本發(fā)明涉及具備內(nèi)部內(nèi)置電路元件的基體和形成于基體的端子的電子部件。

背景技術(shù)：

以往的電子部件中有層疊絕緣體層和導體圖案，或?qū)⒕砝@有導線的部件配置于內(nèi)部來形成內(nèi)部內(nèi)置電路元件的基體，并遍及該基體的端面和與端面相鄰的4個面來形成端子的部件。

在安裝這種電子部件的電子設(shè)備中，隨著小型化，安裝基板與其上部基板、屏蔽殼體等的距離、與相鄰地安裝的其它電子部件的距離減小。在將以往的電子部件安裝于這樣的電子設(shè)備的安裝基板的情況下，存在上部基板、屏蔽殼體與形成于電子部件的上表面的端子接觸，而在與上部基板、屏蔽殼體之間短路，或相鄰的電子部件的端子彼此接觸，而在電子部件間短路的問題。

為了解決這樣的問題，有如圖13所示僅在基體131的底面形成有端子132的電子部件(例如，參照日本特開2014-138168號公報。)、如圖14所示遍及基體141的底面和側(cè)面形成有端子142的電子部件(例如，參照日本特開2013-153009號公報。)。

圖13所示的以往的電子部件將導體圖案的端部經(jīng)由設(shè)置于絕緣體層的貫通孔內(nèi)的導體v引出到基體131的底面，為了連接該導體v和基體131的底面的端子132，基體內(nèi)部的構(gòu)造復雜，并且無法提高形成導體v的空間部分特性。

另外，由于圖14所示的以往的電子部件需要使線圈的卷軸與基體的安裝面平行，所以難以低背化。

為了解決這樣的問題，如圖15所示，有遍及基體151的端面和與端面相鄰的4個面賦予導電材料，并實施鍍覆、鍍錫或者鍍錫合金來形成端子152，并利用樹脂膜153覆蓋該基體151的底面以外而成的電子部件(例如，參照日本特開2013-26392號公報、日本特開2013-58558號公報)。

在以這樣的方式形成的情況下，存在覆蓋基體的樹脂膜的端部容易變薄，另外，由于端子被錫或者錫合金的鍍層覆蓋，所以在與安裝基板的布線圖案連接時，焊錫經(jīng)由端子與絕緣膜的縫隙以及錫或者錫合金的鍍層進入內(nèi)部，而破壞絕緣膜，使絕緣性惡化的問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的一個或者一個以上的實施方式的目的在于提供一種能夠防止在與上部基板、屏蔽殼體之間短路或在電子部件間短路，并且，能夠防止破壞絕緣膜而絕緣性惡化的電子部件。

本發(fā)明的一個或者一個以上的實施方式在具備內(nèi)部內(nèi)置電路元件的基體和形成于基體的端子的電子部件中，端子以遍及基體的端面和與端面相鄰的面的方式形成，在基體形成覆蓋端子的絕緣膜，端子在基體的至少安裝面從絕緣膜露出，僅在端子的從絕緣膜露出的部分形成含有錫的鍍膜。

另外，本發(fā)明的一個或者一個以上的實施方式在具備內(nèi)部內(nèi)置電路元件的基體和形成于基體的端子的電子部件中，端子以遍及基體的端面和與端面相鄰的面的方式形成，在基體形成覆蓋端子的絕緣膜，且絕緣膜在基體的至少安裝面形成有除去部，在除去部形成有鍍膜。

進一步，本發(fā)明的一個或者一個以上的實施方式在具備內(nèi)部內(nèi)置電路元件的基體和形成于基體的端子的電子部件中，端子以遍及基體的端面和與端面相鄰的面的方式形成，在表面形成第一鍍膜，在第一鍍膜上的一部分形成第二鍍膜，在基體的端子的形成有第二鍍膜的部分以外的位置形成有絕緣膜。

另外進一步，本發(fā)明的一個或者一個以上的實施方式在具備內(nèi)部內(nèi)置電路元件的基體和形成于基體的端子的電子部件的制造方法中，具備：形成在內(nèi)部內(nèi)置電路元件的基體，在基體形成端子的工序；在基體以覆蓋端子的方式形成絕緣膜的工序；除去絕緣膜形成在底面露出端子的除去部的工序；以及實施鍍覆在除去部形成鍍膜的工序。

進一步，本發(fā)明的一個或者一個以上的實施方式在具備內(nèi)部內(nèi)置電路元件的基體和形成于基體的端子的電子部件的制造方法中，具備：形成在內(nèi)部內(nèi)置電路元件的基體，在基體形成端子，在端子形成第一鍍膜的工序；在基體形成絕緣膜的工序；以及在從絕緣膜露出的端子的第一鍍膜上形成第二鍍膜的工序。

本發(fā)明的一個或者一個以上的實施方式在具備內(nèi)部內(nèi)置電路元件的基體和形成于基體的端子的電子部件中，由于端子以遍及基體的端面和與端面相鄰的面的方式形成，基體形成有覆蓋端子的絕緣膜，端子在基體的至少安裝面上從絕緣膜露出，并僅在從端子的絕緣膜露出的部分形成含有錫的鍍膜，所以能夠防止在與上部基板、屏蔽殼體之間發(fā)生短路，或在電子部件間發(fā)生短路，并且，能夠防止破壞絕緣膜，而絕緣性惡化。

另外，本發(fā)明的一個或者一個以上的實施方式在具備內(nèi)部內(nèi)置電路元件的基體和形成于基體的端子的電子部件中，由于端子以遍及基體的端面和與端面相鄰的面的方式形成，基體形成有覆蓋端子的絕緣膜，且絕緣膜在基體的至少安裝面形成除去部，并在除去部形成鍍膜，所以能夠防止在與上部基板、屏蔽殼體之間發(fā)生短路，或在電子部件間發(fā)生短路，并且，能夠防止破壞絕緣膜，而絕緣性惡化。

進一步，本發(fā)明的一個或者一個以上的實施方式在具備內(nèi)部內(nèi)置電路元件的基體和形成于基體的端子的電子部件中，由于端子以遍及基體的端面和與端面相鄰的面的方式形成，在表面形成第一鍍膜，并在第一鍍膜上的一部分形成第二鍍膜，在基體的端子的形成有第二鍍膜的部分以外的位置形成絕緣膜，所以能夠防止與電子部件的周圍的物體的短路，并且，能夠防止破壞絕緣膜，而絕緣性惡化。

另外進一步，本發(fā)明的一個或者一個以上的實施方式在具備內(nèi)部內(nèi)置電路元件的基體和形成于基體的端子的電子部件的制造方法中，由于具備：形成在內(nèi)部內(nèi)置電路元件的基體，在基體形成端子的工序；在基體以覆蓋端子的方式形成絕緣膜的工序；除去絕緣膜形成在底面露出端子的除去部的工序；以及實施鍍覆在除去部形成鍍膜的工序，所以能夠防止在與上部基板、屏蔽殼體之間發(fā)生短路，或在電子部件間發(fā)生短路，并且，能夠防止破壞絕緣膜，而絕緣性惡化。

進一步，本發(fā)明的一個或者一個以上的實施方式在具備內(nèi)部內(nèi)置電路元件的基體和形成于基體的端子的電子部件的制造方法中，由于具備：形成在內(nèi)部內(nèi)置電路元件的基體，并在基體形成端子，且在端子形成第一鍍膜的工序；在基體形成絕緣膜的工序；以及在從絕緣膜露出的端子的第一鍍膜上，形成第二鍍膜的工序，所以能夠方式與電子部件的周圍的物體的短路，并且，能夠防止破壞絕緣膜，而絕緣性惡化。

附圖說明

圖1是表示本發(fā)明的電子部件的第一實施方式的局部剖視圖。

圖2是用于對本發(fā)明的電子部件的第一實施方式的制造方法進行說明的局部剖視圖。

圖3是用于對本發(fā)明的電子部件的第二實施方式及其制造方法進行說明的局部剖視圖。

圖4是表示本發(fā)明的電子部件的第三實施方式的局部剖視圖。

圖5是表示本發(fā)明的電子部件的第四實施方式的局部剖視圖。

圖6是表示本發(fā)明的電子部件的第五實施方式的局部剖視圖。

圖7是用于對本發(fā)明的電子部件的第五實施方式的制造方法進行說明的局部剖視圖。

圖8是表示本發(fā)明的電子部件的第六實施方式的局部剖視圖。

圖9是表示本發(fā)明的電子部件的第七實施方式的局部剖視圖。

圖10是表示本發(fā)明的電子部件的第八實施方式的局部剖視圖。

圖11是用于對本發(fā)明的電子部件的第八實施方式的制造方法進行說明的局部剖視圖。

圖12是用于對本發(fā)明的電子部件的其它實施方式進行說明的部分放大剖視圖。

圖13是以往的電子部件的剖視圖。

圖14是以往的其它電子部件的剖視圖。

圖15是以往的另一其它電子部件的剖視圖。

具體實施方式

本發(fā)明的一個或者一個以上的實施方式具備內(nèi)部內(nèi)置電路元件的基體和形成于基體的端子。端子以遍及基體的端面和與端面相鄰的4個面的方式形成。形成有端子的基體以覆蓋端子的方式形成絕緣膜。端子在基體的至少安裝面從絕緣膜露出。另外，該絕緣體膜在基體的至少安裝面形成在其底面露出端子的除去部。對從該絕緣膜露出的端子形成鍍膜。而且，利用該絕緣膜所覆蓋的端子和鍍膜形成外部端子。

因此，本發(fā)明的一個或者一個以上的實施方式由于形成于基體的端子被絕緣膜覆蓋，所以能夠通過絕緣體膜與周圍電絕緣，并且，能夠通過形成于絕緣膜的除去部的鍍膜與安裝基板的布線圖案連接。另外，本發(fā)明的一個或者一個以上的實施方式由于無需將內(nèi)置于基體內(nèi)部的電路元件的形狀設(shè)為特別的構(gòu)造，所以能夠保持原樣利用如圖13、圖14那樣改進之前的以往的電子部件，并且能夠有效地應(yīng)用基體內(nèi)的空間來提高電路元件的特性。進一步，本發(fā)明的一個或者一個以上的實施方式由于端子在基體的安裝面，在絕緣膜的除去部的底面露出端子，并在該除去部形成鍍膜，所以能夠使絕緣膜的端部的厚度比以往厚，并且能夠具有用于阻止焊錫的侵入的鍍膜，并能夠防止在與安裝基板的布線圖案的連接時，焊錫進入端子與絕緣膜之間。另外進一步，通過對在除去部露出的端子上實施基底鍍層和錫或者錫合金鍍層，能夠防止端子的焊錫被腐蝕，并且，能夠提高焊錫浸潤性。進一步，在使用了容易產(chǎn)生鍍層蔓延的鐵素體等基體的情況下，由于形成端子的鍍膜的部分以外被絕緣膜覆蓋，所以在實施鍍覆時，能夠防止在基體與端子的接觸部分產(chǎn)生鍍層蔓延而端子的寬度不一致。另外，在使用密度較低的基體，且利用樹脂覆蓋基體整體來形成電子部件的情況下，無需使基體含浸樹脂。另外進一步，本發(fā)明的電子部件能夠根據(jù)除去部的形狀，使外部端子的形狀成為各種形狀。

以下，參照圖1至圖12對用于實施本發(fā)明的最佳的方式進行說明。

圖1是表示本發(fā)明的電子部件的第一實施方式的局部剖視圖，11是基體，12是端子

基體11由鐵素體等磁性體、金屬磁性體、電介質(zhì)等絕緣體形成，在內(nèi)部形成電路元件。電路元件通過層疊絕緣體層和導體圖案，并將絕緣體層間的導體圖案連接成螺旋狀作成線圈，或?qū)盈B絕緣體層和導體圖案在導體圖案間得到電容的方式作成電容器，或?qū)⑺鼈冃纬捎谝惑w作成lc電路，或在內(nèi)部配置卷繞有導線的線圈，而形成于基體的內(nèi)部。

端子12以遍及基體11的端面和與端面相鄰的4個面的方式形成。該端子12通過使用浸涂含有銀、鈀、銅等導電體的材料等技術(shù)形成電極而形成。

形成有該端子12的基體11的整體被絕緣膜13覆蓋。絕緣膜13由環(huán)氧樹脂、硅樹脂、丙烯酸樹脂等樹脂、玻璃等具有絕緣性的絕緣體形成，在基體11的安裝面的與端子12對應(yīng)的部分形成在其底面露出端子12的除去部，在該除去部形成與端子12連接的鍍膜14。鍍膜14通過在端子12的表面形成由銅、鎳等導電材料形成的基底鍍膜14a，在該基底鍍膜14a的表面形成由錫或者錫合金形成的鍍膜14b而形成。由被該絕緣膜13覆蓋的端子12和鍍膜14形成外部端子。

像這樣形成的電子部件，首先，通過層疊絕緣體層和導體圖案，并將絕緣體層間的導體圖案連接成螺旋狀作成線圈，或?qū)盈B絕緣體層和導體圖案以在導體圖案間得到電容的方式作成電容器，或?qū)⑺鼈冃纬蔀橐惑w作成lc電路，或?qū)⒕砝@有導線的線圈配置于內(nèi)部，形成在內(nèi)部形成有電路元件的基體。如圖2(a)所示，該基體以遍及基體21的端面和與端面相鄰的4個面形成端子22。端子22通過將含有銀、鈀、銅等導電材料的導電漿料通過涂覆等賦予于基體21，并進行燒結(jié)或者將含有銀、鈀、銅等導電材料和樹脂的導電漿料通過涂覆等賦予于基體21，并使其固化或者燒結(jié)而形成。

接下來，通過進行表面涂層將環(huán)氧樹脂、硅樹脂、丙烯酸樹脂等樹脂、玻璃等具有絕緣性的絕緣體賦予于形成有端子22的基體21的全體，如圖2(b)所示，形成有端子22的基體21的整體被絕緣膜23覆蓋。優(yōu)選該絕緣膜23的厚度為2～30μm。另外，進行表面涂層的方法能夠使用通過浸、噴來涂覆、電泳涂裝、滾筒式旋涂等各種方法。

接著，通過利用激光裝置、熱源裝置對絕緣膜23的與基體21的安裝面的端子22對應(yīng)的部分加熱或者通過噴砂、研磨等機械手段剝離絕緣膜23的與基體21的安裝面的端子22對應(yīng)的部分，來將該部分除去，如圖2(c)所示，形成在其底面露出端子22的表面的除去部23a。

進一步，在該除去部23a的底面露出的端子22的表面上，形成由銅、鎳等導電材料形成的基底鍍膜24a，并在該基底鍍膜24a的表面形成由錫或者錫合金形成的鍍膜24b，從而如圖2(d)所示，在除去部形成與端子22連接的鍍膜24。

圖3是用于對本發(fā)明的電子部件的第二實施方式及其制造方法進行說明的局部剖視圖。

在本實施方式中，除去部和外部端子的構(gòu)造與第一實施方式不同。首先，如圖3(a)所示，除去部在與各個端子32對應(yīng)的位置，以沿基體31的長度方向排列的方式形成多個沿基體31的寬度方向延伸的除去部。

接下來，如圖3(b)所示，在該多個除去部33a1、33a2的底面露出的端子32的表面上，形成由銅、鎳等導電材料形成基底鍍膜34a，并在該基底鍍膜34a的表面形成由錫或者錫合金形成的鍍膜34b，從而在除去部內(nèi)形成與端子32連接的鍍膜34。

在像這樣形成電子部件的情況下，由于在各個端子上，形成過個沿基體的寬度方向延伸的鍍膜，所以能夠在利用焊錫連接安裝基板的布線圖案時，使焊錫圓角侵入鍍膜間，并能夠穩(wěn)定地安裝安裝基板。

圖4是表示本發(fā)明的電子部件的第三實施方式的局部剖視圖。

基體41由鐵素體等磁性體、金屬磁性體、電介質(zhì)等絕緣體形成，并在內(nèi)部形成電路元件。

端子42以遍及基體41的端面和與端面相鄰的4個面的方式形成。該端子42通過使用含有銀、鈀、銅等導電體的材料形成電極來形成。

形成有該端子42的基體41的整體被絕緣膜43覆蓋。絕緣膜43由環(huán)氧樹脂、硅樹脂、丙烯酸樹脂等樹脂、玻璃等具有絕緣性的絕緣體形成，在基體41的安裝面以及各個與安裝面相鄰的面的與端子42對應(yīng)的部分形成在其底面露出端子42的除去部，并在該除去部形成與端子42連接的鍍膜44。鍍膜44通過在端子42的表面形成由銅、鎳等導電材料形成的基底鍍膜44a，并在該基底鍍膜44a的表面形成由錫或者錫合金形成的鍍膜44b而形成。由被該絕緣膜43覆蓋的端子42和鍍膜44形成外部端子。該外部端子遍及電子部件的安裝面和與安裝面相鄰的面形成為l字狀。另外，該外部端子的形狀能夠根據(jù)除去部的形狀而改變，若延伸到與安裝面對置的面則能夠形成“コ”形狀的外部端子。

圖5是表示本發(fā)明的電子部件的第四實施方式的局部剖視圖。

基體51由鐵素體等磁性體、金屬磁性體、電介質(zhì)等絕緣體形成。

端子52以遍及基體51的端面和與端面相鄰的4個面的方式形成。該端子52通過使用含有銀、鈀、銅等導電體的材料形成電極而形成。

形成有該端子52的基體51在形成有端子52的基體52的兩端部，以覆蓋端子52的方式分別形成絕緣膜53。各個絕緣膜53由環(huán)氧樹脂、硅樹脂、丙烯酸樹脂等樹脂、玻璃等具有絕緣性的絕緣體形成，并在基體51的安裝面的與端子52對應(yīng)的部分形成在其底面露出端子52的除去部，并在該除去部形成與端子52連接的鍍膜54。除去部形成為比絕緣膜53的安裝面的面積小。鍍膜54通過在端子52的表面形成由銅、鎳等導電材料形成的基底鍍膜54a，并在該基底鍍膜54a的表面形成由錫或者錫合金形成的鍍膜54b來形成。由被該絕緣膜53覆蓋的端子52和鍍膜54形成外部端子。

在像這樣形成的情況下，能夠防止焊錫進入端子與絕緣膜之間，并且，能夠節(jié)約絕緣膜的絕緣材料。

圖6是表示本發(fā)明的電子部件的第五實施方式的局部剖視圖。

基體61由鐵素體等磁性體、金屬磁性體、電介質(zhì)等絕緣體形成，并在內(nèi)部形成電路元件。

端子62以遍及基體61的端面和與端面相鄰的4個面的方式形成。該端子62通過使用含有銀、鈀、銅等導電體的材料形成電極而形成。在端子62的表面形成基底鍍膜64a?；族兡?4a由銅、鎳等導電材料形成，與基體61的安裝面對應(yīng)的部分的厚度比其它部分的厚度厚。

該基體61通過絕緣膜63覆蓋全體，基底鍍膜64a的厚度較厚的部分的表面在除去部內(nèi)露出。絕緣膜63由環(huán)氧樹脂、硅樹脂、丙烯酸樹脂等樹脂、玻璃等具有絕緣性的絕緣體形成。在該除去部內(nèi)露出的基底鍍膜64a的厚度較厚的部分的表面形成由錫或者錫合金形成的鍍膜64b。通過該基底鍍膜64a和由錫或者錫合金形成的鍍膜64b形成鍍膜64，由該鍍膜64和端子62形成外部端子。

像這樣形成的電子部件首先形成在內(nèi)部形成有電路元件的基體。該基體如圖7(a)所示，以遍及基體71的端面和與端面相鄰的4個面的方式形成端子72。端子72通過將含有銀、鈀、銅等導電材料和樹脂的導電漿料通過涂覆等賦予基體71，并使其固化或者燒結(jié)來形成。

接下來，如圖7(b)所示，在端子72的表面上形成由銅、鎳等導電材料形成的基底鍍膜74a1。

接著，在基體71的整體通過表面涂層賦予環(huán)氧樹脂、硅樹脂、丙烯酸樹脂等樹脂、玻璃等具有絕緣性的絕緣體，并如圖7(c)所示，利用絕緣膜73覆蓋基體71的整體。優(yōu)選該絕緣膜73的厚度為2～30μm。另外，進行表面涂層的方法能夠使用通過浸、噴來涂覆、電泳涂裝、滾筒式旋涂等各種方法。

進一步，利用激光裝置、熱源裝置對與絕緣膜73的基體71的安裝面的端子72對應(yīng)的部分加熱或者通過噴砂、研磨等機械手段剝離與絕緣膜73的基體71的安裝面的端子72對應(yīng)的部分，來除去該部分，如圖7(d)所示，形成在其底面露出基底鍍膜74a1的表面的除去部73a。

接著，通過在該除去部73a的底面露出的基底鍍膜74a1的表面上形成由銅、鎳等導電材料形成的基底鍍膜74a2，并在該基底鍍膜74a2的表面形成由錫或者錫合金形成的鍍膜74b，如圖7(e)所示，在除去部形成與端子72連接的鍍膜74。此時，基底鍍膜74a1和基底鍍膜74a2可以由相同的材質(zhì)形成，也可以由不同的材質(zhì)形成。另外，也可以通過在基底鍍膜74a1的表面形成由錫或者錫合金形成的鍍膜74b，而在除去部形成與端子72連接的鍍膜74。

在像這樣形成電子部件的情況下，即使在形成于除去部73a內(nèi)的基底鍍膜74a2和由錫或者錫合金形成的鍍膜74b的形成不充分而在與樹脂膜之間產(chǎn)生縫隙的情況下，由于端子被基底鍍膜74a1覆蓋，所以能夠防止端子被焊錫腐蝕。

圖8是表示本發(fā)明的電子部件的第六實施方式的局部剖視圖。

基體81由鐵素體等磁性體、金屬磁性體、電介質(zhì)等絕緣體形成，在內(nèi)部形成電路元件。

端子82以遍及基體81的端面和與端面相鄰的4個面的方式形成。該端子82通過使用含有銀、鈀、銅等導電體的材料形成電極來形成。在端子82的表面形成基底鍍膜84a?；族兡?4a由銅、鎳等導電材料形成，與基體81的安裝面和與安裝面相鄰的面對應(yīng)的部分的厚度比其它部分的厚度厚。

該基體81以基底鍍膜84a的厚度較厚的部分的表面在除去部內(nèi)露出的方式，整體被絕緣膜83覆蓋。絕緣膜83由環(huán)氧樹脂、硅樹脂、丙烯酸樹脂等樹脂、玻璃等具有絕緣性的絕緣體形成。除去部形成于與基體81的安裝面以及各個與安裝面相鄰的面的端子82對應(yīng)的部分。在該除去部內(nèi)露出的基底鍍膜84a的厚度較厚的部分的表面形成由錫或者錫合金形成的鍍膜84b。由該基底鍍膜84a和由錫或者錫合金形成的鍍膜84b形成鍍膜84，由該鍍膜84和端子82形成外部端子。該外部端子以遍及電子部件的安裝面和與安裝面相鄰的面的方式形成為l字狀。另外，該外部端子的形狀能夠根據(jù)除去部的形狀而改變，若延伸到與安裝面對置的面則能夠形成“コ”形狀的外部端子。

圖9是表示本發(fā)明的電子部件的第七實施方式的局部剖視圖。

基體91由鐵素體等磁性體、金屬磁性體、電介質(zhì)等絕緣體形成。

端子92由遍及基體91的端面和與端面相鄰的4個面的方式形成。該端子92通過使用含有銀、鈀、銅等導電體的材料形成電極而形成。在端子92的表面形成基底鍍膜94a?；族兡?4a由銅、鎳等導電材料形成，與基體91的安裝面和與安裝面相鄰的面對應(yīng)的部分的厚度比其它部分的厚度厚。

該基體91在端子92的一部分形成絕緣膜93，在基體91的兩端部以基底鍍膜94a的厚度較厚的部分的表面在除去部內(nèi)露出。各個絕緣膜93由環(huán)氧樹脂、硅樹脂、丙烯酸樹脂等樹脂、玻璃等具有絕緣性的絕緣體形成。除去部被形成為基體91的安裝面剩余一部分絕緣膜93。在基底鍍膜94a的厚度較厚的部分的表面形成由錫或者錫合金形成的鍍膜94b。通過該基底鍍膜94a和由錫或者錫合金形成的鍍膜94b形成鍍膜94，由該鍍膜94和端子92形成外部端子。

圖10是表示本發(fā)明的電子部件的第八實施方式的局部剖視圖。

基體101由鐵素體等磁性體、金屬磁性體、電介質(zhì)等絕緣體形成。

端子102以遍及基體101的端面和與端面相鄰的4個面的方式形成。該端子102通過使用含有銀、鈀、銅等導電體的材料形成電極來形成。在端子102的表面形成基底鍍膜104a?；族兡?04a由銅、鎳等導電材料形成，基體101的下側(cè)部分的厚度比其它部分的厚度厚。

該基體101在基體101的上側(cè)部分形成絕緣膜103，在基體101的下側(cè)部分露出基底鍍膜104a的厚度較厚的部分的表面，并在該基底鍍膜104a的厚度較厚的部分的表面通過由錫或者錫合金形成的鍍膜104b形成鍍膜104。通過該基底鍍膜104a和由錫或者錫合金形成的鍍膜104b形成鍍膜104，由該鍍膜104和端子102形成外部端子。

這樣形成的電子部件首先形成在內(nèi)部形成有電路元件的基體。該基體如圖11(a)所示，以遍及基體111的端面和與端面相鄰的4個面的方式形成端子112。端子112通過將含有銀、鈀、銅等導電材料和樹脂的導電漿料通過涂覆等賦予基體111，并使其固化或者燒結(jié)來形成。在該端子112的表面上形成由銅、鎳等導電材料形成的基底鍍膜114a1。

接下來，在基體111的上側(cè)通過表面涂層賦予環(huán)氧樹脂、硅樹脂、丙烯酸樹脂等樹脂、玻璃等具有絕緣性的絕緣體，如圖11(b)所示，利用絕緣膜113覆蓋基體111的上側(cè)部分。優(yōu)選該絕緣膜113的厚度為2～30μm。另外，進行表面涂層的方法能夠通過浸、噴來涂覆、電泳涂裝、滾筒式旋涂等各種方法。

接著，通過在基體111的下側(cè)部分露出的基底鍍膜114a1的表面上形成由銅、鎳等導電材料形成的基底鍍膜114a2，并在該基底鍍膜114a2的表面形成由錫或者錫合金形成的鍍膜114b，如圖11(c)所示，形成與端子112連接的鍍膜114。此時，基底鍍膜114a1和基底鍍膜114a2可以由相同的材質(zhì)形成，也可以由不同的材質(zhì)形成。在基底鍍膜114a1和基底鍍膜114a2是由相同的材質(zhì)形成的情況下，如圖10所示，在基底鍍膜形成厚度較厚的部分，該基底鍍膜的厚度較厚的部分從絕緣膜113露出。另外，在利用不同的材質(zhì)形成基底鍍膜114a1和基底鍍膜114a2的情況下，也可以由銅形成基底鍍膜114a1，并由鎳形成基底鍍膜114a2。

進一步，通過在該基底鍍膜114a1的表面形成由錫或者錫合金形成的鍍膜114b，來形成與端子112連接的鍍膜114。

像這樣形成的電子部件由于在端子整體形成了基底鍍層后，在基體形成絕緣膜，所以即使在絕緣膜113與基底鍍膜114a2、由錫合金形成的鍍膜114b之間有縫隙，在安裝基板與布線圖案連接時，焊錫也不會到達端子，而端子也不會被焊錫腐蝕。另外，由于在形成了絕緣膜之后再次形成基底鍍膜，并形成有由錫或者錫合金形成的鍍膜，所以也能夠提高焊錫浸潤性。

以上，對本發(fā)明的電子部件及其制造方法的實施方式進行了敘述，但本發(fā)明并不限于該實施方式。例如，也可以在第一實施方式至第七實施方式中，形成于絕緣膜的除去部的鍍膜如圖12(a)所示被形成為鍍膜124的表面成為與絕緣膜123的表面相同的面，或如圖12(b)所示鍍膜124的表面形成于除去部123a內(nèi)，或如圖12(c)所示形成為鍍膜124的表面從絕緣膜123的表面突出。在鍍膜124的表面從絕緣膜123的表面突出的情況下，也可以將其表面的面積形成為比除去部的面積大，或從鍍膜的絕緣膜的表面突出的部分由錫或者錫合金形成的鍍膜構(gòu)成。

另外，在第一實施方式至第四實施方式中，也可以形成為使基底鍍膜14a、34a、44a、54a延伸到端子與絕緣膜之間并覆蓋端子。

進一步，在第八實施方式中，也可以在基底鍍膜114a1的表面形成由錫或者錫合金形成的鍍膜114b。

另外進一步，端子也可以加工成使金屬板覆蓋基體的端面和與端面相鄰的4個面，并將其安裝于基體的兩端來形成，也可以以遍及基體的端面和與端面相鄰的至少一個面的方式形成電極等來形成為l字、コ等各種形狀。

附圖標記說明：11…基體；12…端子。