技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種RRAM裝置與其形成方法，包括：底電極，位于氧化物層中；多個(gè)介電凸塊，位于氧化物層上，且底電極位于相鄰的兩個(gè)介電凸塊之間；電阻轉(zhuǎn)態(tài)層，順應(yīng)性地位于介電凸塊、氧化物層、與底電極上；導(dǎo)電儲(chǔ)氧層，位于電阻轉(zhuǎn)態(tài)層上；以及氧擴(kuò)散阻障層，位于導(dǎo)電儲(chǔ)氧層上。由于本發(fā)明的介電凸塊可增加相鄰的MIM堆疊的導(dǎo)電儲(chǔ)氧層中的來(lái)自電阻轉(zhuǎn)態(tài)層氧原子的遷移路徑，甚至截?cái)嘞噜彽腗IM堆疊的導(dǎo)電儲(chǔ)氧層，因此可有效改善相鄰MIM堆疊互相干擾的問(wèn)題。

技術(shù)研發(fā)人員：陳達(dá)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：華邦電子股份有限公司
文檔號(hào)碼：201610043803
技術(shù)研發(fā)日：2016.01.22
技術(shù)公布日：2017.05.03