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      一種提高GaNHEMT鈍化效果、降低電流崩塌的表面處理技術(shù)的制作方法

      文檔序號(hào):11235503閱讀:來源:國知局

      技術(shù)特征:

      技術(shù)總結(jié)
      本發(fā)明公開了一種提高氮化鎵基電子器件表面鈍化效果、降低電流崩塌的表面處理技術(shù)及實(shí)現(xiàn)方法,所述方法主要應(yīng)用于在氮化鎵基電子器件制備中,在常規(guī)鈍化層淀積之前,利用臭氧、氧等離子體等強(qiáng)氧化劑對(duì)氮化鎵表面進(jìn)行氧化,然后再用鹽酸去除薄層氧化物,重復(fù)該過程若干周期在表面鈍化之前達(dá)到徹底移除表面缺陷,得到一個(gè)相對(duì)完美的表面,提高表面鈍化效果,降低由于表面陷阱效應(yīng)引起的電流崩塌。

      技術(shù)研發(fā)人員:王茂俊;林書勛;陶明;郝一龍
      受保護(hù)的技術(shù)使用者:北京大學(xué)
      技術(shù)研發(fā)日:2016.03.03
      技術(shù)公布日:2017.09.12
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