1.有機發(fā)光二極管顯示器，包括：
第一有機發(fā)光元件，配置為發(fā)射與第一波長范圍對應(yīng)的光；
第二有機發(fā)光元件，配置為發(fā)射與第二波長范圍對應(yīng)的光，所述第二波長范圍的中心波長比所述第一波長范圍的中心波長短；
第三有機發(fā)光元件，配置為發(fā)射與第三波長范圍對應(yīng)的光，所述第三波長范圍的中心波長比所述第一波長范圍的中心波長長；
第四有機發(fā)光元件，配置為發(fā)射與第四波長范圍對應(yīng)的光，所述第四波長范圍的中心波長比所述第三波長范圍的中心波長長；以及
空穴注入層，布置在所述第一有機發(fā)光元件、所述第二有機發(fā)光元件、所述第三有機發(fā)光元件以及所述第四有機發(fā)光元件下方，
其中，所述第一有機發(fā)光元件包括布置在所述空穴注入層上的第一輔助層，以及
所述第四有機發(fā)光元件包括布置在所述空穴注入層上的第二輔助層。
2.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中：
所述第一有機發(fā)光元件包括布置在所述第一輔助層上的第一有機發(fā)射層，以及
所述第二有機發(fā)光元件包括布置在所述空穴注入層上的第二有機發(fā)射層。
3.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中：
所述第四有機發(fā)光元件包括布置在所述第二輔助層上的第一空穴傳輸層，以及
所述第三有機發(fā)光元件包括布置在所述空穴注入層上的第二空穴傳輸層。
4.如權(quán)利要求3所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中：
所述第四有機發(fā)光元件包括布置在所述第一空穴傳輸層上的第三輔助層。
5.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中：
所述第一有機發(fā)光元件和所述第二有機發(fā)光元件配置為發(fā)射不同的藍(lán)光。
6.如權(quán)利要求5所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中：
所述第一波長范圍為459nm至490nm，以及
所述第二波長范圍為440nm至458nm。
7.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中：
所述空穴注入層整體地形成為位于所述第一有機發(fā)光元件、所述第二有機發(fā)光元件、所述第三有機發(fā)光元件以及所述第四有機發(fā)光元件下方。
8.用于制造有機發(fā)光二極管顯示器的方法，包括：
在形成有像素電路的襯底上形成空穴注入層；
在所述空穴注入層上形成第一輔助層和第二輔助層，所述第一輔助層和所述第二輔助層布置在所述空穴注入層的不同位置上；
在所述第一輔助層上形成第一有機發(fā)射層；以及
在所述第二輔助層上形成第一空穴傳輸層。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中：
當(dāng)形成所述第一有機發(fā)射層時，
在所述空穴注入層上與所述第一有機發(fā)射層分離的位置處同時形成第二有機發(fā)射元件。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中：
當(dāng)形成所述第一空穴傳輸層時，
在所述空穴注入層上與所述第一有機發(fā)射層、所述第二有機發(fā)射層以及所述第一空穴傳輸層分離的位置處同時形成第二空穴傳輸層。