本公開廣泛地應(yīng)用于等離子體處理設(shè)備的領(lǐng)域。更具體而言，公開了用于提供空間上均勻的等離子體產(chǎn)物的系統(tǒng)及方法。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體處理通常利用等離子體處理來(lái)在半導(dǎo)體晶片上蝕刻、清潔或沉積材料。所有這樣的處理在受處理晶片的整個(gè)表面上有利地是高度均勻的。在這幾年，顯著地，在特征尺寸已減小的同時(shí)晶片尺寸已增加，以致于每個(gè)受處理晶片可收獲更多的集成電路。典型的晶片直徑從1970年代的約2或3英寸增加到2010年代的12英寸或更大。在同一時(shí)間框架下，商用集成電路的典型最小特征尺寸從約5微米減小到約0.015微米。在晶片生長(zhǎng)得更大的同時(shí)處理較小的特征需要處理均勻性上的顯著改進(jìn)。晶片以外的工件的等離子體處理亦可受益于改進(jìn)的處理均勻性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

在實(shí)施例中，一種等離子體處理系統(tǒng)包括處理腔室及等離子體源，該等離子體源在等離子體腔中產(chǎn)生等離子體。該等離子體腔圍繞環(huán)軸是實(shí)質(zhì)對(duì)稱的。該等離子體源在該等離子體腔的第一軸向側(cè)上限定多個(gè)出口孔。由該等離子體所產(chǎn)生的等離子體產(chǎn)物在軸向方向上通過(guò)該多個(gè)出口孔從該等離子體腔朝該處理腔室傳遞。

在實(shí)施例中，一種等離子體處理系統(tǒng)包括：處理腔室，圍繞腔室軸是實(shí)質(zhì)徑向?qū)ΨQ的；外等離子體源，在外等離子體腔中產(chǎn)生第一等離子體；及內(nèi)等離子體源，在內(nèi)等離子體腔中產(chǎn)生第二等離子體。該外等離子體腔及該內(nèi)等離子體腔圍繞環(huán)軸是徑向?qū)ΨQ的，該環(huán)軸與該腔室軸重合。該內(nèi)等離子體腔是自該外等離子體腔徑向朝內(nèi)的。該外及內(nèi)等離子體腔沿該外等離子體源的第一軸向側(cè)通過(guò)相應(yīng)的外及內(nèi)出口開口與該處理腔室流體連通，使得由該第一等離子體所產(chǎn)生的等離子體產(chǎn)物在軸向方向上通過(guò)該外及內(nèi)出口開口從該外及內(nèi)等離子體腔朝該處理腔室傳遞。

在實(shí)施例中，一種等離子體處理的方法包括以下步驟：在實(shí)質(zhì)環(huán)狀的等離子體腔內(nèi)產(chǎn)生等離子體以形成等離子體產(chǎn)物，該實(shí)質(zhì)環(huán)狀的等離子體腔限定環(huán)軸，及通過(guò)多個(gè)出口開口向處理腔室將等離子體產(chǎn)物直接分布進(jìn)處理腔室中，該多個(gè)出口開口實(shí)質(zhì)在方位上分布于該等離子體腔的第一軸向側(cè)周圍。

附圖說(shuō)明

圖1根據(jù)實(shí)施例示意性地描繪等離子體處理系統(tǒng)的主要構(gòu)件。

圖2根據(jù)實(shí)施例示意性地描繪直接出口環(huán)狀等離子體源的所選構(gòu)件。

圖3根據(jù)實(shí)施例示意性地描繪直接出口環(huán)狀等離子體源的所選構(gòu)件。

圖4根據(jù)實(shí)施例示意性地描繪直接出口環(huán)狀等離子體源的所選構(gòu)件。

圖5根據(jù)實(shí)施例示意性地描繪直接出口環(huán)狀等離子體源的所選構(gòu)件。

圖6是圖5的直接出口環(huán)狀等離子體源的示意性剖視圖(在斷線6-6處取得)。

圖7是圖5的直接出口環(huán)狀等離子體源的示意性剖視圖(在斷線7-7處取得)。

圖8根據(jù)實(shí)施例示意性地描繪具有等離子體腔的直接出口環(huán)狀等離子體源，該等離子體腔通過(guò)在板附近安置等離子體阻擋件來(lái)限定。

圖9根據(jù)實(shí)施例示意性地描繪具有等離子體腔的另一直接出口環(huán)狀等離子體源，該等離子體腔通過(guò)在板附近安置等離子體阻擋件來(lái)限定。

圖10根據(jù)實(shí)施例示意性地描繪直接出口環(huán)狀等離子體源，圖示了入口氣體歧管，該入口氣體歧管向其中的等離子體腔供應(yīng)源氣體。

圖11是沿圖10的線11-11的示意性剖視圖。

圖12根據(jù)實(shí)施例示意性地描繪直接出口環(huán)狀等離子體源的具有用于引入源氣體的內(nèi)聯(lián)氣體注射端口的等離子體阻擋件。

圖13根據(jù)實(shí)施例示意性地描繪直接出口環(huán)狀等離子體源的具有用于引入源氣體的多個(gè)內(nèi)聯(lián)氣體注射端口的等離子體阻擋件。

圖14根據(jù)實(shí)施例示意性地描繪直接出口環(huán)狀等離子體源的等離子體阻擋件，圖示了可如何相對(duì)于板的表面法線以多個(gè)角度限定出口孔，該板形成其一個(gè)軸向側(cè)(axialside)。

圖15a是根據(jù)實(shí)施例的示意性底視圖，描繪了直接出口環(huán)狀等離子體源，在該直接出口環(huán)狀等離子體源中限定了四個(gè)出口孔。

圖15b是根據(jù)實(shí)施例的示意性底視圖，描繪了直接出口環(huán)狀等離子體源，在該直接出口環(huán)狀等離子體源中限定了超過(guò)六十個(gè)出口孔。

圖16根據(jù)實(shí)施例以橫截面視圖示意性地描繪等離子體晶片處理系統(tǒng)，該等離子體晶片處理系統(tǒng)包括兩個(gè)直接出口環(huán)狀等離子體源。

圖17a示意性地描繪圖16的等離子體處理系統(tǒng)的頂面的面朝上的示意性平面圖，其中兩個(gè)直接環(huán)狀等離子體源的底板特征是可見的。

圖17b示意性地描繪圖16的等離子體處理系統(tǒng)的擴(kuò)散板的面朝上的示意性平面圖。

圖18根據(jù)實(shí)施例以橫截面視圖示意性地描繪等離子體晶片處理系統(tǒng)，該等離子體晶片處理系統(tǒng)包括兩個(gè)直接出口環(huán)狀等離子體源。

具體實(shí)施方式

可通過(guò)參考結(jié)合以下所述的附圖進(jìn)行的以下的詳細(xì)說(shuō)明來(lái)了解本公開，其中類似的參考標(biāo)號(hào)在若干附圖各處用以指類似的組件。注意的是，為了清楚說(shuō)明的目的，附圖中的某些要素可不按比例繪制?？赏ㄟ^(guò)使用括號(hào)中的標(biāo)號(hào)來(lái)指示項(xiàng)目的特定實(shí)例(例如等離子體阻擋件210(1)、210(2)等等)，同時(shí)不具括號(hào)的標(biāo)號(hào)指任何這樣的項(xiàng)目(例如等離子體阻擋件210)。為了清楚說(shuō)明，在示出多個(gè)項(xiàng)目實(shí)例的情況中，可以只有實(shí)例中的一些被標(biāo)示。

圖1根據(jù)實(shí)施例示意性地描繪等離子體處理系統(tǒng)100的主要構(gòu)件。系統(tǒng)100被描繪為單一晶片、半導(dǎo)體晶片等離子體處理系統(tǒng)，但對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言將顯而易見的是，本文中的技術(shù)及原理可施用于任何類型的等離子體產(chǎn)生系統(tǒng)(例如并不一定處理晶片或半導(dǎo)體的系統(tǒng))。亦應(yīng)了解的是，圖1是簡(jiǎn)化圖，僅示出了系統(tǒng)100的所選的、主要的構(gòu)件；實(shí)際處理系統(tǒng)相較于系統(tǒng)100將因而看起來(lái)不同且很可能包含額外的構(gòu)件。

處理系統(tǒng)100包括用于晶片接口115、用戶接口120、等離子體處理單元130、控制器140及一或更多個(gè)電源150的殼體110。處理系統(tǒng)100由各種設(shè)施所支持，所述設(shè)施可包括氣體(一或多種)155、電源170、真空160及可選的其他物。為了清楚說(shuō)明，未示出處理系統(tǒng)100內(nèi)的內(nèi)部管道及電性連接。

處理系統(tǒng)100被描繪為所謂的間接(或遠(yuǎn)程)等離子體處理系統(tǒng)，其在第一位置處產(chǎn)生等離子體，且將等離子體和/或等離子體產(chǎn)物(例如離子、分子片斷、自由基、經(jīng)激勵(lì)物種及類似物)引導(dǎo)至處理步驟發(fā)生的第二位置。因此，在圖1中，等離子體處理單元130包括遠(yuǎn)程等離子體源132，該遠(yuǎn)程等離子體源132為處理腔室134供應(yīng)等離子體和/或等離子體產(chǎn)物。處理腔室134包括一或更多個(gè)晶片基座135，晶片接口115在其上放置工件50以供處理。工件50例如是半導(dǎo)體晶片，但任何其他類型的工件亦可經(jīng)受等離子體處理。操作時(shí)，氣體(一或多種)155被引進(jìn)等離子體源132，且射頻產(chǎn)生器(rfgen)165供應(yīng)電力以點(diǎn)燃等離子體源132內(nèi)的等離子體。等離子體和/或等離子體產(chǎn)物從等離子體源132傳到處理腔室134，在該處理腔室134處，工件50被處理。通?，F(xiàn)今的系統(tǒng)例如可通過(guò)噴嘴133和/或擴(kuò)散板137來(lái)傳輸?shù)入x子體和/或等離子體產(chǎn)物，以試圖均勻地散播及施用它們。實(shí)際的等離子體系統(tǒng)可提供許多其他可選特征或子系統(tǒng)，通過(guò)所述其他可選特征或子系統(tǒng)，等離子體、等離子體產(chǎn)物和/或載體或額外處理氣體在等離子體源132及處理腔室134之間流動(dòng)和/或混合。

描繪為系統(tǒng)100的部分的構(gòu)件是通過(guò)示例的方式來(lái)列出的，且并非窮盡的。亦可包括許多其他可能的構(gòu)件(例如：壓力和/或流量控制器；氣體或等離子體歧管或分布裝置；離子抑制板；電極、磁心和/或其他電磁裝置；機(jī)械、壓力、溫度、化學(xué)、光學(xué)和/或電子傳感器；晶片或其他工件的處理機(jī)構(gòu)；檢視和/或其他存取端口；及類似物)，但為了清楚說(shuō)明并未圖示。影響處理腔室134中的狀況的各種控制方案是可能的。例如，可通過(guò)監(jiān)測(cè)處理腔室134中的壓力及向上或向下調(diào)整所有氣體流動(dòng)直到所測(cè)量的壓力是在所需壓力的某公差內(nèi)為止來(lái)維持壓力。可通過(guò)增加加熱器及溫度傳感器來(lái)控制溫度。光學(xué)傳感器可在等離子體產(chǎn)生時(shí)和/或在等離子體與工件相互作用時(shí)檢測(cè)等離子體的發(fā)射峰。

還為了清楚說(shuō)明而未示出系統(tǒng)100內(nèi)所描繪的構(gòu)件的內(nèi)部連接及協(xié)作。除了rf產(chǎn)生器165及氣體155以外，其他代表性設(shè)施(例如真空160和/或通用電源170)可與系統(tǒng)100連接。類似于系統(tǒng)100中所繪示的構(gòu)件，繪示為與系統(tǒng)100連接的設(shè)施是旨在說(shuō)明性而非窮盡的；其他類型的設(shè)施(例如加熱或冷卻流體、加壓空氣、網(wǎng)絡(luò)能力、廢料處理系統(tǒng)及類似物)亦可與系統(tǒng)100連接，但為了清楚說(shuō)明而未圖示。類似地，雖然以上說(shuō)明提及的是，等離子體在遠(yuǎn)程等離子體源132內(nèi)被點(diǎn)燃，但以下所討論的原理可等效施用于所謂的“直接”等離子體系統(tǒng)，該系統(tǒng)在實(shí)際的工件處理位置中產(chǎn)生等離子體。

雖然間接等離子體處理系統(tǒng)被描繪于圖1中及此公開的其他處，但對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言應(yīng)是清楚的是，本文中所公開的技術(shù)、裝置及方法亦可施用于直接等離子體處理系統(tǒng)(例如，等離子體是在工件(一或多個(gè))的位置處點(diǎn)燃的情況)。類似地，在實(shí)施例中，可重新組織、重新分布和/或復(fù)制處理系統(tǒng)100的組件，例如：(1)以提供具有多個(gè)處理腔室的單一處理系統(tǒng)；(2)以對(duì)單一處理腔室提供多個(gè)遠(yuǎn)程等離子體源；(3)以在單一處理腔室內(nèi)提供多個(gè)工件固定件(例如晶片基座135)；(4)以利用單一遠(yuǎn)程等離子體源來(lái)向多個(gè)處理腔室供應(yīng)等離子體產(chǎn)物；和/或(5)以按串行/并行的組合提供等離子體及氣體源，使得各種源氣體可被活化(例如至少暫時(shí)作為等離子體的部分而存在)零、一、二或更多次，且在它們進(jìn)入處理腔室之前或之后與其他源氣體混合，及類似物。尚未是等離子體的部分的氣體在本文中有時(shí)稱為“未活化”氣體。

圖2根據(jù)實(shí)施例示意性地描繪直接出口環(huán)狀等離子體源200的所選構(gòu)件。等離子體源200是遠(yuǎn)程等離子體源132(圖1)的示例。在本文中將用以描述圖2中及其他處所示的特征的有用坐標(biāo)系統(tǒng)將軸向位置定義為沿環(huán)軸1、將徑向方向2定義為標(biāo)示距環(huán)軸1的距離及將方位方向3定義為標(biāo)示圍繞環(huán)軸1的旋轉(zhuǎn)方向。本文中所公開的等離子體源將被認(rèn)為是限定了一環(huán)軸，該環(huán)軸經(jīng)過(guò)等離子體源的形心(不一定穿過(guò)等離子體源的物理特征)，其中等離子體源的等離子體產(chǎn)生腔相對(duì)于環(huán)軸大致為環(huán)狀、徑向?qū)ΨQ的，且在垂直于環(huán)軸的平面中圍繞環(huán)軸延伸。環(huán)狀構(gòu)件的主要圓周21被限定為在其外邊界處圍繞環(huán)軸在方位上延伸，例如如針對(duì)以下的等離子體阻擋件210(1)所示的；為了清楚說(shuō)明，在圖2中，主要圓周21并不圖示為一路延伸于等離子體阻擋件210(1)的周圍。次要圓周在相對(duì)于環(huán)軸1的單一方位位置圍繞構(gòu)件(例如等離子體阻擋件210(1))延伸，例如如次要圓周22(圖2)所示。

等離子體源200包括等離子體阻擋件210(1)、磁構(gòu)件220(1)及電感線圈230。磁構(gòu)件220(1)至少部分地圍繞等離子體阻擋件210(1)延伸，且電感線圈230至少部分地圍繞磁構(gòu)件220(1)纏繞。雖然磁構(gòu)件220(1)是以環(huán)狀圖示，但磁構(gòu)件220不一定要是環(huán)狀的、具有圓形橫截面或完全圍繞等離子體阻擋件210延伸。等離子體阻擋件210(1)可被抽空，且等離子體源氣體可被引進(jìn)等離子體阻擋件210(1)。在等離子體源氣體在等離子體阻擋件210(1)內(nèi)的情況下，電流通過(guò)電感線圈230，在磁構(gòu)件220(1)內(nèi)誘發(fā)磁通量，這反過(guò)來(lái)在等離子體阻擋件210(1)內(nèi)誘發(fā)了電流，點(diǎn)燃了等離子體。

等離子體源200可因此被看作類似于變壓器，其中一次電流流過(guò)電感線圈230且二次電流在等離子體阻擋件210(1)內(nèi)流動(dòng)。有益地，等離子體源200將二次電流約束在等離子體阻擋件210(1)內(nèi)所點(diǎn)燃的氣體和/或等離子體內(nèi)，因此，有益地，等離子體阻擋件210(1)并不由限定完整方位電路的導(dǎo)體所形成。在某些實(shí)施例中，等離子體阻擋件210(1)由介電材料制造，然而，如以下所討論的，鋁通常是一種用以制作等離子體阻擋件210(1)的至少一部分的便利材料。當(dāng)?shù)入x子體阻擋件210(1)由鋁或另一實(shí)質(zhì)導(dǎo)電的材料制作時(shí)，外場(chǎng)可被耦合進(jìn)等離子體阻擋件210(1)，且可通過(guò)包括一或更多個(gè)介電斷路器240來(lái)中斷方位電路路徑，所述介電斷路器圍繞等離子體阻擋件210(1)的次要圓周延伸。

等離子體阻擋件210(1)限定多個(gè)輸出孔(于多個(gè)方位位置處，但是是在其單一軸向側(cè)上)，等離子體產(chǎn)物通過(guò)所述輸出孔而分布，以供用于等離子體處理中。例如，在圖2中，輸出孔是不可見的，但與出口250連接以在箭頭所示的方向上分布等離子體產(chǎn)物。通過(guò)圍繞等離子體阻擋件210(1)的一個(gè)軸向側(cè)在多個(gè)方位位置處提供輸出口，等離子體源200有益地提供出口250的圓形分布，使得其中所提供的等離子體產(chǎn)物距產(chǎn)生它們的等離子體是等距的。這允許直接將圓形圖案的等離子體產(chǎn)物耦合至處理腔室，使得等離子體產(chǎn)物以圓形及空間上寬廣的圖案到達(dá)處理腔室，同時(shí)該圖案的所有點(diǎn)距離等離子體實(shí)質(zhì)上是等距的。

本文中的直接出口環(huán)狀等離子體源實(shí)施例的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于跨寬廣及圓形對(duì)稱的圖案提供等離子體產(chǎn)物，在該圖案中，所有點(diǎn)距離等離子體實(shí)質(zhì)上是等距的。這最小化了重組效應(yīng)及壁效應(yīng)上的差異，所述效應(yīng)在其他情況下會(huì)在不同的位置處影響處理結(jié)果。雖然典型的電感等離子體系統(tǒng)可利用環(huán)狀等離子體腔室來(lái)產(chǎn)生等離子體產(chǎn)物，但這樣的系統(tǒng)通常通過(guò)單一端口或噴嘴來(lái)分布等離子體產(chǎn)物，該端口或噴嘴提供了從等離子體到工件上的各種位置的不同距離。

本文中的實(shí)施例的另一優(yōu)點(diǎn)在于，在相對(duì)的高壓產(chǎn)生等離子體而沒有因?yàn)殡x子被高電場(chǎng)加速而造成的對(duì)內(nèi)部表面的過(guò)量濺射損害的能力。本文中的實(shí)施例例如可操作在0.5托(torr)或更少到100托或更多的壓力狀態(tài)下。其他類型的電感耦合等離子體源往往將等離子體阻擋件暴露于高電場(chǎng)，這樣的場(chǎng)通常由位于等離子體阻擋件附近的電感線圈所引起。經(jīng)歷如此場(chǎng)的等離子體中的離子在場(chǎng)的方向上加速，往往撞擊內(nèi)部等離子體阻擋件壁且濺射其材料。濺射損害造成了降低的設(shè)備壽命和/或過(guò)量的維護(hù)需求，招致勞動(dòng)及材料成本及工具停機(jī)時(shí)間。相較之下，除了沿環(huán)狀等離子體腔的方向，本文中的設(shè)計(jì)最小化了等離子體阻擋件對(duì)于電場(chǎng)的暴露，使得由磁構(gòu)件所操控的磁通量在等離子體本身內(nèi)產(chǎn)生二次電流，而不引發(fā)會(huì)造成對(duì)等離子體阻擋件表面的濺射的電場(chǎng)。這反過(guò)來(lái)允許本文中的至少某些實(shí)施例使用主要由具有未處理表面的鋁(與較昂貴的材料相反)或具有特殊處理表面的鋁制作的等離子體阻擋件。受處理表面仍是個(gè)選項(xiàng)。

本文中的磁構(gòu)件220通常由鐵素體形成。電感線圈230通常由銅形成，可選地為了減少外表皮的電阻率而鍍以銀。磁構(gòu)件220及電感線圈230兩者及等離子體阻擋件210的某些區(qū)域或部分可包括用于冷卻氣體或流體的通道(如本文中進(jìn)一步討論的)，以移除由操作期間的電及磁損失所產(chǎn)生的熱。如上所述，等離子體阻擋件210可由具有未處理表面或具有表面處理(例如陽(yáng)極化，或氧化鋁、氮化鋁或氧化釔涂層)的鋁來(lái)制造。其他材料選擇亦是可能的，且可通過(guò)考慮成本、可加工性、導(dǎo)電性、熱膨脹、散熱特性及與所要的氣體及等離子體產(chǎn)物的兼容性來(lái)作出所述材料選擇。

圖3示意性地描繪直接出口環(huán)狀等離子體源300的所選構(gòu)件。等離子體源300與等離子體源200(圖2)共享許多相同構(gòu)件，但包括等離子體阻擋件210(2)、具有各自的電感線圈230的兩個(gè)磁構(gòu)件220(1)。環(huán)軸1、徑向方向2及方位方向3再次圖示于圖3中以供參考。為了對(duì)稱及高效的等離子體產(chǎn)生，磁構(gòu)件220(1)圍繞等離子體阻擋件210(2)在方位上彼此相反地進(jìn)行設(shè)置。此外，等離子體源300的等離子體阻擋件210(2)包括四個(gè)介電斷路器240；兩個(gè)介電斷路器240位于磁構(gòu)件220(1)附近，同時(shí)其他兩個(gè)圍繞等離子體阻擋件210(2)的圓周從磁構(gòu)件220(1)以90度間隔進(jìn)行設(shè)置。

圖4示意性地描繪直接出口環(huán)狀等離子體源400的所選構(gòu)件。等離子體源400與等離子體源200及300共享許多相同構(gòu)件，但包括兩個(gè)磁構(gòu)件220(2)，所述磁構(gòu)件220(2)是u或馬蹄形的而非環(huán)狀的。使用u或馬蹄形磁構(gòu)件幫助利用直接出口環(huán)狀等離子體源的某些構(gòu)造，如以下所進(jìn)一步描述的。

圖5示意性地描繪直接出口環(huán)狀等離子體源500的所選構(gòu)件。為了清楚說(shuō)明，環(huán)軸1、徑向方向2及方位方向3并不再次圖示于圖5中，但仍如圖2中般限定。等離子體源500與等離子體源200、300及400共享許多相同構(gòu)件。等離子體阻擋件210(3)包括具有介電斷路器240(其中的兩者在圖5的視圖中被磁構(gòu)件220(3)所隱藏)的金屬區(qū)段245。等離子體阻擋件210(3)在軸向側(cè)211(1)(被標(biāo)示，但隱藏在圖5的視圖中)上是扁平的。等離子體阻擋件210(3)限定了區(qū)段245中的入口孔260。等離子體阻擋件210(3)還在軸向側(cè)211(2)上限定了出口孔270，如所示的。圖5中所示的入口孔260及出口孔270的位置及數(shù)量?jī)H是說(shuō)明性的；為了清楚說(shuō)明，并非此類孔的所有實(shí)例皆被示出或標(biāo)示。實(shí)際上，入口孔260可經(jīng)安置以提供將均勻的源氣體引入等離子體阻擋件210(3)，但可在其他情況下經(jīng)布置以方便與等離子體源500的其他組件整合。出口孔270通常較圖5中所示的更多，經(jīng)布置以提供將均勻的等離子體產(chǎn)物分布至相鄰的處理腔室，且可被限定于區(qū)段245或介電斷路器240中(參照?qǐng)D6及7)。斷線6-6及7-7表示分別取得圖6及7中所示的剖面圖的平面。

圖6及7是分別于圖5的斷線6-6及7-7處所取得的直接出口環(huán)狀等離子體源500的示意性剖視圖。圖6圖示穿過(guò)介電斷路器240(在圖5的視圖中隱藏在磁構(gòu)件220(3)之下)中的一者所取得的剖面。環(huán)軸1及徑向方向2再次圖示于圖6及7中以供參考；方位方向彎進(jìn)或彎出圖6及7的平面，從環(huán)軸1的左邊到右邊改變符號(hào)。某些出口孔270由等離子體阻擋件210(3)的軸向側(cè)211(2)上的介電斷路器240所限定，如所示的。還圖示出等離子體腔280及形成于其中的等離子體299。圖7圖示穿過(guò)金屬區(qū)段245中的一者而取得的剖面。某些出口孔270由等離子體阻擋件210(3)的軸向側(cè)211(2)上的介電斷路器240所限定，如所示的。還圖示出等離子體腔280及形成于其中的等離子體299。

圖6及7亦圖示通過(guò)磁構(gòu)件220(3)的冷卻管275。冷卻管275可提供氣體或流體的流體連接，以移除由磁構(gòu)件220(3)所耗散的熱；對(duì)于本文中所述的任何磁構(gòu)件，構(gòu)想了提供冷卻通道的特征，雖然為了清楚說(shuō)明而在許多情況下不圖示。類似地，冷卻管可提供于電感線圈230和/或各種其他等離子體源組件中；為了清楚說(shuō)明，在本文中圖示及描述了某些這樣的布置同時(shí)不圖示及描述其他的布置。

圖8示意性地描繪直接出口環(huán)狀等離子體源600的部分，其中等離子體腔280通過(guò)在板610附近安置等離子體阻擋件210(4)來(lái)限定。環(huán)軸方向10及徑向方向2再次圖示于圖8中以供參考。實(shí)際的環(huán)軸經(jīng)過(guò)等離子體腔280的形心(在圖8的視圖外面)；方位方向彎進(jìn)或彎出圖8的平面。為了可制造性及維護(hù)的目的，提供由可容易加工及替換的組件所限定的等離子體腔可能是有益的。等離子體源600因此通過(guò)將等離子體阻擋件210(4)提供為相對(duì)簡(jiǎn)單的形狀來(lái)限定等離子體腔280，具有將等離子體阻擋件210(4)密封至板610的能力，該板610在其中限定出口孔270。將等離子體阻擋件210(4)密封至板610的能力由板610中的溝槽615所提供，所述溝槽615接納一或更多個(gè)o型環(huán)620。當(dāng)?shù)入x子體腔280被抽空時(shí)，外部大氣壓將等離子體阻擋件210(4)對(duì)著o型環(huán)620推壓(force)以形成密封。在圖8中所示的實(shí)施例中，板610由介電材料形成。用于板610以及介電斷路器240的合適材料包括陶瓷，特別是氮化鋁或氧化鋁，或熔凝石英。形成介電材料的板610允許等離子體阻擋件210(4)的介電斷路器240中斷方位電流，以便等離子體299可形成；也就是說(shuō)，若板610由金屬形成且電耦合至等離子體阻擋件210(4)，則由磁構(gòu)件所誘發(fā)的電流僅會(huì)在因此而形成的方位電路周圍快速移動(dòng)，減少了將電場(chǎng)耦合進(jìn)等離子體腔280。介電斷路器240在本文中完全延伸于等離子體阻擋件210的次要圓周周圍；在方位方向上，介電斷路器240需要具有充足的寬度以抑制等離子體阻擋件210的鄰近金屬段產(chǎn)生電弧，例如約四分之一英寸到一英寸。

圖9示意性地描繪直接出口環(huán)狀等離子體源700，其具有通過(guò)在板710附近安置等離子體阻擋件210(5)來(lái)限定的等離子體腔280。環(huán)軸方向10及徑向方向2再次圖示于圖9中以供參考；方位方向彎進(jìn)及彎出圖9的平面。板710由導(dǎo)體形成，且在其接觸等離子體阻擋件210(5)的表面處包括介電阻擋層720。介電阻擋層720因此使等離子體阻擋件210(5)相對(duì)于形成板710的導(dǎo)體的短路現(xiàn)象失效，以中斷在其他情況下會(huì)形成的方位電流。等離子體源700因此通過(guò)將等離子體阻擋件210(5)提供為相對(duì)簡(jiǎn)單的形狀來(lái)限定等離子體腔280，具有將等離子體阻擋件210(5)密封至板710的能力，該板710在其中限定出口孔270。將等離子體阻擋件210(4)密封至板710的能力由等離子體阻擋件210(5)中的溝槽715所提供，所述溝槽715接納一或更多個(gè)o型環(huán)620。當(dāng)?shù)入x子體腔280被抽空時(shí)，外部大氣壓將板710對(duì)著o型環(huán)620推壓以形成密封。圖9中所描繪的設(shè)計(jì)允許等離子體阻擋件210(5)及板710被保持在不同電位；這允許控制通過(guò)輸出孔270朝處理位置發(fā)射的等離子體產(chǎn)物內(nèi)自由基對(duì)離子的比率。圖9還圖示冷卻管775，該冷卻管775提供板710的氣體或流體冷卻。冷卻管775可被提供于本文中的其他組件(例如等離子體阻擋件、等離子體源或等離子體腔室的頂或底板、或等離子體腔室的側(cè)壁)中。

圖10示意性地描繪直接出口環(huán)狀等離子體源800，圖示了向其中的等離子體腔供應(yīng)源氣體的入口氣體歧管810。徑向方向2及方位方向3圖示于圖10中以供參考；環(huán)軸1延伸出圖10的平面。圖10中所描繪的頂視圖在等離子體阻擋件210(6)的相對(duì)側(cè)上圖示磁構(gòu)件220(3)，具有任一側(cè)上的成對(duì)的氣體歧管810。氣體歧管810中的每一個(gè)通過(guò)一或更多個(gè)入口820接收源氣體；雖然只有一個(gè)入口820描繪于圖10中，但要了解的是，入口820可在數(shù)量及位置上改變。氣體歧管810通過(guò)其中的孔將源氣體分布進(jìn)等離子體阻擋件210(6)，如現(xiàn)在討論的。斷線11-11指示等離子體源800的橫截面，其更詳細(xì)地描繪于圖11中。

圖11是沿圖10的斷線11-11的示意性剖視圖，描繪直接出口環(huán)狀等離子體源800。環(huán)軸1及徑向方向2再次圖示于圖11中以供參考；方位方向彎進(jìn)或彎出圖11的平面，從環(huán)軸1的左邊到右邊改變符號(hào)。入口氣流通過(guò)入口孔820被引進(jìn)氣體歧管810，接著通過(guò)由等離子體阻擋件210(6)所限定的孔830傳進(jìn)等離子體腔280。入口孔820在圖11的視圖中圖示為垂直的(例如與環(huán)軸1平行)，但可以其他角度來(lái)限定以在等離子體腔280中促進(jìn)混合或其他效果(亦參照?qǐng)D12及13)。氣體歧管810可經(jīng)建構(gòu)以僅包含小的氣體容積，以便源氣體流(例如由上游閥或其他氣體管理設(shè)備所引入的)中的改變快速地傳進(jìn)等離子體腔280。氣體歧管810可包括壓力傳感器，以提供關(guān)于其中的壓力的信息，從而促進(jìn)對(duì)影響等離子體處理的因素的了解。氣體歧管810的材料選擇對(duì)于與其相關(guān)聯(lián)的等離子體阻擋件210而言是相同的；例如金屬(例如鋁)(具有或不具經(jīng)處理表面)、或電介質(zhì)(例如氧化鋁、氮化鋁及其他陶瓷)是可能的選擇。當(dāng)氣體歧管810及其相關(guān)聯(lián)的等離子體阻擋件210皆由金屬制作時(shí)，可能需要將氣體歧管810與等離子體阻擋件210隔離和/或在氣體歧管810中提供介電斷路器，以避免完成方位電路，如以上所討論的。

圖12示意性地描繪直接出口環(huán)狀等離子體源的等離子體阻擋件210(7)，該等離子體阻擋件210(7)具有內(nèi)聯(lián)氣體入口孔850以供引入源氣體。環(huán)軸1、徑向方向2及方位方向3再次圖示于圖12中以供參考。內(nèi)聯(lián)氣體入口孔850實(shí)質(zhì)上與等離子體腔280方位對(duì)準(zhǔn)，如所示的。通過(guò)氣體入口孔850引入源氣體流給予被注入氣體以方位速度，從而促進(jìn)在等離子體阻擋件210(7)內(nèi)進(jìn)行充分混合。在實(shí)施例中，內(nèi)聯(lián)氣體入口孔850可被準(zhǔn)確地方位對(duì)準(zhǔn)，如圖12中所示的，然而在其他實(shí)施例中，內(nèi)聯(lián)氣體入口孔可僅被部分對(duì)準(zhǔn)，例如在其與等離子體腔280相交處限定角度。以任何相對(duì)于環(huán)軸具有非零方位分量的角度經(jīng)過(guò)內(nèi)聯(lián)氣體入口孔850的源氣體將在其被引入等離子體腔280時(shí)在氣體中產(chǎn)生至少一些方位速度。

圖13示意性地描繪直接出口環(huán)狀等離子體源的具有多個(gè)內(nèi)聯(lián)氣體入口孔850的等離子體阻擋件210(8)。環(huán)軸1、徑向方向2及方位方向3再次圖示于圖13中以供參考。可以預(yù)期，可利用任何數(shù)量的內(nèi)聯(lián)氣體入口孔850，且內(nèi)聯(lián)氣體入口孔850可與處于其他角度的氣體入口孔和/或與氣體歧管810的變體結(jié)合使用，如圖10及11中所示。

圖14示意性地描繪直接出口環(huán)狀等離子體源900的等離子體阻擋件210(9)，圖示了出口孔270可如何相對(duì)于形成其一個(gè)軸向側(cè)的板910的表面法線以多個(gè)角度920限定。環(huán)軸的方向10及徑向方向2再次圖示于圖14中以供參考；方位方向彎進(jìn)及彎出圖14的平面。以多個(gè)角度形成出口孔270可幫助將等離子體產(chǎn)物廣泛地分布進(jìn)相鄰等離子體處理裝置中，以促進(jìn)均勻的處理。

圖15a是直接出口環(huán)狀等離子體源1000的示意性底視圖說(shuō)明，其中限定了四個(gè)出口孔270。圖15的視圖示意性地描繪直接出口環(huán)狀等離子體源1000的底板，其中該板的另一側(cè)上的等離子體阻擋件的大概邊界由斷線所暗示。即使僅使用四個(gè)出口孔270，相較于僅從一個(gè)孔抽取輸出的現(xiàn)有技術(shù)的遠(yuǎn)程等離子體源，等離子體源1000也可提供顯著更均勻的處理。環(huán)軸1延伸進(jìn)圖15a及15b的平面中；徑向方向2及方位方向3圖示于圖15a中以供參考，但為了清楚說(shuō)明而在圖15b中被省略。圖15b是直接出口環(huán)狀等離子體源1100的示意性底視圖說(shuō)明，其中限定了超過(guò)六十個(gè)出口孔270。圖15b的視圖示意性地描繪直接出口環(huán)狀等離子體源1100的底板，其中該板的另一側(cè)上的等離子體阻擋件的大概邊界由斷線所暗示。相對(duì)應(yīng)等離子體阻擋件的幾何形狀及材料、磁構(gòu)件及電感線圈的數(shù)量及放置可被優(yōu)化，以在等離子體阻擋件內(nèi)產(chǎn)生均勻的等離子體分布，使得通過(guò)出口孔270所抽取的等離子體產(chǎn)物在空間上跨等離子體源1100是均勻的。在實(shí)施例中，直接環(huán)狀等離子體源可包括數(shù)百或數(shù)千個(gè)出口孔270。

圖16以橫截面視圖示意性地描繪等離子體晶片處理系統(tǒng)1200，其包括兩個(gè)直接出口環(huán)狀等離子體源1201及1202。為了清楚說(shuō)明，僅標(biāo)示處理系統(tǒng)1200的代表組件，且圖16不是按比例繪制的。環(huán)軸1及徑向方向2再次圖示于圖16中以供參考；方位方向彎進(jìn)或彎出圖16的平面，從環(huán)軸1的左邊到右邊改變符號(hào)。等離子體晶片處理系統(tǒng)限定處理腔室1234，該處理腔室1234圍繞環(huán)軸1徑向?qū)ΨQ；因此等離子體源1201可被視為外等離子體源，同時(shí)等離子體源1202可被視為內(nèi)等離子體源，其中等離子體源1201及1202的環(huán)軸及等離子體腔室1234的對(duì)稱軸皆重合。再次地，雖然圖16是針對(duì)晶片處理的實(shí)施例，但了解的是，其他實(shí)施例可利用相同的原理以供處理其他工件。

等離子體晶片處理系統(tǒng)1200利用等離子體源1201及1202以產(chǎn)生等離子體產(chǎn)物，且被配置用于在等離子體產(chǎn)物從等離子體的位置移動(dòng)至正被處理的工件50時(shí)將等離子體產(chǎn)物與未活化氣體可選地混合。等離子體晶片處理系統(tǒng)1200限定處理腔室1234，在該處理腔室1234中，基座1235將工件50定位于處置位置處，如所示的。在腔室1234的頂面1232的頂上，等離子體源1201形成外環(huán)形，且等離子體源1202形成內(nèi)環(huán)形。等離子體源1201及1202可在具有或不具有氣體歧管(如圖10及11中所示)的情況下從入口孔260或830接收源氣體(如分別于圖5及11中所示的)；這樣的結(jié)構(gòu)未示出于圖16的視圖中。等離子體源1201及1202中的每一個(gè)包括各自的等離子體阻擋件210(10)或210(11)，且利用電感線圈230及磁構(gòu)件220(3)來(lái)從其中的源氣體產(chǎn)生等離子體。等離子體源1201及1202共享共同的底板1210，該共同的底板1210限定孔270以供朝處理腔室1234分布等離子體產(chǎn)物。

底板1210中的孔270提供均勻的、軸向方向(例如在環(huán)軸的方向上)的及短的路徑，以供從等離子體產(chǎn)物起源處的等離子體將等離子體產(chǎn)物分布至正被處理的工件50。兩個(gè)等離子體源1201和1202的使用(其中等離子體源1201限定外環(huán)且等離子體源1202限定內(nèi)環(huán))在優(yōu)化對(duì)工件50的處理的中心至邊緣的均勻性方面提供了顯著的自由度?？赏ㄟ^(guò)改變工藝參數(shù)(特別是等離子體源1201及1202的)并測(cè)量在系統(tǒng)1200中所處理的測(cè)試晶片和/或產(chǎn)品晶片上的效果來(lái)優(yōu)化處理配方。可調(diào)整整體氣體流及提供至等離子體源1201和/或1202的rf能量，直到效果跨所處理的每一個(gè)工件50是均勻的為止。在實(shí)施例中，等離子體源1201及1202相較于彼此可運(yùn)行不同的反應(yīng)氣體比率，和/或相較于彼此可利用完全不同的源氣體。

處理系統(tǒng)1200亦提供通過(guò)底板1210及頂面1232的氣體入口1270，以供供應(yīng)要與等離子體產(chǎn)物混合的未活化氣體(亦參照?qǐng)D17a)。圖16及17a中所示的孔270和/或氣體入口1270的數(shù)量及分布只是表示性的，且可在實(shí)施例間變化。

為了易于組裝部件及部件的可替換性，底板1210在實(shí)施例中與腔室1234的頂面1232分離(如所示的)。也就是說(shuō)，等離子體源1201及1202可與底板1210組裝，及安裝為單一單元或從頂面1232移除為單一單元。然而，在實(shí)施例中，底板1210及頂面1232的特征可結(jié)合于單一板中。

圖16亦圖示可選的擴(kuò)散板1237，該擴(kuò)散板1237限定孔1247，以供等離子體產(chǎn)物前行進(jìn)處理腔室1234。擴(kuò)散板1237亦可包括一或更多個(gè)氣體通道1239，以傳導(dǎo)可與等離子體產(chǎn)物混合的未活化氣體。例如，如圖16中所示，氣體通道1239與輸出氣體孔1241連接，輸出氣體孔1241限定于擴(kuò)散板1237的面向腔室的一側(cè)中(亦參照?qǐng)D17b)。圖16及17b中所示的孔1247和/或輸出氣體孔1241的數(shù)量及分布僅為表示性的，且可在實(shí)施例間變化。

圖17a示意性地描繪等離子體處理系統(tǒng)1200(圖16)的頂面1232的面朝上的示意性平面圖，其中直接環(huán)狀等離子體源1201及1202的底板1210的特征是可見的。為了清楚說(shuō)明，僅標(biāo)示頂面1232及底板1210的代表性組件，且圖17并非按比例繪制。環(huán)軸、徑向及方位方向未圖示于圖17a及17b中，但可從其他附圖中所示的那些方向確定。許多孔270提供從產(chǎn)生等離子體產(chǎn)物的等離子體到正被處理的工件的用于來(lái)自等離子體源1201及1202的等離子體產(chǎn)物的在長(zhǎng)度上非常短且均勻的路徑，跨腔室1234促進(jìn)了均勻的處理。例如，在實(shí)施例中，從等離子體源1201和/或1202內(nèi)的等離子體到工件50上的任何位置的路徑可小于四英寸。提供與孔270穿插的氣體入口1270允許將未活化氣體與等離子體產(chǎn)物混合。某些實(shí)施例在等離子體產(chǎn)物及未活化氣體從圖17a中(也就是在不包括擴(kuò)散器1237的處理系統(tǒng)1200中)所示的結(jié)構(gòu)出現(xiàn)時(shí)，有益地以等離子體產(chǎn)物及未活化氣體處理晶片。其他實(shí)施例可受益于由擴(kuò)散板1237所提供的額外氣體及等離子體產(chǎn)物的混合。

圖17b示意性地描繪擴(kuò)散器1237的面朝上的示意性平面圖。為了清楚說(shuō)明，僅標(biāo)示擴(kuò)散板1237的代表性特征，且圖17b并非按比例繪制?？?247(描繪為開口圓)一路延伸穿過(guò)擴(kuò)散板1237，同時(shí)出口氣體孔1241(描繪為點(diǎn))僅延伸進(jìn)擴(kuò)散板1237的底面，在該處，從氣體通道1239將未活化氣體供應(yīng)給出口氣體孔1241。擴(kuò)散器1237促進(jìn)等離子體產(chǎn)物與未活化氣體的進(jìn)一步的混合及對(duì)等離子體產(chǎn)物對(duì)未活化氣體的比率的良好控制，這對(duì)于某些等離子體處理可能是有益的，但對(duì)于其他等離子體處理可能是不必要的。

圖18以橫截面視圖示意性地描繪等離子體晶片處理系統(tǒng)1300，其包括兩個(gè)直接出口環(huán)狀等離子體源1301及1302。再次地，雖然圖18是針對(duì)晶片處理的實(shí)施例，了解的是，其他實(shí)施例可利用相同原理以供處理其他工件。處理系統(tǒng)1300的許多特征將被辨識(shí)為實(shí)質(zhì)類似于先前所述的系統(tǒng)且不再次描述。環(huán)軸1及徑向方向2再次圖示于圖18中以供參考；方位方向彎進(jìn)或彎出圖18的平面，從環(huán)軸1的左邊到右邊改變符號(hào)。等離子體晶片處理系統(tǒng)限定處理腔室1334，該處理腔室1334圍繞環(huán)軸1徑向?qū)ΨQ；因此等離子體源1301可被視為外等離子體源，同時(shí)等離子體源1302可被視為內(nèi)等離子體源，其中等離子體源1301及1302的環(huán)軸及等離子體腔室1334的對(duì)稱軸皆重合。圖18描繪等離子體阻擋件210(12)及210(13)的額外特征，等離子體阻擋件210(12)及210(13)與下層空間開放性流體連通，而不是受底板所約束。圖18還描繪域分隔器1360。

類似于等離子體源1201及1202的各自的位置，等離子體源1301及1302在處理腔室1334頂上限定內(nèi)及外環(huán)形。等離子體源1301及1302可在具有或不具有氣體歧管810(如圖10及11中所示)的情況下從入口孔260或830接收源氣體(如分別于圖5及11中所示的)；這樣的結(jié)構(gòu)未示出于圖18的視圖中。在處理腔室1334內(nèi)，基座1335定位工件50以供處理。等離子體阻擋件210(12)和/或210(13)在其第一軸向側(cè)上形成實(shí)質(zhì)方位性連續(xù)的開口1370，也就是說(shuō)，等離子體源1301及1302在第一軸向側(cè)上實(shí)質(zhì)上并不被約束，先前所討論的等離子體源1201、1202及其他者亦是如此。開口1370在它們通過(guò)頂板1332在方位方向上顯著延伸的方面而言可以是實(shí)質(zhì)方位性連續(xù)的，然而，在此背景下，“實(shí)質(zhì)方位性連續(xù)”并不排除中斷開口1370以對(duì)于頂板1332的徑向內(nèi)部分提供機(jī)械支撐；與任一等離子體源的主要圓周的至少約75％相對(duì)應(yīng)的開口會(huì)被視為是實(shí)質(zhì)方位性連續(xù)的。此外，等離子體阻擋件210(12)及210(13)兩者限定實(shí)質(zhì)方位性連續(xù)的開口并不是關(guān)鍵的；在實(shí)施例中，等離子體阻擋件210(12)及210(13)中的一者限定實(shí)質(zhì)方位性連續(xù)的開口同時(shí)另一者不限定。因此，等離子體源1301及1302的等離子體腔與在處理腔室1334的上部分中所形成的空間1355、1357流體連通，使得等離子體產(chǎn)物將通過(guò)開口1370傳出等離子體阻擋件210(12)及210(13)而進(jìn)入空間1355及1357。從空間1355、1357，等離子體產(chǎn)物通過(guò)擴(kuò)散板1337傳進(jìn)處理腔室1334。

等離子體晶片處理系統(tǒng)1300當(dāng)然可包括用于向等離子體源1301及1302供應(yīng)源氣體的供給件(provision)(例如結(jié)合圖10-13所述的個(gè)別氣體入口孔和/或氣體歧管)及用于向等離子體產(chǎn)物增加進(jìn)一步氣體的供給件(例如圖16、17a及17b中所描繪的氣體入口1270和/或氣體通道1239)。

等離子體阻擋件210(12)及210(13)的開口設(shè)計(jì)意味著，各等離子體阻擋件下的空間1355、1357中的每一個(gè)中的壓力將實(shí)質(zhì)由到相應(yīng)等離子體阻擋件的輸入氣體流所決定。如果需要，可因此通過(guò)使用域分隔器1360來(lái)維持空間1355及1357的分離。域分隔器1360是圓形特征，該圓形特征圍繞其完整圓周接觸頂板1332及擴(kuò)散板1337兩者；圖18的橫截面圖僅圖示通過(guò)橫截平面的域分隔器1360的兩個(gè)部分。域分隔器1360通常由介電材料形成，且強(qiáng)制實(shí)行供應(yīng)至處理腔室1334的中心區(qū)域及邊緣區(qū)域的等離子體產(chǎn)物之間的分離。在實(shí)施例中，此分離可用以在處理腔室1334中單獨(dú)控制中心及邊緣處理效果，且因此用以優(yōu)化工件50處的中心至邊緣的處理均勻性。

用于向等離子體源1301及1302供應(yīng)源氣體的供給件可獨(dú)立控制，以便處理腔室的中心區(qū)域及邊緣區(qū)域處(例如大約對(duì)應(yīng)于分別最受等離子體源1302及1301影響的那些區(qū)域)的處理效果可為了最佳的處理均勻性而被調(diào)整。對(duì)等離子體源1301及1302的源氣體的獨(dú)立可控性無(wú)論域分隔器1360是否存在都可以是有益的。

從前述說(shuō)明，應(yīng)清楚的是，一、二或更多個(gè)環(huán)狀等離子體源可用以通過(guò)沿到處理腔室的短行進(jìn)路徑從等離子體源的軸向側(cè)抽取等離子體產(chǎn)物來(lái)向處理腔室提供等離子體產(chǎn)物的均勻分布。多個(gè)環(huán)狀等離子體源可經(jīng)安置以具有構(gòu)件，所述構(gòu)件例如各自的等離子體阻擋件、等離子體阻擋件的介電斷路器、磁構(gòu)件、電感線圈、冷卻裝置、輸出孔、入口氣體歧管以及為了最佳的均勻性及到處理腔室的等離子體產(chǎn)物的最短傳播路徑而布置的其他相關(guān)聯(lián)構(gòu)件。

已描述若干實(shí)施例，將由本領(lǐng)域技術(shù)人員所辨識(shí)的是，可使用各種修改、替代結(jié)構(gòu)及等效物而不脫離本發(fā)明的精神。此外，未描述許多熟知的處理及構(gòu)件，以避免不必要地模糊了本發(fā)明。據(jù)此，不應(yīng)將以上說(shuō)明視為限制本發(fā)明的范圍。

凡提供了值的范圍，了解的是，亦具體公開了該范圍的上及下限之間的各中間值(以下限單位的十分之一為單位，除非上下文另有清楚地指示)。包括任何經(jīng)陳述的值或經(jīng)陳述范圍中的中間值和該經(jīng)陳述范圍中的任何其他經(jīng)陳述或中間的值之間的每個(gè)較小范圍。這些較小范圍的上及下限可獨(dú)立地被包括或排除于范圍中，且該較小范圍中包括任一限值、皆不包括限值或皆包括限值的各個(gè)范圍亦包括在本發(fā)明中，受制于經(jīng)陳述范圍中的任何具體排除的限值。凡經(jīng)陳述的范圍包括限值中的一者或兩者，則亦包括排除被包括的限值中的任一者或兩者的范圍。

如本文中及所附權(quán)利要求中所使用的，單數(shù)形式的“一個(gè)(a)”、“一個(gè)(an)”及“該(the)”包括了復(fù)數(shù)的指涉對(duì)象，除非上下文另有清楚指示。因此，例如，對(duì)于“一處理”的指稱包括了多個(gè)這樣的處理，且對(duì)于“該電極”的指稱包括了對(duì)于一或更多個(gè)電極及其對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員而言是熟知的等效物的指稱，以此類推。并且，用字“包括(comprise)”、“包括(comprising)”、“包括(include)”、“包括(including)”及“包括(includes)”當(dāng)用在此說(shuō)明書中及以下權(quán)利要求中時(shí)，旨在指定所陳述特征、整數(shù)、組件或步驟的存在，但它們并不排除一或更多個(gè)其他特征、整數(shù)、組件、步驟、動(dòng)作或群組的存在或增加。