本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其形成方法。

背景技術(shù)：

mos晶體管是現(xiàn)代集成電路中最重要的元件之一。mos晶體管的基本結(jié)構(gòu)包括：半導(dǎo)體襯底；位于半導(dǎo)體襯底表面的柵極結(jié)構(gòu)，位于柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)半導(dǎo)體襯底內(nèi)的源漏區(qū)。mos晶體管通過在柵極結(jié)構(gòu)施加電壓，調(diào)節(jié)通過柵極結(jié)構(gòu)底部溝道的電流來產(chǎn)生開關(guān)信號(hào)。

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，傳統(tǒng)的平面式的mos晶體管對(duì)溝道電流的控制能力變?nèi)?，造成?yán)重的漏電流。鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(finfet)是一種新興的多柵器件，它一般包括凸出于半導(dǎo)體襯底表面的鰭部，覆蓋部分所述鰭部的頂部和側(cè)壁的柵極結(jié)構(gòu)，位于柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的鰭部?jī)?nèi)的源漏區(qū)。

形成鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法包括：提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底表面具有凸起的鰭部和橫跨所述鰭部的柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)覆蓋部分所述鰭部的頂部表面和側(cè)壁；在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)側(cè)壁表面形成側(cè)墻；以側(cè)墻和柵極結(jié)構(gòu)為掩膜對(duì)柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的鰭部進(jìn)行離子注入形成重?fù)诫s的源漏區(qū)。

然而，現(xiàn)有技術(shù)形成的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的性能有待提高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明解決的問題是提供一種鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其形成方法，避免柵極結(jié)構(gòu)電場(chǎng)控制能力降低，短溝道效應(yīng)嚴(yán)重。

為解決上述問題，本發(fā)明提供一種鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，包括：提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上具有隔離層；在所述隔離層上由下到上依次形成犧牲層和圖形化的掩膜層；以所述圖形化的掩膜層為掩膜刻蝕所述犧牲層直至暴露出隔離層的表面，在所述犧牲層中形成溝槽，所述溝槽的側(cè)壁形成有若干對(duì)溝槽凸起，每對(duì)溝槽凸起分別位于溝槽兩側(cè)側(cè)壁；形成填充 滿所述溝槽的鰭部，所述溝槽凸起內(nèi)形成鰭部凸起；形成所述鰭部后，去除所述犧牲層和圖形化的掩膜層。

可選的，當(dāng)所述溝槽具有一對(duì)溝槽凸起時(shí)，形成所述溝槽的步驟為：以所述圖形化的掩膜層為掩膜，向下刻蝕所述犧牲層，在所述犧牲層中形成第一凹槽；在所述第一凹槽的內(nèi)壁形成第一保護(hù)層后，沿著所述第一凹槽向下刻蝕第一保護(hù)層和犧牲層，在向下刻蝕犧牲層的同時(shí)橫向刻蝕犧牲層，在第一凹槽的底部形成向外側(cè)突出的第一開口；在所述第一凹槽和第一開口的內(nèi)壁形成第二保護(hù)層；沿著第一凹槽和第一開口向下刻蝕第二保護(hù)層和犧牲層直至暴露出隔離層的表面，在所述第一開口的底部形成第二凹槽；去除所述第一保護(hù)層和第二保護(hù)層。

可選的，當(dāng)所述溝槽具有兩對(duì)溝槽凸起時(shí)，形成所述溝槽的步驟為：以所述圖形化的掩膜層為掩膜，向下刻蝕所述犧牲層，在所述犧牲層中形成第一凹槽；在所述第一凹槽的內(nèi)壁形成第一保護(hù)層后，沿著所述第一凹槽向下刻蝕第一保護(hù)層和犧牲層，在向下刻蝕犧牲層的同時(shí)橫向刻蝕犧牲層，在第一凹槽的底部形成向外側(cè)突出的第一開口；在所述第一凹槽和第一開口的內(nèi)壁形成第二保護(hù)層；沿著第一凹槽和第一開口向下刻蝕第二保護(hù)層和犧牲層，在所述第一開口的底部形成第二凹槽；在所述第一凹槽、第一開口和第二凹槽的內(nèi)壁形成第三保護(hù)層后，沿著所述第一凹槽、第一開口和第二凹槽向下刻蝕第三保護(hù)層和犧牲層，在向下刻蝕犧牲層的同時(shí)橫向刻蝕犧牲層，在第二凹槽的底部形成向外側(cè)突出的第二開口；在所述第一凹槽、第一開口、第二凹槽和第二開口的內(nèi)壁形成第四保護(hù)層；沿著第一凹槽、第一開口、第二凹槽和第二開口向下刻蝕第四保護(hù)層和犧牲層直至暴露出隔離層的表面，在所述第二開口的底部形成第三凹槽；去除所述第一保護(hù)層、第二保護(hù)層、第三保護(hù)層和第四保護(hù)層。

可選的，當(dāng)所述溝槽具有三對(duì)溝槽凸起時(shí)，形成所述溝槽的步驟為：以所述圖形化的掩膜層為掩膜，向下刻蝕所述犧牲層，在所述犧牲層中形成第一凹槽；在所述第一凹槽的內(nèi)壁形成第一保護(hù)層后，沿著所述第一凹槽向下刻蝕第一保護(hù)層和犧牲層，在向下刻蝕犧牲層的同時(shí)橫向刻蝕犧牲層，在第一凹槽的底部形成向外側(cè)突出的第一開口；在所述第一凹槽和第一開口的內(nèi) 壁形成第二保護(hù)層；沿著第一凹槽和第一開口向下刻蝕第二保護(hù)層和犧牲層，在所述第一開口的底部形成第二凹槽；在所述第一凹槽、第一開口和第二凹槽的內(nèi)壁形成第三保護(hù)層后，沿著所述第一凹槽、第一開口和第二凹槽向下刻蝕第三保護(hù)層和犧牲層，在向下刻蝕犧牲層的同時(shí)橫向刻蝕犧牲層，在第二凹槽的底部形成向外側(cè)突出的第二開口；在所述第一凹槽、第一開口、第二凹槽和第二開口的內(nèi)壁形成第四保護(hù)層；沿著第一凹槽、第一開口、第二凹槽和第二開口向下刻蝕第四保護(hù)層和犧牲層，在所述第二開口的底部形成第三凹槽；在所述第一凹槽、第一開口、第二凹槽、第二開口和第三凹槽的內(nèi)壁形成第五保護(hù)層后，沿著所述第一凹槽、第一開口、第二凹槽、第二開口和第三凹槽向下刻蝕第五保護(hù)層和犧牲層，在向下刻蝕犧牲層的同時(shí)橫向刻蝕犧牲層，在第三凹槽的底部形成向外側(cè)突出的第三開口；在所述第一凹槽、第一開口、第二凹槽、第二開口、第三凹槽和第三開口的內(nèi)壁形成第六保護(hù)層；沿著第一凹槽、第一開口、第二凹槽、第二開口、第三凹槽和第三開口向下刻蝕第六保護(hù)層和犧牲層直至暴露出隔離層的表面，在所述第三開口的底部形成第四凹槽；去除所述第一保護(hù)層、第二保護(hù)層、第三保護(hù)層、第四保護(hù)層、第五保護(hù)層和第六保護(hù)層。

可選的，形成所述第一凹槽、第二凹槽、第三凹槽和第四凹槽的方法為干法刻蝕工藝，參數(shù)為：采用的氣體包括cf4、n2和ar，cf4的流量為20sccm～100sccm，n2的流量為10sccm～100sccm，ar的流量為10sccm～100sccm，源射頻功率為200瓦～800瓦，偏置射頻功率為300瓦～600瓦，腔室壓強(qiáng)為3mtorr～15mtorr。

可選的，形成所述第一開口、第二開口和第三開口的方法為干法刻蝕工藝，參數(shù)為：采用的氣體包括cl2、o2和n2，cl2的流量為20sccm～100sccm，o2的流量為5sccm～15sccm，n2的流量為20sccm～50sccm，源射頻功率為200瓦～800瓦，偏置射頻功率為300瓦～600瓦，腔室壓強(qiáng)為10mtorr～25mtorr。

可選的，所述犧牲層的材料為硅、鍺或鍺化硅。

可選的，當(dāng)所述犧牲層的材料為硅時(shí)，所述鰭部的材料為鍺或鍺化硅；當(dāng)所述犧牲層的材料為鍺時(shí)，所述鰭部的材料為硅或鍺化硅；當(dāng)所述犧牲層的材料為鍺化硅時(shí)，所述鰭部的材料為硅或鍺。

可選的，形成所述鰭部的工藝為選擇性外延生長(zhǎng)工藝。

可選的，所述隔離層的材料為氧化硅、氮氧化硅、碳氧化硅。

可選的，還包括：去除所述隔離層后，在相鄰鰭部之間的半導(dǎo)體上形成隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)覆蓋鰭部的部分側(cè)壁；形成橫跨鰭部的柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)覆蓋部分鰭部的頂部表面和側(cè)壁。

本發(fā)明還提供一種鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，包括：半導(dǎo)體襯底；鰭部，位于所述半導(dǎo)體襯底上，所述鰭部的側(cè)壁具有若干對(duì)鰭部凸起，每對(duì)鰭部凸起分別位于鰭部?jī)蓚?cè)側(cè)壁。

可選的，所述鰭部的側(cè)壁具有一對(duì)鰭部凸起。

可選的，所述鰭部的側(cè)壁具有兩對(duì)鰭部凸起。

可選的，所述鰭部的側(cè)壁具有三對(duì)鰭部凸起。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)：

由于在所述犧牲層中形成了溝槽，所述溝槽的側(cè)壁具有若干對(duì)溝槽凸起，每對(duì)溝槽凸起分別位于溝槽兩側(cè)側(cè)壁，由于所述溝槽的側(cè)壁形狀限定了鰭部的側(cè)壁形狀，所以當(dāng)形成填充滿所述溝槽的鰭部后，在所述溝槽凸起內(nèi)形成了鰭部凸起，由于鰭部的兩側(cè)側(cè)壁具有鰭部凸起，使得鰭部中溝道的有效長(zhǎng)度增加，且鰭部的側(cè)壁具有和所述鰭部凸起對(duì)應(yīng)的凹進(jìn)區(qū)域，所述凹進(jìn)區(qū)域?qū)?yīng)的鰭部寬度較小，使得后續(xù)在形成橫跨鰭部的柵極結(jié)構(gòu)后，柵極結(jié)構(gòu)對(duì)鰭部的電場(chǎng)控制能力增強(qiáng)，從而改善了短溝道效應(yīng)。

附圖說明

圖1至圖11是本發(fā)明第一實(shí)施例中鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管形成過程的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖12至圖20是本發(fā)明第二實(shí)施例中鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管形成過程的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖21至圖29是本發(fā)明第三實(shí)施例中鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管形成過程的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中形成的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管進(jìn)行分析，鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的鰭部通常通過對(duì)半導(dǎo)體襯底進(jìn)行圖形化而形成，鰭部的側(cè)壁形貌為平面式。隨著特征尺寸的進(jìn)一步增加，尤其技術(shù)節(jié)點(diǎn)降低到10nm以下的時(shí)候，現(xiàn)有技術(shù)中的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的短溝道效應(yīng)嚴(yán)重。

在此基礎(chǔ)上，本發(fā)明提供一種鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，包括：提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上具有隔離層；在所述隔離層上由下到上依次形成犧牲層和圖形化的掩膜層；以所述圖形化的掩膜層為掩膜刻蝕所述犧牲層直至暴露出隔離層的表面，在所述犧牲層中形成溝槽，所述溝槽的側(cè)壁形成有若干對(duì)溝槽凸起，每對(duì)溝槽凸起分別位于溝槽兩側(cè)側(cè)壁；形成填充滿所述溝槽的鰭部，所述溝槽凸起內(nèi)形成了鰭部凸起；形成所述鰭部后，去除所述犧牲層和圖形化的掩膜層。本發(fā)明形成的鰭部的兩側(cè)側(cè)壁具有鰭部凸起，能夠增強(qiáng)柵極結(jié)構(gòu)的電場(chǎng)控制能力，改善短溝道效應(yīng)。

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例做詳細(xì)的說明。

圖1至圖11是本發(fā)明第一實(shí)施例中鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管形成過程的結(jié)構(gòu)示意圖。

參考圖1，提供半導(dǎo)體襯底100。

所述半導(dǎo)體襯底100為形成鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管提供工藝平臺(tái)。

所述半導(dǎo)體襯底100也可以是硅、鍺、鍺化硅、砷化鎵等半導(dǎo)體材料。本實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體襯底100的材料為硅。需要說明的是，由于后續(xù)需要在半導(dǎo)體襯底100上進(jìn)行外延生長(zhǎng)形成鰭部，鰭部的材料為單晶材料，故所述半導(dǎo)體襯底100均指的是單晶的材料。

繼續(xù)參考圖1，在所述半導(dǎo)體襯底100上形成隔離層110。

所述隔離層110的材料為氧化硅、氮氧化硅、碳氧化硅；形成所述隔離層110的工藝為沉積工藝，如：等離子體化學(xué)氣相沉積工藝、亞常壓化學(xué)氣相沉積工藝或原子層沉積工藝；所述隔離層110的作用為：隔離半導(dǎo)體襯底 100和后續(xù)形成的犧牲層。

參考圖2，在所述隔離層110上由下到上依次形成犧牲層120和圖形化的掩膜層130。

所述犧牲層120的材料為硅、鍺或鍺化硅，且與后續(xù)形成的鰭部的材料不同，使得后續(xù)在去除所述犧牲層120的過程中，所述犧牲層120相對(duì)于鰭部具有高的刻蝕選擇比。

形成所述犧牲層120的工藝為沉積工藝，如：等離子體化學(xué)氣相沉積工藝、亞常壓化學(xué)氣相沉積工藝或原子層沉積工藝。

所述圖形化的掩膜層130的材料為氮化硅或氧化硅，且所述圖形化的掩膜層130與隔離層110的材料不同；所述圖形化的掩膜層130定義后續(xù)形成的第一凹槽的位置。

參考圖3，以所述圖形化的掩膜層130為掩膜，向下刻蝕所述犧牲層120，在所述犧牲層120中形成第一凹槽140。

形成第一凹槽140的方法為：采用干法刻蝕工藝刻蝕部分犧牲層120，形成第一凹槽140，具體的，參數(shù)為：采用的氣體包括cf4、n2和ar，cf4的流量為20sccm～100sccm，n2的流量為10sccm～100sccm，ar的流量為10sccm～100sccm，源射頻功率為200瓦～800瓦，偏置射頻功率為300瓦～600瓦，腔室壓強(qiáng)為3mtorr～15mtorr。

參考圖4，在所述第一凹槽140的內(nèi)壁形成第一保護(hù)層150。

所述第一保護(hù)層150的工藝為氮化硅。形成第一保護(hù)層150的工藝為等離子體鈍化工藝，具體的，采用氮等離子體對(duì)所述第一凹槽140的內(nèi)壁進(jìn)行處理，使得在第一凹槽140的內(nèi)壁形成第一保護(hù)層150。

參考圖5，沿著所述第一凹槽140向下刻蝕第一保護(hù)層150和犧牲層120，在向下刻蝕犧牲層120的同時(shí)橫向刻蝕犧牲層120，在第一凹槽140底部形成向外側(cè)突出的第一開口160。

在形成第一開口160的過程中，一方面，向下刻蝕第一保護(hù)層150，此時(shí)，對(duì)第一凹槽140底部的第一保護(hù)層150的刻蝕程度大于對(duì)第一凹槽140側(cè)壁 的第一保護(hù)層150的刻蝕程度，使得將第一凹槽140底部的第一保護(hù)層150刻蝕去除，并且，第一凹槽140側(cè)壁的第一保護(hù)層150不會(huì)被去除；另一方面，刻蝕去除第一凹槽140底部的第一保護(hù)層150后，繼續(xù)向下刻蝕犧牲層120，且向下刻蝕犧牲層120的同時(shí)橫向刻蝕犧牲層120，此時(shí)，犧牲層120相比第一保護(hù)層150具有高的刻蝕選擇比，使得在第一凹槽140底部形成向外側(cè)突出的第一開口160，第一凹槽140側(cè)壁的第一保護(hù)層150保護(hù)第一凹槽140側(cè)壁的犧牲層120不受到刻蝕損傷。

具體的，刻蝕所述第一保護(hù)層150和犧牲層120以形成第一開口160的工藝為干法刻蝕工藝，參數(shù)為：采用的氣體包括cl2、o2和n2，cl2的流量為20sccm～100sccm，o2的流量為5sccm～15sccm，n2的流量為20sccm～50sccm，源射頻功率為200瓦～800瓦，偏置射頻功率為300瓦～600瓦，腔室壓強(qiáng)為10mtorr～25mtorr。

參考圖6，在所述第一凹槽140和第一開口160的內(nèi)壁形成第二保護(hù)層170。

在第一凹槽140側(cè)壁的第二保護(hù)層170和第一凹槽140側(cè)壁的第一保護(hù)層150重合，在圖6中，在第一凹槽140的側(cè)壁僅示出了第二保護(hù)層170，未將第一保護(hù)層150示出。

所述第二保護(hù)層150的材料為氮化硅。形成第二保護(hù)層150的工藝為等離子體鈍化工藝，具體的，采用氮等離子體對(duì)所述第一凹槽140和第一開口160的內(nèi)壁進(jìn)行處理，使得在第一凹槽140和第一開口160的內(nèi)壁形成第二保護(hù)層170。

參考圖7，沿著第一凹槽140和第一開口160向下刻蝕第二保護(hù)層170和犧牲層120直至暴露出隔離層110的表面，在第一開口160的底部形成第二凹槽180。

在向下刻蝕第二保護(hù)層170和犧牲層120的過程中，將第一凹槽140的開口向下投影到第一開口160內(nèi)壁的面積對(duì)應(yīng)的第二保護(hù)層170刻蝕去除，第一開口160內(nèi)壁的其它部分的第二保護(hù)層170不會(huì)被去除，第一凹槽140側(cè)壁的第二保護(hù)層170和第一開口160內(nèi)壁保留的第二保護(hù)層170保護(hù)對(duì)應(yīng) 遮蓋的犧牲層120不被刻蝕。

向下刻蝕第二保護(hù)層170和犧牲層120以形成第二凹槽180的工藝為干刻工藝，參數(shù)為：采用的氣體包括cf4、n2和ar，cf4的流量為20sccm～100sccm，n2的流量為10sccm～100sccm，ar的流量為10sccm～100sccm，源射頻功率為200瓦～800瓦，偏置射頻功率為300瓦～600瓦，腔室壓強(qiáng)為3mtorr～15mtorr。

接著，參考圖8，去除所述第二保護(hù)層170(參考圖7)。

在去除第二保護(hù)層170的同時(shí)也將第一保護(hù)層150也去除。

去除所述第二保護(hù)層170的工藝為：采用磷酸溶液刻蝕去除第二保護(hù)層170。

本實(shí)施例中，通過圖3至圖8的步驟，通過在所述犧牲層120中形成第一凹槽140、第一開口160和第二凹槽180，從而在所述犧牲層120中形成溝槽，所述溝槽的側(cè)壁具有一對(duì)溝槽凸起，所述一對(duì)溝槽凸起分別位于溝槽兩側(cè)側(cè)壁。需要說明的是，所述溝槽側(cè)壁的該對(duì)溝槽凸起對(duì)應(yīng)第一開口160向外側(cè)突出的部分。

參考圖9，沿著第一凹槽140、第一開口160和第二凹槽180向下刻蝕隔離層110直至暴露出半導(dǎo)體襯底100的表面。

具體的，采用干法刻蝕工藝向下刻蝕隔離層110直至暴露出半導(dǎo)體襯底100的表面，參數(shù)為：采用的氣體包括cf4、n2和ar，cf4的流量為20sccm～100sccm，n2的流量為10sccm～100sccm，ar的流量為10sccm～100sccm，源射頻功率為200瓦～800瓦，偏置射頻功率為300瓦～600瓦，腔室壓強(qiáng)為3mtorr～15mtorr。

在另一個(gè)實(shí)施例中，在向下刻蝕隔離層110之前，在第一凹槽140、第一開口160和第二凹槽180內(nèi)壁可以形成保護(hù)層，然后向下刻蝕所述保護(hù)層和隔離層110直至暴露出半導(dǎo)體襯底100的表面，之后去除保護(hù)層。

在又一個(gè)實(shí)施例中，為了簡(jiǎn)化工藝，形成第二凹槽180和向下刻蝕隔離層110的步驟在一個(gè)步驟中完成，即形成第二凹槽180后，保留所述第二保護(hù)層170，繼續(xù)沿著第一凹槽140、第一開口160和第二凹槽180向下刻蝕隔 離層110直至暴露出半導(dǎo)體襯底100的表面，然后去除第二保護(hù)層170。

接著，參考圖10，形成填充滿所述溝槽的鰭部190，所述溝槽凸起內(nèi)形成鰭部凸起。

具體的，在所述第一凹槽140(參考圖9)、第一開口160(參考圖9)和第二凹槽180(參考圖9)中形成鰭部190，在所述溝槽凸起內(nèi)形成鰭部凸起。本實(shí)施例中，由于所述溝槽側(cè)壁具有一對(duì)溝槽凸起，使得鰭部190的側(cè)壁具有一對(duì)鰭部凸起，且該對(duì)鰭部凸起分別位于鰭部190的兩側(cè)側(cè)壁。

當(dāng)所述犧牲層120的材料為硅時(shí)，所述鰭部190的材料為鍺或鍺化硅；當(dāng)所述犧牲層120的材料為鍺時(shí)，所述鰭部190的材料為硅或鍺化硅；當(dāng)所述犧牲層120的材料為鍺化硅時(shí)，所述鰭部190的材料為硅或鍺。

形成鰭部190的工藝為選擇性外延生長(zhǎng)工藝。

參考圖11，形成所述鰭部190后，去除所述犧牲層120和圖形化的掩膜層130。

先去除所述圖形化的掩膜層130，然后將所述犧牲層120去除。

去除犧牲層120后，將所述隔離層110也去除。

本實(shí)施例中，形成的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，參考圖11，包括：半導(dǎo)體襯底100；鰭部190，位于所述半導(dǎo)體襯底100上，所述鰭部190的側(cè)壁具有一對(duì)鰭部凸起，該對(duì)鰭部凸起分別位于鰭部190兩側(cè)側(cè)壁。

第二實(shí)施例

圖12至圖20是本發(fā)明第二實(shí)施例中鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管形成過程的結(jié)構(gòu)示意圖。

第二實(shí)施例與第一實(shí)施例的區(qū)別在于：在所述犧牲層中形成了溝槽，所述溝槽的側(cè)壁具有兩對(duì)溝槽凸起，各對(duì)溝槽凸起分別位于溝槽兩側(cè)側(cè)壁。關(guān)于第二實(shí)施例與第一實(shí)施例中相同的部分，不再詳述。

參考圖12，圖12為在圖6基礎(chǔ)上形成的示意圖，形成第二保護(hù)層170后，沿著第一凹槽140和第一開口160向下刻蝕第二保護(hù)層170和犧牲層120，在第一開口160的底部形成第二凹槽200。

在向下刻蝕第二保護(hù)層170和犧牲層120的過程中，將第一凹槽140的開口向下投影到第一開口160內(nèi)壁的面積對(duì)應(yīng)的第二保護(hù)層170刻蝕去除，第一開口160內(nèi)壁的其它部分的第二保護(hù)層170不會(huì)被去除，第一凹槽140側(cè)壁的第二保護(hù)層170和第一開口160內(nèi)壁保留的第二保護(hù)層170保護(hù)對(duì)應(yīng)遮蓋的犧牲層120不被刻蝕。

向下刻蝕第二保護(hù)層170和犧牲層120以形成第二凹槽200的工藝為干刻工藝，參數(shù)為：采用的氣體包括cf4、n2和ar，cf4的流量為20sccm～100sccm，n2的流量為10sccm～100sccm，ar的流量為10sccm～100sccm，源射頻功率為200瓦～800瓦，偏置射頻功率為300瓦～600瓦，腔室壓強(qiáng)為3mtorr～15mtorr。

接著，參考圖13，在所述第一凹槽140、第一開口160和第二凹槽200的內(nèi)壁形成第三保護(hù)層210。

所述第三保護(hù)層210的材料為氮化硅。形成第三保護(hù)層210的工藝為等離子體鈍化工藝，具體的，采用氮等離子體對(duì)所述第一凹槽140、第一開口160和第二凹槽200的內(nèi)壁進(jìn)行處理，使得在第一凹槽140、第一開口160和第二凹槽200的內(nèi)壁形成第三保護(hù)層210。

此時(shí)，在第一凹槽140內(nèi)壁的第三保護(hù)層210和第一凹槽140內(nèi)壁的第一保護(hù)層150、第一凹槽140內(nèi)壁的第二保護(hù)層170重合，第一開口160內(nèi)壁的第三保護(hù)層210和第一開口160內(nèi)壁的第二保護(hù)層170重合，在圖13中，在第一凹槽140的內(nèi)壁僅示出了第三保護(hù)層210，未將第一保護(hù)層150和第二保護(hù)層170示出，在第一開口160的內(nèi)壁僅示出了第三保護(hù)層210，未將第二保護(hù)層170示出。

參考圖14，沿著所述第一凹槽140、第一開口160和第二凹槽200向下刻蝕第三保護(hù)層210和犧牲層120，在向下刻蝕犧牲層120的同時(shí)橫向刻蝕犧牲層120，在所述第二凹槽200的底部形成向外側(cè)突出的第二開口220。

在形成第二開口220的過程中，一方面，向下刻蝕第三保護(hù)層210，此時(shí)，對(duì)第二凹槽200底部的第三保護(hù)層210的刻蝕程度大于對(duì)第二凹槽200側(cè)壁、第一凹槽140內(nèi)壁和第一開口160內(nèi)壁的第三保護(hù)層210的刻蝕程度，使得將第二凹槽200底部的第三保護(hù)層210刻蝕去除，第二凹槽200側(cè)壁、第一 凹槽140內(nèi)壁和第一開口160內(nèi)壁的第三保護(hù)層210不會(huì)被去除；另一方面，刻蝕去除第二凹槽200底部的第三保護(hù)層210后，繼續(xù)向下刻蝕犧牲層120，且向下刻蝕犧牲層120的同時(shí)橫向刻蝕犧牲層120，此時(shí)，犧牲層120相比第三保護(hù)層210具有高的刻蝕選擇比，使得在第二凹槽200的底部形成向外側(cè)突出的第二開口220，第一凹槽140內(nèi)壁、第一開口160內(nèi)壁、第二凹槽200內(nèi)壁的第三保護(hù)層210保護(hù)對(duì)應(yīng)遮蓋的犧牲層120不受到刻蝕損傷。

具體的，刻蝕所述第三保護(hù)層210和犧牲層120以形成第二開口220的工藝為干法刻蝕工藝，參數(shù)為：采用的氣體包括cl2、o2和n2，cl2的流量為20sccm～100sccm，o2的流量為5sccm～15sccm，n2的流量為20sccm～50sccm，源射頻功率為200瓦～800瓦，偏置射頻功率為300瓦～600瓦，腔室壓強(qiáng)為10mtorr～25mtorr。

接著，參考圖15，在所述第一凹槽140、第一開口160、第二凹槽200和第二開口220的內(nèi)壁形成第四保護(hù)層230。

所述第四保護(hù)層230的材料為氮化硅。形成第四保護(hù)層230的工藝為等離子體鈍化工藝，具體的，采用氮等離子體對(duì)所述第一凹槽140、第一開口160、第二凹槽200和第二開口220的內(nèi)壁進(jìn)行處理，使得在第一凹槽140、第一開口160、第二凹槽200和第二開口220的內(nèi)壁形成第四保護(hù)層230。

此時(shí)，在第一凹槽140內(nèi)壁的第四保護(hù)層230和第一凹槽140內(nèi)壁的第一保護(hù)層150、第一凹槽140內(nèi)壁的第二保護(hù)層170、第一凹槽140內(nèi)壁的第三保護(hù)層210重合，第一開口160內(nèi)壁的第四保護(hù)層230和第一開口160內(nèi)壁的第二保護(hù)層170、第一開口160內(nèi)壁的第三保護(hù)層210重合，在第二凹槽200內(nèi)壁的第四保護(hù)層230和第二凹槽200內(nèi)壁的第三保護(hù)層210重合；在圖15中，在第一凹槽140的內(nèi)壁僅示出了第四保護(hù)層230，未將第一保護(hù)層150、第二保護(hù)層170和第三保護(hù)層210示出，在第一開口160的內(nèi)壁僅示出了第四保護(hù)層230，未將第二保護(hù)層170和第三保護(hù)層210示出，在第二凹槽200內(nèi)壁僅示出了第四保護(hù)層230，未將第三保護(hù)層210示出。

參考圖16，形成第四保護(hù)層230后，沿著所述第一凹槽140、第一開口160、第二凹槽200和第二開口220向下刻蝕第四保護(hù)層230和犧牲層120直 至暴露出隔離層110的表面，在所述第二開口220的底部形成第三凹槽240。

在向下刻蝕第四保護(hù)層230和犧牲層120直至暴露出隔離層110的表面的過程中，將第一凹槽140的開口向下投影到第二開口220內(nèi)壁的面積對(duì)應(yīng)第四保護(hù)層230去除，第二開口220內(nèi)壁的其它部分的第四保護(hù)層230不會(huì)被去除，第一凹槽140、第一開口160和第二凹槽200的內(nèi)壁的第四保護(hù)層230、以及第二開口220內(nèi)壁保留的第四保護(hù)層230保護(hù)對(duì)應(yīng)遮蓋的犧牲層120不被刻蝕。

具體的，向下刻蝕第四保護(hù)層230和犧牲層120以形成第三凹槽240的工藝為干刻工藝，參數(shù)為：采用的氣體包括cf4、n2和ar，cf4的流量為20sccm～100sccm，n2的流量為10sccm～100sccm，ar的流量為10sccm～100sccm，源射頻功率為200瓦～800瓦，偏置射頻功率為300瓦～600瓦，腔室壓強(qiáng)為3mtorr～15mtorr。

接著，參考圖17，去除所述第四保護(hù)層230(參考圖16)。

去除所述第四保護(hù)層230的工藝為：采用磷酸溶液刻蝕去除第四保護(hù)層230。

在去除第四保護(hù)層230的同時(shí)也將第三保護(hù)層210、第二保護(hù)層170和第一保護(hù)層150去除。

本實(shí)施例中，通過在所述犧牲層120中形成第一凹槽140、第一開口160、第二凹槽180、第二開口220和第三凹槽240，從而在所述犧牲層120中形成溝槽，所述溝槽的側(cè)壁具有兩對(duì)溝槽凸起，各對(duì)溝槽凸起分別位于溝槽兩側(cè)側(cè)壁。需要說明的是，由于形成了第一開口160和第二開口220，且第一開口160和第二開口220均向外側(cè)突出，使得所述溝槽的側(cè)壁具有兩對(duì)溝槽凸起，所述溝槽凸起對(duì)應(yīng)第一開口160和第二開口220向外側(cè)突出的部分。

接著，參考圖18，沿著第一凹槽140、第一開口160、第二凹槽200、第二開口220和第三凹槽240向下刻蝕隔離層110直至暴露出半導(dǎo)體襯底100的表面。

具體的，采用干法刻蝕工藝向下刻蝕隔離層110直至暴露出半導(dǎo)體襯底100的表面，參數(shù)為：采用的氣體包括cf4、n2和ar，cf4的流量為 20sccm～100sccm，n2的流量為10sccm～100sccm，ar的流量為10sccm～100sccm，源射頻功率為200瓦～800瓦，偏置射頻功率為300瓦～600瓦，腔室壓強(qiáng)為3mtorr～15mtorr。

在另一個(gè)實(shí)施例中，在向下刻蝕隔離層110之前，在第一凹槽140、第一開口160、第二凹槽200、第二開口220和第三凹槽240內(nèi)壁可以形成保護(hù)層，然后向下刻蝕所述保護(hù)層和隔離層110直至暴露出半導(dǎo)體襯底100的表面，之后去除保護(hù)層。

在又一個(gè)實(shí)施例中，為了簡(jiǎn)化工藝，形成第三凹槽240和向下刻蝕隔離層110的步驟在一個(gè)步驟中完成，即形成第三凹槽240后，保留所述第四保護(hù)層230，繼續(xù)沿著第一凹槽140、第一開口160、第二凹槽200、第二開口220和第三凹槽240向下刻蝕隔離層110直至暴露出半導(dǎo)體襯底100的表面后，再去除第四保護(hù)層230。

接著，參考圖19，形成填充滿所述溝槽的鰭部250，在所述溝槽凸起內(nèi)形成鰭部凸起。

具體的，在所述第一凹槽140(參考圖18)、第一開口160(參考圖18)、第二凹槽200(參考圖18)、第二開口220(參考圖18)和第三凹槽240(參考圖18)中形成鰭部250，在所述溝槽凸起內(nèi)形成鰭部凸起。本實(shí)施例中，由于所述溝槽側(cè)壁具有兩對(duì)溝槽凸起，使得鰭部250的側(cè)壁具有兩對(duì)鰭部凸起，各對(duì)鰭部凸起分別位于鰭部190兩側(cè)側(cè)壁。

形成鰭部250的方法參照第一實(shí)施例中形成鰭部190的方法，不再詳述。

接著，參考圖20，去除所述犧牲層120和圖形化的掩膜層130。

去除所述犧牲層120和圖形化的掩膜層130的方法參照第一實(shí)施例，不再詳述。

去除犧牲層120后，將所述隔離層110也去除。

本實(shí)施例中，形成的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，參考圖20，包括：半導(dǎo)體襯底100；鰭部250，位于所述半導(dǎo)體襯底100上，所述鰭部250的側(cè)壁具有兩對(duì)鰭部凸起，各對(duì)鰭部凸起分別位于鰭部250兩側(cè)側(cè)壁。

第三實(shí)施例

圖21至圖29是本發(fā)明第三實(shí)施例中鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管形成過程的結(jié)構(gòu)示意圖。

第三實(shí)施例與第二實(shí)施例的區(qū)別在于：在所述犧牲層中形成了溝槽，所述溝槽的側(cè)壁具有三對(duì)溝槽凸起，各對(duì)溝槽凸起分別位于溝槽兩側(cè)側(cè)壁。關(guān)于第三實(shí)施例與第二實(shí)施例中相同的部分，不再詳述。

參考圖21，圖21為在圖15基礎(chǔ)上形成的示意圖，形成第四保護(hù)層230后，沿著第一凹槽140、第一開口160、第二凹槽200和第二開口220向下刻蝕第四保護(hù)層230和犧牲層120，在第二開口220的底部形成第三凹槽340。

在向下刻蝕第四保護(hù)層230和犧牲層120的過程中，將第一凹槽140的開口向下投影到第二開口220內(nèi)壁的面積對(duì)應(yīng)的第四保護(hù)層230刻蝕去除，第二開口220內(nèi)壁的其它部分的第四保護(hù)層230不會(huì)被去除，且第一凹槽140、第一開口160和第二凹槽200內(nèi)壁的第四保護(hù)層230不會(huì)被去除，第一凹槽140、第一開口160和第二凹槽200內(nèi)壁的第四保護(hù)層230，以及第二開口220內(nèi)壁保留的第四保護(hù)層230保護(hù)對(duì)應(yīng)遮蓋的犧牲層120不被刻蝕。

向下刻蝕第四保護(hù)層230和犧牲層120以形成第三凹槽340的工藝為干刻工藝，參數(shù)為：采用的氣體包括cf4、n2和ar，cf4的流量為20sccm～100sccm，n2的流量為10sccm～100sccm，ar的流量為10sccm～100sccm，源射頻功率為200瓦～800瓦，偏置射頻功率為300瓦～600瓦，腔室壓強(qiáng)為3mtorr～15mtorr。

參考圖22，在所述第一凹槽140、第一開口160、第二凹槽200、第二開口220和第三凹槽340的內(nèi)壁形成第五保護(hù)層350。

所述第五保護(hù)層350的材料為氮化硅。形成第三保護(hù)層210的工藝為等離子體鈍化工藝，具體的，采用氮等離子體對(duì)所述第一凹槽140、第一開口160、第二凹槽200、第二開口220和第三凹槽340的內(nèi)壁進(jìn)行處理，使得在第一凹槽140、第一開口160、第二凹槽200、第二開口220和第三凹槽340的內(nèi)壁形成第五保護(hù)層350。此時(shí)，在第一凹槽140內(nèi)壁的第五保護(hù)層350和第一凹槽140內(nèi)壁的第一保護(hù)層150、第一凹槽140內(nèi)壁的第二保護(hù)層170、第一凹槽140內(nèi)壁的第三保護(hù)層210、第一凹槽140內(nèi)壁的第四保護(hù)層230重 合，第一開口160內(nèi)壁的第五保護(hù)層350和第一開口160內(nèi)壁的第二保護(hù)層170、第一開口160內(nèi)壁的第三保護(hù)層210、第一開口160內(nèi)壁的第四保護(hù)層230重合，第二凹槽200內(nèi)壁的第五保護(hù)層350和第二凹槽200內(nèi)壁的第三保護(hù)層210、第二凹槽200內(nèi)壁的第四保護(hù)層230重合，第二開口220內(nèi)壁的第五保護(hù)層350和第二開口220內(nèi)壁的第四保護(hù)層230重合；在圖22中，在第一凹槽140、第一開口160、第二凹槽200、第二開口220的內(nèi)壁僅示出了第五保護(hù)層350。

參考圖23，形成第五保護(hù)層350后，沿著所述第一凹槽140、第一開口160、第二凹槽200、第二開口220和第三凹槽340向下刻蝕第五保護(hù)層350和犧牲層120，在向下刻蝕犧牲層120的同時(shí)橫向刻蝕犧牲層120，在第三凹槽340的底部形成向外側(cè)突出的第三開口360。

在形成第三開口360的過程中，一方面，向下刻蝕第五保護(hù)層350，此時(shí)，對(duì)第三凹槽340底部的第五保護(hù)層350的刻蝕程度大于對(duì)第三凹槽340側(cè)壁、第一凹槽140內(nèi)壁、第一開口160內(nèi)壁、第二凹槽200內(nèi)壁和第二開口220內(nèi)壁的第五保護(hù)層350的刻蝕程度，使得將第三凹槽340底部的第五保護(hù)層350去除，且第一凹槽140、第一開口160、第二凹槽200、第二開口220的內(nèi)壁的第五保護(hù)層350、以及第三凹槽340側(cè)壁的第五保護(hù)層350不會(huì)被去除；另一方面，刻蝕去除第三凹槽340底部的第五保護(hù)層350后，繼續(xù)向下刻蝕犧牲層120，且向下刻蝕犧牲層120的同時(shí)橫向刻蝕犧牲層120，此時(shí)，犧牲層120相對(duì)第五保護(hù)層350具有高的刻蝕選擇比，使得在第三凹槽340的底部形成向外側(cè)突出的第三開口360，第一凹槽140、第一開口160、第二凹槽200、第二開口220和第三凹槽340的內(nèi)壁的第五保護(hù)層350保護(hù)對(duì)應(yīng)遮蓋的犧牲層120不受到刻蝕損傷。

具體的，刻蝕所述第五保護(hù)層350和犧牲層120以形成第三開口360的工藝為干法刻蝕工藝，參數(shù)為：采用的氣體包括cl2、o2和n2，cl2的流量為20sccm～100sccm，o2的流量為5sccm～15sccm，n2的流量為20sccm～50sccm，源射頻功率為200瓦～800瓦，偏置射頻功率為300瓦～600瓦，腔室壓強(qiáng)為10mtorr～25mtorr。

接著，參考圖24，在所述第一凹槽140、第一開口160、第二凹槽200、 第二開口220、第三凹槽340和第三開口360的內(nèi)壁形成第六保護(hù)層370。

所述第六保護(hù)層370的材料為氮化硅。形成第六保護(hù)層370的工藝為等離子體鈍化工藝，具體的，采用氮等離子體對(duì)所述第一凹槽140、第一開口160、第二凹槽200、第二開口220、第三凹槽340和第三開口360的內(nèi)壁進(jìn)行處理，使得在第一凹槽140、第一開口160、第二凹槽200、第二開口220、第三凹槽340和第三開口360的內(nèi)壁形成第六保護(hù)層370。

此時(shí)，在第一凹槽140內(nèi)壁的第六保護(hù)層370和第一凹槽140內(nèi)壁的第一保護(hù)層150、第二保護(hù)層170、第三保護(hù)層210、第四保護(hù)層230、第五保護(hù)層350重合，在第一開口160內(nèi)壁的第六保護(hù)層370和第一開口160內(nèi)壁的第二保護(hù)層170、第三保護(hù)層210、第四保護(hù)層230、第五保護(hù)層350重合，在第二凹槽200內(nèi)壁的第六保護(hù)層370和第二凹槽200內(nèi)壁的第三保護(hù)層210、第四保護(hù)層230、第五保護(hù)層350重合，在第二開口220內(nèi)壁的第六保護(hù)層370和第二開口220內(nèi)壁的第四保護(hù)層230、第五保護(hù)層350重合，在第三凹槽340內(nèi)壁的第六保護(hù)層370和第三凹槽340內(nèi)壁的第五保護(hù)層350重合。在圖24中，在第一凹槽140、第一開口160、第二凹槽200、第二開口220和第三凹槽340內(nèi)壁僅示出了第六保護(hù)層370。

參考圖25，沿著第一凹槽140、第一開口160、第二凹槽200、第二開口220、第三凹槽340和第三開口360向下刻蝕第六保護(hù)層370和犧牲層120直至暴露出隔離層110的表面，在所述第三開口360的底部形成第四凹槽380。

在向下刻蝕第六保護(hù)層370和犧牲層120直至暴露出隔離層110的表面的過程中，將第一凹槽140的開口向下投影到第三開口360內(nèi)壁的面積對(duì)應(yīng)第六保護(hù)層370去除，第三開口360內(nèi)壁的其它部分的第六保護(hù)層370不會(huì)被去除，第一凹槽140、第一開口160、第二凹槽200、第二開口220和第三凹槽340的內(nèi)壁的第六保護(hù)層370、以及第三開口360內(nèi)壁保留的第六保護(hù)層370保護(hù)對(duì)應(yīng)遮蓋的犧牲層120不被刻蝕。

具體的，向下刻蝕第六保護(hù)層370和犧牲層120以形成第四凹槽380的工藝為干刻工藝，參數(shù)為：采用的氣體包括cf4、n2和ar，cf4的流量為20sccm～100sccm，n2的流量為10sccm～100sccm，ar的流量為 10sccm～100sccm，源射頻功率為200瓦～800瓦，偏置射頻功率為300瓦～600瓦，腔室壓強(qiáng)為3mtorr～15mtorr。

接著，參考圖26，去除所述第六保護(hù)層370(參考圖25)。

去除所述第六保護(hù)層370的工藝為：采用磷酸溶液刻蝕去除第六保護(hù)層370。

在去除第六保護(hù)層370的同時(shí)也將第五保護(hù)層350、第四保護(hù)層230、第三保護(hù)層210、第二保護(hù)層170和第一保護(hù)層150去除。

本實(shí)施例中，通過在所述犧牲層120中形成第一凹槽140、第一開口160、第二凹槽180、第二開口220、第三凹槽240、第三開口360和第四凹槽380，從而在所述犧牲層120中形成溝槽，所述溝槽的側(cè)壁具有三對(duì)溝槽凸起，各對(duì)溝槽凸起分別位于溝槽兩側(cè)側(cè)壁。需要說明的是，由于形成了第一開口160、第二開口220和第三開口360，且第一開口160、第二開口220和第三開口360均向外側(cè)突出，使得所述溝槽的側(cè)壁具有三對(duì)溝槽凸起，所述溝槽凸起對(duì)應(yīng)第一開口160、第二開口220和第三開口360向外側(cè)突出的部分。

接著，參考圖27，沿著第一凹槽140、第一開口160、第二凹槽200、第二開口220、第三凹槽240、第三開口360和第四凹槽380向下刻蝕隔離層110直至暴露出半導(dǎo)體襯底100的表面。

具體的，采用干法刻蝕工藝向下刻蝕隔離層110直至暴露出半導(dǎo)體襯底100的表面，參數(shù)為：采用的氣體包括cf4、n2和ar，cf4的流量為20sccm～100sccm，n2的流量為10sccm～100sccm，ar的流量為10sccm～100sccm，源射頻功率為200瓦～800瓦，偏置射頻功率為300瓦～600瓦，腔室壓強(qiáng)為3mtorr～15mtorr。

在另一個(gè)實(shí)施例中，在向下刻蝕隔離層110之前，在第一凹槽140、第一開口160、第二凹槽200、第二開口220、第三凹槽240、第三開口360和第四凹槽380內(nèi)壁可以形成保護(hù)層，然后向下刻蝕所述保護(hù)層和隔離層110直至暴露出半導(dǎo)體襯底100的表面，之后去除保護(hù)層。

在又一個(gè)實(shí)施例中，為了簡(jiǎn)化工藝，形成第四凹槽380和向下刻蝕隔離層110的步驟在一個(gè)步驟中完成，即形成第四凹槽380后，保留所述第六保 護(hù)層370，繼續(xù)沿著第一凹槽140、第一開口160、第二凹槽200、第二開口220、第三凹槽240、第三開口360和第四凹槽380向下刻蝕隔離層110直至暴露出半導(dǎo)體襯底100的表面后，再去除第四保護(hù)層230。

接著，參考圖28，形成填充滿所述溝槽的鰭部390，所述溝槽凸起內(nèi)形成鰭部凸起。

具體的，在所述第一凹槽140(參考圖27)、第一開口160(參考圖27)、第二凹槽200(參考圖27)、第二開口220(參考圖27)、第三凹槽240(參考圖27)、第三開口360(參考圖27)、第四凹槽380(參考圖27)中形成鰭部390，在所述溝槽凸起內(nèi)形成鰭部凸起。本實(shí)施例中，由于所述溝槽側(cè)壁具有三對(duì)溝槽凸起，使得鰭部390的側(cè)壁具有三對(duì)鰭部凸起，各對(duì)鰭部凸起分別位于鰭部390兩側(cè)側(cè)壁。

形成鰭部390的方法參照第一實(shí)施例中形成鰭部190的方法，不再詳述。

接著，參考圖29，去除所述犧牲層120和圖形化的掩膜層130。

去除所述犧牲層120和圖形化的掩膜層130的方法參照第一實(shí)施例，不再詳述。

去除犧牲層120后，將所述隔離層110也去除。

本實(shí)施例中，形成的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，參考圖29，包括：半導(dǎo)體襯底100；鰭部250，位于所述半導(dǎo)體襯底100上，所述鰭部390的側(cè)壁具有三對(duì)鰭部凸起，各對(duì)鰭部凸起分別位于鰭部390兩側(cè)側(cè)壁。

需要說明的是，在上述各個(gè)實(shí)施例中，去除所述隔離層后，還可以包括：在相鄰鰭部之間的所述半導(dǎo)體襯底上形成隔離結(jié)構(gòu)(未圖示)，所述隔離結(jié)構(gòu)覆蓋鰭部的部分側(cè)壁；然后形成橫跨鰭部的柵極結(jié)構(gòu)(未圖示)，所述柵極結(jié)構(gòu)位于隔離結(jié)構(gòu)上，覆蓋部分鰭部的頂部表面和側(cè)壁；在所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的鰭部中形成源漏區(qū)。

另需說明的是，在實(shí)際工藝中，可以根據(jù)實(shí)際情況選擇需要形成的凸起的對(duì)數(shù)，能夠形成的凸起的極限對(duì)數(shù)的數(shù)值與犧牲層120的高度，以及每個(gè)凹槽的高度和每個(gè)開口的高度有關(guān)，具體的，犧牲層120的高度越高，每個(gè) 凹槽的高度和每個(gè)開口的高度越小，能夠形成凸起的極限對(duì)數(shù)的數(shù)值越大。

雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。