本發(fā)明涉及基板保持裝置、基板運送裝置、處理組件和用于處理基板的方法。
背景技術(shù)：
：：基板或多個基板(例如晶片或其他板狀基板)通常在例如涂覆工藝(或用于處理基板的任何其他工藝)期間可以借助于基板載具而被保持。本文的基板載具可以用于將基板或多個基板保持在例如涂覆腔室中的預(yù)定義位置處，或者用于運送所述基板或多個基板通過涂覆腔室，和/或用于在涂覆腔室中移動所述基板或多個基板。傳統(tǒng)上使用的是其中僅以散放方式放置了基板的基板載具，例如，其中在該情況下的基板可以例如憑借在真空腔室正被通風(fēng)時被接納的空氣而容易地掉出基板載具。因此，傳統(tǒng)基板載具可具有蓋元件，其相應(yīng)地擱在基板上壓住后者，或者將基板壓在基板載具上?？商娲?，晶片可以夾在兩個柔性結(jié)構(gòu)之間(例如兩個橡膠圈之間)并因此被固定在例如安裝架中。在基板載具與各基板或者與用于各基板的支撐表面之間的機械固定會相應(yīng)地產(chǎn)生損害基板的機械應(yīng)力。例如，即使支撐表面的微小變形也會造成其上擱置的基板上的斑點狀應(yīng)力，和/或造成基板的未完全擱置于其上的那些部分的寄生涂覆(不充分濺鍍)?；遢d具傳統(tǒng)上連同實現(xiàn)對一個挨一個地被保持的基板的一面(也就是說所述基板的正面)的涂覆的涂覆裝置一起使用。如果需要涂覆反面，則將基板翻轉(zhuǎn)并再次僅對一面進行處理，即使是在例如執(zhí)行相同或不同的反面涂覆的情況下?？商娲?，基板載具連同實現(xiàn)對一個挨一個地被保持的基板的兩面(也就是說所述基板的正面和反面)的涂覆的涂覆裝置一起使用。然而，如果要在被設(shè)想用于對基板排層(tier)的兩面進行涂覆的涂覆裝置中執(zhí)行僅一面涂覆(即，僅僅示例性地基板的前側(cè)被涂覆)，則涂覆裝置的處理能力減半。這犧牲了所述涂覆裝置的經(jīng)濟性。技術(shù)實現(xiàn)要素：根據(jù)各個實施例，提供了在基板載具(也可以被稱為承載框或載具)與其一個或多個基板放置區(qū)域(也可以被稱為口袋)之間的機械和/或幾何去耦。為此，提供了一個或多個保持框(也可以被稱為遮罩(mask))，借助于保持框可以將相應(yīng)基板保持在基板放置區(qū)域中。機械去耦例如實現(xiàn)了與基板載具的任何變形無關(guān)的在每個基板放置區(qū)域(各個口袋)中的可靠的基板支撐。由此，例如減小了作用在基板的支撐上的(例如高達200℃的溫度下的)熱機械變形(換句話說，熱翹曲)的影響。幾何去耦分別實現(xiàn)了與基板載具無關(guān)的對基板或基板放置區(qū)域執(zhí)行的修改和/或改進。可替代地或附加地，在各個基板放置區(qū)域或保持框受到磨損或損壞的情況下，所述各個基板放置區(qū)域或保持框相應(yīng)地可以各自被替換。這使得基板載具能夠繼續(xù)被使用并且無需修改和/或更換。根據(jù)各個實施例，例如還可以關(guān)于一個或多個基板的外圍覆蓋范圍精確地定位一個或多個基板(例如晶片)(換句話說，基板可以完全通過外圍區(qū)域而擱置)。此外，根據(jù)各個實施例，提供了保持框，其支撐表面使得關(guān)于基板而提供的容差能夠被適應(yīng)性調(diào)整。這可以有助于使用具有生產(chǎn)相關(guān)的偏差(例如來自不相同的生產(chǎn)單位)的基板?？商娲鼗蚋郊拥兀?，由此可以借助于機器人拾取和放置來有助于對基板載具自動化的拾取和與基板的放置。例如，容差可以適應(yīng)于在正通過(用于晶片處置的)自動化裝置放置基板時的變化和/或適應(yīng)于所述基板的產(chǎn)生偏差，而例如無需修改基板載具。此外，標準基板載具可以用于不相同的基板類型和/或方法，例如使得其中放置的保持框被調(diào)整為所需的狀況和/或被更換。例如，甚至可以借助于基板載具共同地運送不相同的基板類型。相應(yīng)地，這實現(xiàn)了更大靈活性，減小了匹配基板載具的庫存，并且減小了用于操作或改裝的成本。根據(jù)各個實施例，可以提供對基板兩側(cè)上的遮蔽(masking)，例如使得將附加的上遮罩(例如第二或第三保持框)放置在基板上(并且例示性地部分覆蓋后者)。例如，可以提供在兩側(cè)上具有遮蔽的基板保持(例示性地，夾持)。根據(jù)各個實施例，提供了精確和可重現(xiàn)的遮蔽。例如，下遮罩和上遮罩可以(借助于例如對中特征)彼此對準。這允許基板的和/或被后續(xù)處理的基板的上側(cè)和下側(cè)的疊合遮蔽。可替代地或附加地，例如，上遮罩和下遮罩的對中允許借助于機器人拾取和放置進行的對基板載具的自動化的拾取和與遮罩的放置(自動化處置)。根據(jù)各個實施例，例如在運送期間和/或在處理期間，基板可以更穩(wěn)定地保持在所放置的位置上。因此可以防止(例如由于在運送期間的振動和/或由壓差引起的振動而導(dǎo)致的)力使得基板脫位。例如，上遮罩可以放置在基板上，前者使基板被壓制(限制器效果)，例如抵制基板跳出基板載具。根據(jù)各個實施例，保持框的和其中放置的基板的幾何結(jié)構(gòu)以以下方式可適應(yīng)于彼此：使得所述保持框和所述基板用作彼此的防止處理的屏障。例如，基板的外圍區(qū)域可以穩(wěn)定地保護保持框的支撐表面和/或插入輪廓不受處理的影響。例如，因此可以提供防止下遮罩的遮罩基座(插入輪廓)不受濺鍍的覆蓋范圍影響的保護。根據(jù)各個實施例，以下方式提供保持框：使得可以減少由于寄生涂覆而導(dǎo)致的在前者中的基板的支撐的任何缺陷。例示性地，可以在保持框中(例如在下遮罩基座(口袋))中提供凹陷(例如凹陷和/或底切)。當在沒有上遮罩的情況下(通過例如濺鍍)涂覆基板時，凹陷減少了材料在支撐表面上(例如在遮罩基座中)的沉積(寄生涂覆)。因此，可以防止寄生涂覆形成局部抬高，這會導(dǎo)致基板的支撐的修改(偏離水平支撐表面)。根據(jù)各個實施例，保持框的生產(chǎn)可以被簡化并且顯得更為成本有效。保持框(例如上遮罩)可以例示性地由可適合真空的塑料材料和/或復(fù)合材料通過例如注塑成型法來生產(chǎn)。因此可以以高精度和/或相對低的投資成本以成本有效方式進行大批量生產(chǎn)。保持框的大批量生產(chǎn)可以通過注塑成型來快速生產(chǎn)并且所述保持框是可運送的。根據(jù)各個實施例，生產(chǎn)起來成本有效的保持框可以被用作一次性使用部件(新的部件)。這實現(xiàn)了在要提供的尺寸準確性和表面粗糙度方面的經(jīng)檢驗的均衡的質(zhì)量。因此，在多次使用的部件的情況下在保持框的回收利用(重整)中，例如由于在外圍工藝情況中的機械變形的風(fēng)險、由于運送、由于清潔、由于重復(fù)劃破、由于倉儲、以及由于每次回收利用事件之后對保持框的重檢而可能發(fā)生的以及可預(yù)見的和不可預(yù)見的偶發(fā)性成本可以被減小?？商娲鼗蚋郊拥?，塑料材料和/或復(fù)合材料允許保持框的化學(xué)清潔(例如借助于蝕刻劑)。在保持框的回收利用(重整)中可預(yù)見和不可預(yù)見的例如由于在外圍工藝情況中的機械變形的風(fēng)險、由于清潔、由于重復(fù)劃破、以及由于每次回收利用事件之后對保持框的重檢而導(dǎo)致的偶發(fā)性成本可以被減小。塑料材料和/或復(fù)合材料可以例示性地用作蝕刻停止層。根據(jù)各個實施例，提供了具有空腔的承載板和具有框開口的用于將基板保持在空腔中的保持框。保持框可以可選地包括塑料材料或復(fù)合材料或者由塑料材料或復(fù)合材料形成?？梢钥蛇x地使用第二保持框。保持框可以可選地具有凹陷?？蛇x地提供對每一插入?yún)^(qū)域的兩個基板的一側(cè)上同時處理以用于提高生產(chǎn)率。根據(jù)各個實施例，基板保持裝置可以具有以下：具有空腔的承載板，其中空腔從承載板的上側(cè)延伸通過承載板到達承載板的下側(cè)；保持框(也被稱為第一保持框)，其具有框開口和用于將基板保持在空腔中的支撐表面，所述支撐表面圍繞框開口；其中所述保持框在被插入空腔中時部分地擱置在所述承載板上。根據(jù)各個實施例，所述基板保持裝置還可以具有另一保持框(也被稱為第二保持框)，其部分地擱置在所述保持框上。根據(jù)各個實施例，兩個保持框(第一保持框和第二保持框)可以被調(diào)整適于使得在被布置在所述空腔中時在兩個保持框之間提供用于容納所述基板的外圍部分的容納空間。根據(jù)各個實施例，所述另一保持框可以具有用于在所述基板(也被稱為第一基板)上方保持另一基板(也被稱為第二基板)的另一支撐表面(也被稱為第二支撐表面)。根據(jù)各個實施例，兩個保持框可以被適應(yīng)性調(diào)整使得它們在所述另一保持框被放置在所述保持框上時以形狀配合的方式相互咬合。根據(jù)各個實施例，兩個保持框可以具有相互成對匹配的多個對中結(jié)構(gòu)(centeringstructure)，使得當所述另一保持框被放置在所述保持框上時，兩個保持框彼此對中。根據(jù)各個實施例，兩個保持框的相應(yīng)內(nèi)圓周壁可以具有倒角。根據(jù)各個實施例，基板保持裝置還可以包括：又一保持框(也被稱為第三保持框)，其中所述又一保持框在被插入所述空腔中時被布置在所述另一保持框上方以使得在所述又一保持框與所述另一保持框之間提供用于容納所述另一基板的外圍部分的容納空間。根據(jù)各個實施例，基板保持裝置還可以具有通風(fēng)口，其用于對所述保持框與所述另一保持框之間的間隙進行排空。根據(jù)各個實施例，保持框還可以具有凹陷，其與所述支撐表面相鄰并且至少部分地圍繞后者。根據(jù)各個實施例，所述凹陷可以與所述保持框的內(nèi)圓周壁相鄰。根據(jù)各個實施例，所述空腔可以為基本上立方體形狀并且具有四個角落部分，其中所述保持框僅在所述空腔的角落部分中擱置在所述支撐板上。根據(jù)各個實施例，兩個保持框以與所述空腔匹配的方式可以包括具有四個外角部分的基本上立方體形狀的外部輪廓，并且其中兩個保持框在所述四個外角部分中各自具有相互成對匹配的對中結(jié)構(gòu)。根據(jù)各個實施例，所述支撐表面可以是平面的。根據(jù)各個實施例，所述保持框可以包括金屬或者由金屬形成。根據(jù)各個實施例，所述保持框可以包括塑料材料和/或復(fù)合材料，或者由塑料材料和/或復(fù)合材料形成。根據(jù)各個實施例，基板保持裝置還可以具有兩個保持區(qū)域，所述承載板在所述兩個保持區(qū)域處被支撐以便運送所述承載板，其中所述空腔布置在所述兩個保持區(qū)域之間。根據(jù)各個實施例，一種基板運送裝置可以具有以下：根據(jù)各個實施例的基板保持裝置；以及運送系統(tǒng)，其用于運送所述基板保持裝置，其中所述運送系統(tǒng)具有兩個保持元件以使得所述基板保持裝置的承載板僅被保持在所述兩個保持區(qū)域中。根據(jù)各個實施例，一種處理組件可以具有以下：處理腔室，用于在所述處理腔室的處理區(qū)域中處理多個基板的兩側(cè)；以及根據(jù)各個實施例的基板運送裝置，其用于在所述處理區(qū)域(也被稱為處理區(qū)域)中運送和/或定位所述多個基板。根據(jù)各個實施例，所述處理組件還可以具有以下：兩個處理裝置(也被稱為處理裝置)，其中所述運送系統(tǒng)適于在所述兩個處理裝置之間運送和/或定位所述基板保持裝置。根據(jù)各個實施例，一種用于處理基板的方法可以包括以下步驟：將用于保持基板的保持框插入承載板中的空腔中，其中所述保持框具有用于放置基板的支撐表面；將所述基板插到所述保持框的支撐表面上；以及在所述基板借助于所述保持框而被保持在所述空腔中時，通過所述框開口對所述基板進行處理，和/或在后者借助于所述保持框而被保持在所述空腔中時運送所述基板。根據(jù)各個實施例，一種基板保持裝置可以具有以下：承載板；彼此平行地延伸的兩個支撐區(qū)域，在所述兩個支撐區(qū)域處可以支撐所述基板保持裝置以便后者被運送；以及布置在所述兩個支撐區(qū)域之間的多個基板放置區(qū)域，所述基板放置區(qū)域中的每一個具有空腔，其從所述承載板的上側(cè)延伸通過所述承載板到達所述承載板的下側(cè)，并且所述基板放置區(qū)域中的每一個具有保持框，所述保持框具有框開口和用于將基板保持在所述空腔中的支撐表面，所述支撐表面圍繞所述框開口；其中所述保持框在被插入所述空腔中時部分地擱置在所述承載板上。根據(jù)各個實施例，提供了一種基板保持裝置(也被稱為基板保持器、基板載具或晶片載具)，借助于其可以保持基板或多個基板，其中所述基板保持裝置具有承載板，承載板具有一個或多個空腔，相應(yīng)基板可以借助于被插入相應(yīng)空腔中的兩個框(相應(yīng)地，也被稱為保持框或保持遮罩、或下框和上框、或下遮罩和上遮罩)而被保持在所述空腔中，其中基板布置在兩個框之間。例如，相應(yīng)基板可以擱置在下框(所述下框)上并且與放在其上方的上框(所述上框)沒有任何直接的物理接觸。本文中的基板保持裝置可以被適應(yīng)性調(diào)整以使得承載板中的兩個框(或至少一個框)在被插入承載板的相應(yīng)空腔中時被對中并且采取預(yù)定義的位置和/或?qū)?。本文中的上框可以排他地擱置在下框上，或者換句話說，兩個框中僅一個可以接觸承載板，使得在承載板存在任何修改時，例如在承載板彎曲時，兩個框的相對位置不被修改。這會是需要的，以為了能夠提供在兩個框之間的用于容納基板的一部分的容納空間(例如，所述容納空間僅比基板厚度高一個微小的量)；例如，容納在兩個框之間的容納空間中的基板與上框之間可能具有小于0.5mm的間隔。換句話說，兩個框之間的容納空間可以比待容納的基板的基板厚度高出小于約0.5mm(例如0.1mm至0.5mm)。根據(jù)各個實施例，例如，兩個框可以適于待容納的基板的形狀和厚度以使得第一框?qū)Ρ挥糜诘谝换澹c第一框?qū)Σ幌嗤牡诙驅(qū)Ρ挥糜谂c第一基板不相同的第二基板。根據(jù)各個實施例，上框和下框可以被適應(yīng)性調(diào)整以使得例如各自具有相互匹配的對中結(jié)構(gòu)，上框可以以形狀配合的方式與下框咬合，并且上框維持在相對于下框的預(yù)定義位置上。此外，具有一個或多個部分(例如外圍部分或角落部分)的下框可以擱置在承載板上，使得下框可以(例如，與擱置在下框上的上框共同地)被布置在承載板的空腔中。根據(jù)各個實施例，下框和承載板可以被適應(yīng)性調(diào)整以使得例如承載板中的空腔的內(nèi)輪廓可以被提供為與下框的外輪廓匹配，從而下框可以以形狀配合的方式與空腔咬合，并且下框維持在相對于空腔的預(yù)定義位置上。此外，下框與承載板之間(例如空腔的內(nèi)輪廓與下框的外輪廓之間)的間隙可以被提供為使得當承載板被修改時(例如當承載板彎曲時)下框受到的影響盡可能小。本文中的下框可以排他地與承載板的表面物理接觸。例如，因此可以借助重力來定義兩個框在承載板中的位置。例如，由于框或多個框借助重力來維持在空腔中，因此本文所述的基板載具可以適合于基板的水平處置(例如，當基板本應(yīng)該維持在其位置上時，具有基板的承載板不能豎直地放置或者翻轉(zhuǎn))。根據(jù)各個實施例，當基板布置在兩個保持框之間時，保持框可以覆蓋基板的一部分。上框可以例示性地部分覆蓋基板的上表面。例如，上框可以從上方覆蓋基板的外圍區(qū)域。此外，基板的上表面的中心區(qū)域可以維持空置，使得基板的中心區(qū)域可以被處理，例如被涂覆。下框可以例示性地部分覆蓋基板的下表面(與上表面相對)。例如，下框可以從下方覆蓋基板的外圍區(qū)域。此外，基板的下表面的中心區(qū)域可以維持空置，使得基板的中心區(qū)域可以被處理，例如被涂覆。根據(jù)各個實施例，一種基板保持裝置可以具有以下：承載板，其具有用于(至少部分地)容納第一保持框和第二保持框的空腔，以用于借助于兩個保持框?qū)⒒灞３衷诳涨恢校渲锌涨粡某休d板的上側(cè)延伸通過承載板到達承載板的下側(cè)，其中第一保持框在被插入空腔中時部分地擱置在承載板上，并且其中第二保持框部分地(例如排他地)擱置在第一保持框上，并且其中兩個保持框被適應(yīng)性調(diào)整以使得在被布置在空腔中時在兩個保持框之間(或者被插入空腔中的各保持框之間)提供用于容納基板的外圍部分的容納空間。本文中的基板可以排他地擱置在第一保持框上。第一保持框可以或者將會被稱為下框或下遮罩。第二保持框可以或?qū)环Q為上框或上遮罩。因此，例如，基板可以借助于基板保持裝置被保持并且在兩側(cè)上均被處理。此外，兩個保持框可以被適應(yīng)性調(diào)整以使得(例如具有橫向?qū)χ薪Y(jié)構(gòu)使得)當?shù)诙３挚虮环胖迷诘谝槐３挚蛏蠒r兩個保持框以形狀配合的方式相互咬合。此外，兩個保持框可以被適應(yīng)性調(diào)整以使得(例如具有橫向?qū)χ薪Y(jié)構(gòu)和擱置結(jié)構(gòu)使得)當?shù)诙３挚虮环胖迷诘谝槐３挚蛏蠒r兩個保持框在兩個不同的(例如彼此垂直的)方向上形成形狀配合。例如，可以排他地借助重力來建立本文的壓入配合(force-fit)。可替代地，保持框中的至少一個可以被夾住。此外，兩個保持框可以具有相互成對匹配的多個對中結(jié)構(gòu)(也被稱為對中元件或?qū)χ休喞?，使得當?shù)诙３挚虮环胖迷诘谝槐３挚蛏蠒r，兩個保持框(例如側(cè)向地)彼此對中。例如，在第一保持框中可以提供空腔作為對中結(jié)構(gòu)。此外，第二保持框可以具有凸起，作為與第一保持框中的空腔匹配的對中結(jié)構(gòu)。根據(jù)各個實施例，相互成對匹配的兩個對中結(jié)構(gòu)可以被適應(yīng)性調(diào)整以使得簡化了第二保持框在第一保持框上的放置和對中(例如，對中結(jié)構(gòu)可以具有或提供倒角或引入斜面)。此外，兩個保持框的相應(yīng)內(nèi)圓周壁可以具有倒角。換句話說，第一保持框和/或第二保持框可以在其內(nèi)圓周壁上被削角。因此，基板會在例如涂覆時遭受由兩個保持框引起的更小的陰影。此外，空腔可以為基本上長方盒形狀并具有四個角落區(qū)域，其中第一保持框僅在空腔的角落區(qū)域中擱置在承載板上。這可以實現(xiàn)當承載板(例如沿承載板的寬度)彎曲時兩個保持框在空腔中的更好穩(wěn)定性。此外，兩個保持框以與空腔匹配的方式可以包括具有四個外角部分的基本上長方盒形狀的外部輪廓，其中兩個保持框在四個外角部分中各自具有相互成對匹配的對中結(jié)構(gòu)。根據(jù)各個實施例，基板保持裝置可以具有以下：承載板，其具有(例如沿著承載板的寬度)一個挨一個布置的多個空腔，其中空腔的每一個適于容納第一保持框和第二保持框，并且從承載板的上側(cè)延伸通過承載板到達承載板的下側(cè)，并且其中在每個空腔中，第一保持框部分地擱置在承載板上，并且第二保持框部分地(例如排他地)擱置在第一保持框上，其中兩個保持框被適應(yīng)性調(diào)整以使得在被插入相應(yīng)空腔中時在兩個保持框之間提供(或者在被插入相應(yīng)空腔中的兩個保持框之間提供)用于容納基板的外圍部分的容納空間；其中承載板具有兩個保持區(qū)域，在兩個保持區(qū)域處承載板被支撐以用于運送承載板，其中一個挨一個布置的多個空腔被布置在兩個保持區(qū)域之間。根據(jù)各個實施例，兩個保持框和相應(yīng)空腔可以被設(shè)置為使得被插入相應(yīng)空腔中的兩個保持框與承載板(例如至少在承載板的一側(cè)上)齊平地終止。根據(jù)各個實施例，例如，兩個保持框可以被設(shè)置為使得對中結(jié)構(gòu)布置成被覆蓋，使得后者在基板被涂覆時不被共同涂覆。因此，例如，兩個保持框的被定義的彼此相對位置不會由于被涂覆的對中結(jié)構(gòu)而被修改。根據(jù)各個實施例，基板運送裝置可以具有以下：基板保持裝置(如本文中所述)；以及運送系統(tǒng)，其用于運送基板保持裝置，其中運送系統(tǒng)具有兩個保持元件以使得基板保持裝置的承載板僅在兩個保持區(qū)域中被保持。根據(jù)各個實施例，處理組件可以具有以下：處理腔室，用于在處理腔室在處理區(qū)域中處理多個基板的兩側(cè)；以及基板運送裝置(如本文中所述)，用于在處理區(qū)域中運送和/或定位所述多個基板。根據(jù)各個實施例，一種用于處理基板的方法可以包括以下步驟：將用于保持基板的第一保持框插入承載板中的空腔中，其中第一保持框具有用于放置基板的平面的支撐表面；將基板插入空腔中以到第一保持框的平面的支撐表面上；將第二保持框放置到第一保持框上，其中兩個保持框被適應(yīng)性調(diào)整以使得基板被布置在兩個保持框之間，其中在第二保持框與基板之間保留了空隙，使得基板僅擱置在第一保持框上。此外，第一保持框和/或第二保持框的插入可以借助于磁性夾具或抽吸夾具(也被稱為真空夾具)來執(zhí)行。為此，可設(shè)置在保持框上的咬合面可以適應(yīng)于夾具。此外，兩個保持框一旦被插入承載板的空腔中或者一旦被放置在后者上，就可以以對中的方式被保持在空腔中，其中兩個保持框可以被適應(yīng)性調(diào)整以使得在兩個保持框之間提供了用于容納基板的外圍部分的容納空間?；宓脑撏鈬糠挚梢杂米骼鐢R置部，并且形成基板的垂直保持部/定位部。本文中的基板的外圍部分在涂覆工藝正執(zhí)行時可以不被共同地涂覆。此外，空腔可以是長方盒形狀的并且具有四個角落區(qū)域(內(nèi)角區(qū)域)。此外，空腔可以是棱柱形的并且具有三個或多于三個角落區(qū)域(內(nèi)角區(qū)域)。例如，空腔的角落區(qū)域可以被適應(yīng)性調(diào)整為用于第一保持框的對中區(qū)域。此外，第一保持框的角落區(qū)域可以被適應(yīng)性調(diào)整為用于第二保持框的對中區(qū)域?？涨贿€可以是圓柱形的。例如，第一保持框和/或第二保持框可以具有包括四個角落部分(外角部分)的長方盒形狀的外輪廓，其中用于以對中方式放置第二保持框的相應(yīng)對中部分可以相應(yīng)地設(shè)置在第一保持框的或第二保持框的四個角落區(qū)域的每一個處。此外，第一保持框和/或第二保持框可以具有包括三個或多于三個角落部分(外角部分)的棱柱形外輪廓，其中用于以對中方式放置第二保持框的相應(yīng)對中部分相應(yīng)地被設(shè)置在第一保持框的或第二保持框的三個或多于三個角落部分中的每一個上。第一保持框的或第二保持框的角落部分相應(yīng)地可以例示性地被適應(yīng)性調(diào)整為用于以對中方式放置第二保持框的對中部分。此外，第一保持框和/或第二保持框可以具有圓柱形外輪廓。根據(jù)各個實施例，提供了一種方法、一種基板保持裝置和一種處理系統(tǒng)，其增加了每方法周期(例如當基板保持裝置正被運送通過處理系統(tǒng)的同時)能夠處理的基板的數(shù)量。因此，降低了處理成本，并且真空系統(tǒng)中的基板處理變得經(jīng)濟。這使得真空系統(tǒng)中的基板處理相對于其他處理技術(shù)更具有競爭力。根據(jù)各個實施例，基板堆疊(具有彼此相疊的至少兩個基板，并且可選地至少一個布置于其間的另一元件，例如分隔元件和/或另一基板)例示性地布置在基板保持裝置中的基板容納空腔中，使得放在下方的(也就是其下側(cè)的)基板和放在頂部的(也就是其上側(cè)的)基板可以受到處理。換句話說，每基板容納空腔可以處理至少兩個基板。通過這種方式，至少兩個基板可以彼此相疊地布置在基板保持裝置的每個空腔中，使得放在頂部的基板形成其上側(cè)可以被處理的上基板排層，并且放在下方的基板形成其下側(cè)可以被處理的下基板排層。根據(jù)各個實施例，提供了一種基板保持裝置(也被稱為基板保持器、基板載具、或晶片載具)，借助于其，每基板容納保持部的兩個基板可以彼此相疊地被保持，使得兩個基板中的每一個可以在一側(cè)上被處理?；灞３盅b置使得被設(shè)想用于對各個基板排層的兩側(cè)均進行處理的傳統(tǒng)處理系統(tǒng)能夠例如以成本有效方式被改裝，使得所述傳統(tǒng)處理系統(tǒng)的處理能力例示性地被利用到最大可能的程度。以例示性的方式，不是傳統(tǒng)基板排層的下側(cè)，而是第一基板排層(例示性的，下基板排層)被處理，并且不是傳統(tǒng)基板排層的上側(cè)，而是第二基板排層(例示性的，上基板排層)被處理。這使得沒方法周期可以被處理的基板的數(shù)量能夠翻倍。當被處理時，被共同插入或?qū)还餐迦肟涨恢械膬蓚€基板(或相應(yīng)地，兩個基板排層)彼此遮擋。這一般地使得兩個基板(或相應(yīng)地，兩個基板排層)能夠以不相同的方式被處理，例如在不同的時間點或者使用不同的技術(shù)。例如，放在頂部的基板(或相應(yīng)地，上基板排層)可以被清潔，而放在下方的基板(或相應(yīng)地，下基板排層)，可以被涂覆。兩個基板(或相應(yīng)地，兩個基板排層)的處理可以同時地(并行地)執(zhí)行，至少部分地(也就是部分地或全部地)同時執(zhí)行，順序地(串行地)執(zhí)行，或至少部分地順序執(zhí)行。根據(jù)各個實施例，一種方法可以包括以下步驟：將具有第一基板和第二基板(其例如至少部分地相互重疊)的基板堆疊布置在基板保持裝置的容納區(qū)域中，其中第一基板的第一側(cè)面對第二基板的第一側(cè)；以及處理第一基板的與第一基板的第一側(cè)相背的第二側(cè)，并且處理第二基板的與第二基板的第一側(cè)相背的且與第一基板的第二側(cè)背向的第二側(cè)。根據(jù)各個實施例，基板堆疊的布置使得第一基板(例如其第二側(cè))被放置在基板保持裝置的支撐表面上，例如在平面的支撐表面上。第一基板的第一側(cè)可以例示性地被稱為第一基板的上側(cè)，第一基板的第二側(cè)可以例示性地被稱為第一基板的下側(cè)，第二基板的第一側(cè)可以例示性地被稱為第二基板的下側(cè)，并且第二基板的第二側(cè)可以例示性地被稱為第二基板的上側(cè)。例如，第二基板可以例示性地布置在第一基板的上方。基板堆疊和/或基板保持裝置可以或者還將以另一定向布置?；灞３盅b置的容納區(qū)域可以通過基板保持裝置的空腔和/或支撐表面來定義或至少定界。例如，容納區(qū)域可以在空腔內(nèi)延伸?？商娲鼗蚋郊拥?，例如，容納區(qū)域可以至少部分地(也就是部分地或全部地)在支撐表面上延伸。根據(jù)各個實施例，第一基板和第二基板可以被插入基板保持裝置的共同容納區(qū)域中。第一基板的第二側(cè)(例如下側(cè))可以至少部分地被暴露以用于處理，和/或第二基板的第二側(cè)(例如上側(cè))可以至少部分地被暴露以用于處理?；宥询B的處置可以包括以下步驟：將第一基板插入延伸通過例如基板保持裝置的承載板(也被稱為載具或托盤)的空腔(基板容納空腔)中；以及將第二基板插入空腔中。根據(jù)各個實施例，第一基板可以被插入基板保持裝置的空腔中的保持框(下框)中，例如在其支撐表面上。下框可以例如以整塊的方式和/或通過結(jié)合(例如以材料一體化方式，例如通過焊接和/或粘附接合)連接到承載板。可替換地，下框和承載板可以在兩個部分中，例如彼此可分離。在這種情況下，下框可以例如以形狀配合和/或壓入配合的方式(例如通過夾住、螺紋連接和/或鉚接)被插入承載板。例如，下框可以在第一基板被放置之前插入空腔中。第一基板的第二側(cè)可以被插入了第一基板的下框部分地覆蓋。該方法還可以包括以下步驟：將保持框(也被稱為第二保持框)布置在(例如插入)第一基板與第二基板之間的空腔中，其中基板堆疊的布置(例如放置)包括將第二基板插入保持框中，例如將第二基板的第一側(cè)插到所述保持框的支撐表面上。通常，第一基板的和/或第二基板的處理可以包括修改第一/第二基板，或至少其表面，例如在至少一個化學(xué)性質(zhì)、結(jié)構(gòu)性質(zhì)和/或物理性質(zhì)的方面。根據(jù)各個實施例，第一基板的第二側(cè)的處理可以包括以下步驟中的至少一個：涂覆、照射、減去、清潔、加熱、轉(zhuǎn)換(例如化學(xué)地和/或結(jié)構(gòu)性地)、摻雜(例如化學(xué)地)、拋光?？商娲鼗蚋郊拥兀诙宓牡诙?cè)的處理可以包括以下步驟中的至少一個：涂覆、照射、減去、清潔、加熱、轉(zhuǎn)換(例如化學(xué)地和/或結(jié)構(gòu)性地)、摻雜(例如化學(xué)地)、拋光。第一基板的第二側(cè)的處理可以包括采用氣態(tài)涂覆材料對第一基板的第二側(cè)進行涂覆。可替代地或附加地，第二基板的第二側(cè)的處理可以包括采用氣態(tài)涂覆材料對第二基板的第二側(cè)進行涂覆。氣態(tài)涂覆材料可以相同或不相同，例如相同或不相同的成分。根據(jù)各個實施例，第一基板的處理和第二基板的處理可以至少部分地同時執(zhí)行。換句話說，第一基板的處理和第二基板的處理可以至少部分地在時間上重疊。可替代地，第一基板的處理和第二基板的處理可以順序地執(zhí)行，也就是說相互具有時間間隔。根據(jù)各個實施例，第一基板的處理和/或第二基板的處理可以在真空中(或至少在負壓下)執(zhí)行?？商娲鼗蚋郊拥?，在第一基板的下側(cè)的處理期間和/或第二基板的上側(cè)的處理期間，插入了第一基板和第二基板的基板保持裝置可以在真空中被運送和/或布置。根據(jù)各個實施例，布置在第一基板與第二基板之間的保持框(也被稱為第二保持框)可以定義第一基板與第二基板之間的間隔，使得例如在第一基板的第一側(cè)與第二基板的第一側(cè)之間形成間隙。根據(jù)各個實施例，可以在第一基板的處理和/或第二基板的處理期間，例如通過承載板中的通風(fēng)口(例如管道)和/或保持框中的通風(fēng)口(例如管道)來排空間隙。根據(jù)各個實施例，第一基板和第二基板可以相互物理接觸地布置，例如通過使所述基板的第一側(cè)至少部分地(也就是部分地或全部地)相互接觸。可替代地或附加地，可以在第一基板與第二基板之間形成間隙(例如當基板為非平面的或者相互間隔地布置時)?？商娲鼗蚋郊拥?，可以在第一基板與第二基板之間布置例如具有保持框形式的散熱器。散熱器可以熱耦合到第一基板和/或第二基板，并且散熱器可以可選地?zé)狁詈系匠休d板。為了實現(xiàn)所需的熱耦合，散熱器與第一基板和/或第二基板或者可選地承載板之間的接觸面可以對應(yīng)地被適應(yīng)性調(diào)整為較大。散熱器可以適用于從第一基板和/或從第二基板接收熱能，并且從所述基板引導(dǎo)所述熱能。例如，散熱器可以具有以熱輻射的方式再次排出所接收的熱能的至少一部分的表面。該表面為此可以形成具有冷卻片形式的輪廓。為此，散熱器可以例如在第一基板與該表面之間和/或在第二基板與該表面之間提供導(dǎo)熱路徑。散熱器可以可選地適于將所接收的熱能的至少一部分排出到承載板。為此，散熱器可以例如在第一基板與承載板之間和/或在第二基板與承載板之間提供導(dǎo)熱路徑。散熱器(例如保持框)和/或承載板可以包括例如金屬的材料或由其形成，該材料具有大于10w/(m·k)的熱導(dǎo)率，例如大于50w/(m·k)的熱導(dǎo)率，例如大于100w/(m·k)的熱導(dǎo)率，例如大于200w/(m·k)的熱導(dǎo)率，例如大于300w/(m·k)的熱導(dǎo)率，例如大于400w/(m·k)的熱導(dǎo)率。第一基板和/或第二基板可以以板狀方式來配置；例如，其第一側(cè)和/或第二側(cè)可以配置為平面的(水平的)，例如彼此平面平行。例如當在兩者之間不配置間隙時，也就是說當?shù)谝换搴偷诙逑嗷ソ佑|時，如果第一側(cè)配置為平面的，則第一基板和第二基板可以基本上完全接觸?？商娲鼗蚋郊拥?，第一基板的至少第一側(cè)和/或第二基板的至少第一側(cè)可以配置為非平面的，例如有角的和/或結(jié)構(gòu)化的，例如在第一基板和/或第二基板配置為至少部分地有角和/或結(jié)構(gòu)化的情況下。如果第一側(cè)中的至少一個配置為非平面的，則第一基板和/或第二基板可以部分地接觸。換句話說，例如，甚至當所述基板部分地相互接觸時，也可以在第一基板與第二基板之間形成間隙。根據(jù)各個實施例，第一基板和/或第二基板可以包括以下中的至少一個或者由以下中的至少一個形成：陶瓷、玻璃、半導(dǎo)體(例如非晶的、多晶的或單晶的半導(dǎo)體，比如硅)、金屬、聚合物(例如塑料材料)。例如，第一基板和/或第二基板可以是塑料膜、晶片、金屬箔、金屬薄板、或玻璃板。所述方法可以可選地包括步驟：將另一基板堆疊(具有第三和第四基板)布置在另一容納區(qū)域中，例如將所述另一基板堆疊插入延伸通過基板保持裝置的承載板的另一空腔中，以使得例如第三基板的第二側(cè)(例如下側(cè))被暴露以用于處理，并且第四基板的第二側(cè)(例如上側(cè))被暴露以用于處理。根據(jù)各個實施例的基板保持裝置可以具有如下：承載板，其具有從承載板的上側(cè)延伸通過承載板到達承載板的下側(cè)的空腔；第一保持框，其具有用于(例如在空腔中)保持第一基板的第一(例如平面的)支撐表面；和第二保持框，其在被插入空腔中時被布置在第一(例如平面的)支撐表面上方(例如至少部分地在第一保持框的空腔中和/或至少部分地在第一保持框上方)，并且其具有用于將第二基板保持在空腔中并且保持在第一基板上方的第二(例如平面的)支撐表面。第一支撐表面和第二支撐表面可以至少部分地相互重疊。根據(jù)各個實施例，第二保持框可以至少部分地擱置在承載板和/或第一保持框上，例如以使得在第二保持框與第一保持框之間提供用于容納第一基板的外圍部分的容納空間。在這種情況下，第二基板可以至少部分地(例如通過其外圍部分)擱置在第二保持框上。第一基板可以至少部分地(例如通過其外圍部分)擱置在第一保持框上。根據(jù)各個實施例，第一支撐表面和/或第二支撐表面可以借助于相應(yīng)保持框中的凹陷而設(shè)置?？商娲鼗蚋郊拥?，可以借助于凸起、圓形特征、倒角、彎折件、斑點狀接觸件、平面接觸件、線形接觸件、以及其類似的或混合的形狀來提供支撐表面。第一保持框還可以被稱為下框、下遮罩、或例示性地下保持框。第二保持框還可以被稱為上框、上遮罩、或例示性地上保持框。第一基板還可以例示性地被稱為下基板。第二基板還可以例示性地被稱為上基板。根據(jù)各個實施例，下框和承載板可以被適應(yīng)性調(diào)整以使得例如承載板中的空腔的內(nèi)輪廓可以被提供為與下框的外輪廓匹配，使得下框可以以形狀配合的方式咬合在空腔中，和/或下框相對于空腔維持在預(yù)定義位置上。本文中的下框可以與空腔的側(cè)壁物理接觸，和/或擱置在承載板的支撐表面上(也就是說，物理接觸)。根據(jù)各個實施例，上框、以及承載板和/或下框的至少一個可以被適應(yīng)性調(diào)整以使得上框可以以形狀配合的方式咬合在空腔中和/或下框中。例如，上框可以相對于空腔和/或下框而維持在預(yù)定義位置上。例如，承載板中的空腔的(和/或下框的凹陷的)內(nèi)輪廓可以被設(shè)置為與上框的外輪廓匹配?？商娲鼗蚋郊拥兀驴?、上框和承載板可以具有至少成對地相互匹配的相應(yīng)對中結(jié)構(gòu)。本文中上框可以與空腔的側(cè)壁和/或與下框物理接觸。根據(jù)各個實施例，第一基板可以通過外圍部分擱置在下框上，例如在后者的支撐表面上，和/或第二基板可以通過外圍部分擱置在上框上，例如在其支撐表面上。根據(jù)各個實施例，第一保持框和承載板可以以整塊的方式互連。可替代地，第一保持框可以插入空腔中。在這種情況下，第一保持框可以至少部分地擱置在承載板上，例如在承載板的支撐表面上。為此，承載板可以具有第一保持框至少部分地擱置在其處的支撐表面。根據(jù)各個實施例，基板保持裝置還可以具有以下：第三保持框，用于覆蓋第一基板(在該情形下也被稱為第一覆蓋框)或第二基板(在該情形下也被稱為第二覆蓋框)。第一覆蓋框在被插入空腔中時可以布置在第一(例如平面的)支撐表面上方，例如布置在第一保持框上方，以使得例如在第一覆蓋框與第一(例如平面的)支撐表面(例如第一保持框)之間提供用于容納第一基板的外圍部分的容納空間，和/或第一覆蓋框布置在第一保持框與第二保持框之間的容納空間中。換句話說，第一覆蓋框可以布置在第一與第二基板之間。第一覆蓋框在被插入空腔中時可以固定(例如夾住)第一基板?？商娲鼗蚋郊拥兀诙采w框在被插入空腔中時可以布置在第二(例如平面的)支撐表面上方，例如布置在第二保持框上方，以使得例如在第二覆蓋框與第二(例如平面的)支撐表面(例如第二保持框)之間提供用于容納第二基板的外圍部分的容納空間。第二覆蓋框在被插入空腔中時可以固定(例如夾住)第二基板。根據(jù)各個實施例，基板保持裝置可以具有第二覆蓋框和/或第一覆蓋框。根據(jù)各個實施例，當?shù)谝换灞徊贾迷谏峡蚺c下框之間時，上框可以覆蓋第一基板的至少一部分。上框可以例示性地例如從上方至少部分地覆蓋第一基板的第一側(cè)，例如其外圍區(qū)域。第二基板可以擱置在上框上，以使得例如前者的第二側(cè)維持完全空置(暴露)?？商娲兀诙采w框可以例如從上方部分地覆蓋第二基板的第二側(cè)，例如其外圍區(qū)域。在這種情況下，第二基板的上表面的(也就是在其上側(cè)上的)中心區(qū)域可以維持空置(暴露)，使得第二基板的中心區(qū)域可以被處理，例如被涂覆。根據(jù)各個實施例，例如當?shù)谝换宀贾迷谏峡蚺c下框之間時，下框可以覆蓋第一基板的一部分。下框可以例示性地部分地覆蓋第一基板的第二側(cè)，例如其外圍區(qū)域。此外，第一基板的第二側(cè)的(例如其下側(cè)的)中心區(qū)域可以維持空置(暴露)，使得第一基板的中心區(qū)域可以被處理，例如被涂覆。根據(jù)各個實施例，基板保持裝置可以具有用于對第一保持框與第二保持框之間的間隙進行排空和/或?qū)Φ谝换迮c第二基板之間的間隙進行排空的通風(fēng)口。通風(fēng)口可以至少部分地在第一支撐表面與第二支撐表面之間延伸，和/或?qū)㈤g隙連接到承載板的至少一側(cè)(例如上側(cè)和/或下側(cè))。通風(fēng)口可以至少部分地在承載板中、在第一保持框中和/或在第二保持框中延伸。例如，通風(fēng)口可以從承載板的上側(cè)和/或從承載板的下側(cè)延伸到空腔的側(cè)壁，和/或?qū)⑶罢吲c后者互連。例如，通風(fēng)口可以具有在第一保持框中和/或在第二保持框中的至少一個第一開口部分、以及在承載板中的第二開口部分，其中，當?shù)谝槐３挚蚝?或第二保持框被插入承載板的空腔中時，第一開口部分與第二開口部分對準。通風(fēng)口例如可以至少部分地以凹陷的形式和/或以管道的形式形成?？涨坏膫?cè)壁可以對空腔定界(例如沿著承載板面)，并從承載板的上側(cè)延伸到承載板的下側(cè)。根據(jù)各個實施例，處理組件可以具有以下：處理腔室；第一處理裝置和第二處理裝置，其布置在處理腔室中；本文所述的基板保持裝置；和運送裝置，其用于在第一處理裝置與第二處理裝置之間運送和/或定位基板保持裝置。例如，運送裝置可以定義運送面，用于沿著運送面運送基板保持裝置。運送面可以在第一處理裝置與第二處理裝置之間延伸。例如，在借助于第一處理裝置的處理和/或借助于第二處理裝置的處理期間，借助于運送裝置的基板保持裝置(例如基板保持裝置運送裝置，或稱為運送系統(tǒng))可以被運送通過第一處理裝置與第二處理裝置之間?？商娲鼗蚋郊拥?，例如在借助于第一處理裝置的處理和/或借助于第二處理裝置的處理期間，借助于運送裝置的基板保持裝置可以被定位于第一處理裝置與第二處理裝置之間。第一基板(例如其第一側(cè))可以借助于第一處理裝置例如從下方(例示性地，所述第一基板的下側(cè))進行處理。第二基板(例如其第一側(cè))可以借助于第二處理裝置例如從上方(例示性地，所述第二基板的上側(cè))進行處理?；宓纳蟼?cè)和下側(cè)這種術(shù)語可以涉及承載板的上側(cè)和下側(cè)。然而，承載板可以以任意方式在空間上對準。例如，運送裝置可以被適應(yīng)性調(diào)整以使得運送面豎直地(也就是橫向于重力)、水平地(也就是平行于重力)和/或以任何其他角度延伸。換言之，基板保持裝置(或相應(yīng)地，其上側(cè))可以橫向于重力、平行于重力、和/或相對于重力以任何其他角度而被對準或運送。根據(jù)各個實施例，第一處理裝置可以具有用于處理第一基板的第一處理區(qū)域，第二處理裝置可以具有用于處理第二基板的第二處理區(qū)域。運送裝置可以適用于將基板保持裝置運送到第一處理區(qū)域和第二處理區(qū)域中，和/或在第一處理區(qū)域和第二處理區(qū)域中定位基板保持裝置。換句話說，運送面可以延伸通過第一處理區(qū)域和/或第二處理區(qū)域。根據(jù)各個實施例，第一基板的第一側(cè)可以在第一處理區(qū)域中被處理，第二基板的第一側(cè)可以在第二處理區(qū)域中被處理。承載板可以具有多個空腔、多個第一保持框和多個第二保持框。多個第一保持框的各個第一保持框和多個第二保持框的各個第二保持框可以形成用于保持基板堆疊的保持框?qū)?，所述保持框?qū)Ρ环峙浣o多個空腔中的空腔。每個保持框?qū)梢员徊迦胨峙涞目涨恢?。保持框?qū)Φ牡诙３挚蚩梢灾辽俨糠值財R置在承載板上和/或保持框?qū)Φ牡谝槐３挚蛏?，以使得例如在保持框?qū)Φ牡诙３峙c保持框?qū)Φ牡谝槐３挚蛑g提供用于容納基板堆疊的第一基板的外圍部分的容納空間。第二保持框可以適用于將基板堆疊的第二基板保持在空腔中并且在第一基板上方。根據(jù)各個實施例，一種方法可以包括以下步驟：將第一基板和第二基板相對于彼此布置在基板保持裝置中，以使得例如第一基板的上側(cè)面對第二基板的下側(cè)；處理第一基板的與第一基板的上側(cè)相背的下側(cè)；以及處理第二基板的與第二基板的下側(cè)相背的上側(cè)。根據(jù)各個實施例，將第一基板插入和將第二基板插入(也就是說將基板堆疊插入)基板保持裝置可以包括：將(基板堆疊的)第一基板插入第一保持框，和/或?qū)?基板堆疊的)第二基板插入第二保持框。如上文已描述的那樣，結(jié)合涂覆系統(tǒng)提供了基板載具，涂覆系統(tǒng)實現(xiàn)了被一個挨一個保持的基板的一側(cè)或兩側(cè)(也就是所述基板的正面和背面)的涂覆。本文中的基板擱置在支撐表面上并且被上遮罩覆蓋。支撐表面和上遮罩每個均在一部分基板上提供了陰影，使得在基板的兩側(cè)上保留了對于一些應(yīng)用而言非常重要的非涂覆外圍區(qū)域。非涂覆外圍區(qū)域?qū)崿F(xiàn)了在基板兩側(cè)上的相應(yīng)涂層的空間的和電的分離(例示性的，電隔離)。上遮罩可選地具有夾住基板的功能，使得基板穩(wěn)固地擱置在支撐表面上，并且雜散蒸汽不能行進到支撐表面與基板之間而沉積在該處(寄生涂覆)。沉積在外圍區(qū)域中的雜散蒸汽會導(dǎo)致基板兩側(cè)上的涂層之間的短路，其中短路使基板對于一些應(yīng)用無用(并且例示性地引起廢品產(chǎn)生)。本文中涂覆面積的大小可以代表涂覆工藝的經(jīng)濟的重要標準，因此涂覆面積的所述大小應(yīng)當例示性地盡可能大，但是僅大到足夠外圍區(qū)域維持其電隔離效果。根據(jù)各個實施例，提供了一種基板保持裝置，其例示性地提供了盡可能大的基板面積的利用率。換句話說，可以在基板上提供盡可能大的涂覆面積。基板的外圍區(qū)域可以例示性地在一側(cè)上被涂覆，使得非涂覆外圍區(qū)域僅保留在基板的另一側(cè)上。根據(jù)各個實施例，提供了使得能夠省略上遮罩的基板保持裝置。為了涂覆基板，其上側(cè)是完全空置的，從而后者可以被完全涂覆。除了基板的上側(cè)以外，支撐表面的一部分由此也同樣是空置的，這是因為支撐表面通常配置為比基板大一點以便在基板插入之時具有更多可用的自由空間。因此，上遮罩的任何省略帶來支撐表面同樣被涂覆。因此，在清潔的各間隔之間會在支撐表面上創(chuàng)建具有數(shù)百微米可見厚度的層，其導(dǎo)致了基板與雜散蒸汽所進入的支撐表面之間的間隙。在系統(tǒng)的利用過程中，支撐表面例示性地變得更不平，并且基板與支撐表面之間的間隙尺寸變得更加大。根據(jù)各個實施例，提供了一種基板保持裝置，其支撐表面在省略了上遮罩時例示性地被涂覆得更少。因此，減小了由于基板兩側(cè)上的涂層之間的短路而導(dǎo)致的廢品率，并且需要更少的清潔間隔，節(jié)省了成本和勞動?？偟膩碚f，由此實現(xiàn)了在較低廢品率和較低操作成本下更高水平的基板利用率。根據(jù)各個實施例，一種基板保持裝置可以具有以下：彼此平行地延伸的兩個支撐區(qū)域，基板保持裝置可以在該支撐區(qū)域處被支撐以便被運送；以及布置在兩個支撐區(qū)域之間的多個基板放置區(qū)域，所述基板放置區(qū)域的每一個具有空腔和用于將基板保持在空腔中的支撐表面；并且所述基板放置區(qū)域的每一個具有與支撐表面相鄰且至少部分地圍繞后者的凹陷。因此，可以例示性地實現(xiàn)支撐表面完全被擱置于其上的基板遮擋。相比之下，當基板擱置在支撐表面上時，凹陷可以部分地被暴露。凹陷例示性地提供了在基板不與涂層接觸的情況下可以被涂覆的區(qū)域(層容納區(qū)域)(因為涂層的基座區(qū)域比支撐表面低)。基板可以例示性地(至少部分地)突出，例如突出于支撐表面以外，例如部分地橫穿凹陷。將所放置的基板的位置定義為例如與支撐表面一樣高的基板放置區(qū)域的空腔(例如其內(nèi)圓周壁)例示性地被適應(yīng)性調(diào)整以使得基板例如利用游隙配合到空腔中。在基板正被插入基板放置區(qū)域中之時和/或在基板正被從基板放置區(qū)域移除之時，游隙使得能夠防止基板與基板保持裝置(例如其內(nèi)圓周壁)之間的任何接觸，這減小了正在重新定位(放置或移除)時基板損壞的風(fēng)險(降低的基板損壞風(fēng)險)。凹陷可以布置在內(nèi)圓周壁與支撐表面之間。凹陷可以與內(nèi)圓周壁相鄰。根據(jù)各個實施例，多個基板放置區(qū)域中的至少一個(例如每一個)基板放置區(qū)域處的空腔可以延伸通過基板保持裝置。換句話說，基板放置區(qū)域可以在兩個相對方向上開放。因此可以實現(xiàn)放置于其中的基板在兩側(cè)上被處理。根據(jù)各個實施例，多個基板放置區(qū)域中的至少一個(例如每一個)基板放置區(qū)域處的凹陷可以與相應(yīng)空腔的內(nèi)圓周壁相鄰。根據(jù)各個實施例，基板保持裝置還可以具有承載板；其中多個基板放置區(qū)域中的至少一個(例如每一個)基板放置區(qū)域的支撐表面(例如以整塊的方式)連接到承載板；和/或其中多個基板放置區(qū)域中的至少一個(例如每一個)基板放置區(qū)域的支撐表面借助于保持框來提供，保持框在被插入承載板的空腔中時至少部分地擱置在承載板的支撐表面上。根據(jù)各個實施例，多個基板放置區(qū)域中的至少一個(例如每一個)基板放置區(qū)域的空腔(例如承載板的至少一個(例如每一個)空腔)可以延伸通過承載板。換句話說，基板放置區(qū)域中的承載板可以在兩個相對方向上開放。因此可以實現(xiàn)放置于其中的基板可以在兩側(cè)上被處理。根據(jù)各個實施例，多個基板放置區(qū)域中的至少一個(例如每一個)基板放置區(qū)域的支撐表面可以配置為平面的。換句話說，支撐表面的各點可以處于平的平面內(nèi)。根據(jù)各個實施例，多個基板放置區(qū)域中的至少一個(例如每一個)基板放置區(qū)域的支撐表面可以包括金屬或由金屬形成。例如，金屬可以包括鋁或由鋁形成?？商娲鼗蚋郊拥兀?，金屬可以例如包括鐵或由鐵形成，例如以鐵合金的形式，比如鋼。根據(jù)各個實施例，基板保持裝置還可以具有在兩個支撐區(qū)域之間延伸并延伸至其中的至少一個加強元件。可替代地或附加地，基板保持裝置可以具有彼此平行地延伸的多個(至少兩個，例如兩個或多于兩個)加強元件，其中至少一個(例如每一個)加強元件(例如相應(yīng)地)布置在兩個支撐區(qū)域的支持區(qū)域中。所述至少一個加強元件可以具有多個加強元件。根據(jù)各個實施例，處理組件可以具有以下：處理腔室；處理裝置，其定義了處理腔室中的處理區(qū)域；根據(jù)各個實施例的基板保持裝置；以及運送裝置，其用于在處理區(qū)域中運送和/或定位基板保持裝置，其中運送裝置適用于在基板保持裝置的兩個支撐區(qū)域中支撐基板保持裝置。根據(jù)各個實施例，處理組件還可以具有以下：另一處理裝置，其中運送裝置適用于在所述處理裝置與所述另一處理裝置之間運送和/或定位基板保持裝置。根據(jù)各個實施例，一種基板保持裝置，可以具有以下：彼此平行地延伸的兩個支撐區(qū)域，在兩個支撐區(qū)域處，基板保持裝置可以被支撐以便被運送；以及多個基板放置區(qū)域，所述基板放置區(qū)域中的每一個具有空腔和用于將基板保持在空腔中的支撐表面，并且所述基板放置區(qū)域布置在兩個支撐區(qū)域之間；并且其中多個基板放置區(qū)域中的至少一個(例如每一個)支撐表面被多個基板放置區(qū)域的內(nèi)圓周壁圍繞并且與后者間隔開(例如，使得其間形成間隙)。換言之，支撐表面可以配置為從內(nèi)圓周壁凹陷。間隙可以在支撐表面與內(nèi)圓周壁之間例如以凹陷的形式延伸。根據(jù)各個實施例，一種處理組件可以具有以下：處理腔室；布置在處理腔室中的第一處理裝置和第二處理裝置；根據(jù)各個實施例的基板保持裝置；以及運送裝置，其用于在第一處理裝置與第二處理裝置之間運送和/或定位基板保持裝置。例如，運送裝置可以定義運送表面，以用于沿著運送表面運送基板保持裝置。運送表面可以在第一處理裝置與第二處理裝置之間延伸。例如在借助于第一處理裝置的和/或第二處理裝置的處理期間，基板保持裝置可以借助于運送裝置被運送通過第一處理裝置和第二處理裝置。可替代地或附加地，例如在借助于第一處理裝置的和/或第二處理裝置的處理期間，基板保持裝置可以借助于運送裝置而在第一處理裝置與第二處理裝置之間被定位?；?例如其第一側(cè))可以借助于第一處理裝置例如從上方(例示性地，所述基板的上側(cè))被處理?；?例如其第二側(cè))可以借助于第二處理裝置例如從下方(例示性地，所述基板的下側(cè))被處理。根據(jù)各個實施例，一種方法可以包括以下步驟：將基板插入基板保持裝置的在其基板放置區(qū)域中的空腔中，其中基板具有第一側(cè)和與第一側(cè)相背的第二側(cè)；其中基板的第二側(cè)與基板放置區(qū)域的支撐表面物理接觸；并且其中基板具有與支撐表面平行的比基板放置區(qū)域的空腔小(例如比與支撐表面一樣高的內(nèi)圓周壁的相對部分的間隔小)的延伸度；處理基板的第一側(cè)，其中支撐表面和基板相對于彼此被適應(yīng)性調(diào)整以使得支撐表面通過所述處理完全被基板遮擋?；宓牡谝粋?cè)(也就是與支撐表面相背的一側(cè))可以可選地被完全暴露。該方法可以可選地還包括以下步驟：處理基板的第二側(cè)。根據(jù)各個實施例，一種方法可以包括以下步驟：將基板放置到基板保持裝置的(例如承載板的或保持框的)支撐表面上(例如在基板放置區(qū)域中)，其中支撐表面完全被基板覆蓋；以及處理基板。基板的與支撐表面相背的一側(cè)(第一側(cè))可以可選地被完全暴露?；宓奶幚砜梢园ㄔ诘谝粋?cè)上和/或在第二側(cè)上處理基板，其中第一側(cè)與第二側(cè)相背?；蹇梢酝ㄟ^第二側(cè)借由物理接觸擱置在支撐表面上。根據(jù)各個實施例，基板的(第一側(cè)的和/或第二側(cè)的)處理可以包括以下步驟中的至少一個：涂覆、照射、減去、清潔、加熱、轉(zhuǎn)換(例如化學(xué)地和/或結(jié)構(gòu)性地轉(zhuǎn)換)、摻雜(例如化學(xué)地摻雜)、拋光。換句話說，基板可以在一側(cè)或在兩側(cè)上被處理?；宓奶幚砜梢园ú捎脷鈶B(tài)涂覆材料涂覆基板的第一側(cè)?？商娲鼗蚋郊拥兀宓奶幚砜梢园ú捎脷鈶B(tài)涂覆材料涂覆基板的第二側(cè)。氣態(tài)涂覆材料可以是相同的或者不相同的，例如相同的或不相同的成分。根據(jù)各個實施例，基板的處理可以在真空中(或至少在負壓處)執(zhí)行?？商娲鼗蚋郊拥?，在基板的第一側(cè)的處理期間和/或在基板的第二側(cè)的處理期間，被插入了基板的基板保持裝置可以在真空中被運送和/或布置。根據(jù)各個實施例，基板的第一側(cè)的處理和基板的第二側(cè)的處理可以至少部分地同時執(zhí)行。換句話說，基板的第一側(cè)的處理和基板的第二側(cè)的處理可以至少部分地在時間上重疊和/或至少部分地在空間上重疊?？商娲?，基板的第一側(cè)的處理和基板的第二側(cè)的處理可以順序地執(zhí)行，也就是說相互具有時間和/或空間間隔。根據(jù)各個實施例，基板的插入可以包括：將基板放置到基板保持裝置的支撐表面上，例如平面的支撐表面上。根據(jù)各個實施例，基板可以被插入保持框(下框)中，例如在后者的支撐表面上。保持框可以被插入基板保持裝置的空腔中，例如在基板保持裝置的支撐表面上。換句話說，保持框和承載板可以在兩個部分中，例如彼此可分離。在這種情況下，保持框可以例如以形狀配合和/或壓入配合的方式(例如，插裝配合和/或利用精密配合夾緊)被插入承載板中。例如，保持框可以在基板被放置之前插入承載板的空腔中。例如，保持框可以至少部分地擱置在承載板上，例如在承載板的支撐表面上。為此，承載板可以具有保持框至少部分地擱置在其處的支撐表面?？商娲?，保持框可以例如以整塊方式和/或通過結(jié)合(例如以材料一體化方式，例如通過焊接和/或粘附接合)或者例如以形狀配合和/或壓入配合方式(例如通過螺紋連接和/或鉚接)連接到承載板。基板保持裝置的基板放置區(qū)域可以例示性地被適應(yīng)性調(diào)整以使得基板可以放置于承載板的支撐表面上，或者對基板進行保持的保持框可以放置于承載板的支撐表面上。根據(jù)各個實施例，基板可以包括以下中的至少一個或由以下中的至少一個形成：陶瓷、玻璃、半導(dǎo)體(例如非晶的、多晶的或單晶的半導(dǎo)體，比如硅)、金屬、聚合物(例如塑料材料)。例如，基板可以是塑料膜、晶片(半導(dǎo)體基板)、金屬箔、金屬薄板、或玻璃板?；蹇梢砸园鍫罘绞脚渲茫焕?，其第一側(cè)和/或第二側(cè)可以配置為平面的(水平的)，例如彼此平面平行?；宓牡诙?cè)(例如下側(cè))可以至少部分地暴露以用于處理(例如部分地被支撐表面覆蓋)，和/或基板的第一側(cè)(例如上側(cè))可以至少部分地(例如完全地)被暴露以用于處理?；宓牡诙?cè)(例示性地，下側(cè))可以被放置基板的支撐表面(例如被承載板或保持框)部分地覆蓋。支撐表面可以例示性地部分覆蓋基板的第二側(cè)，例如后者的外圍區(qū)域。此外，基板的第二側(cè)(例如其下側(cè))的中心區(qū)域可以維持空置(被暴露)，使得基板的中心區(qū)域可以被處理，例如被涂覆。該方法可以可選地包括：將至少一個另一基板(例如多個基板)布置在至少一個另一基板放置區(qū)域中(例如多個基板放置區(qū)域中)的步驟；將所述另一基板放置在例如基板保持裝置的至少一個另一空腔中(例如多個空腔中)，以使得例如所述至少一個另一基板的第二側(cè)(例如下側(cè))被部分地暴露以用于處理、并且所述至少一個另一基板的第一側(cè)(例如上側(cè))被完全暴露以用于處理的步驟。根據(jù)各個實施例，支撐表面可以是緊湊的(連續(xù)的)或者可以被空腔穿透。如果支撐表面是緊湊的，則前者可以完全覆蓋基板的第二側(cè)。如果支撐表面被空腔穿透，則支撐表面可以由基板放置區(qū)域的外圍上的彎折件提供，其中彎折件具有凹陷。如果支撐表面被空腔穿透，則支撐表面可以至少部分地(部分地或完全地)圍繞空腔。可替代地或附加地，可以借助于凸起、圓形特征、倒角、斑點狀接觸、平面接觸、線形接觸、以及其類似的或混合的形狀來提供支撐表面。如果支撐表面被空腔穿透，則基板的第二側(cè)(例如后者的下側(cè))的中心區(qū)域可以維持空置(被暴露)，使得第一基板的中心區(qū)域可以被處理(對待)，例如被涂覆。基板被插入到的保持框也可以被稱為下框或下遮罩。根據(jù)各個實施例，保持框和承載板可以被適應(yīng)性調(diào)整為使得例如承載板中的空腔的內(nèi)輪廓可以被提供為匹配保持框的外輪廓，從而保持框可以以形狀配合的方式咬合在空腔中，和/或保持框相對于空腔維持在預(yù)定義位置上(也就是精密配合)。本文中的保持框可以與空腔的側(cè)壁(也就是其內(nèi)圓周壁)物理接觸，和/或擱置在承載板的支撐表面上(也就是物理接觸)。可替代地或附加地，保持框和承載板可以相應(yīng)地具有至少成對地相互匹配的對中結(jié)構(gòu)。根據(jù)各個實施例，基板可以通過外圍部分擱置在(承載板的或保持框的)支撐表面上?？商娲鼗蚋郊拥?，保持框可以通過外圍部分擱置在承載板的支撐表面上(例如在其上側(cè)上)。承載板中的空腔的內(nèi)圓周壁(側(cè)壁)可以(例如沿著承載板面)對空腔定界，并且從承載板的上側(cè)延伸到承載板的下側(cè)。承載板的上側(cè)和/或承載板的下側(cè)可以沿著承載板面(例如與之平行地)延伸。基板的上側(cè)和下側(cè)這種術(shù)語可以涉及基板保持裝置的上側(cè)和下側(cè)，例如涉及其承載板和/或其保持框?；灞３盅b置的上側(cè)可以指基板和/或保持框可被插入基板保持裝置中的那一側(cè)。與之相比，基板保持裝置或其承載板相應(yīng)地可以以任意方式在空間上對準。例如，運送裝置可以被適應(yīng)性調(diào)整以使得運送面豎直地(也就是橫向于重力)、水平地(也就是平行于重力)和/或以任何其他角度延伸。換言之，基板保持裝置(或相應(yīng)地，其上側(cè))可以橫向于重力、平行于重力、和/或相對于重力以任何其他角度而被對準或運送。根據(jù)各個實施例，第一處理裝置可以具有用于在基板的第一側(cè)上對其進行處理的第一處理區(qū)域，并且第二處理裝置可以具有用于在基板的第二側(cè)上對其進行處理的第二處理區(qū)域。運送裝置可以適用于將基板保持裝置運送到第一處理區(qū)域和第二處理區(qū)域中，和/或在第一處理區(qū)域和第二處理區(qū)域中定位基板保持裝置。換句話說，運送面可以延伸通過第一處理區(qū)域和/或第二處理區(qū)域。根據(jù)各個實施例，基板的第一側(cè)可以在第一處理區(qū)域中被處理，基板的第二側(cè)可以在第二處理區(qū)域中被處理。基板保持裝置可以具有多個保持框(例如以平面的方式一個挨一個地布置)。承載板可以可選地具有可被插入多個保持框的多個空腔(承載板空腔)?？商娲?，多個保持框可以例如以整塊的方式連接到承載板。多個保持框中的每個保持框可以分配給多個承載板空腔中的承載板空腔。多個保持框中的每個保持框可以被插入多個承載板空腔中的所分配的承載板空腔中。根據(jù)各個實施例，提供了一種用于在真空涂覆系統(tǒng)中在一側(cè)和/或兩側(cè)上對基板(例如晶片)(例如薄基板)進行涂覆的基板保持裝置(基板保持器)。根據(jù)各個實施例，可以提供在兩側(cè)上對基板的涂覆，例如，其中跨整個面涂覆基板的上側(cè)?？商娲鼗蚋郊拥兀梢岳缃柚诒３挚蛟谕鈬?也被稱為外圍排除區(qū))上以包圍的方式覆蓋(遮蔽)基板的下側(cè)(例如下表面)。還可以通過利用附加的或可選的上遮罩來遮蔽基板的上側(cè)(夾持支撐)?？梢越柚谡诒紊蟼?cè)和/或下側(cè)來提供上側(cè)上的涂層與下側(cè)上的涂層之間的電隔離外圍(隔離空腔)。因此，可以避免基板的上側(cè)和下側(cè)上的導(dǎo)電層之間的相應(yīng)短路。例如，可以防止(遮擋)基板的所定義的包圍區(qū)域(外圍區(qū)域)以免受到涂覆(也被稱為外圍排除區(qū)或非涂覆環(huán)形區(qū))。當支撐表面為水平的(換句話說，平面的)時，陰影可以被簡化?；蹇梢园姼綦x材料和/或半導(dǎo)電材料。根據(jù)各個實施例，基板可以包括透明材料或由透明材料形成(例如用于光學(xué)部件的涂覆)。例如，基板可以包括光學(xué)部件。根據(jù)各個實施例，基板可以包括半導(dǎo)電材料或由半導(dǎo)電材料形成，例如硅和/或碳化硅。例如，基板可以包括半導(dǎo)體部件和/或光伏部件。根據(jù)各個實施例，可以在基板上形成屏障和/或封裝。每個基板可以放置在單獨的例如抗彎剛度口袋(也被稱為保持框或下遮罩)中。保持框可以具有平面的支撐表面和/或借助于支撐表面的預(yù)定義輪廓提供限定的遮蔽(例如在基板的下側(cè)上的涂層的外圍排除區(qū))。這些口袋可以以懸浮方式被固定和/或支撐在承載框(載具)中。憑借各個口袋從承載框的機械去耦，所述口袋可以獨立于承載框(載具)的變形而被支撐。例如，承載框憑借彎曲可以在水平位置上(也就是在水平延伸度上)變形?？诖鼉?nèi)的支撐表面的平面度在本文中維持恒定。換句話說，降低和/或防止了機械應(yīng)力從承載框到保持框和/或到其中支撐的基板的傳遞。因此，保護基板不受彎曲應(yīng)力和振動的影響，并且不受外圍區(qū)域中的不充分濺鍍的影響。在改進的情況下，例如對基板尺寸的改進、口袋輪廓的最優(yōu)化等，可以替換口袋而不必更換或修改承載框。換句話說，獨立于基板載具(也就是變化地)提供保持框。在相應(yīng)地磨損或損壞單獨的口袋的情況下，僅僅所述口袋而不是整個承載框(載具)必須被更換?？梢酝ㄟ^注塑成型法以成本有效的方式由可用于真空的塑料材料或復(fù)合材料(例如以層間粘合劑(ply-adhesive)表面)來生產(chǎn)作為磨損部件的口袋?？蛇x地，保持框可以具有包圍的凹陷?？商娲鼗蚋郊拥?，可以使用附加的上遮罩。附圖說明在附圖中例示并將在下文更詳細地說明本發(fā)明的示例實施例。在附圖中：圖1至圖3在相應(yīng)的示意性截面圖中示出根據(jù)各個實施例的基板保持裝置；圖4a和圖4b在相應(yīng)的示意性平面圖中示出根據(jù)各個實施例的基板保持裝置；圖5a至圖5c在相應(yīng)的示意性截面圖中示出根據(jù)各個實施例的基板保持裝置；圖6a示出根據(jù)各個實施例的在示意性細節(jié)透視圖中的基板保持裝置的相應(yīng)保持框；圖6b示出根據(jù)各個實施例的在示意性截面圖中的基板運送裝置；圖7示出根據(jù)各個實施例的在示意性流程圖中的用于處理基板的方法；圖8a和圖8b在示意性截面圖中示出根據(jù)各個實施例的相應(yīng)基板保持裝置；圖9a在示意性截面圖或示意性平面圖中示出根據(jù)各個實施例的基板保持裝置；圖9b至圖9f在示意性截面圖或示意性平面圖中示出根據(jù)各個實施例的相應(yīng)的第一保持框、第二保持框和/或載板；圖10a在示意性截面圖或示意性平面圖中示出根據(jù)各個實施例的基板保持裝置；圖10b在示意性截面圖中示出根據(jù)各個實施例的基板保持裝置；圖11a、圖11b和圖11c在示意性截面圖中示出根據(jù)各個實施例的相應(yīng)處理組件；圖12a在示意性流程圖中示出根據(jù)各個實施例的方法。圖12b在示意性截面圖或示意性平面圖中示出根據(jù)各個實施例的方法中的基板保持裝置；圖13a和圖13b在示意性截面圖中示出根據(jù)各個實施例的相應(yīng)基板保持裝置；圖14a在示意性截面圖或平面圖中示出根據(jù)各個實施例的基板保持裝置；圖14b和圖14c在示意性截面圖中示出根據(jù)各個實施例的相應(yīng)的基板保持裝置；圖15a在示意性截面圖中示出根據(jù)各個實施例的基板保持裝置；圖15b和圖15c在示意性透視圖中示出根據(jù)各個實施例的相應(yīng)的基板保持裝置；圖16a和圖16b在示意性透視圖中示出根據(jù)各個實施例的相應(yīng)的基板保持裝置；圖17a在示意性截面圖中示出根據(jù)各個實施例的相應(yīng)的基板運送裝置；圖17b在示意性截面圖中示出根據(jù)各個實施例的基板保持裝置；圖18a在示意性截面圖或平面圖中示出根據(jù)各個實施例的基板保持裝置；圖18b在示意性流程圖中示出根據(jù)各個實施例的方法；圖19a和圖19b在相應(yīng)的示意性平面圖中示出根據(jù)各個實施例的基板保持裝置；圖20a和圖20b示出根據(jù)各個實施例的相應(yīng)示圖；圖21a和圖21b示出根據(jù)各個實施例的相應(yīng)示圖；以及圖22a和圖22b示出根據(jù)各個實施例的相應(yīng)示圖。具體實施方式在以下詳細描述中，參照了附圖，附圖形成本說明書的一部分，并且出于例示目的示出了可實施本發(fā)明的特定示例實施例。就此而言，例如，諸如“在頂部”、“在底部”、“在前方”、“在后方”、“前”、“后”等方向術(shù)語是針對所述附圖的定向而使用的。由于示例實施例的部件可以按許多不同定向來定位，因此方向術(shù)語僅出于例示目的而提供，并且無論如何都不是限制性的。毫無疑問，可以使用其他示例實施例并且可以作出結(jié)構(gòu)的或邏輯的改變，而不脫離本發(fā)明的保護范圍。毫無疑問，本文所述的各個示例實施例的特征可以相互結(jié)合，除非另外進行了具體指示。因此，以下詳細描述不應(yīng)按限制意義來解釋，本發(fā)明的保護范圍由所附權(quán)利要求限定。在本說明書的上下文中，術(shù)語“連接”和“耦接”用來描述直接連接和間接連接兩者以及直接耦接或間接耦接。在附圖中，為權(quán)宜之計，對相同或相似的元件提供了相同的參考符號。根據(jù)各個實施例，本文描述的基板保持裝置可以用于在處理腔室中(例如在水平涂覆系統(tǒng)中)運送基板(例如晶片)，以例如用于借助于物理氣相沉積(pvd)和/或化學(xué)氣相沉積(cvd)涂覆基板。本文的基板保持裝置可以以如下方式提供，并且涂覆系統(tǒng)可以以如下方式適應(yīng)性調(diào)整：使得基板可以從下和/或從上被涂覆，例如同時從下和從上被涂覆，或者例如順序地從下和從上被涂覆，而不用將基板從涂覆系統(tǒng)排出。本文所述的具有基板保持裝置的基板運送裝置例示性地適于在真空涂覆系統(tǒng)中運送晶片或其他薄基板(例如厚度小于2mm，或小于1mm，或小于0.5mm)。本文中可以在無需從基板保持裝置移出基板的情況下對基板的上側(cè)和下側(cè)兩者進行涂覆。這允許例如對基板的上側(cè)和基板的下側(cè)的遮蔽。避免了對反面的相應(yīng)涂覆。換句話說，可以通過以下方式對基板運送裝置進行適應(yīng)性調(diào)整：使得所述基板運送裝置將兩個處理區(qū)域(例如，基板運送裝置上方和下方的相應(yīng)涂覆區(qū)域)彼此分開。因此可以采用不同材料從上方和下方對基板進行涂覆，而不會使已沉積在基板上的材料混合。根據(jù)各個實施例，基板保持裝置可以用于涂覆例如具有光學(xué)層和半導(dǎo)體層和/或封裝層的基板?；灞３盅b置例如可以使得能夠在真空中以小于2％的厚度差的層執(zhí)行基板雙面的均勻涂覆?？梢栽谡诒我粋?cè)或兩側(cè)的情況下從上方在整個區(qū)域上對相應(yīng)基板進行涂覆。換句話說，保持框中的一個還可以被適應(yīng)性調(diào)整為板，以使得基板的整個面被覆蓋?；灞３盅b置的構(gòu)造可以以以下方式被實施，使得晶片和遮罩(保持框)的自動加載和卸載也成為可能。在以基板的上側(cè)和下側(cè)的均勻涂覆為目的對兩側(cè)進行遮蔽的工藝中，例如，對兩側(cè)均實施相同的幾何條件(例如目標間隔、氣體分離、有效面積、動作的角度、陰影等)會是必要的或有用的。另外，確保基板在整個工藝期間例如在安全穩(wěn)定位置中被運送也會是必要的或有用的。為此，基板可以每個各自插入例如抗彎剛度下遮罩中，其中抗彎剛度下遮罩提供了平面支撐表面。此外，可以借助于下遮罩中的預(yù)定義的口袋輪廓來實施定義的遮蔽(涂覆的外圍排除區(qū))。例如，下遮罩可以以懸浮方式固定在承載框(被稱為承載板)中。下遮罩中的支撐表面的平面度獨立于承載框的變形(例如在水平位置中的彎曲)而保持恒定。因此例如去耦了對基板的損害性的彎曲應(yīng)力。換句話說，基本上沒有機械應(yīng)力從承載框傳遞到相應(yīng)基板。例如，遮罩的準確的相互位置(也就是說遮罩開口的一致性)例如借助于遮罩的適當?shù)南嗷χ卸玫奖ＷC。對中可以以下方式被設(shè)計：使得保證可靠的自動化處置，并且不會發(fā)生遮罩的相互傾斜和/或卡塞?？梢栽诒３挚虻?例如四個)角落的每一個處設(shè)置銷孔，并且可以在配合件上(例如在兩個保持框中的另一個上)設(shè)置銷釘。在結(jié)構(gòu)方面，具有相同功能性的適當圓形部分(例如銑削的輪廓)也是可以的?？梢圆捎孟鄬τ谡谡执翱谠谖恢蒙蠝蚀_的和中心的最大精確度(例如采用nc(數(shù)控)機床的相應(yīng)機器準確度)來制作這些對中輪廓。此外，對中輪廓可以具有倒角和/或引入斜面，使得即使在遮罩的相互預(yù)對中(pre-centering)不準確的情況下，后者在配對期間的步驟中移動到疊合位置(逐步對中)。該優(yōu)點被直接傳遞作為在自動加載中所需的較低位置準確度。對中元件(也稱為對中結(jié)構(gòu))可以被布置為使得所述對中元件位于相應(yīng)遮罩的涂覆源無法達到的一側(cè)上(對中元件例示性地可以被遮擋)。這防止了例如支撐表面和/或?qū)χ忻姹粺o意地涂覆，并防止了例如在對中準確度方面的相關(guān)損失。通過將載具結(jié)構(gòu)分離從而具有承載框、下遮罩和上遮罩，保證了高度靈活性。承載框可以制成簡單的成本有效的部件(例如作為沒有后處理的激光切割部件)。對精確度的高要求降低到遮罩(或相應(yīng)地，保持框)。所述遮罩通過相對較小的尺寸可以更成本有效地制成容積部件(volumepart)。可以根據(jù)工藝改變相應(yīng)的遮罩。在任何時候都可以更換損壞情況下的各個遮罩。例如通過濕式化學(xué)法或干冰噴擊的清潔可能性(所謂的去涂覆)也變得更簡單和更成本有效。圖1視覺化示出根據(jù)各個實施例的在示意性截面圖或側(cè)視圖中的基板保持裝置100?；灞３盅b置100可以具有例如承載板102。承載板102可以具有至少一個空腔112以使得下框132a(第一保持框132a)和上框132a(第二保持框132b)可以被容納或至少部分地容納于空腔112中，以便借助于兩個保持框132a、132b將基板120保持在空腔112中。承載板102可以具有例如上側(cè)102a(或者相應(yīng)地，上表面)和下側(cè)102b(或者相應(yīng)地，下表面)。兩個表面102a、102b可以彼此(例如至少部分地)平面平行。承載板102沿著方向105(垂直于兩個表面102a、102b)可以具有從約3mm至約80mm范圍內(nèi)的厚度，例如從約1cm至約6cm范圍內(nèi)的厚度。根據(jù)各個實施例，承載板102可以由鈦構(gòu)成或包括鈦?？商娲?，承載板102可以由任何其他適當材料(例如由復(fù)合材料或由金屬，例如不銹鋼)制成。此外，承載板102沿著方向103(平行于兩個表面102a、102b)可以具有從約50cm至約5m的范圍內(nèi)的寬度，例如從約1m至約3m的范圍內(nèi)的寬度。此外，平行于兩個表面102a、102b并且橫向于寬度方向103的承載板102可以具有從約40cm至約5m范圍內(nèi)的長度，例如從約0.5m至約2m范圍內(nèi)的寬度。根據(jù)各個實施例，承載板102在尺寸方面可以適應(yīng)于要容納的基板120的數(shù)量和大小兩者以及用于處理基板的處理系統(tǒng)的大小(例如涂覆寬度和/或鎖長度)。例如，承載板102中的至少一個空腔112可以從承載板102的上側(cè)102a延伸通過承載板102到達承載板102的下側(cè)102b。當從方向105觀看時，空腔112可以是圓形、方形或任意多邊形的?？涨?12的形狀可以適應(yīng)于要容納的基板的外部輪廓，例如空腔112可以基本上是圓形的以便用于要容納的圓形晶片，或者是方形的(例如具有圓角或切角)以便用于容納方形的晶片(例如具有圓角或切角)。此外，基板保持裝置100可以具有第一保持框132a，其插入空腔112中并且部分地擱置在承載板(102)上(例如，在承載板102的上側(cè)102a上)。此外，基板保持裝置100可以具有第二保持框132b，其部分地擱置在第一保持框132a上?？梢詫蓚€保持框132a、132b以以下方式進行適應(yīng)性調(diào)整：使得在兩個保持框132a、132b之間設(shè)置用于容納基板120的外圍部分的容納空間130(例如間隙130)。例如，基板120可以擱置在第一保持框132a上，和/或第二保持框132b可以布置在基板120上方，其中第二保持框132b例如不物理地接觸基板120。通過類似方式，承載板102可以具有用于同時容納和保持多種基板的多種空腔112。例如，圖1例示性示出基本載具102(也稱為承載板102)，其可以安置一個或優(yōu)選地多個晶片以用于pvd工藝?；据d具102根據(jù)要容納的晶片的數(shù)量和形狀而具有對應(yīng)的部分112。如圖1視覺化地示出，例如，保持框132a、132b可以突出于承載板102的上側(cè)102a(和/或下側(cè)102b)以外?？商娲?，保持框132a、132b還可以設(shè)置為與承載板102齊平。根據(jù)各個實施例，兩個保持框132a、132b可以定義其中被定位在兩個保持框132a、132b之間的基板120可被涂覆的涂覆區(qū)域?？梢岳拘缘貙蓚€保持框132a、132b以以下方式設(shè)置：使得所述保持框132a、132b覆蓋或遮擋(遮蔽)基板120的被定位在兩個保持框132a、132b之間的至少一個外圍部分。如圖1所示，在基板保持裝置100中可以容納基板120，例如晶片，例如半導(dǎo)體晶片，例如硅晶片?；?20可以擱置在例如保持框132a的第一(或相應(yīng)地，下)保持框132a上；基板120例如可以通過基板120的外圍區(qū)域的全部圓周擱置在下保持框132a上。可替代地，在基板120的外圍區(qū)域中的基板120(例如相應(yīng)地，在有角的基板的情況下，通過其角落)還可以僅部分地擱置在下保持框132a上。下保持框132a可以具有用于放置基板120的水平(或相應(yīng)地，平面的)支撐表面。換句話說，下保持框132a可以提供用于放置基板120的擱置平面。在需要僅對基板120的一側(cè)進行處理的情況下，保持框可以被配置為封閉的保持板，例如，使得基板的一側(cè)完全被覆蓋(或相應(yīng)地，被遮蔽)?？梢栽诘诙?或相應(yīng)地，上)保持框132b與基板120之間保留狹窄間隙，例如具有在從約0.1mm至約0.5mm范圍中的間隙高度(沿方向105)，或者具有小于500μm、400μm、300μm、200μm、或100μm的間隙高度。在這種情況下，因此例如還需要用于基板保持裝置100的保持框132a、132b的微小生產(chǎn)容差?；灞３盅b置100可以以以下方式被適應(yīng)性調(diào)整，使得任意厚度的(比如在從約0.1mm至約1cm范圍中的厚度的)板狀基板120可以被容納在空腔112中。根據(jù)各個實施例，兩個保持框132a、132b之間的間隙130(也稱為用于容納基板120的容納空間)可以具有可被適應(yīng)性調(diào)整為待容納基板120的厚度的間隙高度，例如具有在從約0.1mm至約1mm范圍中的間隙高度(沿方向105)，或具有小于1mm、500μm、300μm或200μm的間隙高度。此外，設(shè)置在兩個保持框132a、132b之間的間隙130可以適于基板120(在方向103上)的寬度(例如直徑或側(cè)向伸展度)。兩個保持框132a、132b和空腔112可以例示性地被適應(yīng)性調(diào)整為使得基板120側(cè)向地暴露，也就是說，使得基板120在側(cè)向上不與第一保持框132a和第二保持框132b鄰接。在本文上下文中，基板保持裝置100可以設(shè)置為使得不同保持框132a、132b可以用于不同基板厚度的基板120。上保持框132b例示性地應(yīng)當不物理地接觸基板120。此外，基板保持裝置100可以設(shè)置為使得不同的保持框132a、132b可以用于具有不同基板直徑或基板寬度的基板120。毫無疑問，基板直徑或基板寬度可以例示性地由空腔112的寬度來限定。下面將描述基板保持裝置100的各種修改和配置以及關(guān)于空腔112和關(guān)于保持框132a、132b的細節(jié)，其中，可以以類似方式包括在圖1的上下文中已描述的基本特征和操作模式。此外，下文中描述的特征和操作模式可以以類似方式應(yīng)用于圖1中描述的基板保持裝置100或者與在圖1中描述的基板保持裝置100相結(jié)合。圖2視覺化示出根據(jù)各個實施例的在示意性截面圖中的基板保持裝置100，其中上保持框132b和/或下保持框132a被倒角化，或換句話說，可以具有倒角234a、243b。根據(jù)各個實施例，下和/或上保持框132b、132a的內(nèi)圓周壁可以具有倒角234a、234b。因此，可以例如以更均質(zhì)的方式涂覆基板120，因為例如不會發(fā)生或僅發(fā)生微小的由保持框132a、132b導(dǎo)致的基板120的陰影。此外，上保持框132b可以被適應(yīng)性調(diào)整為使得所述上保持框132b完全覆蓋下保持框132a。因此，下保持框132a例如不能從上方被涂覆。此外，可以在下保持框132a與承載板102之間設(shè)置空間201或間隙201，使得下保持框132a例示性地以側(cè)向游隙(lateralplay)懸浮在空腔中。因此，下保持框132a可以從承載板102解耦，使得例如沒有彎曲應(yīng)力從承載板102傳遞到下保持框132a并因此傳遞到基板120。根據(jù)各個實施例，承載板102可以具有用于以對中方式保持下保持框132a的對中結(jié)構(gòu)。圖3視覺化示出根據(jù)各個實施例的在示意性截面圖中的基板保持裝置100，其中兩個保持框132a、132b具有公共的對中結(jié)構(gòu)336，使得當下保持框132a被插入空腔112中并且上保持框132b被放置在下保持框132a上時，兩個保持框132a、132b擱置在相互預(yù)定的位置中。兩個保持框132a、132b可以例示性地具有以形狀配合方式相互咬合的部分和/或空腔。因此，兩個保持框132a、132b還不會沿方向103側(cè)向地彼此錯位。本文的上保持框132a例如專門通過地心引力被固定。換句話說，不需要兩個保持框132a、132b的相互夾緊。例如，這實現(xiàn)了保持框132a、132b和基板120的更簡單的分別到承載板102中的加載和從承載板120的卸載。如圖3視覺化地示出，兩個保持框132a、132b可以具有相互成對匹配的多個對中結(jié)構(gòu)336，使得當上保持框132b放置到下保持框132a上時，兩個保持框132a、132b可以相互對中，或者移動到相互預(yù)定義的位置。圖4a視覺化示出根據(jù)各個實施例的在示意性平面圖中的基板保持裝置100。承載板102中的空腔112例如可以基本上是長方盒形狀的，因此(例如在從上方觀看時)具有四個角落區(qū)域412e。可替代地，承載板102中的空腔112可以具有任何其他適當?shù)男螤?，例如適應(yīng)于基板120的形狀和/或兩個保持框132a、132b的形狀。例如，空腔112可以具有基本上長方盒形狀的內(nèi)輪廓412i，其具有四個內(nèi)角部分412e。例如，兩個保持框132a、132b可以具有基本上長方盒形狀的具有四個外角部分的外部輪廓，以與空腔112匹配。根據(jù)各個實施例，兩個保持框132a、132b在保持框132a、132b的相應(yīng)四個外角部分中可以分別具有相互成對地匹配的對中結(jié)構(gòu)(例如參見圖6a)。此外，第一保持框132a可以僅在空腔112的角落部分412e中擱置在承載板102上。如在圖4b中的基板保持裝置100的承載板102的示意性平面中視覺化示出的那樣，可以在承載板102中一個挨一個地設(shè)置多個空腔112，以使得多個基板120被保持。方向101在本文中可以是運送方向101，沿著運送方向101，可以在用于處理多個基板的處理組件中運送基板保持裝置100，其中，可以至少沿著橫向于運送方向101的寬度方向103來一個挨一個地布置多個空腔。因此，承載板102可以具有至少兩個保持區(qū)域402h(或相應(yīng)地，保持部分402h)，其中可以承擔或支撐承載板102以使得承載板102連同承載板102中保持的基板120一起被運送(參見圖6b)。以類似于圖4b中示出的承載板102的方式，基板保持裝置100因此可以具有如下：具有一個挨一個布置的多個空腔112的承載板102，其中空腔112的每一個適于容納本文所述的第一保持框132a和第二保持框132b，其中承載板102具有可以支撐承載板102以用于運送承載板102的兩個保持區(qū)域402h，其中一個挨一個布置的多個空腔112被布置在兩個保持區(qū)域402h之間。圖5a視覺化示出根據(jù)各個實施例的在示意性截面圖中(例如在橫向于方向103(例如參見圖4a和圖4b)的截面圖中)的基板保持裝置100，其中，相應(yīng)的基板保持裝置100在方向107上的截面圖被視覺化在圖5b中。以類似于上文已描述的方式，在圖5b中例示性地視覺化示出在兩個保持框132a、132b的外角區(qū)域532e中的對中元件336。例如，下保持框132a在每個外角部分532e中可以具有對中空腔，例如通孔。此外，在每個外角部分532e中的上保持框132b例如可以具有與下保持框132a中的對中空腔匹配的對中凸起。本文的對中凸起可以具有例如圓錐形部分，使得對中凸起可以更容易地被引入例如圓柱形對中空腔中。圖5c視覺化地示出根據(jù)各個實施例的在示意性截面圖中的基板保持裝置100，例如在橫向于方向103(例如參看圖4a、圖4b和圖5a)的截面圖中的基板保持裝置100。根據(jù)各個實施例，上保持框132b可以被倒角化(或例示性地朝向空腔112被削角)。換句話說，上保持框132b可以具有倒角234b。此外下保持框132a也可以被倒角化(或例示性地朝向空腔112被削角)。換句話說，下保持框132a可以具有倒角234a。根據(jù)各個實施例，下和/或上保持框132a、132b的相應(yīng)內(nèi)圓周壁可以具有倒角234a、234b。因此可以例如以更均質(zhì)的方式涂覆基板120，因為例如不會發(fā)生或僅發(fā)生微小的由保持框132a、132b導(dǎo)致的基板120的陰影。根據(jù)各個實施例，下保持框132a可以僅通過其外角部分532e擱置在承載板102上，參見圖5b和圖6。圖6視覺化地示出根據(jù)各個實施例的在示意性細節(jié)透視圖中的基板保持裝置100的相應(yīng)保持框132a、132b，其中兩個保持框132a、132b在其外角部分532e中具有相互成對匹配的多個對中元件，使得當?shù)诙３挚?32b放置在第一保持框132a上時，兩個保持框132a、132b相互對中。兩個框開口132可以在兩個保持框132a、132b相互對中時被呈現(xiàn)為疊合。例如可以按照在下保持框132a中的圓柱形對中空腔632a以及在上保持框132b中的與對中空腔632a匹配的對中凸起632v的形式來設(shè)置相互成對匹配的對中結(jié)構(gòu)?？商娲?，相互成對匹配的對中結(jié)構(gòu)可以具有任何其他任意適當?shù)膶χ性?。例如，可以在下保持?32a中和上保持框132b中設(shè)置相互成對匹配的對中輪廓632k。相互成對匹配的對中結(jié)構(gòu)例示性地形成至少兩個方向上的形狀配合，例如：沿方向105，以便上保持框132b被放置到下保持框132a上；以及沿方向103和/或107，以便兩個保持框132a、132b的位置相對于彼此側(cè)向地對中。圖6b視覺化示出根據(jù)各個實施例的在示意性截面圖中的用于運送基板保持裝置100的基板運送裝置600。根據(jù)各個實施例，基板運送裝置600可以具有用于運送基板保持裝置100的運送系統(tǒng)，其中運送系統(tǒng)具有兩個保持元件712，使得基板保持裝置100的承載板102相應(yīng)地僅在兩個保持區(qū)域402h中被保持或支撐?？梢越柚诶邕\送輥、鏈、條或其他適當?shù)倪\送系統(tǒng)來執(zhí)行被支撐在保持元件712上的承載板102的運送。例如，憑借承載板102的支撐，后者可以彎曲，例如在承載板102的中心具有最大彎曲度705。憑借從承載板102去耦以便對相應(yīng)基板進行保持的保持框組件702，承載板102的彎曲度705不會對基板造成任何負面影響，如上文所述。為了使相應(yīng)基板120被容納在兩個保持框132a、132b之間，相應(yīng)的保持框組件702可以具有本文所述的兩個保持框132a、132b。本文所述的基板運送裝置600可以用于將多個基板120運送和/或定位到處理腔室中(例如真空腔室、或大氣壓腔室、或正壓腔室中)。本文的處理腔室可以具有一個或多個處理裝置(例如涂覆裝置)，以便多個基板120在處理腔室的處理區(qū)域(例如涂覆區(qū)域)中在一側(cè)或在兩側(cè)上被處理(例如被涂覆)。例如磁控管可以用作涂覆裝置。此外，電子束蒸發(fā)器可以用作涂覆裝置。例如，在一側(cè)上被支撐的運送輥可以用在承載板102的兩側(cè)上以用于運送承載板102通過處理腔室。此外，承載板102還可以被插入另一載具中，或者借助于另一載具來運送。圖7視覺化示出根據(jù)各個實施例的在示意性流程圖中的用于處理基板120的方法700，其中所述方法700可以包括以下步驟：在步驟810中，將第一保持框132a插入承載板102的空腔112中，其中第一保持框132a具有用于放置基板120的平面支撐表面；在步驟820中，將基板插到第一保持框的平面支撐表面上；以及在步驟830中，將第二保持框放置到第一保持框上，其中兩個保持框132a、132b(第一和第二保持框)被調(diào)整以使得基板120布置在兩個保持框132a、132b之間，其中，在第二保持框132b與基板120之間保留了間隙，使得基板120僅擱置在第一保持框132a上。本文的第一保持框132a和/或第二保持框132b的相應(yīng)的插入和放置可以借助于磁性夾具或抽吸夾具來執(zhí)行。為此，第一保持框132a和/或第二保持框132b可以具有其中磁性夾具或抽吸夾具可以牢固地保持相應(yīng)保持框132a、132b的相應(yīng)區(qū)域。下遮罩132a可以相應(yīng)地首先插入基本載具102中。一旦下遮罩132a已被插入基本載具102中，晶片120就可以進行擱置(例如，相應(yīng)地，相對于基本載具102或下遮罩132a的側(cè)向外圍在所有周圍具有小間隙)。接著，上遮罩132b可以進行擱置。例如，本文中上遮罩132b不會接觸晶片120的表面。一旦已完成了要借助于基板保持裝置100進行載送的所有晶片120的這一過程，例如可以開始pvd工藝。例如，借助于相對于基板120在側(cè)向上及在上方保留的間隙，在基板保持裝置100通過鎖進入真空腔室時可以支持有效的排空，這是由于沒有氣體體積被捕獲到。例如，可以如加載過程一樣執(zhí)行卸載過程，但是以相反的次序，其中下遮罩132a可以潛在地永久保留在基本載具102中。根據(jù)各個實施例，所有部件可以適合于晶片120以及其遮罩132a和132b的完全自動加載和/或卸載。根據(jù)各個實施例，可以在清潔所有部件時(例如在通過濕式化學(xué)法或干冰噴擊進行清潔時)執(zhí)行對基板保持裝置100進行的基板120的加載。根據(jù)各個實施例，可以僅通過下保持框132a來支撐上保持框132b。此外，下保持框132a可以松散地(例如以側(cè)向不固定的方式)擱置在承載板102上，其中下保持框132a的部分可以延伸到承載板102的空腔112中。根據(jù)各個實施例，提供了一種基板保持裝置100，其實現(xiàn)了生產(chǎn)系統(tǒng)中晶片損壞風(fēng)險的降低以及靈活的遮罩設(shè)計和簡單的維護。此外，由于精度集中在小部件上(即是說，例示性地例如在保持框132a、132b上)而不是整個承載板102上，因此基板保持裝置100具有低生產(chǎn)成本。此外，可以實現(xiàn)準確的遮罩對中，實現(xiàn)了在要涂覆基板的情況下更高的效率。此外，載具移動的影響可以如上所述借助于基板保持裝置100而從晶片去耦。此外，由于借助于精確的形狀配合來執(zhí)行遮罩的對中，因此提高了工藝的可靠性。根據(jù)各個實施例的示例描述如下：示例1a.基板保持裝置100具有：承載板102，其具有空腔112，用于借助于空腔112中的第一保持框132a和第二保持框132b來保持基板120，其中空腔112從承載板102的上側(cè)102a延伸通過承載板102到達承載板102的下側(cè)102b；其中，被插入空腔112中的第一保持框132a部分地擱置在承載板102上，并且其中，第二保持框132b部分地擱置在第一保持框132a上，并且其中，兩個保持框132a、132b被適應(yīng)性調(diào)整為使得在被布置在空腔112中時在兩個保持框132a、132b之間設(shè)置了用于容納基板120的外圍部分的容納空間130。示例2a.根據(jù)示例1a的基板保持裝置，其中兩個保持框132a、132b被適應(yīng)性調(diào)整為使得當?shù)诙３挚?32b被放置在第一保持框132a上時所述兩個保持框132a、132b以形狀配合的方式相互咬合。示例3a.根據(jù)示例2a的基板保持裝置，其中，兩個保持框132a、132b具有相互成對匹配的多個對中結(jié)構(gòu)336，使得當?shù)诙３挚?32b被放置在第一保持框132a上時，兩個保持框132a、132b相互對中。示例4a.根據(jù)示例1a至3a中任一個的基板保持裝置，其中，兩個保持框132a、132b的相應(yīng)內(nèi)圓周壁具有倒角。示例5a.根據(jù)示例1a至4a中任一個的基板保持裝置，其中，空腔112基本上是長方盒形狀的并且具有四個角落區(qū)域，并且其中，第一保持框132a僅在空腔112的角落區(qū)域中擱置在承載板102上。示例6a.根據(jù)示例5a的基板保持裝置，其中兩個保持框132a、132b以與空腔112匹配的方式具有包括四個外角部分的基本上長方盒形狀的外部輪廓，并且其中兩個保持框132a、132b在四個外角部分中相應(yīng)地具有相互成對匹配的對中結(jié)構(gòu)。示例7a.基板保持裝置100具有：承載板102，其具有一個挨一個布置的多個空腔112，其中用于保持基板的空腔112中的每一個被借助于第一保持框132a和第二保持框132b而適應(yīng)性調(diào)整，并且從承載板102的上側(cè)102a延伸通過承載板102到達承載板102的下側(cè)102b，并且其中在空腔112的每一個中，第一保持框132a部分地擱置在承載板102上，第二保持框132b部分地擱置在第一保持框132a上，其中兩個保持框132a、132b被適應(yīng)性調(diào)整以使得當被布置在相應(yīng)空腔112中時在兩個保持框132a、132b之間設(shè)置了用于容納基板120的外圍部分的容納空間130；其中承載板102具有兩個保持區(qū)域402h，可以在該兩個保持區(qū)域402h處支撐承載板102以用于運送承載板102，其中一個挨一個地布置的多個空腔112被布置在兩個保持區(qū)域402h之間。示例8a.基板運送裝置具有：根據(jù)示例7a的基板保持裝置100；和用于運送基板保持裝置100的運送系統(tǒng)，其中運送系統(tǒng)具有兩個保持元件712以使得基板保持裝置100的承載板102僅在兩個保持區(qū)域402h中被保持。示例9a.處理組件具有：處理腔室，用于在處理腔室的處理區(qū)域中處理多個基板120的兩側(cè)；以及根據(jù)示例8a的基板運送裝置，用于在處理區(qū)域中運送和/或定位多個基板120。示例10a.用于處理基板的方法，所述方法包括以下步驟：將用于保持基板的第一保持框132a插入承載板102中的空腔112中，其中第一保持框132a具有用于放置基板120的平面支撐表面；將基板120插到第一保持框132a的平面支撐表面上；以及將第二保持框132b放置到第一保持框132a上，其中兩個保持框132a、132b被適應(yīng)性調(diào)整以使得基板120布置在兩個保持框132a、132b之間，其中在第二保持框132b與基板120之間保留了間隙以使得基板120僅擱置在第一保持框132a上。在例如執(zhí)行諸如陰極蒸發(fā)之類的涂覆工藝(所謂的濺鍍或磁控濺鍍)的真空系統(tǒng)中，可以在兩側(cè)上對晶片和小面積的基板進行處理(例如涂覆)。也就是說，可以在方法周期內(nèi)對同一個基板進行兩側(cè)上的處理。例如，這樣的構(gòu)思被用于光伏器件中，例如hjt(異質(zhì)結(jié)技術(shù))太陽能電池的蜂窩構(gòu)思中。異質(zhì)結(jié)技術(shù)代表利基市場，并且根據(jù)預(yù)測將在2020年占據(jù)整個c-si(單晶硅)市場的大約5％，并且在2030年占據(jù)大約10％。然而，其他蜂窩構(gòu)思可以實現(xiàn)更大的經(jīng)濟地位，比如，例如ibc(背電極接觸)太陽能電池、wt(穿孔卷繞)太陽能電池、(鋁)bsf(背面場)太陽能電池、perc(鈍化發(fā)射極和背面電池)太陽能電池、perl(鈍化發(fā)射極背面局部擴散)太陽能電池、或pert(鈍化發(fā)射極背面完全擴散)太陽能電池。然而，這些蜂窩構(gòu)思僅要求基板(例如晶片)的一側(cè)的處理。根據(jù)各個實施例，提供了用于處理c-si基板的處理組件。例如，處理組件可以具有材料氣相源，例如用于pvd(物理氣相沉積)的材料氣相源。例如，基板的反面(或者相應(yīng)地電池的反面)的處理可以借助于用于所述蜂窩構(gòu)思的處理組件來執(zhí)行，例如以便在基板的反面上形成金屬鍍層(metallizing)，例如pvd金屬鍍層。根據(jù)各個實施例，提供了一種處理組件(例如真空系統(tǒng))，其適應(yīng)于以雙面方式對待(處理)具有例如晶片或小面積基板的基板堆疊(例如一對基板)，而例如無需任何附加的機械處置(比如翻轉(zhuǎn)基板)，和/或無需真空中的間歇。本文采用的基板保持裝置(也被稱為載具或托盤)可以具有多個空腔、多個上遮罩、和多個下遮罩，其相應(yīng)的上遮罩和在每種情況下的下遮罩形成了保持框?qū)?，其布置在載具的多個空腔的一個空腔中并且保持基板堆疊(例如一對基板)。與傳統(tǒng)涂層(例如使用粘合劑的金屬鍍層)相反，根據(jù)各個實施例，提供了涂層(和用于產(chǎn)生涂層的方法)，例如pvd金屬鍍層(也就是說使用pvd形成的金屬鍍層)，例如用于產(chǎn)生反面鍍有金屬的太陽能電池，其至少具有以下性質(zhì)：1.)對位于其下方的表面、層和/或?qū)酉到y(tǒng)的較低(例如化學(xué))腐蝕性；2.)對位于其下方的表面、層和/或?qū)酉到y(tǒng)的較低接觸電阻(也被稱為r串聯(lián)或串聯(lián)電阻)；3.)沿著層的平面的較低電阻(也被稱為側(cè)向電阻或r分流)，例如是因為涂層配置為較純并且具有較低孔隙度；4.)例如關(guān)于升起來的最大溫度和在該溫度處的駐留時間的較少熱應(yīng)力；5.)較低能量損失；6.)在電池效率方面較少的減損。例如，根據(jù)各個實施例，例如當使用pvd時可以實現(xiàn)較高的電池效率。當pvd與伏打技術(shù)(電鍍)結(jié)合時出現(xiàn)了進一步的在成本方面的優(yōu)點。本文中，通過pvd沉積種子層(也被稱為晶種層)，所述種子層隨后通過伏打技術(shù)被加強到預(yù)定義(例如最佳)的層厚度。還可以在其他半導(dǎo)體技術(shù)中使用結(jié)合了伏打技術(shù)的種子層。根據(jù)各個實施例，可以經(jīng)濟地采用c-si基板領(lǐng)域中的基于真空的處理技術(shù)。例如，可以提供成本有效的pvd方法以用于待涂覆的c-si基板(例如c-si晶片)。根據(jù)各個實施例，例如，當使用本文所述的基板保持裝置時，沉積種子層的每基板(例如每晶片)的處理成本可以低于約4分。在所生產(chǎn)的太陽能電池的潛在功率輸出(例如每基板約5.3瓦)方面，這對應(yīng)于每瓦特峰值(所生產(chǎn)的太陽能電池的電輸出)的處理成本約0.76分。每瓦特峰值小于2.7分的用于(例如通過鋁)形成反面金屬鍍層的處理成本可以被認為是經(jīng)濟的。根據(jù)各個實施例，減少了總操作成本。盡可能高的基板數(shù)量例示性地可以被以盡可能短的系統(tǒng)長度處理并且具有最小化的外圍。因此，可以實現(xiàn)盡可能高的系統(tǒng)利用率。根據(jù)各個實施例，提供了用于將系統(tǒng)利用率最大化的基板保持裝置和方法，其被適應(yīng)性調(diào)整以使得可以相應(yīng)地在一側(cè)上處理每方法周期的最大數(shù)量的基板(例如晶片)。例如，使用pvd材料源(濺鍍系統(tǒng))，可以實施例如具有水平對準的基板保持裝置(上下配置)或相反地垂直對準的基板保持裝置(右/左配置)的多個處理步驟。例如，根據(jù)各個實施例的基板保持裝置可以實現(xiàn)約108個基板的基板負載因數(shù)。例如，根據(jù)各個實施例的處理組件可以實現(xiàn)每小時約9000個基板的吞吐量，這對應(yīng)于每年約72·106個基板，或每基板5.3w峰值，相應(yīng)地對應(yīng)于每年約381.6mw峰值。水平地(或垂直地)對準的被運送的基板保持裝置可以每個基板容納空腔均(也被稱為基板支撐件)容納兩個基板。第一基板可以在一側(cè)上通過pvd材料源例如從下方進行處理，而第二基板可以在一側(cè)上通過另一pvd材料源例如從上方進行處理。這可以同時或順序地執(zhí)行。為了通過真空技術(shù)或出于氣體解吸的目的進行抽吸，基板保持裝置可以具有例如能夠進行pvd、并且例示性地在進行涂覆時不會堵塞或相應(yīng)地可以離位清潔的機械管道。基板保持裝置的部分能夠但不是必須以整塊方式集成在承載板中。承載板和(例如多部分的)基板保持裝置可以是模塊化的。相應(yīng)地，保持框(或中間形成件，例如上框)可以在兩個基板之間被適應(yīng)性調(diào)整以使得可以對外圍超過(在外圍區(qū)域中的)基板邊緣的處理(或影響)進行防止或最小化。該保持框可以可選地被適應(yīng)性調(diào)整以使得所述保持框被用作附加的散熱器。在這種情況下，該保持框可以熱耦合到第一基板和/或第二基板，并且該保持框可以可選地?zé)狁詈系匠休d板。為了實現(xiàn)所需的熱耦合，該保持框與第一基板和/或第二基板或可選地承載板之間的接觸面分別可以對應(yīng)地被適應(yīng)性調(diào)整得較大?；灞３盅b置可以可選地每腔室具有盒體，其使得將至少一個基板放置于其中(例如將兩個基板放置于其中)的至少一個盒體(例如兩個盒體)能夠被插入到承載板中。根據(jù)各個實施例，可以純通過機械擱置或夾緊來專門保持兩個基板。在承載板例如水平通過的情況下，例如在對具有朝下(在其第二側(cè)上)的處理面的基板進行涂覆的情況下，例如在pvd涂覆中因支撐表面之故而出現(xiàn)有意或無意地保持未被處理的外圍部分。相應(yīng)地，覆蓋框可以被放置在基板上或集成在基板中，以便實現(xiàn)未處理的外圍部分，或者作為防脫保障。圖8a視覺化示出根據(jù)各個實施例的(橫向于運送方向截取的和/或橫向于例如承載板面而截取的)示意性截面圖中的基板保持裝置100。基板保持裝置100可以具有承載板102。承載板102可以具有至少一個空腔112，以使得例如下框132a(第一保持框132a)和上框132b(第二保持框132b)可以被容納或至少部分地容納在空腔112中，以便第一基板120a在空腔112中被保持在兩個保持框132a、132b之間，并且以便第二基板120b在空腔112中被保持在上框132b上(或相應(yīng)地在第一基板120a上方)。根據(jù)各個實施例，承載板102在尺寸方面可以適應(yīng)于待容納的基板120a、120b的數(shù)量和大小以及用于處理基板120a、120b的處理組件(參見圖11a至圖11c)的大小(例如涂覆寬度和/或鎖的長度)。例如，承載板102(也被稱為基本載具102)可以定位和/或保持多個基板堆疊120a、120b(例如晶片堆疊)以用于pvd涂覆。此外，基板保持裝置100可以具有被插入空腔112中的第一保持框132a和被插入空腔112中的第二保持框132b。第一保持框132a可以至少部分地擱置在承載板102上(例如在其支撐表面上)。第二保持框132b可以至少部分地擱置在第一保持框132a上(例如在其上側(cè)上)。兩個保持框132a、132b(保持框?qū)?32a、132b)可以被適應(yīng)性調(diào)整以使得在兩個保持框132a、132b之間設(shè)置用于容納第一基板120a的外圍部分的容納空間130(例如間隙130)。兩個保持框132a、132b可以例示性地被設(shè)置為使得被插入其中的兩個基板120a、120b(也就是說其彼此面對的面140a，即第一基板120a的第一側(cè)140a和第二基板120b的第一側(cè)140a)至少部分地相互覆蓋或遮擋(遮蔽)。根據(jù)各個實施例，兩個保持框132a、132b可以被適應(yīng)性調(diào)整為使得至少部分地暴露第一基板120a的第二側(cè)140b(例示性地，其下側(cè)140b)，并且至少部分地暴露第二基板120b的第二側(cè)140b(例示性地，其上側(cè)140b)。換言之，可以至少部分地暴露基板120a、120b(即基板堆疊)的彼此背向的那些側(cè)140b。兩個保持框132a、132b可以例示性地被設(shè)置為使得所述兩個保持框132a、132b覆蓋或遮擋(遮蔽)第一基板120a的位于兩個保持框132a、132b之間的至少一個外圍部分。第一基板120a可以是晶片，例如半導(dǎo)體晶片，例如硅晶片，例如在基板保持裝置100中。例如，第一基板120a可以擱置在第一保持框132a上，例如第一基板120a可以通過第一基板120a的外圍區(qū)域沿著整個圓周被擱置在第一保持框132a上。可替代地，第一基板120a還可以僅部分地在第一基板120a的外圍區(qū)域中(例如相應(yīng)地，在有角的基板的情況下通過角落)被擱置在第一保持框132a上。第一保持框132a可以具有用于放置第一基板120a的水平(或相應(yīng)地，平面)的支撐表面。換句話說，第一保持框132a可以提供用于放置第一基板120a的支撐表面。例如，第二基板120b可以是晶片，例如半導(dǎo)體晶片，例如硅晶片。例如，第二基板120b可以擱置在第二保持框132b上，例如第二基板120b可以通過第二基板120b的外圍區(qū)域沿著整個圓周被擱置在第二保持框132b上?？商娲兀诙?20b還可以僅部分地在第二基板120b的外圍區(qū)域中(例如相應(yīng)地，在有角的基板的情況下通過角落)被擱置在第二保持框132b上。第二保持框132b可以具有用于放置第二基板120b的水平(或相應(yīng)地，平面)的支撐表面。換句話說，第二保持框132b可以提供用于放置第二基板120b的支撐表面。第一基板120a的外圍部分例如可以與第一保持框132a的支撐表面接觸。第一基板120a的外圍部分在涂覆期間在這種情況下可以不共同地被涂覆。按照類似方式，第二基板120b的外圍部分可以與第二保持框132a的支撐表面接觸。下面將描述基板保持裝置100的各種修改和配置以及關(guān)于空腔112和保持框132a、132b的細節(jié)，其中可以以類似方式包括已在圖8a的上下文中描述了基本特征和操作模式。此外，下文描述的特征和操作模式可以以類似方式應(yīng)用于圖8a中描述的基板保持裝置100或者與在圖8a中描述的基板保持裝置100相結(jié)合。根據(jù)各個實施例，兩個保持框132a、132b之間的間隙130(也稱為用于容納第一基板120a的容納空間)可以具有可以適應(yīng)于待容納的第一基板120a的厚度的間隙高度，例如具有從約0.1mm至約1.5mm的范圍內(nèi)的間隙高度(沿方向105)，或具有小于1cm、0.5cm、1mm、500μm、300μm或200μm的間隙高度?？梢酝ㄟ^第一保持框132a的支撐表面來對朝向底部的間隙130(沿方向105)進行定界。因此，可以在第二保持框132b與第一基板120a之間保留狹窄間隙，例如具有例如從約0.1mm至約5mm的范圍內(nèi)的間隙高度(沿方向105)，或者具有小于1mm、500μm、400μm、300μm、200μm或100μm的間隙高度，例如具有根據(jù)凹陷的間隙高度。在這種情況下，因此例如還要求用于基板保持裝置100的保持框132a、132b的微小生產(chǎn)容差。基板保持裝置100可以被適應(yīng)性調(diào)整為使得在空腔112中可以容納任意厚度(比如在從約0.1mm至約1cm的范圍內(nèi)的厚度)的基板120a、120b。例如，基板120a、120b可以是板狀的。例如，第一保持框132a的支撐表面(和/或間隙130)可以借助于第一保持框132a中(例如在其上側(cè)上)的凹陷來設(shè)置。換句話說，支撐表面可以例如相對于其上側(cè)而下沉。凹陷可以具有比第一基板120a的側(cè)向延伸度(基板直徑或基板寬度)大的側(cè)向延伸度，和/或比第一基板120a的基板厚度大的深度(即，進入第一保持框132a中的延伸度)。凹陷可以具有從約0.1mm至約5mm的范圍內(nèi)的深度，或者小于1mm、500μm、400μm、300μm、200μm或100μm的深度。換句話說，設(shè)置在兩個保持框132a、132b之間的間隙130可以適應(yīng)于第一基板120a(在第一方向103上)的寬度(例如，直徑或側(cè)向延伸度)。兩個保持框132a、132b和空腔112可以例示性地被適應(yīng)性調(diào)整以使得側(cè)向暴露第一基板120a，即，換句話說，第一基板120a不會側(cè)向鄰接于第一保持框132a和第二保持框132b?？梢酝ㄟ^第一保持框132a的支撐表面來對朝向底部的凹陷(沿方向105)進行定界。第二保持框132b的支撐表面可以可選地借助于第二保持框132b中(例如在其上側(cè)102a上)的凹陷來設(shè)置。換句話說，支撐表面例如可以相對于其上側(cè)而下沉。凹陷可以具有比第二基板120b的側(cè)向延伸度(基板直徑或基板寬度)大的側(cè)向延伸度，和/或比第二基板120b的基板厚度大的深度(即，進入第二保持框132b中的延伸度)。凹陷可以具有從約0.1mm至約5mm的范圍內(nèi)的深度，或者小于1mm、500μm、400μm、300μm、200μm或100μm的深度。換句話說，凹陷可以適應(yīng)于第二基板120b(在第一方向103上)的寬度(例如，直徑或側(cè)向延伸度)。第二保持框132b和空腔112可以例示性地被適應(yīng)性調(diào)整以使得側(cè)向暴露第二基板120b，即，換句話說，第二基板120b不會側(cè)向鄰接于第二保持框132a。可以通過第一保持框132a的支撐表面來對朝向底部的凹陷(沿方向105)進行定界。在本上下文中，基板保持裝置100可以被設(shè)置為使得不相同的保持框132a、132b可以用于不相同的基板厚度的基板120a、120b。此外，基板保持裝置100可以被設(shè)置為使得不相同的保持框132a、132b可以用于具有不相同的基板直徑或基板寬度的基板120a、120b。承載板102可以具有上側(cè)102a(相應(yīng)地，上表面)和下側(cè)102b(相應(yīng)地，下表面)。兩個表面102a、102b可以(例如至少部分地)彼此平面平行。承載板102沿方向105(垂直于兩個表面102a、102b)具有從約1mm至約20mm的范圍內(nèi)的厚度，例如從約2mm至約10mm的范圍內(nèi)的厚度。根據(jù)各個實施例，承載板102可以包括以下中至少一個或者由以下中至少一個形成：金屬，例如鈦、鋼(例如不銹鋼)；半金屬，例如碳?？商娲鼗蚋郊拥?，承載板102可以包括復(fù)合材料或者由復(fù)合材料形成。承載板的上側(cè)和/或承載板的下側(cè)可以配置成平面的(水平的)，例如彼此平面平行。承載板的上側(cè)和/或承載板的下側(cè)可以可選地被涂覆。根據(jù)各個實施例，承載板102沿方向103(沿承載板面，例如與兩個表面102a、102b平行)可以具有從約10cm至約5m的范圍內(nèi)的寬度，例如從約1m至約3m的范圍內(nèi)的寬度。此外，承載板102(沿承載板面，例如與兩個表面102a、102b平行)橫向于寬度方向103可以具有從約10cm至約5m的范圍內(nèi)的長度，例如從約0.1m至約2m的范圍內(nèi)的長度。例如，承載板102可以沿著其長度被運送。如圖8a視覺化所示，例如，第二保持框132b或相應(yīng)地其上側(cè)可以被設(shè)置為例如與承載板102的上側(cè)102a齊平，即，例示性地與所述上側(cè)102a共同終止。第一保持框132a或相應(yīng)地其下側(cè)可以被設(shè)置為例如與承載板102的下側(cè)102b齊平，即，例示性地與所述下側(cè)102b共同終止。下基板可以例示性地擱置在下保持框(也稱為下框)上，并且上基板可以擱置在上保持框(也稱為上框)上，其中下框和上框彼此相疊。例如，下基板不能直接與上框物理接觸(也就是說，以與上框間隔開的方式擱置在下框上)。本文中基板保持裝置可以被適應(yīng)性調(diào)整以使得上框和/或下框在被插入到承載板的相應(yīng)空腔中時在承載板中對中，并且采取預(yù)定義的位置和/或?qū)?以相互的方式，或相對于承載板)。本文中上框和/或下框可以以整塊的方式連接到承載板。換句話說，兩個框中的至少一個可以配置成承載板的一部分?？商娲?，上框和/或下框可以被插入到承載板的相應(yīng)空腔中。圖8a視覺化示出在根據(jù)各個實施例的方法中的基板保持裝置100。根據(jù)各個實施例，該方法可以包括以下步驟：將用于保持第一基板120a的第一保持框132a插入承載板102中的空腔112中，其中第一保持框132a具有用于放置第一基板120a的(例如平面的)支撐表面；將第一基板120插入空腔112中以到第一保持框132a的平面支撐表面上；將用于保持第二基板120b的第二保持框132b插入承載板102中的空腔112中，其中第二保持框132b具有用于放置第二基板120b的(例如平面的)支撐表面；將第二基板120b插入空腔112中以到第二保持框132b的(例如平面的)支撐表面上。第一保持框132a和/或第二保持框132b可以可選地被適應(yīng)性調(diào)整以使得第一基板120a至少部分地布置在兩個保持框132a、132b之間。第一保持框132a和/或第二保持框132b可以可選地被適應(yīng)性調(diào)整以使得第二保持框132b與第一基板120a之間保留有間隙。第一保持框132a和/或第二保持框132b可以可選地被適應(yīng)性調(diào)整以使得第一基板120a僅擱置在第一保持框132a上。第一保持框132a和/或第二保持框132b的插入可以可選地借助于磁性夾具或抽吸夾具(也被稱為真空夾具)來執(zhí)行。為此，可以在第一保持框132a和/或第二保持框132b上設(shè)置夾具可以耦接到的咬合面。第一保持框132a可以具有穿透前者的空腔132，并且例如至少部分地暴露第一基板120a的下側(cè)。第二保持框132a可以可選地具有穿透前者的空腔132，并且例如至少部分地暴露第二基板120b的下側(cè)。第一保持框132a和/或第二保持框132a可以配置成盒體的一部分。盒體可以例示性地配置成將預(yù)配置的第一基板120a和/或第二基板120b(例如每個基板已被放置在相應(yīng)的保持框132a、132b中)布置在空腔112中，例如結(jié)合地兩個基板120a、120b(即成對)和/或結(jié)合地兩個保持框132a、132b(即成對)。圖8b視覺化地示出在示意性截面圖中的根據(jù)各個實施例的基板保持裝置100(類似于圖8a)。如在例如圖8b中視覺化所示的那樣，保持框132a、132b可以突出于承載板102的上側(cè)102a(和/或下側(cè)102b)以外?？商娲兀绫３挚?32a、132b還可以與承載板102齊平地設(shè)置，例如與其上側(cè)102a和/或其下側(cè)102b齊平。此外，基板保持裝置100可以具有插入空腔112中且至少部分地擱置在承載板102上(例如在其上側(cè)102a上)的第一保持框132a。此外，基板保持裝置100可以具有插入空腔112中且至少部分地擱置在第一保持框132a(例如在其上側(cè)上)的第二保持框132b。根據(jù)各個實施例，第二保持框132b可以至少部分地放置在第一保持框132a中的凹陷中，例如以便以形狀配合的方式進行匹配，也就是說，插配合(plug-fitable)。由此可以定義兩個保持框132a、132b相對于彼此的位置。根據(jù)各個實施例，兩個保持框(也就是上框132b和下框132a)在已被插入承載板102的空腔112中時或者已被放置于其上時可以例如借助于成對匹配的對中結(jié)構(gòu)而以對中方式被保持在空腔112中。圖9a視覺化示出在(例如沿運送方向截取和/或沿關(guān)于承載板面截取的)示意性截面圖或(在橫向于運送方向的方向上觀看和/或橫向于承載板面的方向上觀看的)示意性平面圖中的根據(jù)各個實施例的基板保持裝置200a。如在圖9a中視覺化示出的，第一保持框132a可以布置在空腔112中。第一保持框132a可以具有穿透前者的空腔132。如在圖9a中視覺化示出的，空腔112和空腔132可以基本上是長方盒形狀的。采用與承載板102的空腔112匹配的方式的第一保持框132a和/或第二保持框132b可以可選地具有基本上長方盒形狀的具有四個角落區(qū)域的外輪廓。第一保持框132a和第二保持框132b在四個角落區(qū)域中可以可選地每個均具有相互成對匹配的對中結(jié)構(gòu)。根據(jù)各個實施例，第一保持框132a可以例如僅在空腔112的角落區(qū)域中(參見圖9e和圖9f)、僅在空腔112的邊緣區(qū)域中(參見圖9b和圖9c)、或者可替代地在空腔112的角落區(qū)域和邊緣區(qū)域中(參見圖9d)而被僅擱置在承載板102的支撐表面上。這可以實現(xiàn)例如在承載板102(例如沿承載板102的寬度)彎曲時兩個保持框132a、132b在空腔112中的更好穩(wěn)定性。以類似方式，第一基板120a可以例如僅在空腔132的角落區(qū)域中(參見圖9e和圖9f)、僅在空腔132的邊緣區(qū)域中(參見圖9b和圖9c)、或者可替代地在空腔132的角落區(qū)域和邊緣區(qū)域中(參見圖9d)而被僅擱置在第一保持框132a的支撐表面上。如果第二保持框132b具有空腔，則后者可以以類似于空腔132的方式來形成。在該情況下，第二基板120b可以例如僅在第二保持框132b的空腔的角落區(qū)域中(參見圖9e和圖9f)、僅在第二保持框132b的空腔的邊緣區(qū)域中(參見圖9b和圖9c)、或者可替代地在第二保持框132b的空腔的角落區(qū)域和第二保持框132b的空腔的邊緣區(qū)域中(參見圖9d)而被僅擱置在第二保持框132b的支撐表面上。當從方向105觀看時，承載板102中的空腔112和/或保持框132a、132b中的空地132可以為圓形、方形(參見圖9a至圖9e)或任意多邊形。承載板102中的空腔112和/或保持框中的空腔132的形狀可以適應(yīng)于待容納的基板120a、120b的外輪廓；例如，承載板102中的空腔112和/或保持框中的空腔132可以基本上為用于容納圓形晶片的圓形或者用于容納方形晶片(例如具有圓角或切角)的方形(例如具有圓角或切角)。圖9b至圖9f以類似于圖9a的方式分別視覺化地示出在示意性截面圖或示意性平面圖中的根據(jù)各個實施例的第一保持框132a和/或第二保持框132b以及/或者根據(jù)各個實施例的承載板102。在圖9b至圖9f中例示性地視覺化示出承載板102中的空腔112和/或保持框中的空腔132，所述(多個)空腔延伸通過保持框，例如第一保持框132a、第二保持框132b或第三保持框132c。如在圖9b至圖9f中視覺化示出的，空腔112、132可以為基本上長方盒形狀。如在圖9b中視覺化示出的，空腔112、132可以具有其中形成了支撐表面的四個邊緣區(qū)域。該支撐表面可以借助于例如凸起202來形成。如圖9c中視覺化示出的，空腔112、132可以具有其中形成了支撐表面的兩個彼此相對的邊緣區(qū)域。該支撐表面可以借助于例如凸起202來形成。如在圖9d中視覺化示出的，空腔112、132可以具有其中形成了支撐表面的四個角落區(qū)域。該支撐表面可以例如借助于至少部分地包圍空腔112、132的彎折件204來形成。如在圖9e中視覺化示出的，空腔112、132可以具有其中形成了支撐表面的四個角落區(qū)域。該支撐表面可以例如借助于被中斷在每個角落區(qū)域中的彎折件204來形成。如在圖9f中視覺化示出的，空腔112、132可以具有其中形成了支撐表面的四個角落區(qū)域。該支撐表面可以借助于例如凸起202來形成。圖10a視覺化示出在(例如沿承載板面截取的)示意性截面圖或示意性平面圖中的根據(jù)各個實施例的基板保持裝置300a。根據(jù)各個實施例，基板保持裝置300a可以具有以下部件：承載板102(也被稱為載具或托盤)，其具有一個挨一個地(例如沿承載板102的寬度和/或長度方向)布置的多個空腔112，其中空腔112中的每一個適于容納第一保持框132a和第二保持框132b，并且從承載板102的上側(cè)102a延伸通過承載板102到達承載板102的下側(cè)102b?；灞３盅b置300a可以具有多個第一保持框132a和多個第二保持框132b，其中多個第一保持框132a的第一保持框以及多個第二保持框132b的第二保持框相應(yīng)地形成保持框?qū)?，其用于對被布置在承載板102的多個空腔112中的一個空腔112中的基板堆疊120a、120b進行保持。根據(jù)各個實施例，承載板102可以具有管道302o(也被稱為抽吸管道或中間抽吸特征)形式的通風(fēng)口。管道302o可以布置在例如多個空腔112中的兩個空腔之間。管道302o可以將多個空腔112中的一個空腔(例如第一空腔)連接到承載板102的上側(cè)和/或承載板102的下側(cè)。管道302o可以可選地將多個空腔112中的第一空腔連接到多個空腔112中的第二空腔。管道302o可以例示性地適于對第一管道與第二管道之間的空腔通風(fēng)。圖10b視覺化示出在示意性截面圖中的根據(jù)各個實施例的基板保持裝置300b，例如沿著橫截軸303(參見圖10a)的細節(jié)圖301中的基板保持裝置300a。根據(jù)各個實施例，基板保持裝置300b還可以具有用于覆蓋第二基板120b的第三保持框132c(第二覆蓋框)。例如，第三保持框132c可以配合到(例如可插配合到)第二保持框132b中的空腔中和/或承載板102的空腔中?？梢酝ㄟ^管道320o來將形成于第一基板120a與第二基板120b之間的間隙355(空腔355)排空311。管道302o可以例示性地防止兩個基板120a、120b之間的氣儲層的形成。圖10b視覺化示出根據(jù)各個實施例的方法中的基板保持裝置300b。該方法可以包括處理313(第一處理313)的步驟，例如涂覆第一基板120a的下側(cè)。該方法還可以包括處理323(第二處理323)的步驟，例如涂覆第二基板120b的上側(cè)。該方法可選地包括排空311形成于第一基板120a與第二基板120b之間的間隙的步驟。排空311例如可以與第一處理313和/或第二處理323同時地執(zhí)行。相應(yīng)的基板堆疊120a、120b可以布置在多個空腔112中?；宥询B120a、120b中的第一基板(例示性地，下基板)120a可以相應(yīng)地形成第一基板排層(例示性地，下基板排層)320a。基板堆疊120a、120b中的第二基板(例示性地，上基板)120b可以相應(yīng)地形成第二基板排層(例示性地，上基板排層)320b。參照圖4a，承載板102中的空腔112可以基本上為例如長方盒形狀，并且因此(例如當從上方觀看時)可以具有四個角落區(qū)域412e和四個邊緣區(qū)域412i?？商娲?，承載板102中的空腔112可以具有任何其他適當?shù)男螤?，例如適于基板120的形狀和/或兩個保持框132a、132b的形狀。參照圖4b，在承載板102中可以一個挨一個地設(shè)有用于保持多個基板堆疊120a、120b的多個空腔112，例如多于10個空腔112，例如多于20個空腔112，例如多于50個空腔112，例如多于100個空腔112。本文中的方向105可以橫向于運送方向，基板保持裝置400b可以沿著運送方向在用于處理多個基板堆疊120a、120b的處理組件中被運送。根據(jù)各個實施例，多個空腔112可以至少沿著運送方向(例如沿著承載板102的縱向方向101)一個挨一個地(例如成行地)布置?？商娲鼗蚋郊拥?，多個空腔112可以至少橫向于運送方向(例如沿著承載板102的寬度方向103)一個挨一個地(例如成行地)布置。例如，多個空腔112可以布置成(例如二維)網(wǎng)格。圖11a視覺化示出在(例如沿承載板面截取的)示意性截面圖中的根據(jù)各個實施例的處理組件500a。根據(jù)各個實施例，處理組件500a可以具有第一處理裝置510a和第二處理裝置510b。第一處理裝置510a可以適用于相應(yīng)地對至少第一基板120a或第一基板排層320a進行處理，例如進行涂覆、照射、蝕刻等。第二處理裝置510b可以適用于以與第一處理裝置510a的方式相同或相似的方式相應(yīng)地對第二基板120b或第二基板排層320b進行處理，例如進行涂覆、照射、蝕刻等。用于涂覆的第一處理裝置510a和/或第二處理裝置510b可以包括如下項中的至少一個或由如下項中的至少一個形成：物理材料氣相源(用于借助于物理氣相沉積進行涂覆)，比如，例如磁控管(也被稱為濺鍍源，可選地與用于反應(yīng)濺鍍的反應(yīng)氣體源相結(jié)合)、激光束蒸發(fā)器、電弧蒸發(fā)器、電子束蒸發(fā)器和/或熱蒸發(fā)器；或者具有化學(xué)材料氣相源(用于借助于化學(xué)氣相沉積進行涂覆)，比如，例如反應(yīng)氣體源，可選地與等離子體源相結(jié)合(用于借助于支持等離子體的化學(xué)氣相沉積進行涂覆)?？商娲鼗蚋郊拥兀糜跍p去材料的第一處理裝置510a和/或第二處理裝置510b可以包括如下項中的至少一個或由如下項中的至少一個形成：等離子體源、離子束源、或蝕刻氣體源?？商娲鼗蚋郊拥兀糜谡丈涞牡谝惶幚硌b置510a和/或第二處理裝置510b可以包括如下項中的至少一個或由如下項中的至少一個形成：離子束源、電子束源或光源(例如閃光燈泡和/或激光器)。如圖11a中視覺化示出的，第一處理裝置510a和第二處理裝置510b可以被布置為使得所述處理裝置510a、510b處理相同的基板堆疊120a、120b。在此情況下，所述處理裝置510a、510b的處理區(qū)域可以至少部分地互相重疊。例如，第一處理裝置510a和第二處理裝置510b可以彼此相疊。圖11b視覺化示出在與處理組件500a的示意圖類似的示意圖中的根據(jù)各個實施例的處理組件500b。如圖11b中視覺化示出的，第一處理裝置510a和第二處理裝置510b可以被布置為使得所述處理裝置510a、510b處理不同的基板堆疊120a、120b。在此情況下，所述處理裝置510a、510b的處理區(qū)域可以彼此分離開。例如，第一處理裝置510a和第二處理裝置510b可以被布置為例如沿著運送方向和/或橫向于運送方向而彼此偏移。圖11a和圖11b每個視覺化地示出根據(jù)各個實施例的方法中的處理組件500a、500b。該方法可以包括處理第一基板120a的下側(cè)(或相應(yīng)地，第一基板排層320a的下側(cè))的步驟。第一基板120a的下側(cè)的處理可以包括以下步驟中的至少一個或由其形成：涂覆、照射、減去、清潔、加熱、轉(zhuǎn)換(例如化學(xué)地和/或結(jié)構(gòu)性地)、摻雜(例如化學(xué)地)、拋光?？商娲鼗蚋郊拥兀摲椒梢园ㄌ幚淼诙?20a的上側(cè)(或相應(yīng)地，第二基板排層320b的上側(cè))的步驟。第二基板120b的上側(cè)的處理可以包括以下步驟中的至少一個或由其形成：涂覆、照射、減去、清潔、加熱、轉(zhuǎn)換(例如化學(xué)地和/或結(jié)構(gòu)性地)、摻雜(例如化學(xué)地)、拋光。第一基板120a的下側(cè)的處理可以與第二基板120b的上側(cè)的處理相同?？商娲?，第一基板120a的下側(cè)的處理可以與第二基板120b的上側(cè)的處理不相同。例如，可以在第一方法周期中清潔第一(例如，上)基板排層，而在第一方法周期中涂覆第二(例如，下)基板排層。第二基板排層在其涂覆時可以與第三基板排層交換，使得已被清潔的第一基板排層可以在第二方法周期中被涂覆，并且第三基板排層可以在第二方法周期中被清潔。因此可以以無縫方式持續(xù)進行兩級式處理，而不必將處理系統(tǒng)重新裝備。這使得處理系統(tǒng)的空間需求能夠降低，因此使得固定成本和操作成本能夠最小化。當然，還可以例如在基板排層無需通過處理系統(tǒng)兩次的情況下執(zhí)行單級式處理。例如，在頂部的基板(相應(yīng)地，上基板排層)可以被涂覆第一涂覆材料，并且在底部(相應(yīng)地，下基板排層)的基板可以被涂覆第二涂覆材料(例如采用第一涂覆材料或其他涂覆材料)。圖11c以與處理組件500a的方式類似的方式視覺化示出根據(jù)各個實施例的處理組件500c。根據(jù)各個實施例，處理組件可以具有以下部件：處理腔室512，其用于在兩側(cè)上處理313、323(處理)多個基板堆疊120a、120b；和運送裝置522，其用于在處理裝置510a、510b的處理區(qū)域520(在這里的示例方式中僅示出了一個處理區(qū)域)中運送和/或定位多個基板堆疊120a、120b。運送裝置522可以具有多個運送輥，例如，所述運送輥的外圓周定義了根據(jù)各個實施例的基板保持裝置可以被沿其運送的運送面。運送面可以至少部分地以平面方式延伸(在此情況下也被稱為運送平面)，和/或至少部分地以曲面方式延伸。為了使承載板102被運送通過處理腔室512，例如可以使用被布置在承載板102的相對兩側(cè)上并對后者進行保持(使得例如處理裝置可以被布置于其間)的被單側(cè)支撐的運送輥。此外，承載板102還可以被插入另一載具中，或者借助于另一載具被運送。處理腔室512可以適應(yīng)于作為和/或操作為真空腔室或大氣壓腔室或正壓腔室。處理腔室512可以被適應(yīng)性調(diào)整為使得可以在其中設(shè)定和/或調(diào)節(jié)處理環(huán)境(包括工藝壓力、工藝氣體成分、工藝溫度等)。例如，處理器512可以被適應(yīng)性調(diào)整為在壓力方面穩(wěn)定(例如，達至至少1bar的壓差)、氣密的和/或防塵的。第一基板120a和/或第二基板120b的處理可以以正壓(大于1bar)來執(zhí)行，以約1bar的大氣壓來執(zhí)行，以負壓(小于1bar)來執(zhí)行，或者以真空(小于0.3bar)來執(zhí)行，如高真空(小于1mbar)，例如以高度真空(小于10-3bar)執(zhí)行，如超高真空(小于10-7bar)。為了設(shè)定和/或調(diào)節(jié)工藝氣體成分，可以例如借助于氣體饋入來將包括至少一種反應(yīng)氣體和/或操作氣體的氣體饋送到處理腔室512內(nèi)部。為了設(shè)定和/或調(diào)節(jié)工藝壓力，可以將處理腔室512耦接到具有對處理腔室512的內(nèi)部進行排空的至少一個增壓泵和/或真空泵的泵組件。為了設(shè)定和/或調(diào)節(jié)工藝溫度，處理組件500c可以具有加熱裝置和/或冷卻裝置，其可以將熱能供給處理腔室512內(nèi)部或至少供給在其中被運送的基板堆疊120a、120b(用于加熱)，或者從中抽取熱能(用于冷卻)。例如，第一基板120a和/或第二基板120b可以被涂覆以下中的至少一個：功能層、抗腐蝕層、光學(xué)活性層、保護層、導(dǎo)電層、電隔離層、密封件、種子層、表面拋光層。例如，功能層可以應(yīng)用于箔或硬金屬(例如在電池技術(shù)中)。例如，金屬涂層和/或電介質(zhì)材料的涂層可以應(yīng)用于玻璃(例如眼鏡、窗戶、移動電話、和/或建筑玻璃)。例如，導(dǎo)電保護層、功能層或抗腐蝕層可以應(yīng)用于金屬箔(例如在燃料電池技術(shù)中)。例如，種子層可以應(yīng)用于晶片(例如在半導(dǎo)體技術(shù)中)。例如，種子層可以包括鎳(ni)和/或銅(cu)或者由鎳(ni)和/或銅(cu)形成。種子層可以隨后進一步被通電涂覆，例如以便形成金屬層。圖12a視覺化示出在示意性流程圖中的根據(jù)各個實施例的方法1200。方法1200在步驟601中可以包括：將具有第一基板120a和第二基板120b的基板堆疊布置在基板保持裝置的容納區(qū)域中，其中第一基板的第一側(cè)面對第二基板的第一側(cè)。第二基板120b的上側(cè)和第一基板120a的下側(cè)可以例示性地被暴露以用于處理。方法1200在步驟603中可以包括：處理第一基板120a的與第一基板120a的第一側(cè)相背的第二側(cè)140b(參見圖12b)。方法1200在步驟605中可以進一步包括：處理第二基板120b的與第二基板120b的第一側(cè)相背且與第一基板120a的第二側(cè)140b背向的第二側(cè)140b(參見圖12b)。換言之，基板堆疊的彼此背向的兩側(cè)140b可以被處理。第一基板120a和/或第二基板120b的插入還可以被稱為基板保持裝置的加載過程。例如，卸載過程可以如加載過程那樣執(zhí)行，但是以相反的次序執(zhí)行，其中例如當?shù)谝槐３挚?32a連接到承載板102時或者當前者可從后者取回時，第一保持框132a可以可選地例如永久地保留在承載板102中。根據(jù)各個實施例，所有部件可以適于基板120a、120b和保持框132a、132b的完全自動加載和/或卸載。根據(jù)各個實施例，對基板保持裝置加載基板120a、120b可以在清潔所有部分時(例如在通過濕式化學(xué)法清潔時或在干冰噴擊時)執(zhí)行。根據(jù)各個實施例，可以僅通過第一保持框132a支撐第二保持框132b。可選地，第一保持框132a和/或第二保持框132b可以松散地(例如以側(cè)向懸浮的方式)擱置。圖12b視覺化示出在示意性截面圖(類似于圖8a的截面圖)中的根據(jù)各個實施例的方法(例如方法1200)中的基板保持裝置600b。第二基板120b可以在第一基板120a上或上方例如以精確配合的方式與后者相結(jié)合地布置在承載板102的基板容納空腔112中。第一基板120a可以插入(第一)保持框132a中，或者至少放置在所述(第一)保持框132a的支撐表面上。保持框132a可以以整塊的方式連接到承載板102。如圖12b中所示，第一基板120a和第二基板120b可以相互(物理)接觸。可以可選地在第一基板120a與第二基板120b(參見圖8a、圖8b或圖13b)之間插入另外的保持框132b(第二保持框132b)，例如至少部分地插入基板容納空腔112中。因此可以實現(xiàn)第一基板120a與第二基板120b之間的間隔，以使得所述基板120a、120b的(在第二基板120b的下側(cè)上以及在第一基板120a的上側(cè)上的)表面不會(例如由于處理而造成)彼此粘附，例如粘附地接合。如圖12b中所示，第一基板120a和第二基板120b可以以板狀的方式被配置?？商娲兀谝换?20a和/或第二基板120b可以以浮凸(embossed)方式被配置(也稱為凸顯輪廓(profiled))。根據(jù)各個實施例，插入第一基板120a和第二基板120b可以同時地(也就是說相結(jié)合地，即以基板堆疊120a、120b的方式)執(zhí)行。例如，第一基板120a和第二基板120b可以以預(yù)配置方式被插入空腔112中，例如可選地使用具有以下項中的至少一個的盒體來插入空腔112中：第一保持框132a，例如，其被插入了至少第一基板120a，例如(例如當保持框132a未連接到承載板102時)其可選地被插入了第二基板120b；第二保持框132b，其被插入了第二基板120b(例如當?shù)诙?20b未被布置在第一保持框132a中時)，例如，其被布置在第一基板120a與第二基板120b之間；第三保持框132c，例如，其被放置在第二基板120b上，以便例如使第二基板120b被夾住；另外的第三保持框132c，例如，其被放置在第一基板120a上，并且例如被布置在第一基板120a與第二基板120b之間，以便例如使第一基板120a被夾住。圖13a和圖13b每個視覺化示出在與圖8a的截面圖類似的示意性截面圖中的基板保持裝置700a和700b。根據(jù)各個實施例，第二保持框132b可以至少部分地延伸在第一保持框132a中的凹陷中，或者插入其中。第一保持框132a可以如圖13a視覺化示出的那樣插入到承載板102中，或者如圖13b視覺化示出的那樣例如以整塊方式連接到承載板102。各個實施例的示例描述如下：示例1b.方法1200包括以下步驟：將具有第一基板120a和第二基板120b的基板堆疊布置在基板保持裝置的容納區(qū)域中，其中第一基板120a的第一側(cè)140a面對第二基板120b的第一側(cè)140a；以及處理第一基板120a的與第一基板120a的第一側(cè)140a相背的第二側(cè)140b，并且處理第二基板120b的與第二基板120b的第一側(cè)140a相背且與第一基板120a的第二側(cè)140b背向的第二側(cè)140b。示例2b.根據(jù)示例1b的方法1200，其中布置基板堆疊包括將第一基板120a的第二側(cè)140b放置在基板保持裝置的支撐表面上。示例3b.根據(jù)示例1b或2b的方法1200，還包括：在第一基板120a與第二基板120b之間布置保持框，其中布置基板堆疊包括將第二基板120b插入保持框中。示例4b.根據(jù)示例1b至3b中的一個的方法1200，其中第一基板120a和第二基板120b相互物理接觸地布置；和/或其中在第一基板120a與第二基板120b之間形成間隙；和/或其中在第一基板120a與第二基板120b之間布置散熱器。示例5b.根據(jù)示例1b至4b中的一個的方法1200，其中第一基板120a的第二側(cè)140b的處理包括以下步驟中的至少一個：涂覆、照射、減去、清潔、加熱、轉(zhuǎn)換、摻雜、拋光；和/或其中第二基板120b的第二側(cè)140b的處理包括以下步驟中的至少一個：涂覆、照射、減去、清潔、加熱、轉(zhuǎn)換、摻雜、拋光。示例6b.基板保持裝置100、300a、300b，具有：具有至少一個空腔112的承載板102，空腔112從承載板102的上側(cè)102a延伸通過承載板102到達承載板102的下側(cè)102b；第一保持框132a，其具有用于保持第一基板120a的第一支撐表面；和第二保持框132b，其在被插入空腔112中時被布置在第一支撐表面上方，并且具有用于將第二基板120b保持在第一基板上方的第二支撐表面。示例7b.根據(jù)示例6b的基板保持裝置100、300a、300b，其中第一保持框132a和支撐板102以整塊的方式互連；或者其中第一保持框132a在被插入空腔112中時至少部分地擱置在承載板102的支撐表面上。示例8b.根據(jù)示例6b或7b中的一個的基板保持裝置100、300a、300b，還包括：用于覆蓋第二基板120b的第三保持框132c；其中第三保持框132c在被插入空腔112中時被布置在第二支撐表面上，以使得在第三保持框132c與第二支撐表面之間設(shè)置了用于容納第二基板120b的外圍部分的容納空間130。示例9b.根據(jù)示例6b至8b中的一個的基板保持裝置100，還包括：通風(fēng)口302o，用于對第一保持框132a與第二保持框132b之間的間隙進行排空。示例10b.處理組件500a、500b、500c，具有：處理腔室512；布置在處理腔室512中的第一處理裝置510a和第二處理裝置510b；根據(jù)示例6b至9b中的一個的基板保持裝置；和運送裝置522，用于在第一處理裝置510a和第二處理裝置510b之間運送和/或定位基板保持裝置。根據(jù)各個實施例，提供了用于在真空涂覆系統(tǒng)中在兩側(cè)上對基板(例如晶片)、例如薄基板(具有小于500μm的厚度)進行涂覆的基板保持裝置(基板保持器)。根據(jù)各個實施例，實現(xiàn)了基板兩側(cè)上的涂覆，其中上側(cè)在整個區(qū)域上被涂覆?？蛇x地，下側(cè)(例如基板的下表面)可以以包圍的方式在外圍(外圍區(qū)域)上被覆蓋(遮蔽)。根據(jù)各個實施例，可以提供在光學(xué)、半導(dǎo)體、光伏、屏障、和封裝的領(lǐng)域中使用的涂覆。根據(jù)各個實施例，外圍區(qū)域可以具有在從約0.1mm至約10mm的范圍內(nèi)的(從基板的邊緣朝向基板的中心的方向上測量的)延伸度，例如在從約0.2mm至約5mm的范圍內(nèi)的延伸度，例如在從約0.5mm至約2mm的范圍內(nèi)的延伸度。根據(jù)各個實施例，可以減小或防止對支撐表面(也被稱為口袋基座)的涂覆(例示性地通過濺鍍來覆蓋)。為此，基板保持裝置可以具有包圍支撐表面(也被稱為晶片擱架)的凹陷(也可以被稱為凹陷)。根據(jù)各個實施例，提供了支撐表面上的基板的擱架的安全和可重現(xiàn)的配置。根據(jù)各個實施例，基板保持裝置的清潔可以例如通過酸洗或照射來執(zhí)行。然而，在清潔(例示性地，“研磨法”)期間會發(fā)生物質(zhì)從基板保持裝置減去，也就是說，支撐表面上的材料的減去，這會減小后者的截面面積并且對后者的效果帶來風(fēng)險(例如，基板的外圍區(qū)域的陰影)。換句話說，通過清潔造成的保持框(遮罩)上材料的減去會導(dǎo)致支撐表面(基板支撐表面，例如晶片支撐表面)的縮減，因此增大了廢品率。因此，基板保持裝置可以被配置為在例如支撐表面中具有相對大的材料厚度，以便基板保持裝置被重復(fù)使用。根據(jù)各個實施例，例如，諸如陰極蒸發(fā)(所謂的濺鍍或磁控管濺鍍)之類的涂覆工藝(也就是基板的涂覆)可以在處理組件(例如真空系統(tǒng)和/或連續(xù)流式系統(tǒng))中執(zhí)行。具有相對小的面積的晶片和基板可以例如在一側(cè)上和/或在兩側(cè)上被處理，例如被涂覆。這樣的處理組件可以例如用在光伏領(lǐng)域中，例如以便產(chǎn)生以下蜂窩構(gòu)思中的至少一個：hjt(異質(zhì)結(jié)技術(shù))太陽能電池、ibc(背電極接觸)太陽能電池、wt(穿孔卷繞)太陽能電池、(鋁)bsf(背面場)太陽能電池、perc(鈍化發(fā)射極和背面電池)太陽能電池、perl(鈍化發(fā)射極背面局部擴散)太陽能電池、或pert(鈍化發(fā)射極背面完全擴散)太陽能電池。除了hjt(異質(zhì)結(jié)技術(shù))太陽能電池以外，所提及的蜂窩構(gòu)思可以要求僅在一側(cè)上對基板(例如晶片)的處理。根據(jù)各個實施例，提供了用于處理單晶硅基板(c-si基板)的處理組件，該處理組件可以包括用于提供氣態(tài)涂覆材料的處理裝置，例如材料氣相源，例如用于pvd(物理氣相沉積)的材料氣相源?；宓姆疵?或者相應(yīng)地，電池的反面)的處理可以借助于例如用于所述蜂窩構(gòu)思的處理組件來執(zhí)行，例如以便在基板的反面上形成金屬鍍層，例如pvd金屬鍍層。根據(jù)各個實施例，提供了用于提高基板的利用率的基板保持裝置和方法，所述裝置和所述方法被適應(yīng)性調(diào)整以使得基板(例如晶片)可以每個均在一側(cè)和/或兩側(cè)上被處理。例如，多個處理階段可以使用pvd材料源(例如濺鍍系統(tǒng))來實現(xiàn)。根據(jù)各個實施例，可以提供在真空中的在兩側(cè)上對基板的均勻涂覆。為了避免導(dǎo)電涂覆(層)中(例如，在基板的上側(cè)和下側(cè)上)的短路，可以例如借助于非涂覆外圍區(qū)域在兩個涂覆后的基板面之間設(shè)置隔離空腔。例如，所定義的外圍區(qū)域可以以包圍的方式被保護(遮擋)以防止涂覆，使得可以在基板上提供所謂的外圍排除區(qū)(也就是非涂覆環(huán)形區(qū)域)?；灞３盅b置(基板載具)被適應(yīng)性調(diào)整以使得在基板保持裝置的平面支撐表面上容納的安全基板以及用于例如借助于基板放置區(qū)域的內(nèi)圓周壁來對基板進行位置固定的側(cè)向定界被實現(xiàn)。圖14a視覺化示出在(例如沿支撐表面111a截取的)示意性截面圖或(例如垂直于支撐表面111a的)平面圖中的根據(jù)各個實施例的基板保持裝置100?；灞３盅b置100可以具有彼此平行地(例如沿著方向101)延伸的兩個支撐區(qū)域402h(也被稱為保持區(qū)域402h)。支撐區(qū)域402h使得基板保持裝置100能夠被沿著支撐區(qū)域402h彼此平行地延伸的方向(運送方向)而運送。換言之，支撐區(qū)域402h可以定義運送方向和/或沿著運送方向延伸?；灞３盅b置100可以被支承或支撐在支撐區(qū)域402h中以便基板保持裝置100與被保持在基板保持裝置100中的保持框132a、132b和/或基板120一起被運送(參見圖17a)。基板保持裝置100可以具有多個基板放置區(qū)域111，在多個基板放置區(qū)域111中基板保持裝置100可以相應(yīng)地具有用于將基板插入多個基板放置區(qū)域111中的空腔?；灞３盅b置100還可以具有在每個基板放置區(qū)域111中基板可被放置于其上的支撐表面111a。此外，基板保持裝置100可以具有凹陷111v，其至少部分地(例如完全地)圍繞基板放置區(qū)域111的每一個中的支撐表面111a。例如，凹陷111v可以至少部分地(例如完全地)沿著封閉路徑延伸，其中該封閉路徑圍繞支撐表面111a。根據(jù)各個實施例，可以在基板保持裝置100中一個挨一個地設(shè)置多個基板放置區(qū)域111，例如多于10個基板放置區(qū)域111，例如多于20個基板放置區(qū)域111，例如多于50個基板放置區(qū)域111，例如多于100個基板放置區(qū)域111，以用于保持多個基板。在用于處理多個基板120的處理組件中可以沿其運送基板保持裝置100的方向105可以橫向于運送方向。根據(jù)各個實施例，多個基板放置區(qū)域111可以至少沿著運送方向(例如沿著基板保持裝置100的縱向方向101)一個挨一個地(例如成行地)布置。可替代地或附加地，多個基板放置區(qū)域111可以至少橫向于運輸送方向(例如沿著基板保持裝置100的寬度方向103)一個挨一個地(例如成行地)布置。例如，多個基板放置區(qū)域111可以布置成(例如二維)網(wǎng)格。如下文所述，可以借助于保持框132a、132b(參見圖14b)或借助于承載板102(參見圖14c)來提供支撐表面111a。圖14b視覺化示出在(例如橫向于支撐表面111a而截取的)示意性截面圖中的根據(jù)各個實施例的基板保持裝置100，例如在圖14a中視覺化示出的基板保持裝置100?；灞３盅b置100可以具有承載板102。承載板102可以具有至少一個空腔112，例如以使得保持框132a、132b可以被容納于(或者可以至少部分地容納于)空腔112中，以便基板120借助于保持框132a、132b而保持在空腔112中。根據(jù)各個實施例，承載板102在尺寸方面可以適應(yīng)于待容納的基板120的數(shù)量和尺寸兩者以及用于處理基板120的處理組件500a、500b、500c(參見圖11a至圖11c)的尺寸(例如涂覆寬度和/或鎖長度)。例如，承載板102(也被稱為基本載具102)可以定位和/或保持多個基板120(例如晶片)以用于pvd涂覆。基板保持裝置100還可以具有插入空腔112中的保持框132a、132b。保持框132a、132b可以至少部分地擱置在承載板102上(例如在其支撐表面102f上)。保持框132a、132b可以例示性地被設(shè)置為使得插入其中的基板120和保持框132a、132b的支撐表面132f(也就是與其(也就是基板120的第二側(cè)140b)相互面對的側(cè))至少部分地彼此覆蓋或遮擋(遮蔽)。相反，基板120的第一側(cè)140a可以被完全地暴露(未覆蓋)，以便例如涂覆第一側(cè)140a。根據(jù)各個實施例，保持框132a、132b可以被適應(yīng)性調(diào)整以使得基板120的第二側(cè)140b(例示性地，其下側(cè)140b)至少部分地被暴露，并且基板120的第一側(cè)140a(例示性地，其上側(cè)140a)被完全暴露。保持框132a、132b可以例示性地被設(shè)置以使得所述保持框132a、132b可以覆蓋或遮擋(遮蔽)由所述保持框132a、132b例如在第二側(cè)140b上保持的基板120的至少一個外圍部分。因此，可以防止基板120的第一側(cè)140a上的涂層與基板120的第二側(cè)140b上的涂層之間的短路。換句話說，基板120的外圍部分在涂覆期間可以保持未被涂覆，也就是不被一起涂覆，以便提供隔離空腔。例如，基板120可以是晶片，例如半導(dǎo)體晶片，例如硅晶片?；?20通過其外圍區(qū)域可以借助整個圓周擱置在保持框132a、132b上?？商娲?，基板120在基板120的外圍區(qū)域中(在有角的基板的情況下，相應(yīng)地通過例如角落)還可以僅部分地擱置在保持框132a、132b上，也就是擱置在其擱置表面132f上。保持框132a、132b可以具有用于放置基板120的水平(或者相應(yīng)地，平面)支撐表面132f?；?20的外圍部分可以至少部分地接觸保持框132a、132b的支撐表面132f。圖14b視覺化示出根據(jù)各個實施例的方法中的基板保持裝置100。根據(jù)各個實施例，該方法可以包括以下步驟：將用于保持基板120的保持框132a、132b插入承載板102中的空腔112中，其中保持框132a、132b具有用于放置基板120的(例如平面的)支撐表面132f，并且其中保持框132a、132b具有凹陷111v，凹陷111v與支撐表面132f相鄰并且至少部分地圍繞后者；將基板120插入空腔132中以到保持框132的支撐表面132f上。保持框132a、132b和基板120可以可選適應(yīng)于彼此以使得在基板120與保持框132a、132b中的空腔132的外圍之間保留間隙304?？蛇x地，保持框132a、132b(例如其支撐表面132f)和基板120可以適應(yīng)于彼此以使得支撐表面132f完全被基板120覆蓋。保持框132a、132b和/或基板120的放置可以可選地借助于磁性夾具或抽吸夾具(也被稱為真空夾具)來執(zhí)行。保持框132a、132b可以具有空腔132，其穿透前者并且例如至少部分地暴露基板120的下側(cè)140b。圖14c視覺化示出在于圖14b的截面圖類似的示意性截面圖中的根據(jù)各個實施例的基板保持裝置100，例如在圖14a中視覺化示出的基板保持裝置100。根據(jù)各個實施例，支撐表面102f可以通過承載板102提供，其中承載板102具有凹陷111v，其與支撐表面102f相鄰并至少部分地圍繞后者。換句話說，支撐表面102f可以例如以一體化(整塊的)方式連接到承載板102。圖14c視覺化示出根據(jù)各個實施例的方法中的基板保持裝置100。根據(jù)各個實施例，該方法可以包括以下步驟：將基板120插入承載板102的空腔112中以到承載板102的支撐表面102f上，其中承載板102具有用于放置基板120的(例如平面的)支撐表面102f，并且其中承載板102具有凹陷111v，其與支撐表面102f相鄰并且至少部分地圍繞后者。承載板102和基板120可以可選地適應(yīng)于彼此以使得在基板120與承載板102中的空腔112的外圍之間保留間隙304。承載板102(例如其支撐表面102f)和基板120可以可選地適應(yīng)于彼此以使得支撐表面102f完全被基板120覆蓋。基板保持裝置100、100和100的各種修改和配置以及詳情將會在下文描述，其中可以以類似方式包括已在圖14a、圖14b和/或圖14c的上下文中描述的基本特征和操作模式。此外，下文所述的特征和操作模式可以以類似方式應(yīng)用于下文所述的基板保持裝置，和/或下文所述的基板保持裝置與在圖14a、圖14b和/或圖14c中描述的基板保持裝置100、100和100相結(jié)合。承載板102可以具有上側(cè)102a(或相應(yīng)地，上表面)和下側(cè)102b(或相應(yīng)地，下表面)。兩個表面102a、102b可以(例如至少部分地)彼此平面平行。沿著方向105的(垂直于兩個表面102a、102b)的承載板102可以具有從約1mm至約20mm的范圍內(nèi)的厚度，例如從約2mm至約10mm的范圍內(nèi)的厚度.根據(jù)各個實施例，承載板102(或相應(yīng)地，其支撐表面102f)和/或保持框132a、132b(或相應(yīng)地，其支撐表面132f)可以包括以下中的至少一個或者由以下中的至少一個形成：金屬，例如鈦、鋼(例如不銹鋼)；半金屬，例如碳。可替代地或附加地，承載板102可以包括復(fù)合材料或由復(fù)合材料形成。承載板102的上側(cè)102a和/或承載板102的下側(cè)102b可以配置成平面的(水平的)，例如彼此平面平行。承載板102的上側(cè)102a和/或承載板102的下側(cè)102b可以可選地被涂覆。根據(jù)各個實施例，基板保持裝置100、100和/或100(例如其承載板102)沿著方向103(沿著承載板面，例如與兩個表面102a、102b平行)可以具有從約10cm至約5m的范圍內(nèi)的寬度，例如從約1m至約3m的范圍內(nèi)的寬度。此外，基板保持裝置100、100和/或100(例如其承載板102)(沿著承載板面，例如與兩個表面102a、102b平行)橫向于寬度方向103可以具有從約10cm至約5m的范圍內(nèi)的長度，例如從約0.1m至約2m的范圍內(nèi)的長度，例如大于0.5m的長度。例如，承載板102可以沿著其長度被運送。圖15a視覺化示出在(例如橫向于支撐表面111a截取的)示意性截面圖中的根據(jù)各個實施例的基板保持裝置1500a，其中承載板102的和/或保持框132a、132b的空腔112可以具有相對于支撐表面111a傾斜地延伸(例如至少扭折一次)的內(nèi)圓周壁302。圖15b和圖15c每個視覺化示出在示意性透視圖中的根據(jù)各個實施例的基板保持裝置1500b，其中圖15b示出沒有基板120的基板保持裝置1500b，圖15c示出其中放置了基板120的基板保持裝置1500b。根據(jù)各個實施例，承載板102的和/或保持框132a、132b的空腔112可以被設(shè)置為使得在放置于其中的基板120與內(nèi)圓周壁302之間保留了空隙304。換句話說，在其上放置有基板120的情況下的凹陷111v可以至少被部分地暴露，也就是通過間隙304暴露。例如間隙304可以設(shè)置有從約0.1mm至約1mm的范圍內(nèi)的寬度(間隙寬度)，例如大于約0.2mm的寬度。為了使基板120插入基板保持裝置1500a中，例如插入保持框132a、132b(保持器)中和/或插入承載板102中，在考慮到基板容差的同時，可能有必要使包圍間隙304可用，包圍間隙304被適應(yīng)性調(diào)整為使得保證基板120在其最大尺寸處被可靠地放置，然而同時僅允許基板120的最小中心偏差。層被沉積，也就是說，在涂覆工藝(濺鍍、蒸發(fā)等)期間在基板120的上側(cè)140a和/或下側(cè)140b上形成涂層。類似地對基板保持裝置1500a執(zhí)行層的沉積(也就是分層構(gòu)造)。盡管基板保持裝置1500a的(例如承載板102和/或保持框132a、132b的)下側(cè)上的分層構(gòu)造幾乎不會發(fā)生問題，可能會產(chǎn)生問題的涂覆在基板保持裝置1500a的(例如承載板102和/或保持框132a、132b的)上側(cè)被執(zhí)行。例如會在以不夠?qū)挼姆绞竭m應(yīng)性調(diào)整凹陷111v時在側(cè)向定界面(內(nèi)圓周壁302)上、在間隙304(放置間隙304)上、以及在支撐表面111a上出現(xiàn)分層構(gòu)造。因此，當將凹陷111v制成所需尺寸時，基板120相對于空腔112的尺寸和容差每個均可以納入考慮。換句話說，放置間隙304可以比凹陷111v窄。因此，可以例示性地實現(xiàn)支撐表面111a被其上放置的基板120完全遮擋。相反，如果支撐表面111a被涂覆，則容納輪廓中的分層結(jié)構(gòu)會出現(xiàn)，直到后續(xù)清潔周期(interval)為止，由于此，不再能夠保證基板的可靠容納。例示性地，會產(chǎn)生非平面的支撐表面111a，增大了基板破損和不充分涂覆(例如不充分濺鍍)的風(fēng)險，也就是在基板下側(cè)的外圍區(qū)域中的寄生涂覆，因此產(chǎn)生了外圍排除區(qū)中的中斷物(廢品部件)。根據(jù)各個實施例，可以提供包圍凹陷111v(凹陷輪廓)，其可以容納一定比例的層(層比例)，直到后續(xù)的清潔為止。因此保護了基板支撐表面111a不會涂覆。換言之，凹陷111v的深度可以適應(yīng)于清潔間隔的間距和在所述間隔之間沉積的層的厚度。參照圖4a，例如，承載板102的和/或保持框132a、132b的空腔112可以基本上為長方盒形狀，因此(例如當從上方觀看時)具有四個角落區(qū)域412e和四個邊緣區(qū)域412i?？商娲兀休d板102的和/或保持框132a、132b的空腔112可以具有任何其他適當?shù)男螤睿缫允沟眠m應(yīng)于基板120的形狀。例如，承載板102的空腔112可以具有和/或任何其他適當?shù)男螤?，例如適應(yīng)于保持框132a、132b的形狀。參照圖4b，在基板保持裝置400b(例如其承載板102)中可以一個挨一個地設(shè)置有用于保持多個基板120的多個空腔112(例如借助于相應(yīng)的保持框132a、132b)，例如多于10個空腔112，例如多于20個空腔112，例如多于50個空腔112，例如多于100個空腔112。本文中的方向105可以橫向于運送方向，沿著運送方向，基板保持裝置400b可以在用于處理多個基板120的處理組件中被運送。根據(jù)各個實施例，多個空腔112可以至少沿著運送方向(例如沿著承載板102的縱向方向101)一個挨一個地(例如成行地)布置?？商娲鼗蚋郊拥兀鄠€空腔112可以至少橫向于運送方向(例如沿著承載板102的寬度方向103)一個挨一個地(例如成行地)布置。例如，多個空腔112可以布置成(例如二維)網(wǎng)格。參照圖11a，處理組件500a可以具有第一處理裝置510a和第二處理裝置510b。第一處理裝置510a可以適于處理(例如用于涂覆、用于照射、用于蝕刻等)至少一個基板120，例如其第一側(cè)140a。第二處理裝置510b可以適于例如以與第一處理裝置510a的方向相同或不相同的方式處理(例如用于涂覆、用于照射、用于蝕刻等)基板120，例如其第二側(cè)140b。用于涂覆(也就是說用于提供氣態(tài)涂覆材料)的第一處理裝置510a和/或第二處理裝置510b可以包括以下中的至少一個或由以下中的至少一個形成：物理材料氣相源(用于借助物理氣相沉積進行涂覆)，比如，如磁控管(也被稱為濺鍍源，可選地結(jié)合用于反應(yīng)濺鍍的反應(yīng)氣體源)、激光束蒸發(fā)器、電弧蒸發(fā)器、電子束蒸發(fā)器、和/或熱蒸發(fā)器；或者化學(xué)材料氣相源(用于借助化學(xué)氣相沉積進行涂覆)，比如，如反應(yīng)氣體源，可選地結(jié)合等離子體源(用于借助支持等離子體的化學(xué)氣相沉積進行涂覆)?？商娲鼗蚋郊拥?，用于減去材料的第一處理裝置510a和/或第二處理裝置510b可以包括以下中的至少一個或由以下中的至少一個形成：等離子體源、離子束源、或蝕刻氣體源?？商娲鼗蚋郊拥?，用于照射的第一處理裝置510a和/或第二處理裝置510b可以包括以下中的至少一個或由以下中的至少一個形成：離子束源、電子束源、或光源(例如閃光燈泡和/或激光器)。如圖11a中視覺化示出的，第一處理裝置510a和第二處理裝置510b可以被布置為使得所述處理裝置510a、510b處理相同的基板120。在此情況下，所述處理裝置510a、510b的處理區(qū)域至少可以部分地相互重疊。例如，第一處理裝置510a和第二處理裝置510b可以彼此相疊。參照圖11b，第一處理裝置510a和第二處理裝置510b可以被布置為使得所述處理裝置510a、510b處理不相同的基板120。在此情況下，所述處理裝置510a、510b的處理區(qū)域可以彼此間隔開。例如，第一處理裝置510a和第二處理裝置510b可以被布置為例如沿著運送方向和/或橫向于運送方向彼此偏移。圖11a和圖11b每個視覺化示出根據(jù)各個實施例的方法中的處理組件500a、500b。該方法可以包括處理基板120的下側(cè)140b的步驟。基板120的下側(cè)140b的處理可以包括以下步驟中的至少一個或由以下步驟中的至少一個形成：涂覆、照射、減去、清潔、加熱、轉(zhuǎn)換(例如化學(xué)地和/或結(jié)構(gòu)性地)、摻雜(例如化學(xué)地)、拋光?？商娲鼗蚋郊拥兀摲椒梢园ㄌ幚砘?20的上側(cè)140a的步驟?；?20的上側(cè)140a的處理可以包括以下步驟中的至少一個或由以下步驟中的至少一個形成：涂覆、照射、減去、清潔、加熱、轉(zhuǎn)換(例如化學(xué)地和/或結(jié)構(gòu)性地)、摻雜(例如化學(xué)地)、拋光?；?20的下側(cè)140b的處理可以與基板120的上側(cè)140a的處理相同?？商娲兀?20的下側(cè)140b的處理可以與基板120的上側(cè)140a的處理不相同。參照圖11c，處理組件500c可以具有以下：處理腔室512，用于在一側(cè)和/或兩側(cè)上處理313、323(處理)多個基板120；和運送裝置522，用于在處理裝置510a、510b的處理區(qū)域520(在這里以示例方式僅示出了一個處理區(qū)域)中運送和/或定位多個基板120。運送裝置522可以具有多個運送輥，例如所述運送棍的外圓周定義了根據(jù)各個實施例的基板保持裝置可以被沿其運送的運送面。運送面可以至少部分地以平面的方式延伸(在此情況下也被稱為運送平面)，和/或至少部分地以曲面方式延伸。為了使基板保持裝置被運送通過處理腔室512，例如可以使用被單側(cè)支撐的運送棍，其布置在基板保持裝置的相對兩側(cè)上并且在其支撐區(qū)域402中保持后者(例如，以使得處理裝置可以布置于其間)。此外，基板保持裝置還可以被插入載具或借助于載具而被運送。處理腔室512可以被適應(yīng)性調(diào)整為和/或操作為真空腔室或大氣壓腔室或正壓腔室。處理腔室512可以被適應(yīng)性調(diào)整以使得可以在其中設(shè)定和/或調(diào)節(jié)處理環(huán)境(包括工藝壓力、工藝氣體成分、工藝溫度等)。例如，處理腔室512可以被適應(yīng)性調(diào)整為在壓力方面穩(wěn)定(例如，達至至少1bar的壓差)、氣密的和/或防塵的。基板120和/或多個基板120的處理可以以正壓(大于1bar)來執(zhí)行，以約1bar的大氣壓來執(zhí)行，以負壓(小于1bar)來執(zhí)行，或者以真空(小于0.3bar)來執(zhí)行，如高真空(小于1mbar)，例如以高度真空(小于10-3bar)執(zhí)行，如超高真空(小于10-7bar)。為了設(shè)定和/或調(diào)節(jié)工藝氣體成分，可以例如借助于氣體饋入來將包括至少一種反應(yīng)氣體和/或操作氣體的氣體饋送到處理腔室512內(nèi)部。為了設(shè)定和/或調(diào)節(jié)工藝壓力，可以將處理腔室512耦接到具有對處理腔室512的內(nèi)部進行排空的至少一個增壓泵和/或真空泵的泵組件。為了設(shè)定和/或調(diào)節(jié)工藝溫度，處理組件500c可以具有加熱裝置和/或冷卻裝置，其可以將熱能供給處理腔室512內(nèi)部或至少供給在其中被運送的基板120(用于加熱)，或者從中抽取熱能(用于冷卻)。例如，基板120和/或多個基板120(例如基板排層)可以被涂覆以下中的至少一個：功能層、抗腐蝕層、光學(xué)活性層、保護層、導(dǎo)電層、電隔離層、密封件、種子層、表面拋光層。例如，功能層可以應(yīng)用于箔或硬金屬(例如在電池技術(shù)中)。例如，金屬涂層和/或電介質(zhì)材料的涂層可以應(yīng)用于玻璃(例如眼鏡、窗戶、移動電話、和/或建筑玻璃)。例如，導(dǎo)電保護層、功能層或抗腐蝕層可以應(yīng)用于金屬箔(例如在燃料電池技術(shù)中)。例如，種子層可以應(yīng)用于晶片(例如在半導(dǎo)體技術(shù)中)。例如，種子層可以包括鎳(ni)和/或銅(cu)或者由鎳(ni)和/或銅(cu)形成。種子層可以隨后進一步被電性涂覆，例如以便形成金屬層。圖16a和圖16b每個視覺化示出在示意性透視圖中的根據(jù)各個實施例的基板保持裝置600a，其中圖16a示出沒有基板120的基板保持裝置600a，圖16b示出其中插入了基板120的基板保持裝置600a。根據(jù)各個實施例，基板保持裝置600a可以具有向外翻轉(zhuǎn)的至少一個角落區(qū)域412e(例如向外翻轉(zhuǎn)的角落區(qū)域412e，或者向外翻轉(zhuǎn)的多個角落區(qū)域412e)。凹陷111v可以遵循，以便順應(yīng)向外翻轉(zhuǎn)的至少一個角落區(qū)域412e。例如，在基板120具有削角的角落時，向外翻轉(zhuǎn)的至少一個角落區(qū)域412e中的支撐表面111a可以被削角。凹陷111v可以配置成溝槽的形式。至少一個向外翻轉(zhuǎn)的角落區(qū)域412e可以擴大內(nèi)圓周壁302與基板120的間隔，減小了在至少一個向外翻轉(zhuǎn)的角落區(qū)域412e中的基板120與內(nèi)圓周壁302之間的接觸的風(fēng)險。換句話說，在至少一個向外翻轉(zhuǎn)的角落區(qū)域412e中的基板120與內(nèi)圓周壁302之間的間隙304可以被擴大地設(shè)置。因此可以實現(xiàn)基板破損風(fēng)險的降低。圖17a視覺化示出在(例如橫向于支撐表面111a和/或橫向于運送方向所截取的)示意性截面圖中的根據(jù)各個實施例的基板運送裝置1700。例如，支撐表面111a可以沿運送方向?qū)?。根?jù)各個實施例，基板運送裝置1700a可以具有用于運送基板保持裝置的運送系統(tǒng)，其中運送系統(tǒng)具有兩個加強元件812，以使得基板運送裝置700(例如其承載板102)被相應(yīng)地保持或支撐在兩個支撐區(qū)域402中(例如，僅在兩個支撐區(qū)域402h中)。被支撐在加強元件812上的基板運送裝置1700a的運送可以借助于例如運送輥、鏈、帶、或其他適當?shù)倪\送裝置來執(zhí)行。憑借基板運送裝置1700a的支撐，后者例如可以彎曲，例如在基板運送裝置1700a(例如其承載板102)的中心處具有最大彎曲度705。當使用保持框132a、132b用于保持相應(yīng)的基板102時，例如，保持框132a、132b可以從基板運送裝置1700a或者從其承載板102去耦，使得承載板102的彎曲度705對基板120具有微小的或沒有負面影響和/或不被傳遞到后者。例如，用于基板120的平面支撐表面132f可以借助于保持框132a、132b以與彎曲度705無關(guān)的方式來提供。圖17b視覺化示出在(例如橫向于支撐表面111a截取的)示意性截面圖中的根據(jù)各個實施例的基板保持裝置1700b。支撐表面111a可以例如沿運送方向?qū)?。根?jù)各個實施例，支撐表面132f可以具有在從約0.1mm至約10mm的范圍內(nèi)的延伸度710，例如在從約0.2mm至約5mm的范圍內(nèi)的延伸度710，例如在從約0.5mm至約2mm的范圍內(nèi)的延伸度710。根據(jù)各個實施例，基板放置區(qū)域111的(例如保持框132a、132b的)空腔132可以(例如沿著支撐表面132f，例如與支撐表面132f水平，和/或沿著承載板面102e)具有在從約50mm至約500mm的范圍內(nèi)的延伸度728，例如在從約100mm至約250mm的范圍內(nèi)的延伸度728，在從約150mm至約160mm的范圍內(nèi)的延伸度728，例如約154mm的延伸度728。延伸度728可以對應(yīng)于內(nèi)圓周壁302在相對部分上的間隔。根據(jù)各個實施例，基板120上的遮擋區(qū)域可以被提供有(在從基板邊緣朝向基板中心的方向上測量的)從約2mm至約20mm的范圍內(nèi)的延伸度714，例如從約3mm至約10mm的范圍內(nèi)的延伸度714，例如從約3mm至約4mm的范圍內(nèi)的延伸度714。遮擋區(qū)域可以被理解為這樣的區(qū)域，其中沉積材料的量由于靠近基板保持裝置1700b(例如內(nèi)圓周壁302)而受到影響，也就是降低。根據(jù)各個實施例，可以通過遮擋區(qū)域來確定內(nèi)圓周壁302的高度及其傾斜度。例如，所述高度可以基于具有在從約40°至約80°(例如約60°)的范圍內(nèi)的角度716的包絡(luò)。內(nèi)圓周壁302相對于正交方向105(其垂直于支撐表面132f和/或垂直于承載板面102e而延伸)的傾斜度——角度718(例如與支撐表面132f水平，也就是在內(nèi)圓周壁302的上部中)可以具有在從約0°至約40°的范圍內(nèi)的值，例如在從約10°至約30°的范圍內(nèi)的值，例如約20°。通過類似方式，內(nèi)圓周壁302相對于正交方向105的傾斜度——角度720(例如在內(nèi)圓周壁302的下部中)可以具有從約0°至約20°的范圍內(nèi)的值，例如約10°。換句話說，內(nèi)圓周壁302在上部和/或下部中可以具有倒角。根據(jù)各個實施例，支撐表面132f在其相對部分上的間隔726可以比空腔132的延伸度728小，例如比延伸度728小的范圍在從約0.5mm至約10mm內(nèi)，例如在從約1mm至約5mm內(nèi)，例如在從約2mm至約4mm內(nèi)。根據(jù)各個實施例，支撐表面132f與保持框132a、132b的空腔的外圍302(換句話說，內(nèi)圓周壁302)之間的凹陷111v可以具有例如平行于支撐表面132f測量的(例如在支撐表面132f的平面內(nèi)的，也就是，與支撐表面132f水平地測量的)可以與待容納的基板120的寬度相適應(yīng)的寬度724(間隙寬度)，例如在從約0.1mm至約1.5cm的范圍內(nèi)的寬度724，例如小于1cm、0.5cm、1mm、500μm、300μm或200μm的寬度724，例如在從約0.1mm至約10mm的范圍內(nèi)，例如在從約0.2mm至5mm的范圍內(nèi)，例如在從約0.5mm至約2mm的范圍內(nèi)，例如約0.8mm。凹陷111v可以具有(橫向于支撐表面132f的)在從約0.1mm至約1.5mm的范圍內(nèi)的深度722，例如小于1mm、0.5mm和/或大于200μm或300μm的深度。通過與之類似的方式，例如當未使用保持框132a、132b時，可以在承載板102中成型空腔112、支撐表面132f和凹陷111v。圖18a視覺化示出在示意性截面圖或平面圖(類似于圖14a)中的根據(jù)各個實施例的基板保持裝置800a。根據(jù)各個實施例，基板保持裝置800a可以具有至少一個加強元件812(例如兩個或多于兩個加強元件812)，其在兩個支撐區(qū)域402h之間延伸并且延伸到其中。所述至少一個加強元件812可以例示性地橫向于運送方向延伸并且減小彎曲度705。在所述至少一個加強元件812中，基板保持裝置800a可以具有比在支撐區(qū)域402h(保持區(qū)域402h)中和/或在基板放置區(qū)域111中更大的延伸度(例示性地，例如在方向105上的厚度)。例如，所述至少一個加強元件812可以在支撐區(qū)域402h中連接到彼此相對的加強元件812。因此可以實現(xiàn)基板保持裝置800a的(例如其承載板102的)平面加強。圖18b視覺化示出在示意性流程圖中的根據(jù)各個實施例的方法800b。方法800b在步驟801中包括將基板插入基板保持裝置的基板放置區(qū)域中的步驟。根據(jù)各個實施例，基板可以具有第一側(cè)和與第一側(cè)相對的第二側(cè)；其中基板的第二側(cè)與基板放置區(qū)域的支撐表面物理接觸；并且其中基板具有平行于支撐表面的(例如與支撐表面水平地測量的)延伸度，其小于基板放置區(qū)域的空腔，例如小于基板放置區(qū)域的內(nèi)圓周壁的直徑。方法800b在步驟801中包括處理基板的第一側(cè)的步驟。根據(jù)各個實施例，支撐表面和基板可以適應(yīng)于彼此以使得支撐表面通過處理被基板完全遮擋。換言之，基板可以完全覆蓋支撐表面。根據(jù)各個實施例的示例可以被描述如下：示例1c.基板保持裝置100，具有：兩個支撐區(qū)域402h，其平行于彼此延伸，并且基板保持裝置100在該處可以被支撐以便后者被運送；以及多個基板放置區(qū)域111，其布置在兩個支撐區(qū)域402h之間，基板放置區(qū)域111中的每一個具有空腔112和用于將基板120保持在空腔112中的支撐表面111a；并且基板放置區(qū)域111中的每一個具有與支撐表面111a相鄰并且至少部分地圍繞后者的凹陷111v。示例2c.根據(jù)示例1c的基板保持裝置100，其中所述多個基板放置區(qū)域111中的至少一個基板放置區(qū)域111的空腔112延伸通過基板保持裝置100。示例3c.根據(jù)示例1c或2c的基板保持裝置100，其中所述多個基板放置區(qū)域111中的至少一個基板放置區(qū)域111的凹陷111v與相應(yīng)空腔112的內(nèi)圓周壁相鄰。示例4c.根據(jù)示例1c至3c中的一個的基板保持裝置100，還具有承載板102；其中所述多個基板放置區(qū)域111中的至少一個基板放置區(qū)域111的支撐表面111a連接到承載板102；和/或其中所述多個基板放置區(qū)域111中的至少一個基板放置區(qū)域111的支撐表面111a借助于保持框132a、132b而提供，當保持框132a、132b在被插入承載板102的空腔112中時至少部分地擱置在承載板102的支撐表面111a上。示例5c.根據(jù)示例4c的基板保持裝置100，還具有：其中承載板102的空腔112延伸通過承載板102。示例6c.根據(jù)示例1c至5c中的一個的基板保持裝置100，其中所述多個基板放置區(qū)域111中的至少一個基板放置區(qū)域111的支撐表面111a是平面的。示例7c.根據(jù)示例1c至6c中的一個的基板保持裝置100，其中所述多個基板放置區(qū)域111中的至少一個基板放置區(qū)域111的支撐表面111a包括金屬或者由金屬形成。示例8c.根據(jù)示例1c至7c中的一個的基板保持裝置100，還具有：至少一個加強元件812，其在兩個支撐區(qū)域402h之間延伸并且穿過這兩個支撐區(qū)域402h，和/或多個加強元件812，其平行于彼此延伸，其中的至少一個加強元件812布置在兩個支撐區(qū)域402h的支撐區(qū)域402h中。示例9c.處理組件500a、500b、500c，具有：處理腔室512；處理裝置510a、510b，其定義了處理腔室512中的處理區(qū)域；根據(jù)示例1c至8c中的一個的基板保持裝置100；以及運送裝置522，其用于在處理區(qū)域中運送和/或定位基板保持裝置100，其中運送裝置522適用于在基板保持裝置100的兩個支撐區(qū)域402h中支撐基板保持裝置100。示例10c.根據(jù)示例9c的處理組件500a、500b、500c，還具有：另一處理裝置510b，其中運送裝置522適用于在處理裝置510a與所述另一處理裝置510b之間運送和/或定位基板保持裝置100。示例11c.方法800b，包括以下步驟：將基板120插入801基板保持裝置100的空腔112中以到其基板放置區(qū)域111中，其中基板120具有第一側(cè)和與第一側(cè)相背的第二側(cè)；其中基板120的第二側(cè)與基板放置區(qū)域111的支撐表面111a物理接觸；其中基板具有平行于支撐表面111a的延伸度，該延伸度小于基板放置區(qū)域111的空腔112；處理803基板120的第一側(cè)，其中支撐表面111a和基板適應(yīng)于彼此以使得支撐表面111a通過處理完全被基板遮擋。圖19a和圖19b每個視覺化示出根據(jù)各個實施例的各自在示意性平面中的基板保持裝置?；灞３盅b置1900a、1900b可以具有帶有空腔112的承載板102?？涨?12可以從承載板102的上側(cè)102a延伸通過承載板102到達承載板102的下側(cè)102b?；灞３盅b置1900a、1900b可以具有保持框132a。保持框132a可以具有框開口132(也被稱為空腔132)?？蜷_口132可以從保持框132a的上側(cè)102a延伸通過保持框132a到達保持框132a的下側(cè)102b。用于將基板120保持在空腔112中的保持框132a可以具有圍繞框開口132的支撐表面111a。被插入空腔112的保持框132a可以至少部分地擱置在承載板102上?；灞３盅b置1900b的保持框132a可以具有圍繞支撐表面111a的凹陷111v(凹陷111v)。圖20a和圖20b每個視覺化示出根據(jù)各個實施例的示圖，其中在時間2003(以小時為單位)上視覺化示出容納體中的壓力2005(以毫巴為單位)。根據(jù)各個實施例，保持框可以包括塑料材料(聚合物)，例如聚醚醚酮(peek)，或者由其形成。用于制造保持框的方法可以包括以下步驟：提供包括peek或由peek形成的基體；例如根據(jù)預(yù)定義圖形(或三維模型)，通過基體的減去處理從基體形成保持框。減去處理可以是成本密集型的。因此，可以以少量的預(yù)定義預(yù)算來通過peek提供保持框。例如，這樣的保持框可以回收利用(多次使用)。可替代地或附加地，保持框可以包括聚苯硫醚(pps，也可以稱作福特綸)或由其形成。用于制造保持框的方法可以包括以下步驟：提供鑄模；通過將pps注入鑄模并固化pps而形成保持框。可替代地，保持框可以包括其他熱塑性塑料材料或由其形成(也就是說能夠注塑成型)。聚苯硫醚可以通過注塑成型法來成型，這會比減去處理更成本有效。因此，可以以預(yù)定義的預(yù)算大量地提供得自于聚苯硫醚的保持框。例如，這樣的保持框可以用作拋棄型部件(一次性使用部件)。在這種情況下，可以節(jié)省關(guān)于回收利用的成本。例如，可以省去保持框的清潔(在一次性使用的情況下)，這例如引起保持框的更少的氣體排放。例如，清潔會導(dǎo)致所謂的海綿效應(yīng)，在這種情況下，塑料材料吸收用于清潔的物質(zhì)的構(gòu)成成分，并且僅當它們處于真空中時才釋放后者?？商娲鼗蚋郊拥兀芰喜牧峡梢园ň埘啺?例如高溫聚酰亞胺，例如所謂的tecasint)和/或聚四氟乙烯(ptfe)或由其形成。塑料材料可以可選地為復(fù)合材料的一部分。例如，復(fù)合材料可以包括塑料材料和固體材料，后者(固體材料)比塑料材料硬，和/或比塑料材料具有更高耐熱性(分解溫度、熔化溫度和/或玻璃轉(zhuǎn)變溫度)。固體材料可以包括顆粒(固體顆粒)、片屑和/或纖維(固體材料纖維)或者由其形成。固體材料可以包括聚合物(例如ptfe)、礦石、陶瓷、碳改性(例如煤、石墨或炭黑)中的碳、氧化物、碳化物、氮化物、硫化物(例如二硫化鉬)、和/或玻璃(例如玻璃顆粒和/或玻璃纖維)?？商娲鼗蚋郊拥兀瑥?fù)合材料可以包括塑料材料和固體材料(例如ptfe、導(dǎo)電炭黑、或石墨)，其具有比塑料材料更低的動摩擦力和/或比塑料材料更高的電導(dǎo)率。例如，復(fù)合材料可以包括礦物加強的和/或玻璃加強的塑料材料或者由其形成?？商娲鼗蚋郊拥?，復(fù)合材料可以包括石墨和/或ptfe(聚四氟乙烯)。保持框或者塑料材料和/或復(fù)合材料相應(yīng)地可以具有大于約150℃的、例如大于約200℃的、例如大于約300℃的、例如大于約400℃的、例如在從約200℃至約500℃范圍內(nèi)的、或者大于約500℃的長期耐熱性(也就是說熔化溫度、玻璃轉(zhuǎn)變溫度和/或分解溫度)。保持框或者塑料材料和/或復(fù)合材料相應(yīng)地可以具有例如針對大于約150℃的、例如大于約200℃的、例如大于約300℃的、例如大于約400℃的、例如在從約200℃至約500℃范圍內(nèi)(例如約470℃)的、或者大于約500℃的溫度的耐熱性(hdt/a，也就是根據(jù)方法a)。保持框或者塑料材料和/或復(fù)合材料相應(yīng)地可以是電隔離的，例如具有小于約10-6s/m的、例如小于約10-7s/m的、例如小于約10-8s/m的、例如小于約10-9s/m的、例如小于約10-10s/m的、例如小于約10-11s/m的、例如小于約10-12s/m的電導(dǎo)率。保持框的塑料材料可以是可用于真空的。根據(jù)各個實施例，可真空兼容(也被稱為可用于真空)可以理解為意思是材料(也被稱為物質(zhì))具有低汽化壓力(也就是盡可能少的氣體排放)，例如小于約10-13mbar的、例如小于約10-17mbar的、例如在從約10-5mbar至約10-15mbar范圍內(nèi)的(在室溫下測量的)汽化壓力。此外，汽化壓力還可以在升高的溫度處很低，例如在200℃處小于約10-5mbar。關(guān)于塑料材料的氣體排放的這種測量以示例方式在示圖2000a和2000b中示出。在相應(yīng)的測量之前，可以使塑料材料和/或容納體在高度真空中調(diào)節(jié)24小時，以降低對測量結(jié)果的誤差的敏感性。容納體的通風(fēng)時間在環(huán)境空氣中可以為約一小時。塑料材料可以具有小于約1％的、例如小于約0.5％的、例如小于約0.1％的、例如約0.02％的吸水率。塑料材料可以是無味的。吸收容積/吞吐容積法可以被用于測量氣體排放。每表面面積的氣體流量得自于樣本上活動的有效吸收容積以及所測量的壓力。在減去使用空容納體的參考測量結(jié)果之后，得到被氣體排放的材料(氣體排放)的量。示圖2000a視覺化示出針對peek的排空曲線2002a、2002b(peek調(diào)整結(jié)果2002a和peek測量結(jié)果2002b)和針對pss的排空曲線2004a、2004b(pss調(diào)整結(jié)果2004a和pss測量結(jié)果2004b)。排空曲線可能額外地受到溫度變化和/或壓力變化的篡改。在示圖2000b中示出相應(yīng)的校正后的排空曲線(peek調(diào)整結(jié)果2002a和peek測量結(jié)果2002b，pss調(diào)整結(jié)果2004a和pss測量結(jié)果2004b)。圖21a和圖21b每個視覺化示出根據(jù)各個實施例的示圖2100a、2100b，其中相應(yīng)地視覺化示出了在時間2003(以小時為單位)上的解吸率2105(單位為毫巴升每秒——mbar·l/s)或針對重量進行標準化后的解吸率(單位為毫巴升每秒每克——mbar·l/(s·g))。peek的氣體排放(解吸率)比pss的氣體排放(解吸率)低，是4倍。對于兩種材料而言時間特性相當；然而，peek在相對長的時間(多于10小時，對應(yīng)于10h)“飽和”。保持框的塑料材料的解吸率2105可以小于約10-5mbar·l/s，例如對于pss小于約8.3·10-5mbar·l/s(例如1h之后)，例如對于pss小于約3.1·10-6mbar·l/s(例如4h之后)，例如對于pss小于約2·10-6mbar·l/s(例如10h之后)，和/或例如對于peek小于約3.3·10-5mbar·l/s(例如1h之后)，例如對于peek小于約1.6·10-5mbar·l/s(例如4h之后)，例如對于peek小于約1.1·10-5mbar·l/s(例如10h之后)。解吸率的時間常數(shù)(對應(yīng)于雙對數(shù)示圖2100a、2100b中的線性輪廓)可以小于約1，例如小于約0.9，例如對于pss約0.87，并且對于peek約0.85。示圖2100a中示出的數(shù)據(jù)在示圖2100b中針對重量進行了標準化后被視覺化示出。pss的重量有關(guān)的解吸(例如樣本的質(zhì)量約26.6g)小于peek的重量有關(guān)的解吸(例如樣本的質(zhì)量約53.2g)(是2至3倍)。保持框的塑料材料的針對重量進行了標準化的解吸率2105g可以小于約10-6mbar·l/(s·g)，例如對于pss小于約3.1·10-7mbar·l/(s·g)(例如1h之后)，例如對于pss小于約1.2·10-7mbar·l/(s·g)(例如4h之后)，例如對于pss小于約7.4·10-8mbar·l/(s·g)(例如10h之后)，和/或例如對于peek小于約6.1·10-7mbar·l/(s·g)(例如1h之后)，例如對于peek小于約2.9·10-7mbar·l/(s·g)(例如4h之后)，例如對于peek小于約2.1·10-7mbar·l/(s·g)(例如10h之后)。圖22a和圖22b每個視覺化示出根據(jù)各個實施例的示圖2200a、2200b，其中視覺化示出了在時間2003(以小時為單位)上的針對體積進行了標準化的解吸率2205a(單位為毫巴升每秒每立方厘米——mbar·l/(s·cm3))、或針對表面面積進行了標準化的解吸率(單位為毫巴升每秒每平方厘米——mbar·l/(s·cm2))。pss的體積有關(guān)的解吸(例如樣本體積約14毫升)小于peek的體積有關(guān)的解吸(例如樣本體積約41毫升)(是1或2倍)。保持框的塑料材料的針對體積進行了標準化的解吸率2205a可以小于約10-6mbar·l/(s·cm3)，例如對于pss小于約5.8·10-7mbar·l/(s·cm3)(例如1h之后)，例如對于pss小于約2.2·10-7mbar·l/(s·cm3)(例如4h之后)，例如對于pss小于約1.4·10-7mbar·l/(s·cm3)(例如10h之后)，和/或例如對于peek小于約7.9·10-7mbar·l/(s·cm3)(例如1h之后)，例如對于peek小于約3.8·10-7mbar·l/(s·cm3)(例如4h之后)，例如對于peek小于約2.8·10-7mbar·l/(s·cm3)(例如10h之后)。pss的表面面積有關(guān)的解吸(例如樣本的表面面積約110cm2)小于peek的表面面積有關(guān)的解吸(例如樣本的表面面積約120cm2)(例如，是約4至5倍)。保持框的塑料材料的針對表面面積進行了標準化的解吸率2205b可以小于約10-2mbar·l/(s·cm2)，例如對于pss小于約7.5·10-4mbar·l/(s·cm2)(例如1h之后)，例如對于pss小于約2.8·10-4mbar·l/(s·cm2)(例如4h之后)，例如對于pss小于約1.8·10-4mbar·l/(s·cm2)(例如10h之后)，和/或例如對于peek小于約2.7·10-3mbar·l/(s·cm2)(例如1h之后)，例如對于peek小于約1.3·10-3mbar·l/(s·cm2)(例如4h之后)，例如對于peek小于約9.5·10-4mbar·l/(s·cm2)(例如10h之后)。pss可以具有比peek的解吸率低的解吸率。當前第1頁12當前第1頁12