技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
一種鰭式晶體管的形成方法，包括：提供襯底，襯底包括核心區(qū)和外圍區(qū)，核心區(qū)和外圍區(qū)的襯底表面分別具有鰭部；在襯底表面形成隔離層，隔離層覆蓋鰭部的部分側(cè)壁，且隔離層表面低于鰭部的頂部表面；在暴露出的鰭部的側(cè)壁和頂部表面形成第一柵氧層；在第一柵氧層表面形成保護層；在保護層表面形成分別橫跨核心區(qū)和外圍區(qū)鰭部的偽柵層；在保護層表面形成介質(zhì)層；去除偽柵層，在外圍區(qū)的介質(zhì)層內(nèi)形成第一溝槽，在核心區(qū)的介質(zhì)層內(nèi)形成第二溝槽；去除第二溝槽底部的保護層和第一柵氧層，暴露出核心區(qū)鰭部的部分側(cè)壁和頂部表面；在第二溝槽底部暴露出的鰭部側(cè)壁和頂部表面形成第二柵氧層。所形成的鰭式晶體管的漏電流得到控制，可靠性提高。

技術(shù)研發(fā)人員：李勇
受保護的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.01.06
技術(shù)公布日：2017.07.14