本發(fā)明屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體功率器件，以及該半導(dǎo)體功率器件的形成方法。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體功率器件的過流檢測保護(hù)，是提升電力電子系統(tǒng)長期可靠性的重要手段。當(dāng)前主流的半導(dǎo)體功率器件如igbt(insulatedgatebipolartransistor，絕緣柵雙極型晶體管)，mosfet(metal-oxide-semiconductorfield-effecttransistor，金氧半場效晶體管)等，過流檢測保護(hù)一般通過采樣陽極和陰極之間壓降，反饋給控制驅(qū)動單元進(jìn)行門級控制，從而實(shí)現(xiàn)有效的保護(hù)。該電流檢測保護(hù)方案的一個(gè)不足在于，電路并不能完全直接探測到功率器件陰極和陽極例如igbt結(jié)構(gòu)中的發(fā)射極e和集電極c之間的壓降，在檢測點(diǎn)和半導(dǎo)體功率器件芯片之間，還存在一定值的寄生電感、寄生電阻，流過器件的大電流在這些寄生電感和寄生電阻上產(chǎn)生額外的壓降，尤其是寄生電感，隨著電流變化率的不同，產(chǎn)生的額外壓降變化范圍很大，甚至遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過功率器件上的壓降，從而給檢測判斷帶來極大的誤差，甚至導(dǎo)致誤保護(hù)。

消除寄生參數(shù)的影響，一種改進(jìn)的過流檢測保護(hù)方案，如圖1所示，在半導(dǎo)體功率器件芯片10’內(nèi)集成電流檢測單元，設(shè)計(jì)兩個(gè)面積大小不等的陰極例如對于igbt結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)兩個(gè)面積大小不等的發(fā)射極e1和e2，兩個(gè)陰極的導(dǎo)電單元呈一定的比例，如圖2所示,面積大的陰極e1連接主回路，有大電流通過，面積小的陰極e2連接一個(gè)外部檢流電阻r’，只有很小的電流通過，檢測保護(hù)電路通過采樣外部檢流電阻r’上的壓降，來判斷通過器件的主要電流值，從而實(shí)現(xiàn)過流檢測保護(hù)功能。由于檢測回路的電流一直都不會很大，寄生電感，寄生電阻對檢測的壓降值影響遠(yuǎn)小于檢流電阻r’上的壓降值。

但是，過流檢測保護(hù)的改進(jìn)方案，其本質(zhì)是在功率器件的陰極分一部分小電流做檢測保護(hù)用，但是在該功率器件內(nèi)部，兩個(gè)陰極的兩部分電流并沒有相互獨(dú)立，兩個(gè)陰極在芯片層面緊挨在一起，兩部分電流存在相互影響，在器件不同的工作狀態(tài)下，器件流過不同的電流值時(shí)，通過兩個(gè)陰極的電流比值并不恒定，而是會在一定范圍內(nèi)變化，尤其在器件開關(guān)動作的過程中，這種相互影響非常嚴(yán)重，電流比例會有產(chǎn)生極大的偏離。由于器件兩個(gè)陰極的兩部分電流的通路，都必須共用同一個(gè)門級，小面積的陰極e2外接檢流電阻r’， 產(chǎn)生額外的壓降會串聯(lián)在小面積陰極的門級控制回路，導(dǎo)致小面積陰極部分的有效門級控制信號減小，進(jìn)一步加大了兩部分電流比例的不確定性。而且，小面積陰極部分的門級面積很小，電容參數(shù)很小，其靜電能力、浪涌承受能力都比較弱，小面積陰極成為功率器件比較脆弱的部分，降低了器件在系統(tǒng)中的可靠性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明旨在至少在一定程度上解決相關(guān)技術(shù)中的技術(shù)問題之一。為此，本發(fā)明需要提出一種半導(dǎo)體功率器件，該半導(dǎo)體功率器件，便于過流檢測，過流檢測精度提高。

本發(fā)明還提出一種半導(dǎo)體功率器件的形成方法。

為了解決上述問題，本發(fā)明一方面提出一種半導(dǎo)體功率器件，該半導(dǎo)體功率器件包括：襯底；位于所述襯底之上的功能結(jié)構(gòu)，所述功能結(jié)構(gòu)包括有源區(qū)；導(dǎo)磁環(huán)體，所述導(dǎo)磁環(huán)體位于所述功能結(jié)構(gòu)之上，且包圍所述有源區(qū)；導(dǎo)電環(huán)路，所述導(dǎo)電環(huán)路環(huán)繞于所述導(dǎo)磁環(huán)體上。

本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體功率器件，通過在功能結(jié)構(gòu)上形成導(dǎo)磁環(huán)體，并環(huán)繞該導(dǎo)磁環(huán)體設(shè)置導(dǎo)電環(huán)路，基于電磁感應(yīng)原理，流經(jīng)電流時(shí)，導(dǎo)磁環(huán)體中產(chǎn)生磁通量，該磁通量穿過導(dǎo)電環(huán)路而在導(dǎo)電環(huán)路內(nèi)生成感生電勢，該感生電勢可作為過流檢測的采樣信號，與相關(guān)技術(shù)相比，無需在陰極分離一部分電流，在獨(dú)立的新回路產(chǎn)生感生電勢，該感生電勢與陰極電流的比例穩(wěn)定，不受電流大小、開關(guān)動作的影響，檢測精度高。

為了解決上述問題，本發(fā)明又一方面提出一種半導(dǎo)體功率器件的芯片結(jié)構(gòu)的形成方法，該形成方法包括：提供襯底，并在所述襯底上形成功能結(jié)構(gòu)，所述功能結(jié)構(gòu)包括有源區(qū)；在所述功能結(jié)構(gòu)之上形成導(dǎo)磁環(huán)體，所述導(dǎo)磁環(huán)體包圍所述有源區(qū)；環(huán)繞所述導(dǎo)磁環(huán)體形成導(dǎo)電環(huán)路。

本發(fā)明的半導(dǎo)體功率器件的芯片結(jié)構(gòu)的形成方法，通過形成導(dǎo)磁環(huán)體以及環(huán)繞該導(dǎo)磁環(huán)體的導(dǎo)電環(huán)路，基于電磁感應(yīng)原理實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體功率器件的電流的檢測，無需從陰極分離電流，電流檢測更加準(zhǔn)確。

附圖說明

圖1是相關(guān)技術(shù)中一種采用雙陰極設(shè)計(jì)的半導(dǎo)體功率器件芯片示意圖；

圖2是相關(guān)技術(shù)中采用雙陰極設(shè)計(jì)的半導(dǎo)體功率器件電流檢測電路示意圖；

圖3是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體功率器件的框圖；

圖4是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體功率器件的功能結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖5是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例的半導(dǎo)體功率器件的框圖；

圖6是根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)具體實(shí)施例的半導(dǎo)體功率器件的截面示意圖；

圖7是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例的半導(dǎo)體功率器件的過流檢測等效電路示意圖；

圖8是根據(jù)本發(fā)明的再一個(gè)具體實(shí)施例的半導(dǎo)體功率器件的截面示意圖；

圖9是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體功率器件的形成襯底和功能結(jié)構(gòu)的工藝步驟示意圖；

圖10是根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體功率器件的沉積第一絕緣介質(zhì)層的示意圖；

圖11是根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體功率器件的形成導(dǎo)電環(huán)路的部分結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖12是根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體功率器件的沉積第二絕緣介質(zhì)層的示意圖；

圖13是根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體功率器件的形成導(dǎo)磁環(huán)體的示意圖；

圖14是根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體功率器件的沉積第三絕緣介質(zhì)層的示意圖；

圖15是根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體功率器件的形成通孔的示意圖；以及

圖16是根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體功率器件的形成導(dǎo)電環(huán)路和電極的示意圖。

具體實(shí)施方式

下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，旨在用于解釋本發(fā)明，而不能理解為對本發(fā)明的限制。

為了解決目前半導(dǎo)體功率器件中過流檢測保護(hù)方案的不足，本發(fā)明提供一種新型集成電流檢測保護(hù)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體功率器件。如圖3所示，本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體功率器件100包括襯底11、功能結(jié)構(gòu)12、導(dǎo)磁環(huán)體13和導(dǎo)電環(huán)路14。

其中，功能結(jié)構(gòu)12位于襯底11之上，功能結(jié)構(gòu)12與具體的半導(dǎo)體功率器件有關(guān)。以mos型功率器件為例，mos型功率器件包括igbt和mosfet等，其功能區(qū)均由大量元包結(jié)構(gòu)并聯(lián)而成，如圖4所示，為mos型功率器件一種常見的元包結(jié)構(gòu)示意圖。其中109為陽極，108為陽極區(qū)(對于igbt，為p型摻雜，對于mosfet，為n型摻雜)，107為n型摻雜漂移區(qū)，106為p型摻雜阱區(qū)，105為n型摻雜源區(qū)，104和102為絕緣層，103為門極，大量并聯(lián)與門級電極g相連，110為陰極金屬，實(shí)際功能區(qū)的所有陰極金屬都連在一起形成本發(fā)明中的e電極。

功能結(jié)構(gòu)12包括有源區(qū)，即器件的電流通路，例如圖4中的各個(gè)電極區(qū)。導(dǎo)磁環(huán)體13位于功能結(jié)構(gòu)12之上，且包圍有源區(qū)，換句話說，導(dǎo)磁環(huán)體13包圍半導(dǎo)體功率器件100的工作時(shí)的電流路徑區(qū)域。具體地，導(dǎo)磁環(huán)體13可以為圓形或者方形，可以根據(jù)器件的具體情況進(jìn)行設(shè)計(jì)，但是，導(dǎo)磁環(huán)體13需要為閉合的環(huán)體，以使得器件工作時(shí)，導(dǎo)磁環(huán)體13內(nèi)可以穿過電流產(chǎn)生的磁感線。根據(jù)電磁感應(yīng)原理，在半導(dǎo)體功率器件100流過電流時(shí)，導(dǎo)磁環(huán)體13內(nèi)產(chǎn)生磁通量。導(dǎo)電環(huán)路14環(huán)繞于導(dǎo)磁環(huán)體13上，進(jìn)而半導(dǎo)體功率器件100流過電流時(shí)，導(dǎo)磁環(huán)體13產(chǎn)生的磁通量通過導(dǎo)電環(huán)路14，在導(dǎo)電環(huán)路14內(nèi)生成一定的感生電勢。

導(dǎo)電環(huán)路14產(chǎn)生的感生電勢與陰極電流的比例穩(wěn)定，不受電流大小、開關(guān)動作的影響，從而可以作為過流檢測的采樣信號，方便對該半導(dǎo)體功率器件100的過流檢測保護(hù)控制。具體地，如圖5所示，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體功率器件的過流檢測功能框圖。結(jié)合外圍的過流檢測電路進(jìn)行說明，在進(jìn)行過流檢測時(shí)，采集模塊20可以與導(dǎo)電環(huán)路14形成回路并生成采樣信號，該回路的阻抗集中在采集模塊20上，所以感生電勢加在該采集模塊20上，采集模塊20上的電勢值即采樣信號對應(yīng)半導(dǎo)體功率器件100流過的電流值，直接采樣該采集模塊20上的電勢，即可得知流過半導(dǎo)體功率器件100的電流值，控制模塊30根據(jù)該采集模塊20的采樣信號控制半導(dǎo)體功率器件100的電流，從而實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確有效的電流檢測與保護(hù)。

可以看出，本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體功率器件100，通過在功能結(jié)構(gòu)12之上形成導(dǎo)磁環(huán)體13，并環(huán)繞該導(dǎo)磁環(huán)體13設(shè)置導(dǎo)電環(huán)路14，根據(jù)電磁感應(yīng)，流經(jīng)電流時(shí)，導(dǎo)磁環(huán)體13中產(chǎn)生磁通量，該磁通量穿過導(dǎo)電環(huán)路14而在導(dǎo)電環(huán)路14內(nèi)生成感生電勢，該感生電勢即可作為過流檢測的采樣信號以檢測電流，從而為半導(dǎo)體功率器件100的過流檢測提供基礎(chǔ)，與相關(guān)技術(shù)相比，無需在陰極分離一部分電流，在獨(dú)立的新回路產(chǎn)生感生電勢，檢測精度高。

具體地，導(dǎo)磁環(huán)體13的材質(zhì)一般可以包括金屬或合金，例如包括鐵、鈷和鎳中的一種，或者其他可以實(shí)現(xiàn)該功能的非金屬性材料，或者一些合金例如硅鋼片、鐵和稀土元素材料形成的合金。如圖6所示，在半導(dǎo)體功率器件100的的陰極表面周圍設(shè)計(jì)具備一定厚度和寬度的環(huán)狀磁性膜層例如鎳層，即利用鎳材料的導(dǎo)磁性能。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)磁環(huán)體13與功能結(jié)構(gòu)12絕緣，且導(dǎo)磁環(huán)體13與導(dǎo)電環(huán)路14絕緣，即導(dǎo)磁環(huán)體13是孤立體，與半導(dǎo)體功率器件100的其他電氣部分通過絕緣介質(zhì)完全隔離。與主回路之間完全隔離，互不干擾，保證了器件的可靠性。

環(huán)繞該環(huán)狀磁性膜層設(shè)計(jì)導(dǎo)電環(huán)路14，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)電環(huán)路14包括一個(gè)或多個(gè)串聯(lián)的導(dǎo)電線圈，導(dǎo)電線圈環(huán)繞導(dǎo)磁環(huán)體13至少一匝。一般地，導(dǎo)電線圈環(huán) 繞導(dǎo)磁環(huán)體13在2-50匝之間。

半導(dǎo)體功率器件100還包括第一采樣電極is1和第二采樣電極is2，第一采樣電極is1與所述導(dǎo)電環(huán)路14的一端相連，第二采樣電極is2與導(dǎo)電環(huán)路14的另一端相連，外圍的過流檢測電路的采樣模塊20可以連接第一采樣電極is1和第二采樣電極is2，來獲得采樣信號，進(jìn)而進(jìn)行過流保護(hù)控制，對半導(dǎo)體功率器件100的電流進(jìn)行調(diào)節(jié)。

如圖7所示為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體功率器件的電流采集等效電路示意圖，半導(dǎo)體功率器件100還包括采樣電阻r，采樣電阻r與導(dǎo)電環(huán)路14并聯(lián)，采樣電阻r的阻抗大于導(dǎo)電環(huán)路14的阻抗，從而導(dǎo)電環(huán)路14的感生電勢基本施加在該采樣電阻r上。

參照圖6和圖7所示，在導(dǎo)磁環(huán)體13上環(huán)繞一個(gè)或多個(gè)金屬線圈，采樣電阻r與金屬線圈構(gòu)成回路，采樣電阻r的阻抗遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于金屬線圈的阻抗。

具體地，根據(jù)電磁感應(yīng)原理，當(dāng)半導(dǎo)體功率器件100流經(jīng)電流i(t)時(shí)，在寬度為w，厚度為d，長度為l的導(dǎo)磁環(huán)體13內(nèi)，產(chǎn)生了對應(yīng)的磁通量φ(t)，該磁通量滿足：

ф(t)＝aμrμ0i(t)wd/l，

其中，μr為導(dǎo)磁環(huán)體13的相對磁導(dǎo)率，μ0為真空磁導(dǎo)率，a為與導(dǎo)磁環(huán)體13的形狀和尺寸有關(guān)的系數(shù)。

磁通量φ(t)又穿過環(huán)繞該導(dǎo)磁環(huán)體13的一個(gè)或者多個(gè)串聯(lián)的金屬線圈，在金屬線圈與采樣電阻r的回路產(chǎn)生一定的感生電勢ε，

ε＝n.dф(t)/dt＝naμrμ0i’(t)wd/l，

由于該回路的絕大多數(shù)阻抗都集中在采樣電阻r上，因此，感生電勢也全部施加在該采樣電阻r上。該采樣電阻r上的電勢值與流過半導(dǎo)體功率器件100的陰極如圖7中的發(fā)射極e的電流值相對應(yīng)，進(jìn)行過流檢測時(shí)可以直接采樣該采樣電阻r上的電勢，即可得知流過器件的電流值，從而實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確有效的電流檢測與保護(hù)。

與現(xiàn)有具有集成電流檢測保護(hù)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體功率器件相比，本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體功率器件，完全采用電磁感應(yīng)效應(yīng)，與功率器件的陰極、陽極、門級完全隔離，不需要從陰極分走一部分電流，不影響門級控制信號，在獨(dú)立的新回路產(chǎn)生感生電勢，通過檢測電勢值來判斷流過陰極的電流大小，實(shí)現(xiàn)過流保護(hù)。

在本發(fā)明的實(shí)施例中，采樣電阻r可以設(shè)置在芯片結(jié)構(gòu)10外部電路中，以igbt器件為例，參照圖6和圖7，其中，e為發(fā)射極，g為門級，導(dǎo)磁環(huán)體13環(huán)繞了發(fā)射極e和門級g，從而可以保證在半導(dǎo)體器件100流經(jīng)電流時(shí)，在導(dǎo)磁環(huán)體13內(nèi)可以產(chǎn)生磁通量，導(dǎo)電環(huán)路14例如導(dǎo)電線圈環(huán)繞導(dǎo)磁環(huán)體13，is1和is2為導(dǎo)電線圈的兩端引出的采樣電極，如圖7所示，在芯片結(jié)構(gòu)10的外部連接阻抗遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于導(dǎo)電線圈的阻抗 的采樣電阻r，根據(jù)采樣電阻r的采樣信號即產(chǎn)生的電勢即可得知流過器件的電流值。

另外，采樣電阻r也可以集成在半導(dǎo)體功率器件100的內(nèi)部，如圖8所示，為根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)具體實(shí)施例的半導(dǎo)體功率器件示意圖，其中，e為發(fā)射極，g為門級，導(dǎo)磁環(huán)體13環(huán)繞了發(fā)射極e和門級g，導(dǎo)電環(huán)路14例如導(dǎo)電線圈環(huán)繞導(dǎo)磁環(huán)體13，is1和is2為導(dǎo)電線圈的兩端引出的采樣電極，其中，導(dǎo)電線圈環(huán)繞導(dǎo)磁環(huán)體13至少一圈，一般為2到50圈，且在導(dǎo)電線圈兩端直接連有集成在內(nèi)部的采樣電阻r。該采樣電阻r的阻值在1k歐姆至100k歐姆范圍，遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于導(dǎo)電線圈的阻抗。在半導(dǎo)體功率器件100內(nèi)部集成采樣電阻r，從而外部檢測電路可以更加簡單，采樣更加精確。

基于上述方面對半導(dǎo)體功率器件及其芯片結(jié)構(gòu)的說明，下面參照附圖描述根據(jù)本發(fā)明在一方面實(shí)施例的半導(dǎo)體功率器件的芯片結(jié)構(gòu)的形成方法。

參照圖9-16所示，該半導(dǎo)體功率器件的芯片結(jié)構(gòu)的形成方法包括以下步驟：

s1,提供襯底，并在襯底上形成功能結(jié)構(gòu)，功能結(jié)構(gòu)包括有源區(qū)。

具體地，如圖9所示，選用半導(dǎo)體襯底材料11，在半導(dǎo)體材料上表面形成半導(dǎo)體功率器件的功能結(jié)構(gòu)12，該功能結(jié)構(gòu)取決于特定的器件要求例如igbt結(jié)構(gòu)或者mosfet結(jié)構(gòu)。

s2，在功能結(jié)構(gòu)上形成導(dǎo)磁環(huán)體，導(dǎo)磁環(huán)體包圍有源區(qū)。

s3，環(huán)繞導(dǎo)磁環(huán)體形成導(dǎo)電環(huán)路。

本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體功率器件的芯片結(jié)構(gòu)的形成方法，通過形成導(dǎo)磁環(huán)體以及環(huán)繞該導(dǎo)磁環(huán)體的導(dǎo)電環(huán)路，基于電磁感應(yīng)原理實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體功率器件的電流的檢測，無需從陰極分離電流，電流檢測更加準(zhǔn)確。

進(jìn)一步地，環(huán)繞導(dǎo)磁環(huán)體形成導(dǎo)電環(huán)路可以通過以下過程實(shí)現(xiàn)：

首先，在功能結(jié)構(gòu)上沉積第一絕緣介質(zhì)。如圖10所示，形成功能結(jié)構(gòu)之后，在表面沉積絕緣介質(zhì)100，起到隔離作用。

在第一絕緣介質(zhì)上沉積第一金屬層并形成導(dǎo)電環(huán)路的部分結(jié)構(gòu)。如圖11所示，在絕緣介質(zhì)100上有選擇的形成一層導(dǎo)電金屬條，作為環(huán)繞在導(dǎo)磁環(huán)體下方的導(dǎo)電環(huán)路的部分結(jié)構(gòu)110。

在導(dǎo)電環(huán)路的部分結(jié)構(gòu)以及該部分結(jié)構(gòu)未覆蓋的第一絕緣介質(zhì)上沉積第二絕緣介質(zhì)層120，如圖12所示。

在第二絕緣介質(zhì)層上形成導(dǎo)磁環(huán)體，導(dǎo)磁環(huán)體包圍有源區(qū)。如圖13所示，在第二絕緣介質(zhì)層120上有選擇的淀積磁性薄膜環(huán)作為導(dǎo)磁環(huán)體13。

在導(dǎo)磁環(huán)體以及第二絕緣介質(zhì)上沉積第三絕緣介質(zhì)層130，如圖14所示，并在第三絕緣介質(zhì)層130上形成通孔140，如圖15所示。

在第三絕緣介質(zhì)上沉積第二金屬層，其中，第二金屬層通過一部分的通孔與導(dǎo)電環(huán)路 的部分結(jié)構(gòu)連通以形成完整的導(dǎo)電環(huán)路。

并且，第二金屬層通過另一部分的通孔形成電極。

如圖16所示，有選擇的沉積一層導(dǎo)電金屬，利用通孔140與底部的金屬連通以形成完整的導(dǎo)電環(huán)路14，且形成發(fā)射極e，門級g，以及過流檢測端子的電極金屬is1(is2)。

最后，完成半導(dǎo)體功率器件的其他保護(hù)處理。

在本說明書的描述中，參考術(shù)語“一個(gè)實(shí)施例”、“一些實(shí)施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實(shí)施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)包含于本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例或示例中。在本說明書中，對上述術(shù)語的示意性表述不必須針對的是相同的實(shí)施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。此外，在不相互矛盾的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以將本說明書中描述的不同實(shí)施例或示例以及不同實(shí)施例或示例的特征進(jìn)行結(jié)合和組合。

盡管上面已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實(shí)施例，可以理解的是，上述實(shí)施例是示例性的，不能理解為對本發(fā)明的限制，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本發(fā)明的范圍內(nèi)可以對上述實(shí)施例進(jìn)行變化、修改、替換和變型。