝置包括：第一基板；及垂直型芯片，其搭載于第一基板，以異種基板(例如：藍(lán)寶石基板)為生長基板而生長，在生長之后成為去除生長基板的形態(tài)。

根據(jù)本公開的一半導(dǎo)體元件用支承基板，能夠防止半導(dǎo)體元件芯片的裂開或破碎。

根據(jù)本公開的一半導(dǎo)體裝置，能夠防止半導(dǎo)體元件芯片的裂開或破碎。

根據(jù)本公開的一半導(dǎo)體裝置的制造方法，能夠防止半導(dǎo)體元件芯片的裂開或破碎。