【技術(shù)領(lǐng)域】

本發(fā)明有關(guān)一種發(fā)光裝置及其制造方法，特別關(guān)于一種包含覆晶式led芯片的芯片級封裝(chipscalepackaging，csp)發(fā)光裝置及其制造方法。

背景技術(shù)：

led(lightemittingdevice)芯片是普遍地被使用來提供照明光源或配置于電子產(chǎn)品中做為背光光源或指示燈，而led芯片通常會置于一封裝結(jié)構(gòu)中，且被一熒光材料或反射材料包覆或覆蓋，以成為一發(fā)光裝置。

其中，廣泛被使用的支架型(plcc-type)led依發(fā)光方向可分為正向式(top-view)與側(cè)向式(side-view)兩大類。正向式led被大量地應(yīng)用于一般照明的光源或直下式液晶電視的背光光源，而側(cè)向式led則被大量地應(yīng)用于側(cè)入式液晶電視與行動裝置的背光光源。先前技術(shù)所揭露的正向式led與側(cè)向式led各自皆具有一個出光面，該led的光學(xué)軸通常位于該出光面(例如一矩形)的中心點(diǎn)，為簡單說明起見，于此定義一組皆與光學(xué)軸垂直的長度方向與寬度方向，其中，長度方向與寬度方向彼此亦互相垂直；沿著正向式led(或側(cè)向式led)的長度方向與寬度方向分別進(jìn)行量測時，可量測到相同(或近似)的發(fā)光光形(radiationpattern)，因先前技術(shù)所揭露的正向式led與側(cè)向式led在其長度方向與寬度方向皆具有相同或近似的光形，故廣泛被使用的支架型(plcc-type)led屬于對稱性光形。

此對稱性光形的led無法滿足部分需要非對稱性光源的應(yīng)用，例如路燈照明，其需蝠翼型(batwing)的非對稱性光源。而側(cè)入式液晶電視與行動裝置的背光模塊的光源，其需在一長度方向(背光模塊的長度方向)上提供較大角度的光形，如此在長度方向上大角度的光形可提供較均勻的光分布，因而減少導(dǎo)光板暗區(qū)的產(chǎn)生，或減少led光源的使用顆數(shù)；側(cè)入式光源亦需在一寬度方向(背光模塊的厚度方向)上提供較小角度的光形，可使led光源所發(fā)出的光線更有效率地傳遞至背光模塊，因而減少光能量損耗。

對支架型led而言，無論是正向式或側(cè)向式，皆是由具凹槽(或反射杯)設(shè)計的支架為主體結(jié)構(gòu)，搭配led芯片與熒光膠體封裝而成，其中，支架乃通過模造成型(molding)進(jìn)行制作。若支架型led要產(chǎn)生非對稱性的光形，傳統(tǒng)上通常采用額外的一次光學(xué)透鏡或二次光學(xué)透鏡來達(dá)成所需的最終光形，這無可避免地會大幅增加制造成本，且大幅增加整體上所占據(jù)的使用空間而不利終端產(chǎn)品的設(shè)計；若不采用光學(xué)透鏡來調(diào)整光形，則需將支架的凹槽結(jié)構(gòu)制作成部分區(qū)域具有可透光的特性，使光線可穿透此可透光結(jié)構(gòu)向外傳遞，進(jìn)而改變光形，但具有部分可透光結(jié)構(gòu)的凹槽結(jié)構(gòu)在制作上具有很高的困難度而不易實(shí)現(xiàn)。因此，支架型led尚無簡易且低成本的方法來達(dá)成非對稱性光形。

由于液晶電視與行動裝置在尺寸上不斷地朝輕薄短小發(fā)展，因此，做為背光光源的支架型led亦持續(xù)地縮小尺寸，而在此趨勢下，具有小尺寸外形的芯片級封裝(chipscalepackaging，csp)led便一躍而成為產(chǎn)業(yè)界的發(fā)展主力之一，例如，led業(yè)界已推出cspled用來取代正向式的支架型led于直下式背光液晶電視的應(yīng)用，借此可進(jìn)一步縮小led光源的尺寸，同時又可獲得更高的發(fā)光密度(lightintensity)，更小的尺寸有利于二次光學(xué)透鏡的設(shè)計，而更高的發(fā)光密度則有利于減少led的使用數(shù)量。

在發(fā)光特性上，現(xiàn)有的cspled可分為正面發(fā)光(topemitting)與五面發(fā)光(5-surfaceemitting)兩種型式，正面發(fā)光cspled使用反射材料覆蓋led芯片的四個側(cè)面，光線僅由上表面向外傳遞，因此具有較小的發(fā)光角度(約120°)，五面發(fā)光cspled的光線可由上表面與四個側(cè)面向外傳遞，因此具有較大的發(fā)光角度(約140°～160°)，然而，如同支架型led，此兩種形式的cspled皆屬于對稱性光形，皆無法滿足非對稱性光形的應(yīng)用。此外，對cspled而言，若采用一次光學(xué)透鏡或二次光學(xué)透鏡來產(chǎn)生非對稱性光形，不但明顯增加了生產(chǎn)成本，更大幅增加了csp發(fā)光裝置的尺寸、或其在使用上所需的空間，如此將失去cspled小尺寸的優(yōu)勢。然而，現(xiàn)有cspled至今仍缺乏有效方案可達(dá)成非對稱性的光形。

因此，如何在cspled中，以低成本且有效的方法來達(dá)成非對稱性的光形，使cspled在保有小尺寸之下，又可滿足非對稱光形的應(yīng)用需求，為目前業(yè)界待建立的技術(shù)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的一目的在于提供一種芯片級封裝(chipscalepackaging)發(fā)光裝置及其制造方法，其可使發(fā)光裝置的發(fā)光角度于至少一特定方向(例如出光面的長度方向或?qū)挾确较?上被有效地控制，俾以在保有小尺寸之外形下提供非對稱的光形。

為達(dá)上述目的，本發(fā)明所揭露的一種發(fā)光裝置，包含：一led芯片、一熒光結(jié)構(gòu)及一反射結(jié)構(gòu)。該led芯片具有一上表面、一下表面、一立面及一電極組，該電極組設(shè)置于該下表面上；該熒光結(jié)構(gòu)，具有一頂面、一底面及一側(cè)面，該底面至少覆蓋該led芯片的該上表面，且該熒光結(jié)構(gòu)包括一熒光層及一透光層，該透光層設(shè)置于該熒光層上；該反射結(jié)構(gòu)，至少局部地遮蔽該led芯片的該立面及該熒光結(jié)構(gòu)的該側(cè)面；其中，沿著該熒光結(jié)構(gòu)的該頂面定義有一第一水平方向與一第二水平方向，該第一水平方向與該第二水平方向相垂直。該發(fā)光裝置可更包含一微結(jié)構(gòu)透鏡層及/或一基板。

為達(dá)上述目的，本發(fā)明所揭露的一種發(fā)光裝置的制造方法，包含：設(shè)置包含一熒光層及一透光層的一熒光結(jié)構(gòu)于一led芯片上，其中，該熒光層位于該透光層及該led芯片的一上表面之間；對該熒光結(jié)構(gòu)的一側(cè)面的至少一部分以及該led芯片的一立面的至少一部分進(jìn)行遮蔽，以形成一反射結(jié)構(gòu)；其中，沿著該熒光結(jié)構(gòu)的該頂面定義有一第一水平方向與一第二水平方向，該第一水平方向與該第二水平方向相垂直。

借此，反射結(jié)構(gòu)至少局部地遮蔽led芯片的立面，可在第一水平方向及/或第二水平方向反射led芯片從立面所發(fā)射的光線，以減少光線在第一水平方向及/或第二水平方向上的發(fā)光角度，而產(chǎn)生非對稱性光形。此外，由于熒光層是設(shè)置于透光層及l(fā)ed芯片的上表面之間(而非設(shè)置于熒光結(jié)構(gòu)的頂面處)，且反射結(jié)構(gòu)至少局部地遮蔽熒光結(jié)構(gòu)的側(cè)面，因此led芯片所發(fā)射的光線在接觸到熒光層而被等向性散射后，仍可進(jìn)一步被反射結(jié)構(gòu)所反射，因此，可有效地限制該多個散射光線的射出角度，以在第一水平方向及/或第二水平方向產(chǎn)生較小的發(fā)光角度。

故，在此兩項(xiàng)特性的作用下，本發(fā)明所揭露的csp發(fā)光裝置可不借由額外的光學(xué)透鏡的輔助而提供非對稱性光形，并保有csp發(fā)光裝置的小尺寸優(yōu)勢以利終端產(chǎn)品的設(shè)計；例如應(yīng)用于側(cè)入式液晶電視與行動裝置的背光模塊時，具非對稱性光形的csp發(fā)光裝置可于背光模塊的長度方向提供較大的發(fā)光角度，如此可減少暗區(qū)或增加兩相鄰led之間隔距離(可減少led使用數(shù)量)，并于背光模塊的厚度方向提供較小的發(fā)光角度，如此可使led所發(fā)出的光線更有效率地被背光模塊所接收，因而減少光能量的損耗，同時，具有小尺寸外形的csp發(fā)光裝置亦可使背光模塊更有空間縮小其邊框尺寸。

為讓上述目的、技術(shù)特征及優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文是以較佳的實(shí)施例配合所附圖式進(jìn)行詳細(xì)說明。

【附圖說明】

圖1a為依據(jù)本發(fā)明的第1較佳實(shí)施例的發(fā)光裝置的立體示意圖；

圖1b為依據(jù)本發(fā)明的第1較佳實(shí)施例的發(fā)光裝置的另一立體示意圖；

圖1c為依據(jù)本發(fā)明的第1較佳實(shí)施例的發(fā)光裝置的剖面示意圖，亦為光線傳遞示意圖；

圖1d為依據(jù)本發(fā)明的第1較佳實(shí)施例的發(fā)光裝置的另一剖面示意圖，亦為光線傳遞示意圖；

圖1e至圖1g為依據(jù)本發(fā)明的第1較佳實(shí)施例的發(fā)光裝置的另三立體示意圖；

圖2a至圖2d為依據(jù)本發(fā)明的第2較佳實(shí)施例的發(fā)光裝置的二立體示意圖及二剖面示意圖；

圖3a至圖3d為依據(jù)本發(fā)明的第3較佳實(shí)施例的發(fā)光裝置的二立體示意圖及二剖面示意圖；

圖4a至圖4d為依據(jù)本發(fā)明的第4較佳實(shí)施例的發(fā)光裝置的二立體示意圖及二剖面示意圖；

圖5a及圖5b分別為現(xiàn)有技術(shù)的csp發(fā)光裝置與本發(fā)明所揭露的發(fā)光裝置的光形量測范例；

圖6a至圖8c為依據(jù)本發(fā)明的第1較佳實(shí)施例的發(fā)光裝置的制造方法的各步驟示意圖；

圖9a至圖12b為依據(jù)本發(fā)明的第2較佳實(shí)施例的發(fā)光裝置的制造方法的各步驟示意圖；以及

圖13至圖18b為依據(jù)本發(fā)明的第3較佳實(shí)施例的發(fā)光裝置的制造方法的各步驟示意圖。

【符號說明】

1a、1b、1c、1d發(fā)光裝置

10led芯片

11上表面

12下表面

13立面

131、131a、131b立面部分

14電極組

20熒光結(jié)構(gòu)

200熒光薄膜

201熒光層

202、202’透光層

205頂部

206側(cè)部

207延伸部

21頂面

22底面

23側(cè)面

231、231a、231b側(cè)面部分

30反射結(jié)構(gòu)

31內(nèi)立面

32內(nèi)側(cè)面

33頂面

34外側(cè)面

40反射底層

41上表面

43內(nèi)側(cè)面

50、50'離型材料

60沖切刀具

61刀刃

70基板

d1水平方向、第一水平方向

d2水平方向、第二水平方向

l光線

【具體實(shí)施方式】

請參閱圖1a至圖1d所示，其為依據(jù)本發(fā)明的第1較佳實(shí)施例的發(fā)光裝置的二立體示意圖及二剖面示意圖。該發(fā)光裝置1a使用時會占用一定的面積(圖未示)，而該面積是在一第一水平方向d1與一第二水平方向d2上延伸，第一水平方向d1與第二水平方向d2相互垂直，而第一水平方向d1與第二水平方向d2的每一個皆與發(fā)光裝置1a的厚度方向(圖未示)相垂直。發(fā)光裝置1a可包含一led芯片10、一熒光結(jié)構(gòu)20及一反射結(jié)構(gòu)30；該多個元件的技術(shù)內(nèi)容將依序說明如下。

該led芯片10可為一覆晶式led芯片，而外觀上可具有一上表面11、一下表面12、一立面13及一電極組14。該上表面11與下表面12為相對且相反地設(shè)置，上表面11及下表面12可為矩形者(例如為長方形)，而上表面11(下表面12)的其中兩邊線對應(yīng)于第一水平方向d1、而另兩邊線是對應(yīng)于第二水平方向d2。

立面13形成于上表面11與下表面12之間，并連接上表面11與下表面12。換言之，立面13是沿著上表面11的邊線與下表面12的邊線而形成，故立面13相對于上表面11與下表面12為環(huán)形(例如矩型環(huán))。依據(jù)不同的水平方向d1及d2，立面13可包含至少四個立面部分131(即立面13至少可區(qū)分成四個部分)，其中，二立面部分131a是沿著該第一水平方向d1相對設(shè)置，而另二立面部分131b是沿著該第二水平方向d2相對設(shè)置。

電極組14設(shè)置于下表面12上，且可具有二個以上的電極。電能(圖未示)可通過電極組14供應(yīng)至led芯片10內(nèi)，然后使led芯片10發(fā)光。led芯片10所發(fā)射出的光線l(如圖1c及圖1d所示)大部分是從上表面11離開，亦可從立面13離開。由于led芯片10為覆晶型式，故上表面11上未設(shè)有電極。

熒光結(jié)構(gòu)20能改變led芯片10所發(fā)射的光線l的波長，而外觀上可具有一頂面21、一底面22及一側(cè)面23；頂面21與底面22為相對且相反設(shè)置，頂面21及底面22可為矩形者(例如長方形)，而頂面21(底面22)的其中兩邊線對應(yīng)于第一水平方向d1、另兩邊線是對應(yīng)于第二水平方向d2；換言之，頂面21沿著第一水平方向d1及第二水平方向d2延伸形成，頂面21定義有第一水平方向d1及第二水平方向d2。頂面21與底面22可為水平面，且兩者還可相平行。

側(cè)面23形成于頂面21及底面22之間，且連接頂面21與底面22，換言之，側(cè)面23是沿著頂面21的邊線與底面22的邊線而形成，故側(cè)面23相對于頂面21及底面22為環(huán)形(例如矩型環(huán))。依據(jù)不同的水平方向d1及d2，側(cè)面23可包含至少四個側(cè)面部分231(即側(cè)面23至少可區(qū)分成四個部分)，其中，二側(cè)面部分231a是沿著該第一水平方向d1相對設(shè)置，而另二側(cè)面部分231b沿著該第二水平方向d2相對設(shè)置。

此外，頂面21大于底面22，也就是，頂面21的面積大于底面22的面積，故沿著頂面21的法線方向往下觀察，頂面21可遮蔽住底面22。當(dāng)頂面21大于底面22時，側(cè)面23的至少四側(cè)面部分231a及231b的至少一者將相對于頂面21與底面22呈現(xiàn)傾斜狀。在本實(shí)施例中，沿著第一水平方向d1的二側(cè)面部分231a是相對于頂面21為傾斜，而沿著第二水平芳向d2的二側(cè)面部分231b則相對于頂面21為垂直。

在結(jié)構(gòu)上，熒光結(jié)構(gòu)20可包含一熒光層201及一透光層202，而透光層202形成于熒光層201的上，或可說，透光層202堆疊于熒光層201上。因此，透光層202的頂面即為熒光結(jié)構(gòu)20整體的頂面21，而熒光層201的底面即為熒光結(jié)構(gòu)20整體的底面22。透光層202及熒光層201都可讓光線l通過，故其制造材料皆可包含一可透光樹脂等透光材料，例如硅膠，而熒光層201的制造材料則可進(jìn)一步包含熒光材料，其混合于透光材料中。當(dāng)led芯片10的光線l通過熒光層201，部分的光線l碰觸到熒光材料后會改變其波長并產(chǎn)生散射，然后繼續(xù)前進(jìn)至透光層202。

熒光層201可借由申請人先前提出的公開號us2010/0119839的美國專利申請案(對應(yīng)于證書號i508331的臺灣專利)所揭露的技術(shù)來形成，也就是，將一或多層的熒光材料及透光材料分別地沉積，以形成該熒光層201。這種技術(shù)所形成的熒光層201可為多層結(jié)構(gòu)，包含至少一透光部及至少一熒光部(圖未示)，彼此堆疊、交錯。該美國及臺灣專利申請案的技術(shù)內(nèi)容以引用方式全文并入本文。

透光層202雖然不會改變光線l的波長，但可保護(hù)熒光層201，使得環(huán)境中的物質(zhì)不易接觸到熒光層201而產(chǎn)生污染或破壞。此外，透光層202還可增加熒光結(jié)構(gòu)20的整體結(jié)構(gòu)強(qiáng)度(剛性)，以使得熒光結(jié)構(gòu)20不易彎曲，提供生產(chǎn)上足夠的可操作性。

位置上，熒光結(jié)構(gòu)20是設(shè)置于led芯片10上，且熒光結(jié)構(gòu)20的底面22位于led芯片10的上表面11上(且可覆蓋上表面11)，故頂面21及側(cè)面23亦位于led芯片10的上表面11上方。換言之，熒光結(jié)構(gòu)20是以熒光層201覆蓋led芯片10的上表面11，而透光層202與上表面11相分隔。

反射結(jié)構(gòu)30可阻擋及反射光線l，以限制光線l的前進(jìn)方向。反射結(jié)構(gòu)30至少局部地遮蔽led芯片10的立面13及熒光結(jié)構(gòu)20的側(cè)面23，也就是，立面13的該多個立面部分131a及131b的至少一個被反射結(jié)構(gòu)30遮蔽，同時側(cè)面23的該多個側(cè)面部分231a及231b的至少一個被反射結(jié)構(gòu)30遮蔽。本實(shí)施例中，四個立面部分131a、131b及四個側(cè)面部分231b、231b皆被反射結(jié)構(gòu)30遮蔽，熒光結(jié)構(gòu)20的頂面21未有被反射結(jié)構(gòu)30遮蔽。因此，光線l在立面13及側(cè)面23處會被反射結(jié)構(gòu)30反射(或吸收)，僅能從頂面21射出熒光結(jié)構(gòu)20。

較佳地，反射結(jié)構(gòu)30遮蔽立面13及側(cè)面23時，會覆蓋(貼合)立面13及側(cè)面23，以使得反射結(jié)構(gòu)30與立面13及側(cè)面23之間沒有間隙。因此，反射結(jié)構(gòu)30具有與立面13相貼合的一內(nèi)立面31、以及與側(cè)面23相貼合的一內(nèi)側(cè)面32。較佳地，反射結(jié)構(gòu)30的一頂面33可與熒光結(jié)構(gòu)20的頂面21齊平；反射結(jié)構(gòu)30還具有一相對于內(nèi)立面31及內(nèi)側(cè)面32之外側(cè)面34，且外側(cè)面34可為垂直面。

在制造材料上，反射結(jié)構(gòu)30可由包含一反射性樹脂的一材料所制成，該反射性樹脂例如可為聚鄰苯二甲酰胺、聚對苯二甲酸環(huán)己烷二甲醇酯或環(huán)氧樹脂。反射結(jié)構(gòu)30亦可由包含一可透光樹脂的另一材料所制成，該可透光樹脂再包含光學(xué)散射性微粒，該可透光樹脂例如可為硅膠，該光學(xué)散射性微粒例如可為二氧化鈦、氮化硼、二氧化硅或三氧化二鋁。

以上為發(fā)光裝置1a的各元件的技術(shù)內(nèi)容，而發(fā)光裝置1a至少具有以下技術(shù)特點(diǎn)。

如圖1c及圖1d所示，led芯片10所發(fā)射出的光線l會先通過熒光層201、再通過透光層202后，才由頂面21射出，換言之，光線l在熒光層201產(chǎn)生散射后，還需通過透光層202才能從頂面21射出，而不是如已知技術(shù)般經(jīng)過熒光層產(chǎn)生散射后即直接射出發(fā)光裝置之外。因此，在通過透光層202的過程中，散射的光線l仍可受到反射結(jié)構(gòu)30的反射，進(jìn)而被限制其發(fā)光角度。

更具體而言，在第二水平方向d2上(如圖1c所示)以及在第一水平方向d1上(如圖1d所示)，從led芯片10內(nèi)產(chǎn)生的光線l于立面部分131a、131b被反射而僅能從上表面11射出。射出led芯片10的光線l接著會進(jìn)入熒光層201，此時，部分的光線l會接觸到熒光層201中的熒光材料而產(chǎn)生散射，而其中接觸到熒光材料的部分光線l會產(chǎn)生波長的變化；在通過熒光層201的過程中，光線l若抵達(dá)至側(cè)面部分231a、231b時會被反射結(jié)構(gòu)30反射。通過熒光層201的光線l(包含被散射者、及非被散射者)接著會進(jìn)入透光層202，而在通過透光層202過程中，光線l若抵達(dá)至側(cè)面部分231a、231b時亦會被反射結(jié)構(gòu)30反射。因此，光線l(包含被散射者、及非被散射者)最終僅能從熒光結(jié)構(gòu)20的頂面21射出。

由于沿著第一水平方向d1的側(cè)面部分231a為傾斜，光線l能沿著側(cè)面部分231a以較大角度射出頂面21。沿著第二水平方向d2的側(cè)面部分231b為非傾斜(或傾斜角度較小)，故沿著側(cè)面部分231b射出頂面21的光線l的角度較小。整體而言，從頂面21射出的光線l在第一水平方向d1上的發(fā)光角度較大，而在第二水平方向d2上的發(fā)光角度較小，借此可達(dá)成非對稱性的光形。

較佳地，頂面21在第一水平方向d1的邊長可大于在第二水平方向d2上的邊長，此舉有益于光線l在第一水平方向d1上的發(fā)光角度大于在第二水平方向d2上的發(fā)光角度。

綜合上述，發(fā)光裝置1a可于不同的水平方向d1、d2上提供不同的發(fā)光角度，以達(dá)到提供非對稱性照明的目的。

此外，如圖1e所示，發(fā)光裝置1a的熒光結(jié)構(gòu)20亦可由相同(或相似)外形的透光層202所取代，也就是，發(fā)光裝置1a包含led芯片10、透光層202及反射結(jié)構(gòu)30，而不包含熒光層201，因此，led芯片10所發(fā)出的光線在通過透光層202向外傳遞時其波長并不會被轉(zhuǎn)換，可用于制作紅光、綠光、藍(lán)光、紅外光或紫外光等單色光的(monochromatic)csp發(fā)光裝置，其亦具有非對稱性的光形。此具有非對稱性光形的單色光csp發(fā)光裝置的技術(shù)內(nèi)容亦可適用于本發(fā)明所揭露的其他實(shí)施例。

再者，如圖1f所示，發(fā)光裝置1a亦可更包含一微結(jié)構(gòu)透鏡層，較佳地，可使用模造成型(molding)或其他成型方法，在制作透光結(jié)構(gòu)202的制程中同步形成該微結(jié)構(gòu)透鏡層，使透光結(jié)構(gòu)202與微結(jié)構(gòu)透鏡層可一體成型而形成另一包含微結(jié)構(gòu)透鏡層的透光結(jié)構(gòu)202’，其中，微結(jié)構(gòu)透鏡層可由規(guī)則排列或任意排列的多個微結(jié)構(gòu)所組成，且該多個微結(jié)構(gòu)之外形可為半球狀、角錐狀、柱狀、圓錐狀等形狀、或是為粗糙表面。借此，微結(jié)構(gòu)透鏡層可使往外傳遞的光線不易因光學(xué)全反射(totalinternalreflection)的作用而反射回透光結(jié)構(gòu)202’中，因而增加光汲取效率(lightextractionefficiency)，并提升發(fā)光裝置1a的發(fā)光效率(efficacy)。此具有微結(jié)構(gòu)透鏡層的透光結(jié)構(gòu)202’亦可適用于本發(fā)明所揭露的其他實(shí)施例。

又，如第1g圖所示，發(fā)光裝置1a亦可包含一基板70，該基板70可為陶瓷基板、玻璃基板、硅基板、印刷電路板(pcb)或金屬基印刷電路板(metal-corepcb)等基板，基板70具有可傳導(dǎo)電能的線路(圖未示)，通過將發(fā)光裝置1a與基板70進(jìn)行電性接合，便可經(jīng)由基板70將電能傳遞至發(fā)光裝置1a而使其發(fā)光，如此可有利于發(fā)光裝置1a于模塊端(modulelevel)的應(yīng)用?；?0亦可適用于本發(fā)明所揭露的其他實(shí)施例。

以上是發(fā)光裝置1a的技術(shù)內(nèi)容的說明，接著將說明依據(jù)本發(fā)明其他實(shí)施例的發(fā)光裝置的技術(shù)內(nèi)容，而各實(shí)施例的發(fā)光裝置的技術(shù)內(nèi)容應(yīng)可互相參考，故相同的部分將省略或簡化。

請參閱圖2a至圖2d所示，其為依據(jù)本發(fā)明的第2較佳實(shí)施例的發(fā)光裝置的二立體示意圖及二剖面示意圖。發(fā)光裝置1b與發(fā)光裝置1a不同處至少在于，發(fā)光裝置1b的熒光結(jié)構(gòu)20的底面22的面積大于led芯片10的上表面11的面積，且熒光結(jié)構(gòu)20的側(cè)面部分231a是暴露于反射結(jié)構(gòu)30外。更具體的說明如下。

熒光結(jié)構(gòu)20的底面22的面積大于led芯片10的上表面11的面積，且熒光結(jié)構(gòu)20的頂面21的面積可相等或大于底面22的面積。因此，例如在第一水平方向d1上，頂面21及底面22的邊長是大于上表面11的邊長，而第二水平方向d2上，頂面21及底面22的邊長是實(shí)質(zhì)相等于上表面11的邊長；其中，實(shí)質(zhì)相等是指：在第二水平方向d2上，因加工誤差或加工方法的限制而無法使頂面21及底面22的邊長完全等于上表面11的邊長，或?yàn)榱艘驊?yīng)加工誤差或加工方法的限制，而將頂面21及底面22的邊長設(shè)計成為具有稍大于上表面11的邊長，使其更易于加工，但仍具有相同或類似的功效。

熒光結(jié)構(gòu)20的側(cè)面23具有至少四側(cè)面部分231a、231b，其中，沿著第二水平方向d2的二側(cè)面部分231b被反射結(jié)構(gòu)30覆蓋，而沿著第一水平方向d1的另二側(cè)面部分231a并未被反射結(jié)構(gòu)30覆蓋，而是暴露于反射結(jié)構(gòu)30之外。較佳地，被暴露于反射結(jié)構(gòu)30之外的二側(cè)面部分231a是對應(yīng)底面22的邊長較長者，而被反射結(jié)構(gòu)30覆蓋的二側(cè)面部分231b是對應(yīng)底面22的邊長較短者。另外，led芯片10的立面13的立面部分131a、131b皆被反射結(jié)構(gòu)30覆蓋。

借此設(shè)置，當(dāng)光線l從led芯片10的上表面11射出時，于第二水平方向d2上，光線l(包含被散射者、及非被散射者)抵達(dá)側(cè)面部分231b會被反射結(jié)構(gòu)30反射，故光線l的發(fā)光角度將受到反射結(jié)構(gòu)30的限制而較??；而于第一水平方向d1上，光線l在抵達(dá)側(cè)面部分231a時不會被反射結(jié)構(gòu)30所遮蔽，因此光線l的照射范圍不會受到反射結(jié)構(gòu)30的限制而較大。

因此，發(fā)光裝置1b亦可于不同的水平方向d1、d2上提供不同的發(fā)光角度，以達(dá)到提供非對稱性照明的目的。與發(fā)光裝置1a相比，由于發(fā)光裝置1b的側(cè)面部分231a在第一水平方向d1上未有被反射結(jié)構(gòu)30遮蔽，故在該第一水平方向d1上發(fā)光裝置1b可提供較大的發(fā)光角度。

請參閱圖3a至圖3d所示，其為依據(jù)本發(fā)明的第3較佳實(shí)施例的發(fā)光裝置的二立體示意圖及二剖面示意圖。發(fā)光裝置1c與發(fā)光裝置1b不同處至少在于，發(fā)光裝置1c的led芯片10的立面13的局部未有被反射結(jié)構(gòu)30遮蔽，但被熒光結(jié)構(gòu)20包覆。

具體而言，立面13包含至少四個立面部分131a、131b，熒光層201除了覆蓋led芯片10的上表面11外，將會進(jìn)一步覆蓋立面部分131a及/或131b、然后再向外延伸。因此，熒光層201可視為包含一頂部205、一側(cè)部206及一延伸部207，頂部205覆蓋led芯片10的上表面11，側(cè)部206覆蓋立面部分131a及/或131b，而延伸部207自側(cè)部206在第一水平方向d1及/或第二水平方向d2上向外延伸。如此，在第一水平方向d1及/或第二水平方向d2上，從立面部分131a及/或131b射出的光線l通過側(cè)部206及延伸部207后，其波長可被轉(zhuǎn)換。

在第二水平方向d2上，兩立面部分131b受到反射結(jié)構(gòu)30遮蔽(即立面部分131b先被熒光結(jié)構(gòu)20覆蓋，然后熒光結(jié)構(gòu)20再被反射結(jié)構(gòu)30覆蓋而遮蔽)；兩立面部分131b亦可直接被反射結(jié)構(gòu)30直接地覆蓋而遮蔽(圖未示)。而在第一水平方向d1上，立面部分131a被熒光結(jié)構(gòu)20覆蓋，但熒光結(jié)構(gòu)20未有再被反射結(jié)構(gòu)30覆蓋；換言之，立面部分131a未被反射結(jié)構(gòu)30遮蔽。

如此，在第一水平方向d1上，led芯片10內(nèi)產(chǎn)生的光線l可通過立面部分131a而直接射出led芯片10，然后再通過熒光結(jié)構(gòu)20而射出發(fā)光裝置1c之外，不受到反射結(jié)構(gòu)30的遮蔽。因此，在第一水平方向d1上，發(fā)光裝置1c可提供較大發(fā)光角度的光線l；而在第二水平方向d2上，由于光線l會受到反射結(jié)構(gòu)30的遮蔽，光線l的發(fā)光角度較小。因此，發(fā)光裝置1c亦可于不同的水平方向d1、d2上提供不同的發(fā)光角度，以達(dá)到提供非對稱性照明的目的。

與發(fā)光裝置1b相比，由于發(fā)光裝置1c的立面13在第一水平方向d1上未有被反射結(jié)構(gòu)30遮蔽，故在該第一水平方向d1上發(fā)光裝置1c可提供更大的發(fā)光角度。

再者，發(fā)光裝置1c的另一種型態(tài)可為(圖未示)：第二水平方向d2上的其中一立面部分131b受到反射結(jié)構(gòu)30遮蔽，而第一水平方向d1上的其中一立面部分131a受到反射結(jié)構(gòu)30遮蔽，故光線l在第二水平方向d2本身上的照射范圍為非對稱，而在第一水平方向d1本身上的照射范圍亦為非對稱。

請參閱圖4a至圖4d所示，其為依據(jù)本發(fā)明的第4較佳實(shí)施例的發(fā)光裝置的二立體示意圖及二剖面示意圖。發(fā)光裝置1d與發(fā)光裝置1c不同處至少在于，發(fā)光裝置1d更包含一反射底層40，該反射底層40位于熒光層201的下方，并覆蓋led芯片10的立面13的至少一部分。較佳地，該反射底層40具有與熒光層201的該側(cè)部206及該延伸部207相貼合的一上表面41，以及與立面13相貼合的一內(nèi)側(cè)面43。其中，反射底層40的一厚度不大于led芯片的一厚度。

由于從led芯片10發(fā)出的光線l在進(jìn)入熒光層201后(包含被散射者、及非被散射者)，一部分的光線l會朝向熒光層201的側(cè)部206及延伸部207的底面方向傳遞，進(jìn)而從側(cè)部206及延伸部207的底面射出發(fā)光裝置1c外，如此將使該多個光線l無法被有效利用，因而形成光能量損耗而導(dǎo)致發(fā)光效率(efficacy)降低。借由反射底層40的設(shè)置，使朝向側(cè)部206及延伸部207的底面?zhèn)鬟f的光線l可經(jīng)由反射底層40反射，使該多個光線l可從熒光結(jié)構(gòu)20的頂面21與二側(cè)面部分231a射出而重新被利用，因而提升發(fā)光裝置1d的整體發(fā)光效率。

請參閱圖5a及圖5b所示，其為csp發(fā)光裝置的光形量測范例，該csp發(fā)光裝置的長度為1500微米，寬度為1200微米，其中，圖5a所示者為先前技術(shù)的正面發(fā)光(topemitting)csp發(fā)光裝置的光形量測結(jié)果，在第一水平方向d1(長度方向)與第二水平方向d2(寬度方向)具有相同(或近似)的光形，半功率角皆為120度，為對稱性光形；圖5b所示者為一本發(fā)明所揭露的具有非對稱性光形的csp發(fā)光裝置(圖3a所示的型態(tài))的光形量測結(jié)果，在第一水平方向d1(長度方向)與第二水平方向d2(寬度方向)具有明顯相異的光形，其在第一水平方向d1的半功率角為135度，在第二水平方向d2的半功率角為122度，為非對稱性光形。

借此，發(fā)光裝置1a、1b、1c與1d可提供以下有益的效果：由于不必通過一次光學(xué)透鏡或二次光學(xué)透鏡的設(shè)置便可提供非對稱性的光形，故可降低在非對稱性光形的應(yīng)用上的成本，并節(jié)省設(shè)置光學(xué)透鏡所需的空間；再者，具有csp發(fā)光裝置的小尺寸外形，有利于終端產(chǎn)品縮小尺寸，或使終端產(chǎn)品在設(shè)計上更具優(yōu)勢，例如可取代側(cè)向式支架型led作為側(cè)入式液晶電視與行動裝置的背光模塊光源，非對稱性的光形可于背光模塊的長度方向提供較大的發(fā)光角度，如此可減少暗區(qū)的面積，或增加兩相鄰led之間隔距離以減少led使用數(shù)量，同時于背光模塊的厚度方向提供較小的發(fā)光角度，可使led所發(fā)出的光線有效率地被背光模塊所接收，以減少光能量的損耗；又，若欲通過額外的二次光學(xué)透鏡來使發(fā)光裝置1a、1b與1c所發(fā)射的光線更為非對稱者。

此外，需補(bǔ)充說明的是，發(fā)光裝置1b、1c及1d亦適用前述發(fā)光裝置1a所揭露的技術(shù)內(nèi)容而形成一具有非對稱性光形的單色光csp發(fā)光裝置，或更包含一微結(jié)構(gòu)透鏡層或一基板70。

接著將說明依據(jù)本發(fā)明的較佳實(shí)施例的發(fā)光裝置的制造方法。該制造方法至少可包含二步驟：設(shè)置一熒光結(jié)構(gòu)于一led芯片上；以及對熒光結(jié)構(gòu)的側(cè)面的至少一側(cè)面部分以及l(fā)ed芯片的立面的至少一立面部分進(jìn)行遮蔽；以下將依序地以發(fā)光裝置1a-1c為例，進(jìn)一步說明制造方法的技術(shù)內(nèi)容，而制造方法的技術(shù)內(nèi)容與發(fā)光裝置1a-1c的技術(shù)內(nèi)容可相互參考。

請參閱圖6a至圖8c所示，為依據(jù)本發(fā)明的第1較佳實(shí)施例的發(fā)光裝置1a的制造方法的各步驟示意圖。

在設(shè)置熒光結(jié)構(gòu)20至led芯片10上的過程中，可先形成熒光結(jié)構(gòu)20。具體而言，如圖6a所示，首先將熒光層201形成于一離型材料50上；然后，如圖6b所示，將透光層202形成于熒光層201上；如圖6c所示，接著，將離型材料50移除，便得到透光層202與熒光層201所構(gòu)成的一熒光薄膜200。上述熒光層201及透光層202的形成可借由噴涂(spraycoating)、印刷(printing)、點(diǎn)膠(dispensing)或模造成型(molding)等方式來達(dá)成，其中，較佳地?zé)晒鈱?01的形成可借由申請人先前提出的公開號us2010/0119839的美國專利申請案(對應(yīng)于證書號i508331的臺灣專利)所揭露的技術(shù)來達(dá)成。

當(dāng)熒光薄膜200形成后，可借由沖切(punching)等方式將熒光薄膜200分成多個熒光結(jié)構(gòu)20，并同時對熒光結(jié)構(gòu)20的側(cè)面23進(jìn)行加工，以使側(cè)面23的至少一側(cè)面部分231a或231b為傾斜。具體而言，如圖6d所示，熒光薄膜200先被翻轉(zhuǎn)、然后以熒光層201朝上的方式放置于一輔助材(圖未示)上，接著一沖切刀具60從上方對熒光薄膜200進(jìn)行沖切。沖切刀具60是具有多個刀刃61，且該多個刀刃61相連接，并依據(jù)熒光結(jié)構(gòu)20之外型來排列，例如排列成矩型。因此，當(dāng)沖切刀具60沖切熒光薄膜200時，熒光薄膜200將會分成多個熒光結(jié)構(gòu)20(如圖6e所示)；也就是，沖切一次即可形成多個熒光結(jié)構(gòu)20，且每個熒光結(jié)構(gòu)20的沿第一水平方向d1相對的兩側(cè)面部分231a為傾斜。

側(cè)面部分231a的傾斜角度可通過數(shù)個因素予以控制，例如調(diào)整刀刃61的角度(或剖面)、熒光結(jié)構(gòu)20的幾何尺寸、及/或熒光薄膜200的材料性質(zhì)等因素。因此，當(dāng)事先設(shè)定好該多個因素后，即可使側(cè)面部分231a具有預(yù)期的傾斜角度。使側(cè)面部分231a具有傾斜角度的具體技術(shù)說明可參閱申請人的申請?zhí)?04132711的臺灣專利申請案，該臺灣專利申請案的技術(shù)內(nèi)容以引用方式全文并入本文。

當(dāng)熒光結(jié)構(gòu)20形成后，可被設(shè)置至led芯片10上。具體而言，如圖7a所示，首先多個led芯片10被間隔地放置在一離型材料50’上，以形成一led芯片10的陣列，其中，離型材料50’可為離型膜、紫外線解粘膠帶(uvreleasetape)或熱解粘膠帶(thermalreleasetape)等；較佳地，led芯片10可受壓而使其的電極組14嵌入至離型材料50’而不外露。接著，如圖7b所示，將多個熒光結(jié)構(gòu)20分別設(shè)置于該led芯片10上，且較佳地，熒光結(jié)構(gòu)20的底面22可通過粘膠或膠帶來粘貼至led芯片10的上表面11。當(dāng)熒光結(jié)構(gòu)20設(shè)置于led芯片10上后，熒光層201位于透光層202及l(fā)ed芯片10的上表面11之間。

當(dāng)熒光結(jié)構(gòu)20設(shè)置于led芯片10后，接著借由形成一反射結(jié)構(gòu)30來對熒光結(jié)構(gòu)20的側(cè)面23及l(fā)ed芯片10的立面13進(jìn)行遮蔽。具體而言，如圖8a所示，可借由模造成型或點(diǎn)膠等制程在led芯片10的立面13及熒光結(jié)構(gòu)20的側(cè)面23上形成反射結(jié)構(gòu)30，并使反射結(jié)構(gòu)30包覆立面13及側(cè)面23，以達(dá)遮蔽的目的。本實(shí)施例中，側(cè)面23的四側(cè)面部分231及立面13的四立面部分131皆被包覆。

采取模造成型來形成反射結(jié)構(gòu)30時，熒光結(jié)構(gòu)20、led芯片10及離型材料50’將被放置于一模具(圖未示)中，然后將反射結(jié)構(gòu)30的制造材料注入至模具中，并包覆熒光結(jié)構(gòu)20的側(cè)面23及l(fā)ed芯片10的立面13；當(dāng)制造材料固化后，反射結(jié)構(gòu)30即可形成。采取點(diǎn)膠來形成反射結(jié)構(gòu)30時，則不需要上述的模具；反射結(jié)構(gòu)30的制造材料將直接地澆淋至離型材料50’上，然后制造材料會在離型材料50’上漸漸增厚，以包覆led芯片10的立面13及熒光結(jié)構(gòu)20的側(cè)面23。

當(dāng)反射結(jié)構(gòu)30形成后，如圖8b所示，離型材料50’將可移除，以得到多個發(fā)光裝置1a。該多個發(fā)光裝置1a的反射結(jié)構(gòu)30可能會相連接，因此可再采取一切割步驟(如圖8c所示)，沿著第一水平方向d1及第二水平方向d2將相連接的反射結(jié)構(gòu)30切割，便可到相互分離的發(fā)光裝置1a。

以上為依據(jù)本發(fā)明的第1較佳實(shí)施例的發(fā)光裝置1a的制造方法的說明，接著將說明依據(jù)第2較佳實(shí)施例的發(fā)光裝置1b的制造方法，其與發(fā)光裝置1a的制造方法有部分相同或類似處，故該多個部分的說明將適度地省略。

請參閱圖9a至圖12b所示，為本發(fā)明的第2較佳實(shí)施例的發(fā)光裝置1b的制造方法的各步驟示意圖。

如圖9a所示，首先提供一離型材料50，并通過噴涂、印刷、或模造成型等制程將一透光層202及一熒光層201依序堆疊于離型材料50上，以形成多個熒光結(jié)構(gòu)20。或者，先完成制作包含透光層202及熒光層201的熒光薄膜后，再將熒光層201朝上放置于離形材料50上。

接著，如圖9b所示，將多個led芯片10倒置于熒光層201的上，使led芯片10的上表面11朝下并被熒光層201覆蓋，而led芯片10的電極組14則朝上、暴露于外。

然后，如圖10a至圖10c所示，沿第一水平方向d1對熒光結(jié)構(gòu)20進(jìn)行切割，以使部分的透光層202及熒光層201被移除；切割完成并部分移除透光層202及熒光層201后，在第一水平方向d1上通過芯片10的剖面(如圖10b所示)，該多個熒光結(jié)構(gòu)20仍是相連，而在第二水平方向d2上通過芯片10的剖面(如圖10c所示)，該多個熒光結(jié)構(gòu)20相分離，以使得兩側(cè)面部分231b暴露出。此外，為使加工易于進(jìn)行，并防止刀刃于切割時誤觸、損壞led芯片10，刀刃與led芯片10的立面13可相距一距離(例如20-40um)，因此，在第二水平方向d2上，該多個熒光結(jié)構(gòu)20的長度會稍大于該多個led芯片10。

接著，如圖11a及圖11b所示，形成一反射結(jié)構(gòu)30，以對led芯片10的立面13及熒光結(jié)構(gòu)20的側(cè)面23進(jìn)行包覆。由于沿著第二水平方向d2上的側(cè)面部分231b于切割并部分移除透光層202及熒光層201后已暴露出，故反射結(jié)構(gòu)30可包覆到側(cè)面部分231b而遮蔽側(cè)面部分231b；沿著第一水平方向d1上的側(cè)面部分231a未有暴露出，故未有被反射結(jié)構(gòu)30包覆及遮蔽。

當(dāng)反射結(jié)構(gòu)30形成后，將離形材料50移除(圖未示)，以得到多個發(fā)光裝置1b。該多個發(fā)光裝置1b的熒光結(jié)構(gòu)20及反射結(jié)構(gòu)30可能會相連接，因此可再采取一切割步驟(如第12a圖至第12b圖所示)以將相連接的熒光結(jié)構(gòu)20及反射結(jié)構(gòu)30切割分離，便得到相互分離的發(fā)光裝置1b。也就是，沿著第一水平方向d1將相連的反射結(jié)構(gòu)30切割開，再沿著第二水平方向d2將相連的反射結(jié)構(gòu)30以及相連的熒光結(jié)構(gòu)20切割開。

以上為依據(jù)本發(fā)明的第2較佳實(shí)施例的發(fā)光裝置1b的制造方法的說明，接著將說明依據(jù)第3較佳實(shí)施例的發(fā)光裝置1c的制造方法，其與發(fā)光裝置1a、1b的制造方法有部分相同或類似處，故同樣地該多個部分的說明將適度地省略。

請參閱圖13至圖18b所示，為本發(fā)明的第3較佳實(shí)施例的發(fā)光裝置1c的制造方法的各步驟示意圖。

首先，如圖13所示，多個led芯片10被間隔地放置在一離型材料50上，以形成一led芯片10的陣列。接著，如圖14所示，將熒光層201形成于離型材料50的表面與led芯片10的上表面11及立面13；在形成熒光層201后，led芯片10的上表面11會被熒光層201的頂部205所遮蔽，而立面13的立面部分131a、131b被熒光層201的側(cè)部206所遮蔽，離型材料50的表面則被熒光層201的延伸部207所遮蔽。熒光層201的形成可借由申請人先前提出的公開號us2010/0119839的美國專利申請案(對應(yīng)于證書號i508331的臺灣專利)所揭露的技術(shù)來達(dá)成。

接著，如圖15a及圖15b所示，將透光層202形成于熒光層201上，以形成多個熒光結(jié)構(gòu)20。此時，亦可依需求選擇性地(optionally)采用模造成型的方法，并搭配使用設(shè)置有多個微結(jié)構(gòu)形狀之內(nèi)表面的模具，此模具內(nèi)表面上的微結(jié)構(gòu)形狀相應(yīng)于如圖1f所示的微結(jié)構(gòu)的外表面，借此，可于模造成型后，形成具有微結(jié)構(gòu)透鏡層的透光層202’。

然后，如圖16a至圖16c所示，沿著第一水平方向d1對熒光結(jié)構(gòu)20進(jìn)行切割，以將部分的透光層202及熒光層201移除。切割完成后，在第一水平方向d1上通過芯片10的剖面(如圖16b所示)，該多個熒光結(jié)構(gòu)20仍是相連，而在第二水平方向d1上通過芯片10的剖面(如圖16c所示)，該多個熒光結(jié)構(gòu)20相分離，以使得兩側(cè)面部分231b暴露出。

接著，如圖17a及圖17b所示，形成一反射結(jié)構(gòu)30，以對熒光結(jié)構(gòu)20的側(cè)面23進(jìn)行包覆。由于沿著第二水平方向d2上的側(cè)面部分231b于切割并部分移除透光層202及熒光層201后已暴露出，反射結(jié)構(gòu)30可包覆到側(cè)面部分231b而遮蔽側(cè)面部分231b；沿著第一水平方向d1上的側(cè)面部分231a未有暴露出，故未有被反射結(jié)構(gòu)30包覆及遮蔽(換言之，側(cè)面部分231a暴露于反射結(jié)構(gòu)30外)。

當(dāng)反射結(jié)構(gòu)30形成后，可將離型材料50移除(圖未示)，以得到多個發(fā)光裝置1c。該多個發(fā)光裝置1c的熒光結(jié)構(gòu)20及反射結(jié)構(gòu)30可能會相連接，因此可再采取一切割步驟(如第18a圖及第18b圖所示)，以將相連接的熒光結(jié)構(gòu)20及反射結(jié)構(gòu)30切割分離，便得到相互分離的發(fā)光裝置1c。也就是，沿著第一水平方向d1將相連的反射結(jié)構(gòu)30切割開，再沿著第二水平方向d2將相連的反射結(jié)構(gòu)30以及相連的熒光結(jié)構(gòu)20切割開。

此外，本發(fā)明的第3較佳實(shí)施例的發(fā)光裝置1c的制造方法中，若在完成圖13所示的步驟而形成一led芯片10的陣列后，接著將光學(xué)散射性微粒(例如二氧化鈦、二氧化硅等)混合入一樹脂材料(例如硅膠)中，再以工業(yè)溶劑(例如醇類、烷類等)稀釋后借由噴涂(spraying)等方法將其噴灑至led芯片10的陣列，借此，稀釋后的樹脂材料大部分將因重力的作用而從較高處(例如芯片10的上表面11)往低處(例如離型材料50)流動，最終均勻分布于離型材料50上，經(jīng)加熱固化后可形成如圖4a至圖4d所示的反射底層40。接著再接續(xù)圖14至圖18b所示的制程步驟，即可制造出本發(fā)明所揭露的發(fā)光裝置1d。其中，亦可采用與前述反射結(jié)構(gòu)30相同的制造材料，經(jīng)由點(diǎn)膠等方法將該制造材料分布于離型材料50上后，經(jīng)固化后可形成反射底層40。

綜合上述，本發(fā)明的發(fā)光裝置的制造方法可制造出各種能于至少一特定水平方向上有效地控制發(fā)光角度的發(fā)光裝置，且可借由批次方式制造大量的這種發(fā)光裝置。

上述的實(shí)施例僅用來例舉本發(fā)明的實(shí)施態(tài)樣，以及闡釋本發(fā)明的技術(shù)特征，并非用來限制本發(fā)明的保護(hù)范疇。任何熟悉此技術(shù)者可輕易完成的改變或均等性的安排均屬于本發(fā)明所主張的范圍，本發(fā)明的權(quán)利保護(hù)范圍應(yīng)以申請專利范圍為準(zhǔn)。