1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括：
一襯底，具有一第一導(dǎo)電型，且該襯底包括：
一高電位區(qū)；
一低電位區(qū)；及
一隔離區(qū)，設(shè)于該高電位區(qū)與該低電位區(qū)之間，其中該隔離區(qū)包括一電位轉(zhuǎn)換區(qū)以及一連接區(qū)，其中該連接區(qū)設(shè)于該電位轉(zhuǎn)換區(qū)與該高電位區(qū)之間；
一外延層，設(shè)于該襯底上，其中該外延層具有一第二導(dǎo)電型，且該第一導(dǎo)電型與該第二導(dǎo)電型不同；
一第二導(dǎo)電型第一埋藏層，設(shè)于該高電位區(qū)中的該襯底與該外延層的一交界處，其中該第二導(dǎo)電型第一埋藏層具有該第二導(dǎo)電型；
一第二導(dǎo)電型第二埋藏層，設(shè)于該電位轉(zhuǎn)換區(qū)中的該襯底與該外延層的該交界處，其中該第二導(dǎo)電型第二埋藏層具有該第二導(dǎo)電型；
一第一導(dǎo)電型第一底摻雜區(qū)，設(shè)于該連接區(qū)中的該襯底與該外延層的該交界處，其中該第一導(dǎo)電型第一底摻雜區(qū)具有該第一導(dǎo)電型；
一第一導(dǎo)電型第二底摻雜區(qū)，設(shè)于該襯底與該外延層的該交界處，且該第一導(dǎo)電型第二底摻雜區(qū)是對應(yīng)該電位轉(zhuǎn)換區(qū)與該低電位區(qū)的一交界設(shè)置，且該第一導(dǎo)電型第二底摻雜區(qū)具有該第一導(dǎo)電型；
一第一導(dǎo)電型第一頂摻雜區(qū)，設(shè)于該連接區(qū)的該外延層中，其中該第一導(dǎo)電型第一頂摻雜區(qū)具有該第一導(dǎo)電型且直接接觸該第一導(dǎo)電型第一底摻雜區(qū)；
一第一導(dǎo)電型第二頂摻雜區(qū)，設(shè)于該外延層中，其中該第一導(dǎo)電型第二頂摻雜區(qū)是對應(yīng)該電位轉(zhuǎn)換區(qū)與該低電位區(qū)的一交界設(shè)置，且該第一導(dǎo)電型第二頂摻雜區(qū)具有該第一導(dǎo)電型且直接接觸該第一導(dǎo)電型第二底摻雜區(qū)；
至少一個(gè)第二導(dǎo)電型第一摻雜區(qū)，設(shè)于該連接區(qū)的該外延層中，其中該第二導(dǎo)電型第一摻雜區(qū)具有該第二導(dǎo)電型，且該第二導(dǎo)電型第一摻雜區(qū)設(shè)于該第一導(dǎo)電型第一頂摻雜區(qū)或該第一導(dǎo)電型第一底摻雜區(qū)中；
一第一導(dǎo)電型體區(qū)，設(shè)于該電位轉(zhuǎn)換區(qū)的該外延層中，其中該第一導(dǎo)電型體區(qū)具有該第一導(dǎo)電型；
一第一導(dǎo)電型摻雜區(qū)，設(shè)于該電位轉(zhuǎn)換區(qū)的該外延層中，其中該第一導(dǎo)電型摻雜區(qū)具有該第一導(dǎo)電型；
一源極區(qū)，設(shè)于該第一導(dǎo)電型體區(qū)中；
一漏極區(qū)，設(shè)于該電位轉(zhuǎn)換區(qū)的該外延層中；
一第二導(dǎo)電型第二摻雜區(qū)，設(shè)于該高電位區(qū)的該外延層中，且該第二導(dǎo)電型第二摻雜區(qū)具有該第二導(dǎo)電型；
一柵極電極，設(shè)于該外延層上；
一源極電極，電連接該源極區(qū)；及
一漏極電極，電連接該漏極區(qū)，并自該電位轉(zhuǎn)換區(qū)延伸經(jīng)過該連接區(qū)至該高電位區(qū)。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，至少一個(gè)該第二導(dǎo)電型第一摻雜區(qū)直接接觸該外延層的上表面，且不接觸該第一導(dǎo)電型第一頂摻雜區(qū)的邊緣及該第一導(dǎo)電型第一底摻雜區(qū)的邊緣。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括多個(gè)該第二導(dǎo)電型第一摻雜區(qū)，且該多個(gè)第二導(dǎo)電型第一摻雜區(qū)皆設(shè)于該第一導(dǎo)電型第一頂摻雜區(qū)中。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括多個(gè)該第二導(dǎo)電型第一摻雜區(qū)，且至少一個(gè)該第二導(dǎo)電型第一摻雜區(qū)設(shè)于該第一導(dǎo)電型第一頂摻雜區(qū)中，而至少另一個(gè)該第二導(dǎo)電型第一摻雜區(qū)設(shè)于該第一導(dǎo)電型第一底摻雜區(qū)中。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，設(shè)于該第一導(dǎo)電型第一頂摻雜區(qū)中的該第二導(dǎo)電型第一摻雜區(qū)的摻雜濃度與設(shè)于該第一導(dǎo)電型第一底摻雜區(qū)中的該第二導(dǎo)電型第一摻雜區(qū)的摻雜濃度不同。
6.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括：
提供一襯底，該襯底具有一第一導(dǎo)電型，且該襯底包括：
一高電位區(qū)；
一低電位區(qū)；及
一隔離區(qū)，設(shè)于該高電位區(qū)與該低電位區(qū)之間，其中該隔離區(qū)包括一電位轉(zhuǎn)換區(qū)以及一連接區(qū)，其中該連接區(qū)設(shè)于該電位轉(zhuǎn)換區(qū)與該高電位區(qū)之間；
形成一第二導(dǎo)電型第一埋藏層于該高電位區(qū)的該襯底中，其中該第二導(dǎo)電型第一埋藏層具有一第二導(dǎo)電型，且該第一導(dǎo)電型與該第二導(dǎo)電型不同；
形成一第二導(dǎo)電型第二埋藏層于該電位轉(zhuǎn)換區(qū)的該襯底中，其中該第二導(dǎo)電型第二埋藏層具有該第二導(dǎo)電型；
形成一第一導(dǎo)電型第一底摻雜區(qū)于該連接區(qū)的該襯底中，其中該第一導(dǎo)電型第一底摻雜區(qū)具有該第一導(dǎo)電型；
形成一第一導(dǎo)電型第二底摻雜區(qū)于該襯底中，其中該第一導(dǎo)電型第二底摻雜區(qū)是對應(yīng)該電位轉(zhuǎn)換區(qū)與該低電位區(qū)的一交界設(shè)置，且該第一導(dǎo)電型第二底摻雜區(qū)具有該第一導(dǎo)電型；
形成一外延層于該襯底上，其中該外延層具有該第二導(dǎo)電型，且該第二導(dǎo)電型第一埋藏層、該第二導(dǎo)電型第二埋藏層、該第一導(dǎo)電型第一底摻雜區(qū)及該第一導(dǎo)電型第二底摻雜區(qū)延伸進(jìn)入該外延層中；
形成至少一個(gè)第二導(dǎo)電型第一摻雜區(qū)于該連接區(qū)的該外延層中，其中該第二導(dǎo)電型第一摻雜區(qū)具有該第二導(dǎo)電型；
形成一第一導(dǎo)電型第一頂摻雜區(qū)于該連接區(qū)的該外延層中，該第一導(dǎo)電型第一頂摻雜區(qū)具有該第一導(dǎo)電型且直接接觸該第一導(dǎo)電型第一底摻雜區(qū)，其中該第二導(dǎo)電型第一摻雜區(qū)設(shè)于該第一導(dǎo)電型第一頂摻雜區(qū)或該第一導(dǎo)電型第一底摻雜區(qū)中；
形成一第一導(dǎo)電型第二頂摻雜區(qū)于該外延層中，其中該第一導(dǎo)電型第二頂摻雜區(qū)是對應(yīng)該電位轉(zhuǎn)換區(qū)與該低電位區(qū)的一交界設(shè)置，且該第一導(dǎo)電型第二頂摻雜區(qū)具有該第一導(dǎo)電型且直接接觸該第一導(dǎo)電型第二底摻雜區(qū)；
形成一第一導(dǎo)電型體區(qū)于該電位轉(zhuǎn)換區(qū)的該外延層中，其中該第一導(dǎo)電型體區(qū)具有該第一導(dǎo)電型；
形成一第一導(dǎo)電型摻雜區(qū)于該電位轉(zhuǎn)換區(qū)的該外延層中，其中該第一導(dǎo)電型摻雜區(qū)具有該第一導(dǎo)電型；
形成一柵極電極于該外延層上；
形成一源極區(qū)于該第一導(dǎo)電型體區(qū)中；
形成一漏極區(qū)于該電位轉(zhuǎn)換區(qū)的該外延層中；
形成一第二導(dǎo)電型第二摻雜區(qū)于該高電位區(qū)的該外延層中，其中該第二導(dǎo)電型第二摻雜區(qū)具有該第二導(dǎo)電型；
形成一源極電極，電連接該源極區(qū)；及
形成一漏極電極，電連接該漏極區(qū)，并自該電位轉(zhuǎn)換區(qū)延伸經(jīng)過該連接區(qū)至該高 電位區(qū)。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，至少一個(gè)該第二導(dǎo)電型第一摻雜區(qū)直接接觸該外延層的上表面，且不接觸該第一導(dǎo)電型第一頂摻雜區(qū)的邊緣及該第一導(dǎo)電型第一底摻雜區(qū)的邊緣。
8.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，該半導(dǎo)體裝置包括多個(gè)該第二導(dǎo)電型第一摻雜區(qū)，且該多個(gè)第二導(dǎo)電型第一摻雜區(qū)皆設(shè)于該第一導(dǎo)電型第一頂摻雜區(qū)中。
9.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，該半導(dǎo)體裝置包括多個(gè)該第二導(dǎo)電型第一摻雜區(qū)，且至少一個(gè)該第二導(dǎo)電型第一摻雜區(qū)設(shè)于該第一導(dǎo)電型第一頂摻雜區(qū)中，而至少另一個(gè)該第二導(dǎo)電型第一摻雜區(qū)設(shè)于該第一導(dǎo)電型第一底摻雜區(qū)中。
10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，設(shè)于該第一導(dǎo)電型第一頂摻雜區(qū)中的該第二導(dǎo)電型第一摻雜區(qū)的摻雜濃度與設(shè)于該第一導(dǎo)電型第一底摻雜區(qū)中的該第二導(dǎo)電型第一摻雜區(qū)的摻雜濃度不同。