本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法。

背景技術(shù)：

隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體器件朝著更高元件密度以及更高集成度的方向發(fā)展。為了提高集成度，晶體管的密集程度不斷提高，間距逐漸縮小。

半導(dǎo)體器件向高集成度發(fā)展的同時，也伴隨著溝道載流子遷移速率降低的問題。為了提高晶體管溝道載流子遷移速率，現(xiàn)有工藝引入了應(yīng)變硅技術(shù)。應(yīng)變硅技術(shù)的原理為在晶體管的漏、源區(qū)外延生長一層晶格常數(shù)不同于硅襯底晶格常數(shù)的晶體。此外，為了實現(xiàn)漏源區(qū)與外部電路的連接，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成方法需在所述晶體上形成金屬硅化物。

金屬硅化物是通過在所述晶體上形成覆蓋層，并在覆蓋層上形成金屬層，使所述覆蓋層中的金屬離子擴(kuò)散入覆蓋層，形成所述金屬硅化物。

然而，現(xiàn)有技術(shù)形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中不同器件之間容易發(fā)生短接，使半導(dǎo)體器件無法正常工作。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明解決的技術(shù)問題是提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，能夠?qū)崿F(xiàn)不同半導(dǎo)體器件金屬硅化物之間的電絕緣。

為解決上述問題，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括相鄰的第一晶體管區(qū)域和第二晶體管區(qū)域；在第一晶體管區(qū)域的基底內(nèi)形成第一應(yīng)力層，并在第二晶體管區(qū)域的基底內(nèi)形成第二應(yīng)力層，且所述基底暴露出所述第一應(yīng)力層和第二應(yīng)力層；通過外延生長在第一應(yīng)力層表面形成第一覆蓋層，在第二應(yīng)力層表面形成第二覆蓋層，所述第一覆蓋層和第二覆蓋層之間具有暴露出基底表面的間隙，且所述第一覆蓋層 和第二覆蓋層的相鄰側(cè)壁表面分別具有相向的頂角；形成填充在所述間隙內(nèi)的間隔層，所述間隔層表面高于所述頂角的位置，且所述間隔層暴露出所述第一覆蓋層和第二覆蓋層的頂部表面；通過外延生長在所述第一覆蓋層上形成第三覆蓋層，并在所述第二覆蓋層上形成第四覆蓋層。

可選的，所述形成填充于所述間隙內(nèi)的間隔層的步驟包括：

形成覆蓋所述第一覆蓋層、第二覆蓋層及填充于所述間隙內(nèi)的間隔材料層；

去除第一覆蓋層和第二覆蓋層頂部表面的間隔材料層，保留填充于所述間隙內(nèi)的間隔材料層，形成所述間隔層。

可選的，所述形成覆蓋所述第一覆蓋層、第二覆蓋層及填充于所述間隙內(nèi)的間隔材料層的工藝為流體化學(xué)氣相沉積工藝。

可選的，所述去除第一覆蓋層和第二覆蓋層上的間隔材料層的工藝為濕法刻蝕或干法刻蝕。

可選的，相鄰的第一晶體管區(qū)域和第二晶體管區(qū)域之間的基底內(nèi)具有隔離結(jié)構(gòu)。

可選的，第一應(yīng)力層和第二應(yīng)力層的形成步驟包括：

在所述基底表面形成掩膜層，所述掩膜層暴露出第一晶體管區(qū)域的基底表面、第二晶體管區(qū)域的基底表面以及第一晶體區(qū)域、第二晶體管區(qū)域之間的隔離結(jié)構(gòu)表面；

以所述掩膜層為掩膜對所述基底進(jìn)行刻蝕，在第一晶體管區(qū)域形成第一凹槽，在第二晶體管區(qū)域形成第二凹槽；

在所述第一凹槽和第二凹槽中分別形成第一應(yīng)力層和第二應(yīng)力層。

可選的，形成填充于所述間隙內(nèi)的間隔層的步驟中，使填充所述間隙的間隔層表面與所述第一覆蓋層和第二覆蓋層頂部表面相平。

可選的，所述第三覆蓋層和第四覆蓋層的厚度為30埃～100埃。

可選的，所述間隔層的材料為深紫外吸收氧化物、硼磷硅玻璃或磷硅玻 璃。

可選的，填充于所述間隙內(nèi)的間隔層厚度為10?！?00埃。

可選的，所述第一覆蓋層和第二覆蓋層的厚度為10?！?00埃。

可選的，所述第一應(yīng)力層和第二應(yīng)力層之間基底的寬度在28nm至1μm的范圍內(nèi)。

可選的，所述第一覆蓋層、第二覆蓋層、第三覆蓋層和第四覆蓋層的材料相同。

可選的，所述第一覆蓋層、第二覆蓋層、第三覆蓋層和第四覆蓋層的材料為硅鍺。

相應(yīng)的，本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：基底，所述基底包括相鄰的第一晶體管區(qū)域和第二晶體管區(qū)域；位于基底第一晶體管區(qū)域的第一應(yīng)力層和位于基底第二晶體管區(qū)域的第二應(yīng)力層，且所述基底暴露出所述第一應(yīng)力層和第二應(yīng)力層；位于所述第一應(yīng)力層表面的第一覆蓋層和位于第二應(yīng)力層表面的第二覆蓋層，所述第一覆蓋層和第二覆蓋層相鄰側(cè)壁表面分別具有相向的頂角；位于第一覆蓋層和第二覆蓋層之間的間隔層，所述間隔層的頂部表面高于所述頂角的位置，且所述間隔層暴露出所述第一覆蓋層和第二覆蓋層的頂部表面；位于所述第一覆蓋層表面的第三覆蓋層和位于所述第二覆蓋層表面的第四覆蓋層。

可選的，所述間隔層表面與所述第一覆蓋層和第二覆蓋層表面相平。

可選的，所述第一應(yīng)力層和第二應(yīng)力層之間基底的寬度在28nm至1μm的范圍內(nèi)；

所述第一覆蓋層和第二覆蓋層的厚度為10埃～200埃；

位于第一覆蓋層和第二覆蓋層之間的間隔層的厚度為10埃～500埃。

可選的，所述第三覆蓋層和第四覆蓋層的厚度為30?！?00埃。

可選的，所述間隔層的材料為深紫外吸收氧化物、硼磷硅玻璃或磷硅玻璃。

可選的，所述第一覆蓋層、第二覆蓋層、第三覆蓋層和第四覆蓋層的材料相同。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點：

本發(fā)明的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法中，在形成第一應(yīng)力層和第二應(yīng)力層之后，形成覆蓋所述第一應(yīng)力層的第一覆蓋層和覆蓋所述第二應(yīng)力層的第二覆蓋層，所述第一覆蓋層和第二覆蓋層用于分別為后續(xù)形成第三覆蓋層和第四覆蓋層提供籽晶，使所述第三覆蓋層和第四覆蓋層晶格取向與第一覆蓋層和第二覆蓋層晶格取向相同。在形成第一覆蓋層和第二覆蓋層之后，在第一覆蓋層和第二覆蓋層之間的間隙內(nèi)填充間隔層。所述間隔層表面高于第一覆蓋層和第二覆蓋層的頂角位置，在通過外延生長形成第三覆蓋層和第四覆蓋層的過程中，能夠限制第三覆蓋層和第四覆蓋層的生長方向，使第一覆蓋層和第二覆蓋層的頂角處不會生長第三覆蓋層或第四覆蓋層，從而防止第三覆蓋層和第四覆蓋層相互連接，進(jìn)而限制第一晶體管區(qū)域和第二晶體管區(qū)域所形成的金屬硅化物相互連接，實現(xiàn)不同半導(dǎo)體器件之間的電絕緣。

本發(fā)明的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，所述第一覆蓋層和第二覆蓋層之間具有間隔層，所述間隔層表面高于所述第一覆蓋層和第二覆蓋層的頂角，使所述頂角上沒有覆蓋第四覆蓋層和第五覆蓋層，從而能夠防止第四覆蓋層和第五覆蓋層相互連接。此外，第一覆蓋層和第二覆蓋層較薄，使第一覆蓋層和第二覆蓋層不容易相互連接。

附圖說明

圖1至圖3是一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法各步驟的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4至圖10是本發(fā)明的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法一實施例各步驟的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖11是本發(fā)明的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法存在諸多問題，包括：不同半導(dǎo)體器件的金屬硅化物容易短接。

現(xiàn)結(jié)合的半導(dǎo)體的形成方法，分析導(dǎo)致不同半導(dǎo)體器件的金屬硅化物容易短接的原因。

圖1至圖3是一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法各步驟的結(jié)構(gòu)示意圖。

請參考圖1，提供基底100，所述基底100包括相鄰的第一晶體管區(qū)域a和第二晶體管區(qū)域b，所述基底100由襯底101和隔離結(jié)構(gòu)102構(gòu)成。所述襯底101包括第一鰭部和第二鰭部，所述隔離結(jié)構(gòu)102位于所述第一鰭部和第二鰭部周圍的襯底101上，并露出所述第一鰭部和第二鰭部頂部表面。

繼續(xù)參考圖1，對所述襯底101進(jìn)行刻蝕，在第一晶體管區(qū)域a形成第一凹槽103，并在第二晶體管區(qū)域b形成第二凹槽104。

需要說明的是，對所述襯底101進(jìn)行刻蝕的步驟之前，所述形成方法還包括：在所述基底100第一晶體管區(qū)域a和基底100第二晶體管區(qū)域b分別形成第一柵極結(jié)構(gòu)和第二柵極結(jié)構(gòu)，所述第一柵極結(jié)構(gòu)和第二柵極結(jié)構(gòu)下方襯底101分別構(gòu)成第一溝道和第二溝道。

請參考圖2，在所述第一晶體管區(qū)域a的第一凹槽103(請參考圖1)中形成第一應(yīng)力層111，并在第二晶體管區(qū)域b的第二凹槽104(請參考圖1)中形成第二應(yīng)力層112。

請參考圖3，通過外延生長在第一晶體管區(qū)域a形成覆蓋所述第一應(yīng)力層111的第一覆蓋層121，并在第二晶體管區(qū)域b形成覆蓋第二應(yīng)力層112的第二覆蓋層122。所述第一覆蓋層121和第二覆蓋層122用于形成金屬硅化物。

如圖1所示，在對第一晶體管區(qū)域a和第二晶體管區(qū)域b的襯底101進(jìn)行刻蝕形成第一凹槽103和第二凹槽104的過程中，所述第一凹槽103和第二凹槽104周圍的隔離結(jié)構(gòu)102也會被刻蝕，從而在所述隔離結(jié)構(gòu)102中形成凹陷，導(dǎo)致第一溝道表面高于所述第一鰭部和第二鰭部之間隔離結(jié)構(gòu)102表面。第二溝道表面高于所述第一鰭部和第二鰭部之間隔離結(jié)構(gòu)102表面。

然而，如圖2所示，要使后續(xù)形成的第一應(yīng)力層111和第二應(yīng)力層112能夠為所述第一溝道和第二溝道提供足夠的應(yīng)力，所述第一應(yīng)力層111頂部表面應(yīng)高于所述第一溝道或與所述第一溝道表面相平；第二應(yīng)力層112頂部表面應(yīng)高于第二溝道表面或與所述第二溝道表面相平。從而導(dǎo)致第一應(yīng)力層 111和第二應(yīng)力層112凸出所述隔離結(jié)構(gòu)102表面。

如圖3所示，在通過外延生長形成覆蓋第一應(yīng)力層111和第二應(yīng)力層112的第一覆蓋層121和第二覆蓋層122的過程中，所述第一覆蓋層121和第二覆蓋層122在各個方向的生長不受限制；又由于用于形成第一覆蓋層121和第二覆蓋層122的晶體在不同方向的生長速度不同，從而容易在第一覆蓋層121和第二覆蓋層122的晶體生長速度較快的方向形成頂角。所述第一覆蓋121和第二覆蓋層122很容易在所述頂角處接觸，而使后續(xù)形成的金屬硅化物容易短接。

為解決所述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，在形成第一應(yīng)力層和第二應(yīng)力層之后，形成覆蓋所述第一應(yīng)力層的第一覆蓋層和覆蓋所述第二應(yīng)力層的第二覆蓋層，所述第一覆蓋層和第二覆蓋層用于分別為后續(xù)形成第三覆蓋層和第四覆蓋層提供籽晶，使所述第三覆蓋層和第四覆蓋層晶格取向與第一覆蓋層和第二覆蓋層晶格取向相同。在形成第一覆蓋層和第二覆蓋層之后，形成填充于第一覆蓋層和第二覆蓋層之間間隙的間隔層。所述間隔層表面高于第一覆蓋層和第二覆蓋層的頂角位置，在通過外延生長形成第三覆蓋層和第四覆蓋層的過程中，能夠限制第三覆蓋層和第四覆蓋層的生長方向，使第一覆蓋層和第二覆蓋層的頂角處不會生長第三覆蓋層或第四覆蓋層，從而防止第三覆蓋層和第四覆蓋層相互連接，進(jìn)而限制第一晶體管區(qū)域和第二晶體管區(qū)域所形成的金屬硅化物相互連接，實現(xiàn)不同半導(dǎo)體器件之間的電絕緣。

相應(yīng)的，本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述第一覆蓋層和第二覆蓋層之間具有間隔層，所述間隔層表面高于所述第一覆蓋層和第二覆蓋層的頂角，使所述頂角上沒有覆蓋第四覆蓋層和第五覆蓋層，從而能夠防止第四覆蓋層和第五覆蓋層相互連接。此外，第一覆蓋層和第二覆蓋層較薄，使第一覆蓋層和第二覆蓋層不容易相互連接。

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施例做詳細(xì)的說明。

圖4至圖10是本發(fā)明的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成方法一實施例各步驟的結(jié)構(gòu)示意 圖。

鰭式場效應(yīng)晶體管集成度高，各個晶體管之間的距離較小，不同晶體管的金屬硅化物容易短接。因此，本實施例以解決鰭式場效應(yīng)晶體管之間金屬硅化物容易短接的問題對本發(fā)明的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法進(jìn)行詳細(xì)說明。但是，本發(fā)明半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法不僅限于此，所述形成方法還可以用于解決平面晶體管之間金屬硅化物容易短接的問題。

請參考圖4，提供基低200，所述基底200包括相鄰的第一晶體管區(qū)域i和第二晶體管區(qū)域ii。

本實施例中，所述第一晶體管區(qū)域i和第二晶體管區(qū)域ii用于形成鰭式場效應(yīng)晶體管。在其他實施例中，所述第一晶體管區(qū)域和第二晶體管區(qū)域還可以用于形成平面晶體管。

相應(yīng)的，本實施例中，所述基底200包括：襯底201和位于襯底201上的隔離結(jié)構(gòu)202。其中，所述襯底201包括位于第一晶體管區(qū)域i的第一鰭部201a和位于第二晶體管區(qū)域ii的第二鰭部201b。所述隔離結(jié)構(gòu)202覆蓋所述第一鰭部201a和第二鰭部201b的側(cè)壁，并露出所述第一鰭部201a和第二鰭部201b頂部表面。

本實施例中，所述第一鰭部201a和第二鰭部201b用于形成鰭式場效應(yīng)晶體管的漏區(qū)或源區(qū)。

本實施例中，所述襯底201為硅襯底，在其他實施例中，所述襯底201還可以為鍺襯底、硅鍺襯底或絕緣體上硅襯底等半導(dǎo)體襯底。

本實施例中，所述隔離結(jié)構(gòu)202為淺槽隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)202的材料為氧化硅。在其他實施例中，所述隔離結(jié)構(gòu)的材料還可以為氮化硅或氮氧化硅。

后續(xù)在第一晶體管區(qū)域i的基底200中形成第一應(yīng)力層，并在第二晶體管區(qū)域ii的基底200中形成第二應(yīng)力層，所述第一應(yīng)力層和第二應(yīng)力層露出基底200表面。

所述第一應(yīng)力層和第二應(yīng)力層用于為晶體管的溝道提供相應(yīng)應(yīng)力。

需要說明的是，在基底200第一晶體管區(qū)域i形成第一應(yīng)力層，并在基底200第二晶體管區(qū)域ii形成第二應(yīng)力層的步驟之前，所述形成方法還包括：在所述基底200第一晶體管區(qū)域i和基底200第二晶體管區(qū)域ii分別形成第一柵極結(jié)構(gòu)和第二柵極結(jié)構(gòu)。則所述第一柵極結(jié)構(gòu)下方的襯底201構(gòu)成第一溝道；所述第二柵極結(jié)構(gòu)下方的襯底201構(gòu)成第二溝道。所述第一應(yīng)力層位于所述第一柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的第一鰭部201a內(nèi)；所述第二應(yīng)力層位于所述第一柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的第二鰭部201b內(nèi)。

本實施例中，在基底200第一晶體管區(qū)域i內(nèi)形成第一應(yīng)力層，并在基底200第二晶體管區(qū)域ii內(nèi)形成第二應(yīng)力層的步驟如圖5至圖6所示。

在所述基底200表面形成掩膜層，所述掩膜層暴露出第一晶體管區(qū)域i的基底200表面、第二晶體管區(qū)域ii的基底200表面以及第一晶體區(qū)域i、第二晶體管區(qū)域ii之間的隔離結(jié)構(gòu)202表面。

具體的，本實施例中，所述掩膜層暴露出第一鰭部201a表面、第二鰭部201b表面以及第一鰭部201a表面、第二鰭部201b表面之間的隔離結(jié)構(gòu)202表面。

所述掩膜層的材料與襯底200及隔離結(jié)構(gòu)202的材料不同。本實施例中，所述掩膜層的材料為氮化硅。

如圖5所示，以所述掩膜層為掩膜對所述基底200進(jìn)行刻蝕，在第一晶體管區(qū)域i形成第一凹槽203，在第二晶體管區(qū)域ii形成第二凹槽204。

具體的，本實施例中，對所述第一鰭部201a進(jìn)行刻蝕形成第一凹槽203，并對第二鰭部201b進(jìn)行刻蝕形成第二凹槽204。

需要說明的是，在對所述第一鰭部201a進(jìn)行刻蝕形成第一凹槽203，并對第二鰭部201b進(jìn)行刻蝕形成第二凹槽204的過程中，所述第一凹槽203和第二凹槽204周圍的隔離結(jié)構(gòu)202也會被刻蝕形成凹陷，導(dǎo)致第一溝道表面高于所述第一鰭部201a和第二鰭部201b之間隔離結(jié)構(gòu)202表面。第二溝道表面高于所述第一鰭部201a和第二鰭部201b之間隔離結(jié)構(gòu)202表面。

具體的，本實施例中，通過干法刻蝕對所述第一鰭部201a和第二鰭部201b進(jìn)行刻蝕，形成第一凹槽203和第二凹槽204。在本發(fā)明的其他實施例中， 還可以通過濕法刻蝕或干法和濕法共同作用的刻蝕方法對所述第一鰭部和第二鰭部進(jìn)行刻蝕。

本實施例中，第一鰭部201a和第二鰭部201b之間隔離結(jié)構(gòu)202最高點到第一凹槽203底部的距離為第一凹槽203的深度h1；第一鰭部201a和第二鰭部201b之間隔離結(jié)構(gòu)202最高點到第一凹槽203底部的距離為第二凹槽204的深度h2。

需要說明的是，在對第一鰭部201a和第二鰭部201b進(jìn)行刻蝕形成第一凹槽203和第二凹槽204的過程中，所述第一凹槽203和第二凹槽204周圍的隔離結(jié)構(gòu)202也會被刻蝕，從而使第一凹槽203和第二凹槽204的深度h1、深度h2很難增加。具體的，本實施例中，所述第一凹槽203和第二凹槽204的深度h1和深度h2為50?！?00埃。

如圖6所示，在所述第一凹槽203(如圖5所示)中形成第一應(yīng)力層211，并在第二凹槽204(如圖5所示)中形成第二應(yīng)力層212。

需要說明的是，由于所述第一溝道表面高于所述第一鰭部201a和第二鰭部201b之間隔離結(jié)構(gòu)202表面。在所述第一凹槽203中形成第一應(yīng)力層211的步驟中，為了使所述第一應(yīng)力層211能夠為所述第一溝道提供足夠的應(yīng)力，所述第一應(yīng)力層211的頂部表面應(yīng)高于所述第一溝道表面或與所述第一溝道表面相平，則所述第一應(yīng)力層211的厚度大于所述第一凹槽203的深度h1，從而導(dǎo)致第一應(yīng)力層211凸出所述隔離結(jié)構(gòu)202表面。

同樣的，由于所述第二溝道表面高于所述第一鰭部201a和第二鰭部201b之間隔離結(jié)構(gòu)202表面。在所述第二凹槽204中形成第二應(yīng)力層212的步驟中，為了使所述第二應(yīng)力層212能夠為所述第二溝道提供足夠的應(yīng)力，所述第二應(yīng)力層212的頂部表面應(yīng)高于所述第二溝道表面或與所述第二溝道表面相平，則所述第二應(yīng)力層212的厚度大于所述第二凹槽204的深度h2，從而使第二應(yīng)力層212凸出所述隔離結(jié)構(gòu)202表面。

本實施例中，所述第一晶體管區(qū)域i用于形成pmos晶體管，相應(yīng)的所述第一應(yīng)力層211的材料為硅鍺，其中鍺原子的濃度為25％～60％。在本發(fā)明的其它實施例中，所述第一晶體管區(qū)域還可以用于形成nmos晶體管，相 應(yīng)的所述第一應(yīng)力層的材料為碳化硅。

本實施例中，所述第二晶體管區(qū)域ii用于形成pmos晶體管，相應(yīng)的所述第二應(yīng)力層212的材料為硅鍺，其中鍺原子的濃度為25％～60％。在本發(fā)明的其它實施例中，所述第二晶體管區(qū)域還可以用于形成nmos晶體管，相應(yīng)的所述第二應(yīng)力層的材料為碳化硅。

需要說明的是，在所述第一凹槽203中形成第一應(yīng)力層211的步驟中，如果所述第一應(yīng)力層211的厚度過大會影響半導(dǎo)體器件的集成度；如果所述第一應(yīng)力層211的厚度過小很難為晶體管溝道提供足夠的應(yīng)力，因此，所述第一應(yīng)力層211的厚度不能過小。具體的，本實施例中，所述第一應(yīng)力層211的厚度為100?！?00埃。

同樣的，在所述第二凹槽204中形成第二應(yīng)力層212的步驟中，如果所述第二應(yīng)力層212的厚度過大會影響半導(dǎo)體器件的集成度；如果所述第二應(yīng)力層212的厚度過小很難為晶體管溝道提供足夠的應(yīng)力，因此，所述第二應(yīng)力層212的厚度不能過小。具體的，本實施例中，所述第二應(yīng)力層212的厚度為100?！?00埃。

本實施例中，通過選擇性外延工藝形成所述第一應(yīng)力層211和第二應(yīng)力層212，所述選擇性外延工藝的工藝參數(shù)為：反應(yīng)氣體為硅源氣體、鍺源氣體、氯氣和氫氣，其中硅源氣體為sih4、sih2cl2或si2cl6，其流量為1slm～1000sccm；鍺源氣體為geh4，其流量為500sccm～1000sccm；氯氣和氫氣的流量為0.1slm～50slm。

需要說明的是，本實施例中，在形成所述第一應(yīng)力層211之前，所述形成方法還包括通過外延生長在所述第一凹槽203中形成第一種子層213，所述第一種子層213用于實現(xiàn)第一應(yīng)力層211與襯底201之間晶格常數(shù)的過渡，增加第一應(yīng)力層211與其生長界面晶體的晶格匹配，從而減少第一應(yīng)力層211的缺陷，提高第一應(yīng)力層211的質(zhì)量。

本實施例中，所述襯底201為硅襯底，所述第一應(yīng)力層211的材料為硅鍺晶體，所述第一種子層213為鍺原子濃度小于第一應(yīng)力層211鍺原子濃度的硅鍺晶體，具體的，所述第一種子層213中鍺原子濃度為5％～25％。

同樣的，本實施例中，在形成所述第二應(yīng)力層212之前，所述形成方法還包括通過外延生長在所述第二凹槽204中形成第二種子層214，所述第二種子層214用于實現(xiàn)第二應(yīng)力層212與襯底201之間晶格常數(shù)的過渡，增加第二應(yīng)力層212與其生長界面晶體的晶格匹配度，從而減少第二應(yīng)力層212的缺陷，提高第二應(yīng)力層212的質(zhì)量。

本實施例中，所述襯底201為硅襯底，所述第二應(yīng)力層212的材料為硅鍺晶體，所述第二種子層214為鍺原子濃度小于第二應(yīng)力層212鍺原子濃度的硅鍺晶體，具體的，第二種子層214中鍺原子的濃度為5％～25％。

需要說明的是，本發(fā)明半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法還包括，對所述第一應(yīng)力層211和第二應(yīng)力層212進(jìn)行摻雜，形成源區(qū)或漏區(qū)。具體的，可以在選擇性外延工藝過程中，通過原位摻雜工藝對第一應(yīng)力層211和第二應(yīng)力層212進(jìn)行摻雜形成源區(qū)和漏區(qū)，或者在形成第一應(yīng)力層211和第二應(yīng)力層212之后，采用離子注入工藝形成源區(qū)和漏區(qū)。

還需要說明的是，本實施例中，在形成所述第一種子層213和第二種子層214之前，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法還包括，對所述第一凹槽203和第二凹槽204的底部和側(cè)壁進(jìn)行清洗，去除所述第一凹槽203和第二凹槽204底部和側(cè)壁的氧化層。具體的，通過氫氟酸溶液對所述第一凹槽203和第二凹槽204底部和側(cè)壁進(jìn)行清洗。

請參考圖7，通過外延生長在第一應(yīng)力層211表面形成第一覆蓋層221，并在第二應(yīng)力層212表面形成第二覆蓋層222，所述第一覆蓋層221和第二覆蓋層222之間具有暴露出基底200表面的間隙，且所述第一覆蓋層221和第二覆蓋層222的相鄰側(cè)壁表面分別具有相向的頂角。

所述間隙是指由第一覆蓋層221側(cè)壁、第二覆蓋層222側(cè)壁、第一應(yīng)力層211側(cè)壁、第二應(yīng)力層212側(cè)壁及第一晶體管區(qū)域i和第二晶體管區(qū)域ii之間基底200表面圍成的空隙。

所述第一覆蓋層221和第二覆蓋層222用于為后續(xù)形成第三覆蓋層和第四覆蓋層提供籽晶，使所述第三覆蓋層和第四覆蓋層晶格取向與第一覆蓋層221和第二覆蓋層222晶格取向相同。

本實施例中，所述第一覆蓋層221和第二覆蓋層222的材料為硅鍺晶體，其中鍺原子的濃度為0％～60％。也就是說，所述第一覆蓋層221和第二覆蓋層222的材料還可以為硅。

需要說明的是，由于所述第一應(yīng)力層211和第二應(yīng)力層212的頂部表面凸出基底200表面，因此所述第一覆蓋層221和第二覆蓋層222在<111>晶向和<100>晶向上都會生長，由于第一覆蓋層221和第二覆蓋層222在<111>晶向上的生長速度慢，導(dǎo)致第一覆蓋層221和第二覆蓋層222在兩個(111)晶面相交處形成所述頂點。如果所述第一覆蓋層221和第二覆蓋層222的厚度過大容易使第一覆蓋層221和第二覆蓋層222的頂點相接觸；如果所述第一覆蓋層221和第二覆蓋層222的厚度過小很難為后續(xù)形成的第三覆蓋層和第四覆蓋層提供高質(zhì)量的籽晶。因此，本實施例中，所述第一覆蓋層221和第二覆蓋層222的厚度為10?！?00埃。

本實施例中，通過選擇性外延工藝形成所述第一覆蓋層221和第二覆蓋層222，所述選擇性外延工藝的工藝參數(shù)為：反應(yīng)溫度為600攝氏度～1100攝氏度；氣體壓強(qiáng)為1torr～500torr；反應(yīng)氣體為硅源氣體、鍺源氣體、氯氣和氫氣，其中硅源氣體為sih4、sih2cl2或si2cl6，其流量為1sccm～1000sccm；鍺源氣體為geh4，其流量為0～1000sccm；氯氣和氫氣的流量為0.1slm～50slm。

后續(xù)形成填充在所述間隙內(nèi)的間隔層，所述間隔層表面高于所述頂角的位置，且所述間隔層暴露出所述第一覆蓋層221和第二覆蓋層222的頂部表面。

本實施例中，所述間隔層的材料與隔離結(jié)構(gòu)202的材料相同，即所述間隔層的材料為氧化硅，例如深紫外光吸收氧化物、硼磷硅玻璃或磷硅玻璃。與隔離結(jié)構(gòu)202具有相同材料的間隔層能夠與隔離結(jié)構(gòu)202很好地粘附。在其他實施例中，所述間隔層也可以與所述隔離結(jié)構(gòu)具有不同的材料，例如，所述間隔層的材料還可以為氮化硅。

所述間隔層用于隔離第一覆蓋層221和第二覆蓋層222的頂角，限制后續(xù)形成第三覆蓋層和第四覆蓋層的生長方向，避免形成覆蓋所述頂角的第三覆蓋層和第四覆蓋層。

本實施例中，形成填充所述間隙的間隔層的步驟如圖8和圖9所示。

如圖8所示，形成覆蓋所述第一覆蓋層221、第二覆蓋層222及填充于所述間隙內(nèi)的間隔材料層230a。

本實施例中，通過流體化學(xué)氣相沉積工藝形成覆蓋所述第一覆蓋層221、第二覆蓋層222及填充于所述間隙內(nèi)的間隔材料層230a。所述流體化學(xué)氣相沉積工藝能夠在所述空隙中形成充分填充所述間隙的間隔材料層230a，能夠有效阻止后續(xù)第三覆蓋層和第四覆蓋層在所述第一覆蓋層221和第二覆蓋層222頂角上生長。

如圖9所示，去除第一覆蓋層221和第二覆蓋層222上的間隔材料層230a(如圖8所示)，形成所述間隔層230。

本實施例中，通過濕法刻蝕去除第一覆蓋層221和第二覆蓋層222上的間隔材料層230a，形成所述間隔層230。在其他實施例中，還可以通過干法刻蝕去除第一覆蓋層和第二覆蓋層上的間隔層材料層。

需要說明的是，本實施例中，去除第一覆蓋層221和第二覆蓋層222上的間隔材料層230a的步驟之后，保留在所述間隙中的間隔材料層230a表面與第一覆蓋層221和第二覆蓋222的頂部表面相平。也就是說，所述間隔層230覆蓋了第一覆蓋層221和第二覆蓋層222的(111)晶面，僅露出(100)晶面。因此，所述間隔層230能夠很好地限制后續(xù)第三覆蓋和第四覆蓋層的生長方向。在其他實施例中，在本發(fā)明的其它實施例中，所述間隔層的形成方法還可以是，通過流體化學(xué)氣相沉積工藝形成表面高于所述頂角位置，且低于第一覆蓋層和第二覆蓋層頂部表面位置的間隔層。

請參考圖10，通過外延生長在所述第一覆蓋層221上形成第三覆蓋層231，并在所述第二覆蓋層222上形成第四覆蓋層232。

所述第三覆蓋層231和第四覆蓋層232用于為后續(xù)形成金屬硅化物提供籽晶，使所述第三覆蓋層231和第四覆蓋層232晶格取向與第一覆蓋層221和第二覆蓋層222晶格取向相同。

本實施例中，所述第三覆蓋層231、第四覆蓋層232與第一覆蓋層221、第二覆蓋層222的材料相同，選擇相同材料的第一覆蓋層221、第二覆蓋層 222、第三覆蓋層231和第四覆蓋層232能夠增加所述第一覆蓋層221和第三覆蓋層231及第二覆蓋層222和第四覆蓋層232之間的晶格匹配度，從而減少第三覆蓋層231和第四覆蓋層232的缺陷，提高第三覆蓋層231和第四覆蓋層232的質(zhì)量。

本實施例中，通過選擇性外延工藝形成所述第三覆蓋層231和第四覆蓋層232，所述選擇性外延工藝的工藝參數(shù)與形成第一覆蓋層221和第二覆蓋層222的工藝參數(shù)相同。

需要說明的是，因為本實施例中，所述隔離層230覆蓋所述第一覆蓋層221和第二覆蓋層222的(111)晶面，僅露出(100)晶面，因此通過外延生長形成所述第三覆蓋層231和第四覆蓋層232的步驟中，所述第三覆蓋層231和第四覆蓋層232只能沿<100>晶向生長，即第三覆蓋層231和第四覆蓋層232只能向上生長。在本發(fā)明的其它實施例中，所述間隔層230還可以只覆蓋所述第一覆蓋層221和第二覆蓋層222的部分(111)晶面，則在間隔層230露出的第一覆蓋層221和第二覆蓋層222的(111)晶面上也會形成第三覆蓋層231和第四覆蓋層232。

由此可見，本實施例中，所述第三覆蓋層231和第四覆蓋層232的厚度可以不受第一應(yīng)力層211和第二應(yīng)力層212之間的隔離結(jié)構(gòu)202寬度的限制，即所述第一覆蓋層221和第三覆蓋231的厚度之和及第二覆蓋層222和第四覆蓋232的厚度之和可以較大。但是如果所述第三覆蓋層231和第四覆蓋層232的厚度過大，會影響半導(dǎo)體器件的集成度，因此，具體的，所述第三覆蓋層231和第四覆蓋層232的厚度為30?！?00埃。

本實施例中，所述第三覆蓋層231和第四覆蓋層232之間的距離由間隔層230露出的第一覆蓋層221和第二覆蓋層222之間的距離決定。本實施例中，僅在第一覆蓋層221露出的(100)晶面上形成有第三覆蓋層231，第二覆蓋層222露出的(100)晶面上形成有第四覆蓋層232，因此，所述第三覆蓋層231和第四覆蓋層232的距離為第一覆蓋層221的所述(100)晶面和第二覆蓋層222的所述(100)晶面之間的距離。

需要說明的是，本發(fā)明的第一應(yīng)力層211和第二應(yīng)力層212之間隔離結(jié) 構(gòu)202的厚度過大不利于提高所形成的半導(dǎo)體器件的集成度；如果第一應(yīng)力層211和第二應(yīng)力層212之間隔離結(jié)構(gòu)202的厚度過小，容易導(dǎo)致第一覆蓋層221和第二覆蓋層222或第三覆蓋層231和第四覆蓋層232之間的接觸。本實施例中，第一覆蓋層231和第二覆蓋層232的厚度較小，因此，在保證第一覆蓋層221與第二覆蓋層222不接觸且第三覆蓋層231與第四覆蓋層232不接觸的條件下，所述第一應(yīng)力層211和第二應(yīng)力層212之間隔離結(jié)構(gòu)202的厚度可以很小。具體的，所述第一應(yīng)力層211和第二應(yīng)力層212之間隔離結(jié)構(gòu)202的厚度在28nm到1μm的范圍內(nèi)。

還需要說明的是，通過外延生長在所述第一覆蓋層221上形成第三覆蓋層231，并在所述第二覆蓋層222上形成第四覆蓋層232的步驟之后，本發(fā)明的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法還包括對所述第一覆蓋層221、第二覆蓋層222、第三覆蓋層231和第四覆蓋層232進(jìn)行金屬化，形成金屬硅化物。

所述金屬硅化物能夠?qū)崿F(xiàn)晶體管與外部電路的電連接。

具體的，形成所述金屬硅化物的步驟包括在所述第一覆蓋層221、第二覆蓋層221、第三覆蓋層231和第四覆蓋層232上形成金屬層，使金屬原子擴(kuò)散至第一覆蓋層221、第二覆蓋層222、第三覆蓋層231和第四覆蓋層232內(nèi)形成所述金屬硅化物。

綜上，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其中，在形成第一應(yīng)力層和第二應(yīng)力層之后，形成覆蓋所述第一應(yīng)力層的第一覆蓋層和覆蓋所述第二應(yīng)力層的第二覆蓋層，所述第一覆蓋層和第二覆蓋層用于分別為后續(xù)形成第三覆蓋層和第四覆蓋層提供籽晶，使所述第三覆蓋層和第四覆蓋層晶格取向與第一覆蓋層和第二覆蓋層晶格取向相同。在形成第一覆蓋層和第二覆蓋層之后，形成填充于第一覆蓋層和第二覆蓋層之間間隙的間隔層。所述間隔層表面高于第一覆蓋層和第二覆蓋層的頂角位置，能夠限制第三覆蓋層和第四覆蓋層沿所述頂角方向生長，使在通過外延生長形成第三覆蓋層和第四覆蓋層的過程中，所述第三覆蓋層和第四覆蓋層不會沿所述頂角方向生長，從而限制了第三覆蓋層和第四覆蓋層之間相互連接，進(jìn)而限制了第一晶體管區(qū)域和第二晶體管區(qū)域所形成的金屬硅化物之間相互連接，實現(xiàn)不同半導(dǎo)體器件之間的電絕緣。

圖11是本發(fā)明的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：

請參考圖11，基底300，所述基底300包括相鄰的第一晶體管區(qū)域a和第二晶體管區(qū)域b。

本實施例中，所述第一晶體管區(qū)域a和第二晶體管區(qū)域b用于形成鰭式場效應(yīng)晶體管。在其他實施例中，所述第一晶體管區(qū)域a和第二晶體管區(qū)域b還可以用于形成平面晶體管。

相應(yīng)的，本實施例中，所述基底300包括：襯底301和位于襯底301上的隔離結(jié)構(gòu)302。其中，所述襯底301在第一晶體管區(qū)域a具有第一鰭部301a；所述襯底301在第一晶體管區(qū)域b具有第二鰭部301b。所述第一鰭部301a和第二鰭部301b用于形成鰭式場效應(yīng)晶體管的漏區(qū)和源區(qū)。

本實施例中，所述襯底301為硅襯底，在其他實施例中，所述襯底301還可以為鍺襯底、硅鍺襯底或絕緣體上硅襯底等半導(dǎo)體襯底。

本實施例中，所述隔離結(jié)構(gòu)302為淺槽隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)302的材料為氧化硅。但是本發(fā)明對所述隔離結(jié)構(gòu)302的材料不做限定，所述隔離結(jié)構(gòu)302還可以為氮化硅或氮氧化硅。

繼續(xù)參考圖11，位于基底300第一晶體管區(qū)域a的第一應(yīng)力層311和位于基底300第二晶體管區(qū)域b的第二應(yīng)力層312，且所述基底300暴露出所述第一應(yīng)力層311和第二應(yīng)力層312；

所述第一應(yīng)力層311和第二應(yīng)力層312用于為晶體管的溝道提供相應(yīng)應(yīng)力。

本實施例中，所述第一晶體管區(qū)域a形成有pmos晶體管，相應(yīng)的所述第一應(yīng)力層311的材料為硅鍺，第一應(yīng)力層311中鍺原子的濃度為25％～50％。在其他實施例中，所述第一晶體管區(qū)域還可以用于形成nmos晶體管，相應(yīng)的所述第一應(yīng)力層的材料為碳化硅。

本實施例中，所述第二晶體管區(qū)域b形成有pmos晶體管，相應(yīng)的所述第二應(yīng)力層312的材料為硅鍺，第二應(yīng)力層312中鍺原子的濃度為25％～50％。在其他實施例中，所述第二晶體管區(qū)域還可以用于形成nmos晶體管，相應(yīng) 的，所述第二應(yīng)力層的材料為碳化硅。

本實施例中，所述第一晶體管區(qū)域a具有第一凹槽，所述第二晶體管區(qū)域b具有第二凹槽，所述第一凹槽和第二凹槽分別用于容納所述第一應(yīng)力層311和第二應(yīng)力層312。

需要說明的是，所述第一凹槽和第二凹槽的深度小于所述第一應(yīng)力層311和第二應(yīng)力層312的厚度。具體的，本實施例中，所述第一凹槽和第二凹槽的深度為50～100埃。

還需要說明的是，如果所述第一應(yīng)力層311的厚度過大會影響半導(dǎo)體器件的集成度；如果所述第一應(yīng)力層311的厚度過小很難為晶體管溝道提供足夠的應(yīng)力。因此，所述第一應(yīng)力層311的厚度不能過小。具體的，本實施例中，所述第一應(yīng)力層311的厚度為100～300埃。也就是說，所述第一凹槽的深度小于第一應(yīng)力層311的厚度。因此，所述第一應(yīng)力層311的頂部表面從所述第一凹槽中露出。

同樣的，如果所述第二應(yīng)力層312的厚度過大會影響半導(dǎo)體器件的集成度；如果所述第二應(yīng)力層312的厚度過小很難為晶體管溝道提供足夠的應(yīng)力，因此，所述第二應(yīng)力層312的厚度不能過小。具體的，本實施例中，所述第二應(yīng)力層312的厚度為100～300埃。也就是說，所述第二凹槽的深度小于第二應(yīng)力層312的厚度。因此，所述第二應(yīng)力層312的頂部表面會從所述第二凹槽中露出。

需要說明的是，本實施例中，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括位于第一應(yīng)力層311下方的第一種子層313，所述第一種子層313用于實現(xiàn)第一應(yīng)力層311與襯底301之間晶格常數(shù)的過渡，增加第一應(yīng)力層311與其生長界面晶體的晶格匹配度，從而提高第一應(yīng)力層311的質(zhì)量。

本實施例中，所述襯底301為硅襯底，所述第一應(yīng)力層311的材料為硅鍺晶體，所述第一種子層313為鍺原子濃度小于第一應(yīng)力層311鍺原子濃度的硅鍺晶體，具體的，所述第一種子層313中鍺原子的濃度為5％～25％。

同樣的，本實施例中，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括位于第二應(yīng)力層312下方的第二種子層314，所述第二種子層314用于實現(xiàn)第二應(yīng)力層312與襯底301 之間晶格常數(shù)的過渡，增加第二應(yīng)力層312與其生長界面晶體的晶格匹配度，從而提高第二應(yīng)力層312的質(zhì)量。

本實施例中，所述襯底301為硅襯底，所述第二應(yīng)力層311的材料為硅鍺晶體，所述第二種子層313為鍺原子濃度小于第二應(yīng)力層311鍺原子濃度的硅鍺晶體，具體的，第二種子層313中鍺原子的濃度為5％～25％。

繼續(xù)參考圖11，位于所述第一應(yīng)力層311表面的第一覆蓋層321和位于第二應(yīng)力層312表面的第二覆蓋層322，所述第一覆蓋層321和第二覆蓋層322相鄰側(cè)壁表面分別具有相向的頂角。

所述第一覆蓋層321和第二覆蓋層322用于為后續(xù)形成第三覆蓋層和第四覆蓋層提供籽晶，使所述第三覆蓋層和第四覆蓋層晶格取向與第一覆蓋層和第二覆蓋層晶格取向相同。

本實施例中，所述第一覆蓋層321和第二覆蓋層322的材料為硅鍺晶體，其中硅原子的濃度為0～60％。也就是說，所述第一覆蓋層321和第二覆蓋層322的材料還可以為硅。

需要說明的是，如果所述第一覆蓋層321和第二覆蓋層322的厚度過大容易使第一覆蓋層321和第二覆蓋層322的頂角相接觸；如果所述第一覆蓋層321和第二覆蓋層322的厚度過小很難為第三覆蓋層和第四覆蓋層的生長提供高質(zhì)量的籽晶，使所述第三覆蓋層和第四覆蓋層晶格取向與第一覆蓋層321和第二覆蓋層322晶格取向相同。因此，本實施例中，所述第一覆蓋層321和第二覆蓋層322的厚度為10埃～200埃。

繼續(xù)參考圖11，位于第一覆蓋層321和第二覆蓋層322之間的間隔層330，所述間隔層330表面高于所述頂角的位置，且所述間隔層330暴露出所述第一覆蓋層321和第二覆蓋層322的頂部表面。

所述間隔層330用于隔離第一覆蓋層321和第二覆蓋層322，限制后續(xù)形成第三覆蓋層和第四覆蓋層的生長方向，避免所述第一覆蓋層321和第二覆蓋層322頂角上生長第三覆蓋層和第四覆蓋層。

本實施例中，所述間隔層330的材料與隔離結(jié)構(gòu)302的材料相同，即所述間隔層330的材料為氧化硅，例如深紫外光吸收氧化物、硼磷硅玻璃或磷 硅玻璃。與隔離結(jié)構(gòu)302具有相同材料的間隔層330能夠與隔離結(jié)構(gòu)302很好地粘附。在其他實施例中，所述間隔層也可以與所述隔離結(jié)構(gòu)具有不同材料，例如，所述間隔層的材料還可以為氮化硅。

需要說明的是，本實施例中，所述間隙中的間隔層330表面與第一覆蓋層321和第二覆蓋322的頂部表面相平。也就是說，所述間隔層330覆蓋第一覆蓋層321和第二覆蓋層322的(111)晶面，僅露出(100)晶面。在本發(fā)明的其它實施例中，所述間隔層330表面還可以高于所述頂角位置，且低于第一覆蓋層321和第二覆蓋層322頂部表面位置。

繼續(xù)參考圖11，位于所述第一覆蓋層321表面的第三覆蓋層331和位于所述第二覆蓋層322表面的第四覆蓋層332。

所述第三覆蓋層331和第四覆蓋層332用于為后續(xù)形成金屬硅化物提供籽晶，使所述第三覆蓋層331和第四覆蓋層332晶格取向與第一覆蓋層321和第二覆蓋層322晶格取向相同。

本實施例中，所述第三覆蓋層331、第四覆蓋層332與第一覆蓋層321、第二覆蓋層322的材料相同，選擇相同材料的第一覆蓋層321、第二覆蓋層322、第三覆蓋層331和第四覆蓋層332能夠增加所述第一覆蓋層321和第三覆蓋層331之間及第二覆蓋層322和第四覆蓋層332之間的晶格匹配度，從而減少第三覆蓋層331和第四覆蓋層332的缺陷，提高第三覆蓋層331和第四覆蓋層332的質(zhì)量。

需要說明的是，因為本實施例中，所述隔離層330覆蓋所述第一覆蓋層321和第二覆蓋層322的(111)晶面，僅露出(100)晶面。因此，所述第三覆蓋層331只位于所述第一覆蓋層321的所述(100)晶面上；所述第四覆蓋層332只位于所述第二覆蓋層322的所述(100)晶面上。在本發(fā)明的其它實施例中，所述間隔層還可以只覆蓋所述第一覆蓋層和第二覆蓋層的部分(111)晶面，則在間隔層露出的第一覆蓋層(111)晶面上也會形成有第三覆蓋層，在間隔層露出的第二覆蓋層的(111)晶面上形成有第四覆蓋層。

由此可見，本實施例中，所述第三覆蓋層331和第四覆蓋層332的厚度可以不受第一應(yīng)力層311和第二應(yīng)力層312之間的隔離結(jié)構(gòu)302寬度的限制， 即所述第一覆蓋層321和第三覆蓋331的厚度之和及第二覆蓋層322和第四覆蓋332的厚度之和可以較大。但是如果所述第三覆蓋層331和第四覆蓋層332的厚度過大會影響半導(dǎo)體器件的集成度，因此，具體的，所述第三覆蓋層331和第四覆蓋層332的厚度為30?！?00埃。

需要說明的是，本發(fā)明的第一應(yīng)力層311和第二應(yīng)力層312之間隔離結(jié)構(gòu)302的厚度過大不利于提高所形成的半導(dǎo)體器件的集成度；如果第一應(yīng)力層311和第二應(yīng)力層312之間隔離結(jié)構(gòu)302的厚度過小，容易導(dǎo)致第一覆蓋層311與第二覆蓋層312之間或第三覆蓋層331與第四覆蓋層332之間相互接觸。本實施例中，所述第一覆蓋層321和第二覆蓋層322的厚度均較小，因此，在保證第一覆蓋層321與第二覆蓋層322之間不接觸的條件下，所述第一應(yīng)力層311和第二應(yīng)力層312之間隔離結(jié)構(gòu)302的厚度很小。具體的，所述第一應(yīng)力層311和第二應(yīng)力層312之間隔離結(jié)構(gòu)302的厚度在28nm到1μm的范圍內(nèi)。

綜上，本發(fā)明的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，所述第一覆蓋層和第二覆蓋層之間具有間隔層，所述間隔層表面高于所述第一覆蓋層和第二覆蓋層的頂角，使所述頂角上不具有第四覆蓋層和第五覆蓋層，從而能夠防止第四覆蓋層和第五覆蓋層相互接觸。此外，第一覆蓋層和第二覆蓋層較薄，使第一覆蓋層和第二覆蓋層不容易相互接觸。

雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。