技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了包括第一導(dǎo)電類型的晶體管的FET結(jié)構(gòu)。晶體管包括具有第二導(dǎo)電類型的區(qū)域的襯底、位于源極和漏極之間的溝道以及位于溝道上方的柵極。溝道包括第一導(dǎo)電類型的摻雜物。柵極包括第二導(dǎo)電類型的功函設(shè)置層。本發(fā)明還提供了用于制造具有多閾值電壓方案的FET的方法。該方法包括：從第一掩模暴露第一導(dǎo)電類型的第一晶體管的溝道和第二導(dǎo)電類型的第一晶體管的溝道；利用第一導(dǎo)電類型的摻雜物來摻雜溝道；從第二掩模暴露第一導(dǎo)電類型的第二晶體管和第二導(dǎo)電類型的第二晶體管的溝道；以及利用第二導(dǎo)電類型的摻雜物來摻雜溝道。本發(fā)明還提供了一種多閾值電壓場效應(yīng)晶體管及其制造方法。

技術(shù)研發(fā)人員：埃米·馬哈德夫·沃克;謝奇勛;朱哲民;郭宇軒
受保護的技術(shù)使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
文檔號碼：201610084673
技術(shù)研發(fā)日：2016.02.14
技術(shù)公布日：2017.02.15